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Husqvana 120i Leistungseinbruch
029N06N" darauf. Also gesamt: HAK839 > 029N06N Könnte: FDB029N06, N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ https://www.onsemi.com/products/discrete-power-modules/mosfets/fdb029n06 sein, von den Daten her passt das. Allerdings fehlt des Drain-Beinchen :-( Uwe
den Test der Diode muß man den Fet meist nicht auslöten. > > Wenn der magische Rauch aus einem Mosfet entweicht stirbt oft auch der > Treiber am Gate. Wobei dann auch neu eingelötete Mosfets wieder dicke > Backen machen... > > Ein Blick auf die Signale an den Gates durch ein Oszilloskop scheint
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IRFZ44N geht kaputt
R18 durch einen Draht. Besser wäre natürlich ein richtiger MOSFET-Treiber.
Einfach einen 5V Logic LEVEL MOSFET ala IRLZ34N mit 5V ansteuern. Als Treiber reicht ein 74HCT04 mit 5V. Fettig.
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Abwärtswandler mit Z-Diode regeln
verwerte um einen MOSFET zu schalten. Kann mir da jemand weiterhelfen? Liebe Grüße
einen Komparator mit einer Sägezahnspannung verglichen. Das Resultat ist ein PWM Signal, welches der MosFET Treiber bekommt um den MosFET zu schalten... Sackt die Spannung ab erhöht die Regelung das Tastverhältnis. Der MosFet bleibt für eine längere Zeit leitend. Beim Entwurf der PCB ist auf die parasitären
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Magnetventil über Transistor ansteuern
wie schnell muss das Magnetventil > angesteuert werden? Das Magnetventil ist langsamer als jeder Mosfet dieser Welt. Daher kein Problem.
jetzigen Zeitpunkt noch nichts anderes geplant. Welche Frequenz wäre denn maximal mit so einem MOSFET realisierbar? Als Controller benutze ich einen Mega32. Und berechnet sich der Vorwiderstand für die Basis (Gate) beim MOSFET gleich wie bei einem normalen Transistor oder muss ich da etwas beachten
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L293D Motor entfaltet nicht die volle Leistung
Die Lösung ist _immer noch_ MaWin's Schaltung. Die paßt genau zu deinem Mosfet.
. Wenn man nicht aktiv bremsen will, reicht sogar ein einfacher MOSFET als 1 Quadrantensteller. Ein kleiner 2A MOSFET im SOT-23Gehäuse reicht. Wenn man aktiv bremsen will, braucht man einen Halbbrücke, sprich einen Kanal vom L6202/L293. Oder man nimmt einen starken MOSFET-Treiber
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Temperatur Power-Mosfet
Hallo, Ich habe ein Spannungsregler mit dem Power-Mosfet IPW60R041C6 erstellt. Ich habe am Mosfet einen Kühlkörper eingesetzt (6,2 K/W). Zwischen Mosfet und Kühlkörper liegt eine Silikon-Isolierscheibe. Keine Wärmeleitpaste. Strom = 0,138 A Spannungsabfall
Normalbereich sicherzustellen und die Verlustleistung bleibt auch mit ihm im Kurzschluss zu hoch für den MOSFET.
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24V LED mit ESP8266 und IRLZ44N schalten
möglich unter gesamt Plus und 2 Kanel jeweils C und W in 24V DC anzusteueren" Nun, würden hierfür MOSFETs, wie der IRLZ34N, genügen und ohne zusätzliche Kühlung auskommen? Leider bin ich mit meinen Kenntnissen nicht in der Lage die MOSFET-Datenblätter zu verstehen. Habe im Anhang eine Laienhafte Schaltung
statt einer zusätzlichen Kühlung lieber den FET geeignet auszuwählen. [[FET#Verlustleistung]] [[MOSFET-Übersicht#N-Kanal_MOSFET]] > Habe im Anhang eine Laienhafte Schaltung skizziert wie ich es mir > vorstelle. Bei den FETs solltest du auf jeden Fall einen 100k-Widerstand zwischen Gate und Source
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Zündschaltung für Xenon-Blitzröhre /Stroboskop unzuverlässig
252FIRG4BC30K_IR.pdf hat 600V, 28A und 20ns Anstieg. Aber was wäre jetzt der genaue Vorteil gegenüber dem Mosfet? Laut Datenblatt wäre der Mosfet sogar einen Tick schneller (14ns) Foto und weitere Tests mach ich demnächst. Grüße, Rainer
erst den Mosfet leitend machen, dann den Thyristor und dann mit dem Mosfet wieder abschalten. Grüße, Rainer
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EMV-Test DC/DC - Verbesserungsvorschläge gesucht
des LS MOSFET helfen für die Phase, in der der LS MOSFET noch nicht durchgeschaltet ist? > Du kannst mal versuchen, im Layout Strukturen zu finden, wo die > Eigenresonanz aus Leitungsinduktivität und Parallelkapazität
Wozu ist denn der MOSFET Q2 da?
