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Flusswandler-Trafo 10kHz, 5kW
den beiden rechten Kondensatoren? > Könnte mir jemand einen Halbbrüpcken-IGBT-Typ mit hartem Schalten bei > 100kHz nennen... IGBT bei 100 kHz hart schalten würde ich nicht machen; selbst die sehr schnellen "Warp Speed" IGBTs, die bis 150 kHz beworben werden, haben bei hartem Schalten sehr hohe
22mOhm in TO-247.... Für Spannugen über 600V siehts anders aus da gibts keine ordenlichen Fets. MFG
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Kurzschluss bei MosFet Gegentakt
zu meinem Prob: irgendwie produziert das ganze n Kurzschluss, denk mal es gibt n Punkt, wo beide FETs gleichzeitig an sind! wegen den Fets is mir das ja egal (können mehr als genug ab, aber meine Betriebsspng geht dabei runter und dann hat der ATtiny 13 kein Bock mehr weiter zu machen!! hat vielleicht
nur durch den forward-drop und das rdson beschränkt wird. in der unteren schaltung sind beide fets verkehrt rum drin, dann ist derkurzschluss immer da... winfrieds vorschlag ist der einfachste: die zwei dioden mit den widerständen in reihe schalten und dann in der mitte den port-pin:
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Leistungsmosfet Kurzschluss, alle 4 Drain pins angeschmort
Die meisten, der heute angebotenen FET's sind ausschließlich zum Schalten geeignet. Als Längsregler sind sie, von wenigen Ausnahmen mal abgesehen, ungeeignet. Werden diese zu langsam oder unzureichend Durchgeschaltet, kommt es zu einem
Vieleicht hat der Kunde versucht 230V zu schalten...
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AVR Ausgang an FET, galvanisch getrennt, so ok?
bis ca 1A wenn Spielraum ist, ists auch recht. Schaltfrequenz niedrig (max 10Hz). Warum ich einen FET nehmen will? Weil ich das noch nie gemacht habe ;-) Nö,Spaß beiseite, wenns grundsätzlich Mist ist will ich das natürlich wissen. Ich muss die 24V Schalten, Masse schalten geht nicht weil ich z.B
Vorschlag3 ? - Wird das funktionieren? - Ist das eine (halbwegs) professionelle Lösung? - Ist beim Schalten eines Hubmagneten noch ein Snubber - Netzwerk notwendig? - FET-Typ ok? Datenblatt s. 1.Posting Dank!
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Mosfet Treiber von Ali keine funktion
schrieb im Beitrag #7953831: > Im Schaltplan stimmt zumindest IRF530 nicht, laut Bild ist es ein P-FET > IRF5305S ACK.
vorne in die grüne Klemme in einem Stück Schrumpfschlauch, zusammen mit dem Anschlusskabel davor schalten.
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12V/ 2A mit P_MOS und 10mA Schalter schalten
oh oh, deutsche Grammatik. Joachim B. schrieb im Beitrag #7485926: > Aber warum soll es zum Schalten > Har schrieb: >> mit einem P_MOS > sein? > Wer keine Ahnung hat sollte keine unsinnigen Vorgaben machen. Wie kommst Du zu der Aussage "unsinnige Vorgabe"? Eine Last plusseitig per P-FET zu
Beitrag #7485942: > Wie kommst Du zu der Aussage "unsinnige Vorgabe"? > Eine Last plusseitig per P-FET zu schalten, ist üblich und vom Prinzip > her passt seine Schaltung. 5 Bauteile ohne Werteangabe statt 3 Bauteile soll jemand löten und berechnen der keine Ahnung hat halte ich für unsinnig wenn
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[ADP3634] Dual N-Fet Treiber für N-Fet und P-Fet
eine Push-Pull-Stufe und bin auf den ADP3634 gestoßen. Im Datenblatt steht, er sei für zwei N-Kanal-Fets gedacht, aber mir fällt jetzt momentan nichts ein was dagegen spräche, ihn einfach für einen N-Kanal und einen P-Kanal-Fet zu verwenden. Das sollte doch eigentlich keinen Unterschied machen, oder? Bei
zum Durchschalten führt, mit einem kleinen RC-Glied und den zum Sperren führenden Flankenwechsel schalte ich hart mit einem Transistor. Somit sollte immer zuerst der leitende Fet sperren und danach der andere leitend werden. Oder aber ich schalte noch eine Torschaltung vor, mit der ich aktiv überprüfe
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Mit Triacs im Drehstrom schalten
wirklich aufbauen würde, zwischen meinen Logic-Ausgängen von der Steuerung und den Triac-Treibern ein FET gehören würde, hab' ich aber zur besseren Verständlichkeit meines Kernproblems weggelassen. Am Killswitch-Ausgang würde eine Crowbar hängen, finde ich zwar nicht sonderlich elegant aber mir ist nix
Bauelemente zwischen den und den TRIAC. Wenn du 400V (also 565V Spitznspannung) mit einem TRIAC schalten willst, solltest du 800V "TRIAC-Treiber" und TRIACs verwenden. Der übliche 600V MOC3061 tut es also meiner Meinung nach nicht zuverlässig genug, selbst wenn du einen dicken 420V VDR einbaust, denn
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SD Modul im Batteriebetrieb
willst, musst du das nicht nur mit der Stromversorgung machen, sondern auch mit den Daten-Leitungen. Schalte sie hochohmig.
