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Integrator Front-End -> j-fet mit Gate-Strom?
der Sperrschicht gespeichert. Ich habe das mit einer Spannungsquelle und dem Kondensator sowie 2 Schaltern realisiert. Die Schaltung ist im wesentlichen ein Integrator mit Reset. Soweit funktioniert alles.Komischerweise habe ich mit dem Modell vom BF862 einen Gate-Strom von etwa 1.6nA was bei den
Seit wann haben j-fets denn statische gateströme in der Größenordnung
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Programmieren lernen - Fahrzeugelektronik/Automotiv Computing
es zu den 0..5V des Arduinos passt und einlesen. Zur Ansteuerung des Lichts würde ich ein Smart-Fet nehmen. Oder einen kleinen Transistor und Relais. Nimmst Du einen (Smart)-Fet, kannst Du das Licht später auch dimmen. Zum Beispiel beim Öffenen langsam faden. Wie R.F. schon erwähnt ist auch der
Wenn ich bei meinem Auto die Tür aufmache, schließt ein Schalter einen Stromkreis und das Licht geht an. Da kann man weder in Assembler noch in C dem Schalter oder dem Licht etwas anderes erklären. Liegt aber vielleicht daran das so ein E-Auto zu modern für so
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PWM Steuerung von Peltier Module
Programmfehler (Pin aus Versehen als Eingang defniert) das Gate nicht irgendwie herumfloatet und den Fet "so halb" einschaltet. Du wunderst dich, wie schnell der in diesem Fall abraucht... > Die Module haben max. 12V Spannung und 7A Strom, also max. 14A Strom bei > Volllast. Leg die Kühlung deines
die Module dann mit Relais schalten? Ich weiß nicht, ob dies mit dem Arduino klappt.
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Verhalten MRF9120
Hast du an dem jeweils anderen FET die Einspeisedrossel abgeklemmt? Gibt es reale Unterlagen oder Fotos zu deinem Aufbau? Arno
fliesst richtig viel Strom, die HF ist aber äusserst mickrig. Was ja dazu passt, dass die beiden FETs im Gleichtakt und nicht im Gegentakt arbeiten. Den MRF habe ich mir auch über Ebay in China besorgt, womit natürlich auch eine gewisse Möglichkeit besteht, dass ich einem Plagiat aufgesessen bin :-
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BMS: wie viele Zellen parallel?
Hallo, wie viele Zellen darf man parallel zum BMS schalten wenn man die Zellspannung (z.B. von einem 14S?P Liion Akkus) mittels BMS stabilisieren möchte beim Laden? Gibt es dafür eine Formel? Ich denke diese Frage lässt sich nicht pauschal beantworten da dies von mehreren Faktoren abhängt wie: - maximale Verlustleistung der Balancer-FETs - Ladestrom - aktueller Innenwiderstand der jeweiligen Zelle Ich vermute das man nicht X- beliebig viele Zellen parallel schalten darf weil man sonst das BMS beim Laden zerschiesst. Aber wie legt
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unbekanntes USB IC
die "?" Leitung (im Schaltplanauszug) hingeht, um Power zu bekommen. Ist da nochmal ein MOSFET Schalter eingeschleift? Bin ratlos!
Schalte nicht genutztes mit einem mechanischen Schalter ab und gut. Ich habe meinen "Computerkram" seit mehr als nem viertel Jhdt an einer selbstgebauten Steckdosenleiste dran. davor ist noch ein ganz
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Dimensionierung Pufferkondensator High Side Schalter
in die Runde, für die Auswahl und Dimensionierung von Pufferkondensatoren für 24V High Side Schalter benötige ich Hilfe bzw. einige Erfahrungswerte: In der Applikation sollen Heizelemente mittels High Side Schaltern geschalten und gesteuert werden. Ein Heizerkanal schaltet dabei ein Heizelement
Frequenz: 10Hz). Wie gering? 1%? 1Promille? Solche Smart Switches können nicht sehr kurze Pulse schalten, da gibt es eine Mindestpulsbreite. Wenn man die unterscheitet schaltet der Schalter entweder gar nicht oder es passieren komische Dinge. > Folglich > schalten die High Side Schalter nur impulsartig
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Sanftanlauf für Ringkerntrafo
Wenn man etwas zuverlässig aus schalten will sollte man immer ein Relais (Schalter) nutzen, denn Halbleiter legieren gerne bei Spannungsspitzen durch, und abgeschaltete Induktivitäten wie Trafos produzieren deutliche Spannungsspitzen.
sorgen können, >dass die Haussicherung auslöst. Kapier ich nicht. Man braucht doch keine 2 Schalter! Relais (mit Einsch.verzög.) und R.V reicht aus. Den Eingang der Relaisverzögerung kann man auch am Haupttrafo abgreifen.