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Verständnis-Problem_IC-Treiber Totzeit
ist aktiv und ich will den LS-Mosfet aktivieren. Zuerst muss ich mal den HS-Mosfet "abschalten" d.h. es müssen zuerst Turn-Off-Delay Time und Fall-Time vergehen (110ns + 42ns = 152ns). Nach den 152ns ist der HS-Mosfet nicht mehr leitfähig
Kommt beim "einschalten" des Mosfets auch nicht die Zeit dazu, die der Treiber braucht um die Gate-Charge Kapazität des Mosfets zu erreichen?
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Elektronischer Schalter gesucht
Dezimalzähler leite, mit dessen einzelnen Ausgängen ich den die Analog Multiplexer bzw. für die Mosfets die 1/16-Decoder "Enable" schalte. So kann der 4-Bit-Zähler einfach immer weiter durchzählen und nach 16 Takten wird der nächste MUX bzw Decoder aktiviert. Zu der Ansteuerung der Mosfets habe ich
wenn ihr mir dabei helfen könnt: Oben schrieb ich ja schon, dass ich mit dem IRLZ34N Logic-Level-Mosfet die (bis zu 1A) Leitungen des mOhm-Meters schalten möchte. Die Sense-Leitungen übernehmen die Analog-Multiplexer-ICs. In der fertigen Schaltung wird ein 1/16-Decoder die Mosfets schalten, wie oben
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Fehler in H-Brückenschaltung mit HIP4081
sicher aufgeladen werden. Oder, anders gefragt: Schaltest Du bei jeder Halbbrücke zuerst den Lowside-MOSFET ein? Grüßle, Volker.
.. Gruß, Herbert Volker Bosch schrieb im Beitrag #3164202: > Wenn Dir stets die Highside-MOSFETs sterben, würde mir das zu denken > geben. Mir sind noch nie die Mosfets abgeraucht, sondern stets nur der HIP.
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MC33063 brennt durch
erste > Fet tut immer noch seinen Dienst https://www.google.com/search?q=Degradation+gate+oxid+Mosfet+-sic (Das "-SiC" beseitigt die vielen störenden Treffer für SiC Mosfets.) Da kannst Du lernen, *warum* das wohl nicht _lange_ gut geht, wenn Du schon weder dem Datenblatt noch uns /glauben/
auch nicht. aber das steht doch nicht im Datenblatt? Wo steht das da? Das würde ja bedeuten, das Mosfets die als Widerstand benutzt werden, sich mit der Zeit abnutzen.... Ich werde ausprobieren wie lange so ein Mosfet hält :D https://www.mks.com/n/mosfet-physics https://libgen.gs/index.php?req=
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PWM -> DAC: Frage zu einfacher Lösung
einfach einen Kondensator (Werte von 10µF bis 1000µF kursieren) - meines Erachtens belastet er das MOSFET aber sehr stark, da er immer wieder ohne Vorwiderstand aurfgeladen wird. Sehe ich das richtig? Oder kann das MOSFET VS3060AD damit umgehen? Ich selbst dachte an einen Tiefpass-RC-Filter. Doch wie
einfach einen Kondensator (Werte von > 10µF bis 1000µF kursieren) - meines Erachtens belastet er das MOSFET > aber sehr stark, da er immer wieder ohne Vorwiderstand aurfgeladen wird. > Sehe ich das richtig? Oder kann das MOSFET VS3060AD damit umgehen? Also einfach einen Kondensator parallel zum Lüfter
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PTC Heizelement und suche Transistor (Netzteil geht in Schutzschaltung)
jetzt doof an. Jedoch habe ich bisher 0 Erfahrungen mit mosfet. Sind die genau so leicht anzusteuern?
die Masse des MC davon beeinträchtigt wird. Am besten machst du einen Sternpunkt an der Source des MOSFet.