schon einen drauf. Wenn du zwischen Batterie und diesem Regler deinen Transistor zur Unterbrechung schaltest, hast du es schon. Ich hoffe, dir ist bewusst, dass du einen weiteren Transistor brauchst, wenn du den PNP and 5V mit einem 3,3V Mikrocontroller schalten willst. Entsprechende Schaltungsvorschläge
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unkontrolliertes Schalten während Programmierung
unkontrolliert meine Mosfets schalten. (Jumper kommen nicht in Frage) Wäre für jeden Tipp dankbar. lg
Beitrag #3899264: > das Reset während der Programmierung aktiv low ist, sperrt die Signale zum Mos FET
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Nixieröhren Netzteil
Stefan Kneller hat zwischen den +12V und dem Drain des FET noch nen 0.33Ohm Widerstand. Dieser wirkt als Strombegrenzung (wenn auch extrem klein). Du hast bei dir keine Strombegrenzung! Schaltest der MC34063 den FET ein, schließt du 12V mit GND kurz. Durch
nur so eine idee hat der fet einen kühlkörper?
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AC Leerlaufsignal zu DC Massesignal für Kontrolleuchte
ist fliesst über die Greatz Brücke der geringe Optokoppler Strom, sagen wir 3mA. Der Transisor oder FET vom Photomos wird beleuchtet und leitet! Wenn der Kontakt schliesst fällt die Beleuchtung ja aus, der Fototransistor oder FET wird nicht mehr beleuchtet, was du damit machst, z.B. invertieren zum Schalten
zum Schalten bleibt dir also überlassen. Perfekt, vielen Dank! Beste Grüße
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Brushless Controller Mosfet Endstufe
hi, bei 10KHz Schaltfrequenz sollte das schon passen mit 1K, die MosFets öffnen und schließen dann zwar nicht so superzackig, aber heiss werden sollte dabei noch nichts. Wenn der LowSide Kandidat heiss wird - der die Last eh nur gegen GND schalten kann - klingt das danach
Hallo Martin, wenn ich mir das Datenblatt Deines P-Kanal FETs so ansehe und Deinen Schaltungsvorschlag dazu, dann solltest Du ein paar Optimierungsschritte einplanen. Dein FET hat bei 4,5V 24mOhm, und bei 10V 10mOhm. Dies gibt Dir die Möglichkeit Deine Verluste
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Suche 74AC595
ansprechen. Daher auch mein Plan 8x74ac595 pro Anzeige. Bei jeder Anzeige dann den Strom mit einem FET schalten und somit per Multiplex alle Anzeigen mit ein paar hundert kHz ansteuern. Styler
12KHz PWM pro Anzeige, damit sollten doch locker 8 Helligkeitsstufen möglich sein. Ist das mit den FETs problematisch (ich habe noch nie FETs benutzt!)? Ich dachte FETs schalten 'effektiver' als Transistoren, d.h. 5,2A (80mAx64) sollten damit doch kein Problem sein? Welchen FET soll ich da benutzen?