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Schaltung N-Channel Highside switch für Motorcontroller
ihr Lieben, ich möchte per Mikrocontroller die Spannungsversorgung für einen Motorcontroller schalten. Der Motorcontroller bekommt neben der Hauptversorgung von 56V (12S Lion) noch eine Versorgung von 12V für die eigenene Logik (nicht abgebildet) und da diese nicht gleichzeitig schalten mag er es
trennen. Ich habe dazu an die angehängte Schaltung gedacht. Die nötige Gate-Source Spannung zum Schalten der Mosfets wird hierbei über zwei Photovoltaic Mosfet Driver realisiert, die für eine Galvanische Trennung sorgen. Zwei deshalb, weil einer nur 6V garantiert liefert und das etwas knapp ist, um die
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LED-Steuerung mittels DC/DC-Treiber und ESP32
Moin Ingo und alle anderen Freunde der Elektronik, ich hab noch eine Frage bezüglich der MOS-FET-Lösung: Kann ich auch einen MOS-FET zum dimmen aller Lampen benutzen und die Lampen dann jeweils mit einem MOS-FET ein/aus schalten? Das würde mir jede Menge Programmierung ersparen. Ich würde quasi ein 12v PWM Signal mit dem ersten MOS-FET erzeugen und die anderen sozusagen als Relay Ersatz benutzen, sodass besagtes 12v PWM Signal nur bei den Lampen ankommt bei denen der MOS-FET durchschaltet. Anbei eine kleine Skizze zu meinen Gedanken
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Fahrwerkssteuerung mit ATMega328
offen, wie man die Spannungsversorgung verbessern kann. Bezüglich dem Relais.. es wird wohl per FET per Masse geschaltet werden.
/D Eingang, Tiefpass und Z-Diode sollte es schon sein damit du stabile Werte hast 3. High-Side Schalter statt FET Ausgang, Infineon hat ganz tolle Sachen 4. Relais mit gefilterten 12V versorgen 5. AVCC braucht Spannung über Filter 6. ISP Stecker nicht vergessen 7. Spannungsregler... Meiner Meinung
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Frequenzvervielfacher oder PLL?
2. Mischer füttern. Groß filtern braucht man an der Quarzfrequenz nix, der Ringmischer ist ein Schalter und macht selber genug Oberwellen von 51.2. Der IE500 wäre sogar mit einem CMOS-Signal zufrieden, evtl Koppelkondensator und ein paar zig Ohm in Serie, damit der Pegel stimmt. Die Notwendigkeit
Vortrag von sich gegeben. Wenn du viele hast, kannst du ja mal ein paar ausmessen, sie parallel schalten und es damit versuchen. Von diesen alten Plessey Teilen würde ich die Finger lassen. Wird wohl der Mühe nicht Wert sein. Als die Anfang der 70er Jahre auf den Markt kamen, war der Hype gross, ich
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Drucktaster 12V 12mm mit 5A
Und warum nimmst du keinen Wald- und Wiesentaster und als Leistungsstufe einen Power-FET oder einen Triac dahinter?
der Größe, guckt aber raus, dafür auch viel bequemer zu schalten.