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Geht dieser PWM Regler für mein Vorhaben?
H. H. schrieb im Beitrag #7459870: > Vier MOSFETs parallel, Na dann können wir uns wohl schon denken, woran es scheitert. Aber das hilft dem TO nicht.
Stefan F. schrieb im Beitrag #7459872: > H. H. schrieb: >> Vier MOSFETs parallel, > > Na dann können wir uns wohl schon denken, woran es scheitert. Das hat Michael doch gleich erkannt, und es liegt nicht an parallel geschalteten MOSFETs. > Aber das hilft dem
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LED mit LM3409
Meine Simulationen in PSpice verdeutlichen eigentlich, dass das abklingende Verhalten durch den MOSFET am Ausgang zustande kommt. Im Anhang ist oberhalb ein MOSFET von TI dargestellt und unterhalb der ideale PMOS von PSpice.
Meine Simulationen in PSpice verdeutlichen eigentlich, dass das > abklingende Verhalten durch den MOSFET am Ausgang zustande kommt. Im > Anhang ist oberhalb ein MOSFET von TI dargestellt und unterhalb der > ideale PMOS von PSpice. Ja, der lt. Datenblatt kann der LM3409 nur 50mA Push-Pull am Mosfetausgang
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Optimaler Basiswiederstand für NPN-Transistor?
Ich habe mal bei Reichelt unter MOSFETs geschaut, da sind gaaaanz viele verschiedene Kategorien mit verschiedenen MOSFETs jeweils ohne genauere Beschreibung. Gibt es irgendwo eine schöne Übersicht, welche Typen welche Eigenschaften haben
0510161.htm Musst am Gate eine Spannung anlegen. Das Schalten ist stromfrei. Es gibt wohl spezielle MOSFETs, die bei TTL-Pegeln durchschalten, legst du also 5V an, hat der MOSFET einen sehr kleinen Innenwiderstand von source zu drain, legst du 0V an, so sperrt er.
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ATtiny85 spinnt
dann ein kurzes Signak an ein Mp3 Modul. 10 Sek nachdem er das Signal gesendet hat schaltet er den Mosfet ab und die schaltung legt sich schlafen. Das Mp3 Modul und co wird selbstverständlich mit über den Mosfet versorgt damit hinterher alles stromlos ist. Ich habe jetzt den Versuchsaufbau auf der
Wie heißt der MOSFET?
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Bitte Hilfe bei Schaltung / Gartenbeleuchtung mit ESP steuern
Verbindungen hängen in der Luft. Durch einen Widerstand verlaufen mehrere Verbindungen. Weshalb keine Mosfets als Treiber für die Leds?
Martin B. schrieb im Beitrag #6336061: > Andreas R. schrieb: >> Was für MOSFETs würdest du empfehlen? > > Habs zwar nicht komplett gelesen aber vlt eine Hilfe für Dich... > Beitrag "Mosfet Treiberschaltung" IRF3708 wäre eine Möglichkeit. Der TO scheint aber auch SMD nicht
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Laufband verlangsamen
Arduinobasis aufziehen. Meine Fragen: - wie dimensioniere ich die Gegentaktstufe zum Treiben der Mosfets? Bzw unter welchen Stichwörtern suche ich in Google? Mosfets sind FS22SM (http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/powerex/FS22SM-10.pdf ). - der Motor ist fuer 180VD spezifiziert, an den Mosfets
reicht ein einfacher MOSFET-Treiber.