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12V/2,5 A Sicher schalten
trennen ? die +5V(mc) von den +12V(auto)? nimm doch nen BUK100 oder BUK101 sind logic level fets habe ich auch für solche schaltanwendungen im gebrauch kannst halt nur die lowside schalter weil n-fet wenn du + schalten willst brauchst du einen p-fet
trennen umd Störungen zu vermeiden. werde dann P-Typen brauchen, ich nur die Positive seite schalten kann. Masse über Karosserie.
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Bauteilauswahl 1-Q-Steller für Gleichstrommotor
dadurch wenig Verlustleistung. Zwei FETs zu nehmen macht eigentlich immer Sinn, denn es verringert die statische Verlustleistung auf ein Viertel. Für die FETS würde ich mir eine 12V Hilfsspannung erzeugen und damit einen Gate-Treiber befeuern
Oder kann ich einfach einen Tiefpass zwischen shunt und CS (Current Sense) Eingang vom Treiber schalten?
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Transistor als Schalter
, weil da kann eh nix passieren? Andere Transistoren oder FETs kommen nicht in Frage, muss mit den BC337-25 Dingern lösbar sein. Ciao Tobias
solange dein Verbraucher wie im Bild nur 2 Anschlüsse hat ist es egal ob du plus oder minus schaltest.
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Freilaufdioden an H-Brücken
Stefan M. schrieb im Beitrag #6497426: > Bin mir nicht sicher was du damit sagen willst. FET ist an, 30A fließen > durch den Motor. PWM schaltet FET aus, 30A fließen durch die Diode. Nur, wenn der parallel zur Diode liegende FET nicht einschaltet. Bei eingeschaltetem FET wird der Strom
ist. Selbst wenn die Diode gut ist kann man die Diode lieber draußen haben wollen, weil die Schalt- und Leitverluste des FETs in Summe mit der Diode größer sind als es der Halbleiter dauerhaft überleben würde. Und dann wieder gibt es sicherlich auch Bauteile, da integriert man gerne viel. Ich
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Schaltung zur Kühlung eines Aquariums
hmmm dem FET würd ich am Gate auch nen Serienwiderstand spendieren, da können Spitzenströme auftreten bei PWM.
A0 S0 schrieb im Beitrag #2197770: > Dann wirds bei 5V wohl ein 250R für jeden werden. Für den FET ist das zu viel. Da würde ich 10 Ohm bis max. 100 Ohm nehmen. Ist in deinem Fall nicht so kritisch, da Du ja nur langsam ein und aus schaltest. Berechnung für T1, siehe z.B. hier: http://www.mikrocontroller.net
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Relais über Mosfet schalten
anschließen kann) mit dem ich über I2C den Baustein anspreche. Dieser soll über einen Mosfet ein Relais schalten (siehe Anhang). Dies funktioniert auch so, wie im Anhang sichtbar, jedoch macht entweder der Raspberry oder der MCP23017 nach einigen Schaltzyklen Probleme und schaltet ab. Ich erkenne beim Schalten
der ausfällt. Ich habe mir für den RPi eine App geschrieben, mit der ich per Knopfdruck das Relais schalte, nach einigen Schaltzyklen erkennt der RPi den MCP nicht mehr auf dem Bus.
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In Reihe schalten von Boost Convertern
3.6V. Diese 3.6V werden mit Hilfe eines LM2731MXF (0.6/1.6 MHz Boost Converters With 22V Internal FET Switch) auf 5V transformiert. Und zu guter letzt werden diese 5V werden mit Hilfe eines weiteren LM2731MXF (0.6/1.6 MHz Boost Converters With 22V Internal FET Switch) auf 12V transformiert. Ich
das Relai an Vbatt mit 5V (Waehrend des Anlassens) und den maximal 24V und lasse einen Low Side Schalter dann gegen GND schalten. Gibt es solche Relais die solch einen Spannungsbereich ueberleben?
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Warum FET-Ansteuerung mit Trafo?