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ADF4350/1 Mangelhafte Referenzfrequenzübersprechdämpfung am HF-Ausgang
Hauptwelle um mindestens 30-40dB schwächen. Man merkt das wenn sich der Pegel der Harmonischen beim Schalten des HF-Abschwächers um mehr als 10dB ändert. Es ist sehr leicht mit dem SA Mist zu messen. Man muss immer auf der Hut sein;-) Gerhard
dateposted-public/ > Das ist der Vorläufer. Der neueste passt jetzt nur noch für eine Sorte FETs und hat dafür mehr von den roten WIMA-Folien-Cs. Die vielen parallelen FETs hatten zu viel Gate-Leckstrom, da musste der Bias-Widerstand deutlich kleiner werden. Auf flickr, etwa 50 Bilder
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Mini Lipo laden
4.28V sind definitiv zu viel, wenn du kein Datenblatt zu genau dem Akku bei dieser Spannung schaltest die dazu passende Elektronik ab.Siehe Bild.
zusetzen ist einfach nur Murks und leichtsinnig. Ich würde da einfach eine Diode vor den Widerstand schalten, und schon passt das. Der Akku bekommt dann max 1C Ladestrom, und die 4,3V bringen den auch nicht um. Oliver
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FET Ansteuerung über AVR, Problem mit Pulldown/Gate-Source Widerstand
Schalte mal einen 220R Widerstand zwischen AVR-Ausgang und Gate.
Und das Gate direkt an einen Ausgang schalten, kann gut gehen, aber besser ist es über einen Widerstand. Der Umladestrom ist bereits recht hoch ohne Widerstand. Die vorgeschlagenen 220 Ohm sind nicht verkehrt, bei seltenem Schalten kann auch
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Level Translation von 0/3.3V to -5/+5V
Es war zur Zeichnungszeit ein bipolarer Transistor. Da diese eben nicht "bis ans rail" schalten können, habe ich dann in der Praxis einen fet eingesetzt. Klappt ohne Probleme, 273Ohm, weil 5000 Stück da waren. R15 so klein machen? An einem 3.3V nicht 5V Output? Hmm?
analogen Schalter > des > Typs 4066 schalten. Dann ist vielleicht praktischer, statt 4066 HCT4051-52-53 zu benutzen. Hier ist gleich Pegelwandler drin.
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Frage zu Selbsthaltung (Optokoppler)
bewerkstelligen, da würde ich einen Kondensator laden der über einen Widerstand entladen wird, so das ein FET eine gewisse Zeit lang eingeschatet bleibt, man muss aber zusehen das es eine gute Flanke gibt sonst wird der FET evtl. zu heiß. Könnte man durch ein paar Widerstände in Reihe erreichen. Aber jetzt
landen, wenn sie da nicht sein sollen. Deshalb die Überlegung, mit Klemme 15 einen zweiten OK zu schalten, der dann auch die +12V auf den Eingang des BTS legt. Ich hoffe ich habe mein Vorhaben jetzt etwas besser erläutert :)
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BTS452r High Side Switch für µc beschalten
Eindruck erwecken, dass die Body-Diode als Freilaufdiode wirke. Ich habe einfach klargestellt, dass der FET ganz banal in den Durchbruch geht und dabei lediglich 150mJ wegstecken kann (was nicht gerade viel ist).
Achim S. schrieb im Beitrag #6466542: > Der FET geht einfach in den Durchbruch Wie kommst Du auf das Wort "Durchbruch", eine Aktivierung einer Body-Diode hat nichts mit Durchbruch zu tun.
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SSR Testberichte gesucht
15 Euro. Völkner IST Conrad ;-) > Grundsätzlich möchte ich halt ein 240VAC Gerät mit 5VDC schalten und da > man ja wohl unbedingt im Nulldurchgang schalten muss, muss ich wohl ein > SSR nehmen, Muss man unbedingt bei Null? Und SSR schalten auch nicht alle im Nulldurchgang. > weil
Jan schrieb im Beitrag #6458506: > Grundsätzlich möchte ich halt ein 240VAC Gerät mit 5VDC schalten und da > man ja wohl unbedingt im Nulldurchgang schalten muss Zigmilliarden Geräte werden /irgendwann/ eingeschaltet. Man "muss" also erstmal gar nichts. Und wenn man einen (großen) Trafo hat,
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Mosfet Dimensionierung
vertan habe. Brauchst du nicht, ist kein Bipolar-Transistor der ständig Steuerstrom braucht. Der FET braucht nur im Umschalt-Moment Strom, und den limitiert die CMOS-Endstufe im Raspi schon selber. Nur bei häufigem Schalten=regelmäßigen Auf- und Entladen der Gate-Kapazität (also bei PWM) musst du auf
Welches MosFet und welche Freilaufdiode würdest du mir da empfehlen? Und gegebenen falls welchen Widerstand?