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Welcher N-Mosfet für Schaltregler
Hi, das Datenblatt des Max1771 schreibt einen Logiklevel MOSFET mit 2V GS vor. Keiner Deiner ausgewählten MOSFETs ist ein solcher. Warum suchst Du MOSFETs mit 30A und mehr wenn Du nur 0,1 A brauchst? Gruß Andreas
Also am besten irgendein Mosfet kaufen? Wie währe es mit dem? http://ch.farnell.com/stmicroelectronics/stb22ns25zt4/mosfet-n-kanal-250v-22a-d2pak/dp/1751988
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Konstantstromquelle 30A
nötigen Bauteile zu berechnen, allerdings fehlt mir irgend wie ein erstes Konzept. Es gibt genügend MosFet deren zulässiger Drainstrom ausreicht. Doch bin ich mir nicht so sicher ob ein einzelner Mosfet, ausreichend gekühlt im linearen Betrieb dafür geeignet ist, solche Ströme dauerhaft zu vertragen, da
eine niedrige Spannung. Bei 2.5V wären nur 75 Watt zu verheizen, das schafft sogar ein einzelner MOSFET. > Wäre ein bipolarer Transistor besser geeignet als ein Mosfet? Nein.
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P-MOS Schalter
mir irgendwie zu einfach vor... Das kommt drauf an, wie hoch deine Spannungen sind und welchen MOSFET Typ du verwenden möchtest. An den Details deines MOSFETs müsstest du noch etwas arbeiten. Es fehlt die Body Diode und IMHO gibt es keine selbstleitenden MOSFETs. Der müsste außerdem anders angesteuert
passt. VDD ist immer HIGH, sprich > sobald VG LOW ist, dachte ich schaltet der PMOS durch. Den Mosfet interessiert nur seine Ugs. Die muss beim P-Kanal-Mosfet negativ sein, dass er leitet, und sie muss 0 sein, dass er sperrt. Wenn die Sourcespannung jetzt 12V ist, dann sperrt der Mosfet also, wenn
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Treiber für Mosfet IRFB7440
Hallo, ich möchte mit einem Arduino eine Last mit einem MOSFET an- und abschalten. Da die Verlustleistung im Mosfet möglichst gering sein soll (und günstig), will ich den IRFB 7437 bzw IRFB 7437 nutzen. Die Schaltfrequenz, wenn man denn von Frequenz sprechen
. Wie groß dürfen die Verluste in den MOSFETs denn maximal sein?
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Könnte das so funktionieren? Mega8
Freilaufdioden an den MOSFETs wären von vorteil ;) PullUp Widerstände(10k) an den MOSFET's fehlen (damit diese immer einen definierten Pegel haben) sowie, je nach MOSFET Typ, Widerstände an das Gate. [Edit] fürs PWM solltest
der Mosfet nicht lange. Werner
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Transistor nach masse ziehen wie Mosfet?
Ausräumens beschränkt. Du hast einfach Unsinn erzählt, weil dir die Funktion des 10k pull down am MOSFET nicht klar war, und bist zu eitel es zuzugeben, dafür erfindest du lieber ein halbes Dutzend Ausreden.
die Pin noch nicht konfiguriert > sein. > Bei einer LED kann es da kurz blitzen. Bei einem MOSFET. Bei einem NPN nicht, mangels Basisstrom. Darum geht es schon im ganzen thread.
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IRLZ 34N MOSFET sehr heiß bei 0V
direkt mit Gate an einem ATMEGA1280 (VCC = 3,3V) an den Pin PB7 angeschlossen. Per PWM steuer ich den MOSFET bei 20Hz an, was auch sehr gut funktioniert. Gesteuert wird ein kleines Heizelement. Wenn ich aber das Gate mit DDRB &= ~(1<<DDB7) als Eingang definiere und damit auf GND lege, wird der MOSFET sehr
crazyhorse wäre noch hinzuzufügen: Datenblatt IRLZ34: RDSon 0.060 VGS = 4.0V Auf gut Deutsch: Der MOSFET ist nur für 4V spezifiziert, du liegst mit deinen 3.3V darunter. Wenn auch nicht viel, so ist die Wahl des MOSFETs ungeschickt, schliesslich gibt es welche die bei 2.7V spezifiziert sind, also
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Lampe mit LED-Lichtleiste, Raspberry Pi, PWM per Webserverinterface fernsteuern
MOSFETs sein. Das Stichwort ist *Logic Level*. > Kennt Ihr einen MOSFET, dem die > 3,3V-Spannung ausreicht, um komplett durchzuschalten? [[MOSFET-Übersicht]] -> N-Kanal MOSFET -> Logic-Level -> N-Kanal
Hallo Alexander, vielen Dank für Deinen Post, der mich bezüglich MOSFETs noch mal richtig weitergebracht hat. Wie ich aus Deinem Post bemerkte, habe ich teilweise ein falsches Verständnis von MOSFETs gehabt. Da ich an den ersten MOSFET (N-Channel MOSFET 60V 30A) nicht
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4 V, 30 A für 50 µs
schließt man die Spule kurz damit kein Strom mehr über die LED läuft. Damit ist das Problem auf 2 Mosfets reduziert.