Sporadischer Fragensteller schrieb im Beitrag #1829916: > die mehrere FETs ansteuern, diese immer mit Trafos > angesteuert werden und nicht mit "normalen" Treibern. Da die beiden oberen FETs direkt an Netzspannung haengen muesste der Treiber fuer die oberen FETs auch um
Treiber brennt durch. Mit Trafo: FETs bleiben aus. Ohne Trafo: FET kann dauerhaft angesteuert sein. Er dient also u.A. zur Schadensbegrenzung. HighSide Ansteuerung macht ein Trafo einfacher und erlaubt gleiche FETs in der Brücke, welche
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Last an GND mit N-Kanal-MOSFET schalten?
Hallo, ich möchte eine Last, die an GND liegt, so schalten, dass sie Strom bekommt, wenn das Gate des MOSFET auf Hi-Potential liegt. Als MOSFET verwende ich im Moment einen IRLML2402. Im Anhang eine Skizze dazu. 1.) funktioniert gut, aber funktioniert
Jo. Einfacher wirds mit nem p-FET oder gleich einem fertigen highside-smart-switch (BTS_irgendwas).
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FET N channel High side H Brücke
BTW: Schau Dir z.B. mal die Bausteine L6201..3 von ST an. Die haben auch nur n-Kanal-FETs drin und für die beiden High-Side-FETs jeweils eine Bootstrap-Schaltung, die mittels externer Diode und Kondensator die auf Source bezogene Betriebsspannung erzeugt.
in vielerlei Hinsicht. Wenn man also hohe Ströme, große Spannungen oder mit hohen Frequenzen schalten möchte, oder eine Kombination davon, sind N-Kanal-Fets deutlich besser. Soviel besser, dass sich der Aufwand für den Treiber lohnt.
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PWM-Strommessung integrieren
Aber wenn der Spannungsanstieg beim Ausschalten nicht größer wird als die Spannungsfestigkeit des FET, dann macht das nichts ;-) Crazy H. schrieb im Beitrag #4098924: > Ich schalte lowside mit einem FET und der Shunt ist zwischen Source und > Masse. wenn deine Masse niederohmig genug ist (viel
dem uC bedienen will. Die Strommessung kostet dich nicht mehr Zeit, nur weil du sie mit dem Schalten des FET synchronisierst. Ansatz 1: kein Tiefpass: Du triggerst mit dem Anschalten des FET eine Routine (z.B. per Interrupt), die den ADC startet. Ein paar µs später kennst du den neuen Wert von
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Regelbare Last brennt durch
Klingt erstmal nicht nach einem thermischen Tod. Wo genau misst du aber am Kühlkörper? Direkt am FET oder auf der anderen Seite? Wichtig ist halt wie heiß der FET wird und nicht wie heiß der Kühlkörper. Man kann halt aus der Temperatur des Kühlkörpers auf die Temperatur des FETs schließen. Und wie
parallel. Mit TO220 wirst du Probleme mit der Wäreabfuhr bekommen, wenn du nicht 10-20 parallel schaltest. Auch Freilaufdioden und Snubber (sowie TVS/Varistor ) am Eingang gegen Spikes sind nicht unbedingt optional - deine FETs werden es dir danken. Gegen Schwingen hilft häufig ein Ferrit in verbindung
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Superhet-Audion
oder einen anderen FET-Typ?
Mischer-IC IAM-81008 von diesem ic habe ich noch nie gehört. kann man auch ein dual gate mos fet als mischer nehmen?
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Spannungsversorgung für µC per Transistor schalten
Schaltbild anbei soll das Entladeverhalten beschreiben, die Spannungsquelle soll hierbei einen Schalter simulieren (Ich bekomme bei LTSpice einfach keinen Schalter hin). Allerdings habe ich das Gefühl, der Kondensator tut überhaupt nichts - siehe Spannungsverlauf der Basisspannung. Nach meinem Verständnis
haben. Das stände im Datenblatt. Aber niemand hindert einem daran, den PNP mit dem Flipflop zu schalten.
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Labor Schaltnetzteil PSP1405 (Voltcraft) haut es immer die beiden IRF840 durch.