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Billige Wägezellen. Einschaltdrift beseitigen?
sich die DMS Brücke erwärmt. Mit ein paar µF und einigen 10 MOhms kommt man in den Bereich, und ein FET könnte die Spannung ohne große Last messen. Alternative ein thermisches Gedächnis mit ähnlicher Zeitkonstante wie die DMS Brücke. Der Abgleich ist aber schwerer zu berechnen.
also keine Information darüber ob der Drift "schon passiert > ist" oder ob er noch kommt. Dann schalte die Waage nicht ab. Wenn du die Brückenversorgung getrennt steuerst, kannst du den Duty-Cycle und damit die mittlere Heizleistung kräftig reduzieren und die Drift verfolgen.
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Microkontroller 24V Ausgang mit galvanischer Trennung
auch meist pinkompatibel von Analog, TI etc. Dahinter 4x IC-DP oder ein VNQ500 oder 4x LP2951 als Schalter.
in Serie schalten und damit einiges sparen.
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TLC5940 (Arduino Mega) flackert. Wie Kondensatoren einsetzen?
TLC auf GND >gezogen, also quasi ausgeschaltet Der TLC.. wird die Outs nicht complett auf GND schalten, diese Outs sind gedacht um (über Konst.Strom) LEDs ein zuschalten. Die Schaltung würde ich so nicht machen. Aber dennoch passt das nicht zu dem beschrieben Fehlerbild. (Der TLC wird am Ausgang
und mitm kleinen kühlkörper. und ja: bei sehr kleinen Pulsbreiten wird auch das kritisch, weil der FET dann garnichtmehr in den durchgesteuerten Bereich kommt) LG Äxl
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12V LED Streifen mit Arduino steuern
ein Kreis? Er meint wohl das die Steuerspannung des Arduino nicht auf den Source Anschlus des FETs bezogen ist. Nico Z. schrieb im Beitrag #6454061: > Priese passive Aggressivität am > Morgen ist süß^^ Das ist bei MaWin normalzustand, egal zu welcher Tageszeit. Nico Z. schrieb im Beitrag
direkt mit dem Arduino ansteuern. Da brauchst du einen Transistor, der den Steuerstrom des Relais schalten kann - Freilaufdiode nicht zu vergessen.
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Transistor soll erst ab 1V schalten
Besorg dir nen LogicLevel N Fet. Zwischen Gate und beliebigem GND Punkt kommt ein PullDown damit er NC (= Normaly Closed) ist wenn nicht geschaltet wird. Die zweite Frage zum Thema Transistor in Verbindung mit einem ESP32 Board
WerWieWas schrieb im Beitrag #6452532: > Besorg dir nen LogicLevel N Fet. Zwischen Gate und beliebigem GND > Punkt kommt ein PullDown damit er NC (= Normaly Closed) ist wenn nicht > geschaltet wird. > Die zweite Frage zum Thema Transistor in Verbindung mit einem ESP32
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PV Messgerät: Fragen zur Schaltung und der verwendeten MOSFETs
, die FETs richtigrum anzuschließen. Die Source muss beim nFET als Schalter jeweils auf das niedrigere Potential. Euer Schalter 2 ist richtig (auch wenn er unnötig ist), euer Schalter 3 ist falschrum. Und bei eurem Schalter 1 kommt es darauf an, ob man nach dem Schaltbild oder nach der Pinnummerierung geht. (wieso habt ihr unterschiedliche Schaltsymbole für den dreimal gleichen FET?) Und überlegt euch, ob ihr den
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[V] Verschiedene Bauteile, Dev-Boards, Modellbau, wegen Wohnungsauflösung günstig abzugeben
(Folie, Elko, ...) - Leitungen, Steckverbinder, Platinenmaterial, Gehäuse, LEDs, Widerstände, Schalter, Sortimentskisten, ... [ohne transparente IKEA-Kiste] ------------------------------------------------------------- 08: Akkuladegerät (15€) - NiXX, LiXX (1-6 Zellen), PB - Laden mit 0.1 bis
5V, Gehäuse) - ANET3D V1.7 Mainboard für 3D-Drucker (ATmega 128, 4x Schrittmotortreiber, 2x Power-FET, USB, Micro-SD, UB=12-24V) - LogiLink USB-RS232 - USBasp - USB programmer for Atmel AVR controllers (PCBA im Gehäuse) - Sparkfun XMega100 Breakout Board - 2,4" TFT Display mit SD-Card Slot - Kleinkram
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Transistor an ESP32 D1 Mini
hell genug mit dem BC337 Dann ist woanders etwas fehlerhaft. Der Transistor kann locker 500mA schalten. Bei deinen 150mA sind es sicher weniger als 200mV Verlust.