Ich habe Schalter eingezeichnet, werde natürlich FETs verwenden. Warum zeichnest du dann keine MOSFETs? Der Aufwand dafür ist exakt NULL.
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Unterspannung erkennen mit diskreten Bauteilen
Der P-MOSFET ist an der Stelle völlig richtig (für einen N-MOSFET bräuchte man eine Ansteuerspannung über der Versorgungsspannung). Aber die Ansteuerung stimmt nicht. +0,7V ist nicht richtig, Source liegt auf
Abschalten sofort in der Spannung hochgeht (die erwähnten 18V oben), sodass mit dieser Schaltung der MOSFET im linearen Betrieb leitend wird, und sofort zerstört wird. Um den MOSFET sicher abzuschalten, braucht es den genannten Levelshifter mittels simplen NPN. Simulationen sind nur so gut, wie sie mit der
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Puffer für geschaltetes Plus am Autoradio ohne Stand-By
eigentlich ziemlich gut aus.. Die Darlingtonschaltung brauchst du nicht. Nimm am besten einen N-MOSFET der mit ca. 1A angegeben ist.
hat. R3 und D3 schützen das Gate des MOSFET vor Überspannungen R3: 1k...10k D3: ZF15, ZF18 oder ZF20 MOSFET: N-Ch-MOSFET im TO-220 Gehäuse. Die Schaltung hat NULL Standby!
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Verständnisfrage zum Servomotor
irgendwann in den SLEEP-Mode. In der Zeit brauche ich den Servo auch nicht. Da ich hier noch einen MOSFET (IRLZ-44N) rumliegen hatte dachte ich mir das ganze einfach über den PIC auszuschalten (siehe angehängt Schaltung). Allerdings zieht der Servo trotz abgeschalteten MOSFET immer noch gleich viel Strom
Beitrag #5998869: > Klemme ich den 10k Widerstand dann gegen Masse oder gegen Drain, wenn > ich den MOSFET zwischen Plus und Drain hänge? _Den_ MOSFET betreibst du gar nicht am Plus, der ist ja gepolt und Gate muss "über" Source sein, damit er aufgeht. Du brauchst einen P-Channel FET und musst den dann
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Schaltung für Zusatzwasserpumpe im KFZ
gegen 12V, was den MOSFET aktiviert und folglich auch das Relais. Du kannst übrigens auch das Relais weglassen und die Pumpe statt der Relaisspule einsetzen, der MOSFET kann ganz paar Ampere ab, eventuell wird er leicht
mehr sein. Und ist es mehr als der MOSFET aushält, ist der kaputt, Elektronik ist nämlich schnell, schnell kaputt. Das kann man übrigens ausmessen (Betriebsspannugn/Innenwiderstand) oder im Datenblatt nachgucken, um den MOSFET ausreichend
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Mosfet in Konstantstrom-Verbraucher (Wärme)
Frage dazu: Wie kann ich ermitteln wie heiss der Mosfet wird, bzw. ob ein Kühler verbaut werden muss? Bzw. Wie warm dieser wird?
Du wirst sicher einen Kühler brauchen! Berechnen kannst du das über die Verlustleistung am MOSFET. [math]P_v = U_{max} * I_{max} = 4.2W [/math] Diese multiplizierst du mit dem thermischen Widerstand des MOSFETs um die Temperaturerhöhung auszurechnen: [math]\Delta T = P_v * R_{th} [/math]
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MOSFET-Verlustleistung zu groß? Berechnen?
ist das alles Kokolores und 400 mA bei 4V sowieso zu popelig, um den MOSFET ernsthaft zu gefährden? Danke!
in der Schaltung mit drin) Peter D. schrieb im Beitrag #5714482: > Bis 24V/5A setze ich den MOSFET einfach ohne Kühlung auf die Platine. Du meinst aber mit "den MOSFET" nicht den IRLML2502, oder?