Stimmt die Taktfrequenz des Wandlers? Ich hatte einmal eine KFZ-Endstufe auf dem Tisch, wo die FETs im Netzteil partout nicht korrekt schalten wollten (Erwärmung, schlechte Rechteck-Form am Gate) und hab den Fehler nicht gefunden - bis ich die Schaltfreqenz mit dem Oszi nachgemessen hab. Waren so
Und warum kannst Du keine Messung an den Ausgängen des TL494 anbieten? Gfg. ohne verbaute FETs? *gähn*
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Schutz von MOSFET in 24 V Umgebung mit Lichtmaschine
die im Bild sichtbare Schaltung ist ein Teil des Motorreglers; mein Problem ist, dass manchmal die FET defekt werden, sie schalten durch. Es wird eine kleine 24V BAtterie, bzw die Motoren von einer Drehstrom Lichtmaschine gespeist. Hab im Forum schon einiges gelesen, komm aber nicht ganz klar
Dieter R. schrieb im Beitrag #5936739: > 1. Gibt es für > 10A überhaupt Logic Level FETs? Aber sicher doch.
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Spannungswandler 24VDC auf 135VDC, max. 120mA Last (ca.10-12W)
200V sollte reichen. Der FET sperrt wohl immer langsamer als eine schnelle Diode öffnet, und somit steigt die Spannung am Fet nicht über die Ausgangsspannung.
Zum Testen kann man mehrere 1/4 W Widerstände parallel schalten.
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MOS Fet Schaltung
-50GL schalten kann? Der Controller wird vom Akku versorgt. MfG Christoph
Ich beschreibe es mal genauer. Wenn ich Source vom FET an Minus vom Akku und Controller lege, Gate and Portpin und Drain an Minus vom Generator, so kann ich den Generator als Motor laufend an und aus schalten. Ich möchte jedoch in die andere Richtung schalten
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Bitte gegenlesen: Verlustleistungsrechnung SOT-23 MOSFET
aufgerundet 0.2µs). Selbst bei 1µs Schaltzeit je Zyklus, 1ms je Zyklus und 84W Pmax fallen am FET nur 1µs/1ms*84W = 84mW ab. Völlig lächerlich. Deine Zahlen sind so gut, weil Du relativ selten schaltest. 1000Hz sind (in diesem Zusammenhang) relativ wenig. Dazu kommt noch, dass die
Wenn der FET leistungsmäßig zur Last paßt, kann man die Verluste durch die Gate-Ansteuerung vernachlässigen.
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Wie MOSFET richtig durchschalten?
sind 250uA. ??? Spannung = Strom?? Bei einem Transistor brauchst du viel mehr Strom, um 1A zu schalten, als bei einem MosFET, daher spricht man von Spannungsgesteuert. Du musst eben auf die Vgs achten, dass die Spannung schnell ansteigt, wie Du sagtest und möglichst hoch ist (natuerlich nicht über
> Bei einem Transistor FETs sind auch Transistoren. Das T in FET steht sogar für "transistor". > brauchst du viel mehr Strom, um 1A zu schalten, als bei einem > MosFET, daher spricht man von Spannungsgesteuert. Zum Schalten
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Schutzschaltung für verpolt eingelegte Batterien gesucht
Ein FET in die GND
fiju schrieb im Beitrag #7025891: > Ein FET in die GND Was spricht eigentlich gegen diese Idee?
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Relais 15 Sek. Abfallverzögerung
genauso gut geht. https://en.wikipedia.org/wiki/555_timer_IC Der CMOS TLC555 kann bis zu 100mA schalten, das sollte sogar direkt das Relais schalten können - allerdings nur, wenn der 555 das Relais gegen Masse ziehen darf: http://www.ti.com/product/tlc555
nur ein kleiner Luftspalt auftut, dann kippt der Kontakt recht flott. Und da macht das "langsame" schalten des FET nicht mehr viel aus. Wenn es aber dennoch Leute gibt die Angst um ihr Relais haben, dann können diese auch beliebig viele n- und p-FETs zur Verstärkung der Flankensteilheit einsetzen. Dann
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Spannungsdrop über High Side FET messen?