Logig Level P-Fet mit DS in die Zuleitung zur Intergrundbeleuchtung und das Gate an den ESP Port. Parametrische Suche der Distris bemühen.
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Mosfet Treiber Vorwiderstandsschaltung
> > Aufgefallen ist mir deshalb nur, dass die Gatespannungen wohl bei 25V > liegt und die FETs damit kaputt gehen. In der Simulation schalten diese Mosfets leider erst bei 30V voll durch. > > Übrigens: die Widerstände parallel zu den Quellen V3 ... V9 haben > keinerlei Wirkung: 0V sind
einer Induktivität versehen ist. - die Ansteuerspannung auf 15V reduziert, deine Werte töten den FET. - einen Schalter habe ich nicht verwendet, der ist hier nicht sinnvoll. Mit den 100k (R8) würde das Gate viel zu langsam entladen. Jede Gateansteuerung muss sowohl für EIN als auch für AUS niederohmig
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Sensor Füllstand Wasserzisterne
Schwimmerschalter. Das funktioniert garantiert ohne Ausprobieren. Aber trotzdem würde ich den Schalter niemals direkt auf einen µC Pin legen.
Schwimmerschalter. > Das funktioniert garantiert ohne Ausprobieren. Aber trotzdem würde ich > den Schalter niemals direkt auf einen µC Pin legen. Ok ... wichtiger Hinweis. Danke.
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5V mit Microcontroller auf GND ziehen
verstanden habe, ist es nicht möglich direkt an die Ports vom ESP zu gehen. Stattdessen also die Schalter durch Transistoren ersetzen und über den ESP schalten. Ob nun Bipolar Transistoren oder (Mos)fets ist mir eigentlich egal, ich würde mich da auf eure Empfehlung verlassen. Außerdem brauche ich
NPN (z.B. BC547) mach an die Basis 5k für R1 ... R3. > Ob nun Bipolar Transistoren oder > (Mos)fets ist mir eigentlich egal, ich würde mich da auf eure Empfehlung > verlassen. Bei nMOSFET musst du einen nehmen, der bei 3.3V Gatespannung schon schalten kann, dafür sparst du den Basiswiderstand ein
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Einschaltstrombegrenzung für Pufferschaltung
Parralelschaltung, so das die Cs langsam geladen, aber schnell entladen werden. Oder einen Gyrator mit dem Fet aufbauen. Gibt viele Lösungen. Deine Mosfet Lösung enthält keinerlei Zeitkonstanten und tut entweder nix oder wirkt als permanenter Widerstand, was nur den Fet wegkocht.
Du könntest parallel zu R6 noch einen Elko schalten. Die Kapazität sollte so groß gewählt werden, dass die Zeitkonstante ziemlich reziprok zu den Ausgangs-Caps ist. Welche Kapazität haben den die Caps C1, C2, C3? Soll das 25 Fahrrad bedeuten?
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MOSFET (n-Kanal ) gesucht.
n-Kanal) mit diesen Daten: RDSOn < 50 mOhm, eine 5 V Gatespannung (ATTiny13a, µC-Pin) soll 6 V/150 mA schalten. Welchen Typ muss ich nehmen, wo kann ich ihn bekommen?
https://mou.sr/2nmfmVg Über komfortable Filter kann der richtige FET ausgesucht werden.
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Highside-Switch gesucht
ich einen SI2302 zusammen mit einem SI2303 verwendet, um 12V von meinem Mikrocontroller aus zu schalten. Nun möchte ich 24V schalten und gleichzeitig den Platzbedarf der Schaltung verkleinern. An sich brauche ich dafür einen Smart-Switch wie den BTS4140. Aber die FETs bisher waren im SOT23 Gehäuse
Stefan M. schrieb im Beitrag #6440689: > Nun möchte ich 24V schalten Schaltbild her! Der P-FET kann 30 Volt UDS, aber nur 20V UGS. Der N-FET kann 20 Volt - das sollte sich mit ein paar Widerständen und / oder ggfs. einer Z-Diode lösen lassen.