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Dicken Kondensator aufladen & Kurzschließen
Halbleiter zu finden) ist klar.. aber im Bereich über 350V.. teuer :-( Ooooder gibt es gescheite Mosfets in der Richtung? Leider sehe ich in Mosfetdatenblättern selten ein Diagramm, das Pulsdauer und Max Strom darstellt. Wenn der Kurzschlussstrom z.B. 1kA beträgt muss der Mosfet das ja nur für ein Bruchteil
Schaltfrequenzen. > -Wie macht man sowas sinnvoller weiße und mit hoher effizienz? > -Wo bekommt man Mosfets her, die 400V und für 10ms 100A aushalten? Da nimmt man dann aber IGBTs. (Aber auch nur max. im TO247-Gehäuse) Ich würde dir jedoch einen Royer-Konverter mit MOSFETs empfehlen. Google mal
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MOSFET - einige Fragen
Hallo, ich habe gelesen, dass man bei MOSFETS auf eine schnelle integrierte Diode achten soll. Warum? Ergibt sich die Diode aus dem interenen Aufbau des MOSFET oder ist das ein "separates Bauteil" auf dem Silizium? Bei einem IPB011N04L
, nicht den mit Mosfets ;)
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Akku gegen Tiefentladen schützen
. Der N-Kanal Mosfet wird also vom OP geschalten. Fällt der OP durch unterschreiten der Referenzspannung ab, schaltet der N-Kanal Mosfet ab und der Pullup-Widerstand vom T3 zieht das Gate auf die Versorgungsspannung, T3
(SET1) > Referenzspannung, zieht OUT1 das Gate vom Mosfet T3 auf GND und der Mosfet schaltet Source-Drain durch. Was meint ihr dazu? Ich hoffe ich habe keinen Denkfehler in der Logik gemacht. Gruß
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Schottky beam me up
nur > mit relativ lahmen Schaltflanken. Das wiederum würde die > Umschalt-Verlustleistung in den MOSFETS erhöhen. Der FOD3181 hat einen MOSFET-Treiberausgang mit 75ns/55ns typ. rise- bzw. falltime, das sollte damit kein Problem darstellen. Ob das delay von 50-500ns problematisch ist, kann man ohne
die Anwendun verteilt ist diese ok. ->(4 der 12 FOD3181 sind aktiv) VarA ->(2 der 6 lowside MOSFET BTS244Z http://pdf.dzsc.com/BTS/BTS244Z.pdf) ->(2 der 9 highside MOSFET AUIRLR2703 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/auirlr2703.pdf) VarB ->(1 der 6 lowside MOSFET BTS244Z http://pdf.dzsc.com
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230 V Dimmer Ansteuerung
Du musst halt solche 10V erzeugen, die man mit Masse an Source des MOSFETs klemmen kann. Extra Trafo, oder abgeleitet aus deinen gleichrerichteten 325V. Es würde sich auch noch lohnen, das Gate des MOSFETs nach dem einschalten mit 10V auch wieder nach Masse hin entladen
Stromnetz durchaus Störungen auftreten, die die Spannung auch mal auf 2500V rauftreiben können, und MOSFETs sind schnell, schnell kaputt. Daher enthalten (ordentliche) Schaltungen mit MOSFETs an Netzspannung(beispielsweise Schaltnetzteile) auch 800V MOSFETs und Varistoren, Gleichtaktdrosseln und Kondensatoren
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Logik Level Power Mosfet
Chris S. schrieb im Beitrag #5521459: > IRLML6344 Das ist aber ein N-Kanal MOSFET, da gehört Source nicht an plus sondern an (die gemeinsame) Masse der 5V des uC und der 12V der Heizung, die ihrerseits an plus der 12V liegt, also 'vor' dem MOSFET.
Hübsch ist beides nicht. Im neuen Schaltbild hat die Batterie nur einen Pol. Ist SMD für den Mosfet Pflicht?
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Elektromagnet Spannung umpolen
Beitrag #6786588: > Dann kann der TE seine Schaltung auch so lassen wie sie ist und nur die > Mosfets durch bipolare Transistoren ersetzen. Ja stimmt
Transistoren? Keine Problem im Umschaltmoment. Es werden niemals beide gleichzeitig leiten, wie das bei MOSFET der Fall wäre.