Größe des Drops und der Höhe der Spannungen > allgemein. Okay Ich muss um die 50A bei 48Vdc schalten. In einem früheren Design kam es immer mal wieder vor, das die FETs durchbranten. Schuld war ein zu langsamer Treiber, das weiß ich nun. Aber zu schnell soll das ganze auch nicht sein, um kapazitive Lasten Schalten zu können. Darum ist jetzt die Idee, den Treiber erst die FETs Linear treiben zu können und dann voll durchschaltet. Und um die FETs im Linearen Modus nicht zu töten will ich deren Drop messen und
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Leistungselektronik für Peltier Element - Problem mit PWM
FET funktioniert, hab ihn auf einer kleineren Schaltung getestet. Das Relais schalte ich nur dann über einen PIN ein, wenn die gewünschte Temperatur unter 25° ist. Dann regelt der Regler die Kühlung
ich würde vermuten, dass der FET hin es, denn es fehlt eine Freilaufdiode... Gruß Martin
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AVR für Zündung geeignet?
Also ich habe vor langer Zeit mal eine Schaltung gemacht damit ich mit einer Mofazündspule und einem FET mit Freilaufdiode die Zündspule schalten konnte. Nur habe ich das nie an eine Microcontroller gesteuert und zum zweiten weiss nich nicht ob der FET so hoche Drehzahlen verkraften würde. Ich möchte
überschlagende Funken abzufangen. Hat auch funktioniert...einmal. Um die Schaltgeschwindigkeit von Power-FET's brauchst Du dir keine Sorgen machen, die schalten schnell genug. Können locker bis 10kHz ab. Schalten meist auch schneller und mit höheren Frequenzen als bipolare Leistungstransistoren. Aufpassen
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IRF5305S - Hitzentwicklung - Alternative
Last testen können. Hierbei handelt es sich durch einen ESP32 gesteuerten LED Stripe. Um das ganze Schalten zu können liegt an der Spannungsquelle (entweder 8.4V oder 12V) ein IRF5305S P-Kanal Mosfet (Im D-Pak Design) an. Das Schalten funktioniert auch und ist zuverlässig. Maximal laufen hier ~4,5A bei
Philipp S. schrieb im Beitrag #7299894: > Um das ganze Schalten zu können liegt an der Spannungsquelle > (entweder 8.4V oder 12V) ein IRF5305S P-Kanal Mosfet (Im D-Pak Design) > an. Das Schalten funktioniert auch und ist zuverlässig. Wie steuerst du ihn an
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Netzteil Dell U3415Wb
mit etwa 0,4..0,5V Durchlassspannung messen. Hat man dort einen glatten Durchgang, war's das für den FET. Für das Gate gilt das Gleiche, defekte FETs mutieren so gut wie immer zu Drahtbrücken mit drei Anschlüssen. Also glatter Durchgang am Gate-Anschluss ist schlecht für den FET. Wenn man sowas findet, kann man den FET gleich erstmal auslöten und außerhalb der Schaltung nochmal messen. Ist das Gate immer noch durchgängig, ist der FET hin. Bei intakten FETs kann man am Gate keinen Durchgang zu Drain und Source messen
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IR2104S falsch beschaltet??
zum einen die Kommutierung selbst und zum anderen eine PWM auf eine der beiden durchgeschalteten FETs. Es dürfen nicht beide FETs gleichzeitig aktiv sein sondern immer nur 2 FETS verschiedener Halbbrücken zB High side FET der 1. Halbbrücke und Low Side FET der 3. Halbbrücke. So wie das aber
einzustellen. Das müsste ja gerade anders rum sein, mit IN entweder high oder low, je nachdem welcher FET aktiv sein soll und PWM auf SD geben. Fertig. In Beispiel oben wäre das also für FET 1 und 6 (High side FET 1. Halbbrücke und low side FET der 3. Halbbrücke). Treiber für 1. Halbbrücke IN high
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Mehrere Mikrofone für Lautstärkegewinn an Rechner anschließen
>identische Mikrofone zu erwischen. Ein fach parallel Schalten wird nicht >mehr Amplitude bringen, nur weniger Impedanz. Warum nicht? Da ist üblicherweise ein kleiner FET drin - zwei gleich ausgesteuerte FETS in parallel bringen den doppelten Strom am Arbeitswiderstand
du recht. Pollin hatte diese. Mit 1,5v Batterie und Schwanenhals und Standplatte. Taster und Schalter waren auch noch drauf.
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Bauteilsuche: High-Side Switch
Abschaltverzögerung. > Kennt jemand einen HSS der etwa 80A kann und mit diesen Frequenzen > schalten kann? Warum musst du die Pumpe denn überhaupt auf der Highside takten? Die Lowside mit einem N-Kanal-Fet zu schalten wäre hier wahrscheinlich deutlich einfacher.