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IGBT schaltet nicht mehr ab
Hallo Leute, ich will mit einem IGBT eine gleichgerichtete Netzspannung schalten. Über eine Phasenanschnittssteuerung will ich dann die Spannung einstellen. Das ganze funktioniert auch schon, aber nur ohne Last. Auf dem Oszi wird mein Steuersignal ohne Last richtig dargestellt
Latch-Up-Effekten, wenn sie zu schnell gesteuert werden. Über welchen Laststrom reden wir? Ein dicker FET tut's nicht? Damit hättest Du entschieden weniger Probleme.
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Ansteuerung JFET
Steffen H. schrieb im Beitrag #6438292: > P-Kanal (J)FET. Allerdings finde ich keinen, > der 150 mA schafft. Wo ein Wille ist, ist ein Weg: Kaufe einen Hunderterpack JFET, suche Dir genügend zusammen, die nicht zu sehr voneinander abweichen und schalte
prinzipiell passiert das, was ich in meinem Ausgangspost angenommen hatte. Allerdings sperrt der FET nicht komplett und es fließt ein Reststrom. -> Erstens, weil der sperrende FET die U_GS wieder reduziert (wie oben von /Christian L/. beschrieben). Das bessert sich, wenn ich den (von /Nichtverzweifelter
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Reziprozität Lautsprecher Mikrofon - Lautsprecher als Mikrofon
Birnen. Um für gleiche Verhältnisse zu sorgen, mußt Du hinter den Lautsprecher noch einen Trafo schalten mit der gleichen Ausgansgimpedanz wie das Mikrofon. Z.B. ein Bändchenmikrofon besteht nur aus einer Windung, liefert also nur eine extrem kleine Spannung. Daher schaltet man dort einen Trafo direkt
, > besser rausmittelt. Heutige Kleinmembraner arbeiten an der Grenze von Technisch möglichen. FET werden selektiert, deshalb u.a. auch Preis relativ hoch. Die Kleinmembraner erreichen auch bei in Serie gemachten Mikrofonen Rauschgrende von 12 dBA. Das ist mehr als viele von Laien geliebten Großmembraner
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Step-up oder Step-down Konverter
muß als die Versorgungsspannung. Und für das Ganze brauchst du keinen Arduino, sondern einen Schalter. Und wenn du aus hier nicht genannten Gründen präzise 12 V haben mußt, dann brauchst du einen SEPIC Wandler. Der hat entweder 2 gleiche Wicklungen auf einem Kern oder zwei separate Drosseln.
den Speicher-Trafo mit Kern müßtest Du selbst herstellen und die Strombegrenzung, Diode sowie den FET anpassen, andere ICs gehen auch. http://danyk.cz/univ_m_en.html Oder was fertiges aus China. MfG
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5V Bauteil mit NPN-Transistor ein-/aus- schalten
R2 könnte man auch noch auf 3k3 erhöhen, denn T1 muss ja keine großartigen Ströme schalten.
wandert genau so eine Schaltung irgendwann in eine PWM Steuerung und dann wird sich gewundert warum der FET so heiss wird.
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2 OpAmps parallel, Rauschminderung
Zirkus mit parallel schalten sich heute überhaupt nicht mehr lohnt. Wie vorgeschlagen, LT1028 verwenden und gut ist. Ein einziger Widerstand von nur 1KOhm hat schon 4nV/rt-Hz! Bedenke das mal für deine Sonstwie-Schaltung.
höher. Auch bei höherohmigen quellen kann die Parallel-schaltung lohnen, dann aber vor allem mit FET input OPs kaum mit BJT basierten typen. Bei mehr als etwa 1 K Quellimpedanz dürften 2 x LT1028 parallel mehr Rauschen als einer alleine.