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Hilfe bei transistor auswahl/suche
kleinen npn transitor das basis singal für den MOSFET) Danke schonmal für eure Antworten :)
Arduino schafft aber nur 5V an den > outputs Reicht sowohl für den Darlington als auch für den LL-MOSFET.
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suche ein Relais für 12V udn 24V Gesperrt
Viel zu Aufwendig und zu teuer. Der TO kann die unbekannten Leds vermutlich direkt mit einem Mosfet schalten.
zu Aufwendig und zu teuer. >> >> Der TO kann die unbekannten Leds vermutlich direkt mit einem Mosfet >> schalten. > > "vermutlich" ist das Zauberwort. Sehr wahrscheinlich geht es mit einem Mosfet...für das geheime Leuchtmittel.
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Brushless Controller Mosfet Endstufe
zu wenig Strom liefert und die Ladung Q des Mosfets zu groß ist. Dabei der Wechsel zwischen High und Low zu langsam wäre. Ich habe nicht die gleichen Mosfets. Den P-Mosfet den ich habe ist ein SQD45P03 und hat folgende Ladungen: Qg:55,3nC ,Qgs:7,3nC
"rfm" des N-Kanal-Mosfet. Wäre doch mal eine Aufgabe für einen E-Technik Studenten das Ganze ordentlich mit Übertragern und nur N-Kanal-Mosfet zu implementieren. Dann wird vielleicht auch klarer, warum dem N-Kanal-Mosfet
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Mosfet H Brücke / P Mosfet wird warm
Hallo, ich habe ein Problem mit meiner Schaltung (siehe Anhang) und zwar werden die P-Mosfets warm, auch wenn nichts am Ausgang angeschlossen wird. Ist INA und INB Low, so funktioniert alles. Sobald INA+INB High sind machen die Mosfets einen Kurzschluss bzw die P-Mosfets werden warm. Pwm
2,3V ist die Gate-Source-Spannung bei der der Mosfet anfängt zu leiten! Beide Mosfets vertragen min. 20V an Gate-Source!
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Schalten eines Tasters
(nicht betätigt) erkennen zu können, muß man den Pullup einschalten, um den MOSFET auf High umzuladen. Logischer Weise muß dann die gedrückte Taste gegen GND schließen, d.h. sie lädt den MOSFET auf Low um. losgelassen = 1 gedrückt = 0
Eingang (nicht betätigt) erkennen zu können, muß > man den Pullup einschalten, um den MOSFET auf High umzuladen. Logischer > Weise muß dann die gedrückte Taste gegen GND schließen, d.h. sie lädt > den MOSFET auf Low um. > losgelassen = 1 > gedrückt = 0
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Welchen Transistor für digitale Grundschaltungen?
Das sind aber MOSFET Transistoren, dir wurden bisher bipolare Transistoren empfohlen. Da die kleinen MOSFET ziemlich empfindlich auf elektrische Entladungen reagieren würde ich Dir empfehlen, lieber eine Schaltung
entweder ein NAND(2) oder ein NOR(2) analog zu CD4001A/CD4011A bauen. Und diskret im Sinne von "ein MOSFET = ein Bauteil" ist es trotzdem nicht. Nicht daß _ich_ das für relevant halten würde. Der TE aber wohl schon.
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Transistor/mosfet am schmitt-trigger
bei 2.5V immerhin 22A durchschaltet: IRF6201 (N-Kanal SO8 NMOS 20V) MOSFET der bei 2.5V 3mOhm hat und 20A durchschaltet: AON6411 (P-Kanal DFN5X6 20V, 38A bei 10V UGS) MOSFET der bei 2.5V 0.166 Ohm hat und 1A durchschaltet: AO3423 (P-Kanal SOT23 20V) MOSFET der bei 2.5V 0.048 Ohm hat und 3A durchschaltet: AO3400A (N-Kanal SOT23 30V) MOSFET der bei 1.8V immerhin 10.5A durchschaltet: FDS4465 (14mOhm P-Kanal SO8 20V, 13.5A bei 4.5V UGS) MOSFET der bei 1.8V immerhin 3.5A durchschaltet: DMG6968U (36mOhm N-Kanal 20V 6.5A ab 4.5V UGS) MOSFET