Beitrag #6961862: >>> Kennt jemand einen HSS der etwa 80A kann und mit diesen Frequenzen >>> schalten kann? >> Warum musst du die Pumpe denn überhaupt auf der Highside takten? >> Die Lowside mit einem N-Kanal-Fet zu schalten wäre hier wahrscheinlich >> deutlich einfacher. > > Mit dem sollten
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Signalrelais mit MOSFET schalten
vor zur Umschaltung zwischen verschiedenen Signalen auf 2 Tastköpfe Signalrelais mit MOSFETs zu schalten. Gibt es dabei was zu beachten? Schalten werde ich das ganze mit TTL-Pegel 5V/0V Ich hatte vorgesehen mit einem MOSFET, n-Kanal (Anreicherungstyp) die Relais zu schalten. Hat vielleicht
Kann ich mit einem PIC ein FET ansteuern, dieser je nach Hi und Low mir dann eine LED treibt?
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Motor mit Mosfet Treiben - PWM
RDSon ist der Widerstand den der Source-Drain Kanal noch hat wenn der Fet voll durchgesteuert ist. Und wenn ich das Datenblatt lese, sind das bei dem hier immerhin 2,6 Ohm. Das ist viel! Such dir mal einen Logic-Level-Fet (also einen der bei 5V auch voll durchsteuert) der
Ja, dann hast du aber eine Freilaufdiode in dem zweiten FET... Dre zweite FET fungiert da als Freilaufdiode. Und wenn du diese überbrückst mit den zweiten FET, sollte der Motor abrupt gebremst werden. Würde dir aber ein P und ein N fet empfehlen, da ist
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High Side Switch 24V
www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten?
#7032140: > Schaltet Q1 durch, legt er 24V an das Gate - das ist mehr als zulässig > ubd kann den FET zerstören. -24V, aber ja, der FET verträgt max. +-20V VGS. Wenn man Bock hat, könnte man das mit einer Zenerdiode noch hinbiegen.
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Stromverbrauch Gatedriver?
Starte mit dem Strom, der in's (bzw. aus dem) Gate fließen muss. Die "Total Gate Charge" ist im FET-Datenblatt, die muss bei jedem Umschalten fließen. Beispiel: Wenn du 10000 mal pro Sekunde schaltest (10kHz PWM), und dein FET dicke 50nC Gate-Charge hat, dann sind das knackige 0,5mA im Schnitt, schön
Sicherung 5x20mm? Εrnst B. schrieb im Beitrag #6984133: > Beispiel: Wenn du 10000 mal pro Sekunde schaltest > (10kHz PWM), und dein FET dicke 50nC Gate-Charge hat, dann sind das > knackige 0,5mA im Schnitt, schön Glattgebügelt über die hoffentlich > vorhandenen Kondensatoren. Ach kuck, so wenig?
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Schaltnetzteil FET wird warm!
schon mal das Netzteil nachgebaut und das gleiche Problem gehabt? Achso! Der Hinweis das wenn der FET warm wird man ne andere Spule holen soll habe ich auch schon getestet. Das gleiche Ergebnis. Schö mit Ö...
das Netzteil zur Probe auf einem Steckbrett aufgebaut. Send pix, babe. Warm werden koennte der FET in der tat wenn die Spule falsch ist. Allerdings wird nach meinen Erfahrungen dann zuerst die Spule sehr warm. Es ist aber sehr wichtig das der FET auch schnell geschaltet wird. Aus dem Grund wurden
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8 Dual N-Mosfet an ESP32
in deiner Schaltung nicht zu entdecken. Welchen meinst du? Wenn du die Gates sowieso zusammen schalten willst, brauchst du auch nur einen FET. Vielleicht zeigst du mal deine Schaltung.
hoeherer Spannung versorgt werden muessen, als einzelne LEDs). Fuer winzige LEDs gehen fast beliebige Fets, aber Du wirst sicher einige in Reihe schalten (es ist ja eh Quatsch, immer nur eine einzeln aublitzen zu lassen - viel eher machte es Sinn, diese einzeln kurz verloeschen zu lassen...). Daß dafuer