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Gate-Widerstandanpassung mit LabView
Nico S. schrieb im Beitrag #6434157: > Gibt es nicht die Möglichkeit diese Schalter via Halbleiterrelais zu > realisieren? Vergiss Halbleiterrelais. Denn die verhalten sich im Bereich kleiner Spannungen, der dich interessiert, nicht unbedingt wie ein Schalter. Du baust das am
Mich würde die Frage auch interessieren. Also würden FET, MosFet, Thyristoren, Transistoren und Dioden rausfallen? Nur mechanische Relais würden die Funktion die wir uns erwünschen erfüllen? Könnte man hier auf SMD Relais zurückgreifen. Diese könnte
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XL4016e1 "modifizieren"
leitfähiger werden je mehr Spannung am Gate anliegt? Ich befasse mich nun erstmal mit Transistoren und FETs. Mit ICs warte ich dann noch bis die Basics sitzen :)
Ok, vielen Dank für die Infos. Ich habe noch ein P-FETs rumliegen und werde damit erstmal ein bisschen experimentieren.
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Voltmeter/Amperemeter DSN-VC288 stirbt durch geringe Spannung. Warum?
integrierten. Ein Step-Down-Wandler kann dabei die Eingangsspannung ausgeben. Brave Wandler schalten sich bei Unterspannung definiert ab. Aber selbst Traco verkauft welche, die das nicht können. Viele Schaltregler-ICs haben diese Funktion nur halbherzig integriert :(
müsste man den passenden Pin dafür kennen. Ansonsten müssen halt ein paar mA verkraftet werden vom Schalter.
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8x8 Matrix mit Hallsensoren
Tastenfeldern nutzt man ja gerne Matrizen, z.B. 8x8, alles nix Neues. Die werden aber logischerweise mit Schaltern realisiert. Nun würde ich statt Schaltern gerne Hallsensoren nutzen, Problem: mit einer klassischen Diodenmatrix nicht machbar, da der Output des Hall zwar bei Erkennen eines Magneten auf GND zieht (Open Collector), aber ja nicht als klassischer Schalter fungiert. Mein Ziel soll sein: Klassische 8x8 Matrix statt mit Schaltern über Hall.... mit wenigen zusätzlichen Bauteilen. Es handelt sich um eine MIDI-Projekt. Rein Theoretisch könnte ich
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Photovoltaik Heizstab Warmwasser / PV-Heater / Power-to-Heat
2.2kW-Heizstab passen, kann ich nicht finden. *Idee 1* DC-Kopplung [c] PV-Panels ------ Schalter ------ 2.2kW-Heizstab | | | 230VAC/12VDC -- Steuerung ---- Sensor / STB[/c] Ich verdrahte die Module direkt per DC auf den Heizstab und schalte ab, wenn es zu heiß
schaltet solange durch, wie der STB nicht begrenzt, da es noch zu kalt ist T1 ..Tn = parallele N-FETs
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OP-Schaltung schwingt. Warum?
GND mit dem Dreieckssymbol hat welche galvanische Verbindung zum Rest der Schaltung? Der untere Fet wird invers betrieben...
R gate vergrössern, schrieb ich schon. Den "unteren" FET hat er drin, um auch "bremsen" zu können, falls er damit einen DC-Bürstenmotor antreibt.
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Ist der MOSFET in dieser Schaltung zielführend?
HildeK schrieb im Beitrag #6422795: > Da musst du was falsch verstanden haben: R2 soll den FET leitend halten, > wenn die Standlichtspannung weg ist (Schalter offen). In deiner Variante > wäre der FET gesperrt! Hält nicht schon R1 den FET leitend?
Vereinfacher schrieb im Beitrag #6422878: > Hält nicht schon R1 den FET leitend? Schrieb ich ja: wenn da Glühlampen verbaut sind. Die 12V_Standlicht ist ja die Batteriespannung, die über einen Schalter zugeführt wird. Der Schalter liefert entweder feste 12V oder ist
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Freilaufdiode an Mosfet
time trr sollte wohl besser oder gleich sein wie die vom Fet?
sollte der Fet ohne Freilaufdiode mehr als OK sein. IAUT150N10S5N035
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Rechtecksignal schalten?
Wo ist eigentlich das Problem, zwei FETs über je einen Optokoppler (oder eine andere galvanische Trennung) anzusteuern?
M. G. schrieb im Beitrag #6418025: > Hallo, ich möchte ein 10kHz Rechtecksignal schalten. Schon wieder? Wie oft denn noch?