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MOSFET hohe On resistance rDS
Guten Abend, ich schalte mit meinem MOSFET IRF530 einen Lüfter und wundere mich, warum dieser weniger Strom aufnimmt als ohne MOSFET. Die technischen Daten, der Lüfter hat 12V und 6A also einen innenwiderstand von 2Ohm Der MOSFET ist
>Nun steht im Datenblatt vom MOSFET rDS(ON) 0,16Ohm. Bei 10V Vgs, nicht bei 4,5V.
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Schutzschaltung für Labornetzeil: Wie abschalten im Fehlerfall?
Fehler könnte ja durch einen kurzgeschlossenen Transistor bestehen. - Relais ist zu langsam - Mosfet? Für ein Highside N-Kanal bräuchte ich eine zusätzliche höhere Spannung. - Lowside-Mosfet ist ungünstig, da dort der Shunt sitzt und dessen OP dann hohe Spannungen abbekommen würde, wenn der Mosfet
achim schrieb im Beitrag #4098038: > neben der Rds_on Geschichte, hast du bei einem Mosfet auch immer noch > eine Body-Diode eingebaut, die im abgeschalteten Zustand noch Strom > fließen lassen kann. Mir scheint, beim Einsatz eines P-Kanal-MOSFET existiert dieses Problem. Ein N-Kanal-MOSFET
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Resonanzkonverter - Oszi Bildanalyse
am Mosfet anliegen. irgendwie ist das komisch :-/ mit "Zero" hat das auf jeden Fall erstmal nix zu tun :-( Ich würde auch gern nochmal Messungen nachliefern. Ich bräuchte bloß Informationen, was von Interesse
Der Vollständigkeit halber nochmal Uds eines LowSide-Mosfets. Der Ausschalt-Impuls kitzelt immernoch an den Avanalanche-Ratings. Es baut sich auch der komplette Spulenstrom in dem Moment ab :-/ Soll das so? Soll ich mal richtige Dioden zu den Mosfets parallelschalten
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Konstantstromquelle Transistor
das so überhaupt funktioneren? Und wäre ein LM317 denn besser geeignet um die Last am Gate des Mosfet zu verringern? Als Mosfet hatte ich einen IRLZ44N angedacht, weil der lt. Datenblatt bis u 25A Last verträgt Das der Lastwiderstand direkt an die Spannung muss verstehe ich mittlerweile, die Leiterwiderstände
://www.mikrocontroller.net/articles/FET#SOA_Diagramm Außerdem verkraftet ein MOSFET im TO220 Gehäuse keine 100W. Bestenfalls 30W mit einem ausreichend großen [[Kühlkörper]]. Wenn wir mal max. 10V bei 10A ansetzen, sind das satte 100W. Dafür braucht man 3-4 einzelne MOSFETs parallel
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MOSFET-Treiber mißbrauchen als ULN2803-Ersatz?
@ Martin R. (mra) >Deshalb die Frage: könnte man so einen MOSFET-Treiber für solche >Schaltungen "mißbrauchen"? Warum so aufwändig? Ein passender Logic Level MOSFET im SOT-23 Gehäuse reicht aus. OK, es gibt auch MOSFET-Treiber in SOT-23 . . .Paßt schon.
von etwa 1 A wird ein > MOSFET den Leistungs- MOSFETs zugeordnet. Sind wir da nicht schon im Bereich deiner Servos?
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Öffnerkontakt der für x (Milli)sekunden öffnet
H. schrieb im Beitrag #7365040: > von 12V am Eingang auf 11,1V am Ausgang. Das ist für den P-Mosfet noch ok.
Hupenkostruktion) der FET nicht gleich "hinwegavalanciert". (Reichelt hat die zB) [pre] IXTP76P10T MOSFET P-Ch 100V 76A 298W 0,025R TO220AB 6,50€ IRF 9540N MOSFET, P-CH, 100V, 23A, 140W, TO-220AB 1€ IRF5210SPBF MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D²Pak 5€ [/pre] 60Volt -Typen wären mir da
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Verständnisfrage zu der H- Brücke
Wie wähle ich ein Mosfet aus? Mein Motor soll max. 15A ziehen und wird mit 42VDC betrieben.
> 1) Warum müssen 2 P und 2 N mosfets verwendet werden? Das ist nicht zwingend erforderlich - es gehen z.B. auch 4 N Mosfets. Da aber Mosfets (wie in dem zitierten Artikel erwähnt) relativ hohe Ansteuerspannungen benötigen, müssten
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Schutzschaltung für verpolt eingelegte Batterien gesucht
Der Trick ist ein MOSFET invers. Erst leitet die Substratdiode, damit kriegt das Gate Spannung und dann leitet der MOSFET. Früher hatte man einfach die Zellenhalter so konstruiert, daß der +Pol leicht versenkt war und der
dir demnach nicht reichen. Du brauchst sowieso eine andere Spannungsversorgung. Egal wie, der MOSFET muss bei 1.8V voll durchschalten, glücklicherweise wird die Schaltung nicht extrem viel Strom benötgen. Wie wäre es mit SI2312 ? Ja, der MOSFET kann als NMOSFET auch in die Masseleitung. Wer auch PMOSFET
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Rückspeisug solarlader verhindern?
. schrieb im Beitrag #7214765: > Wie würde man sowas machen? So wie dort in Bild 2. Mit zwei Mosfet, statt einem. https://www.leistungselektronik.de/versorgungsleitungen-mit-mosfets-schalten-a-1096137/
Mosfet werden in beide Richtungen niederohmig, wenn die Gatespannung hoch genug ist.
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Diode in LTspice
Rest kann man nur mit einem Snubber oder langsamerer Ansteuerung des Gates begrenzen. Da der MOSFET selbst bereits eine ordentliche Ausgangskapazität hat, existiert bereits eine Begrenzung der Induktionsspannung! Und wenn der MOSFET zu langsam angesteuert wird, geht er kaputt...
> einem Snubber oder langsamerer Ansteuerung des Gates begrenzen. > > Da der MOSFET selbst bereits eine ordentliche Ausgangskapazität hat, > existiert bereits eine Begrenzung der Induktionsspannung! Jaja. > Und wenn der MOSFET zu langsam angesteuert wird, geht er kaputt..
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Millerkapazität Schaltregler LTC3769
Bei der Auswahl der Leistungs-MOSFETs für einen Boost-Schaltregler (LTC3769) stellt mich die folgender Textabschnitt vor große Probleme: Selection criteria for the power MOSFETs include the on-resistance RDS(ON), Miller capacitance
aktiven Bereich des Mosfet
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FPGA evalboard mit 200 GPIOs
Hallo, wir möchten gerne 160 MOSFETs mittels FPGA und Lichtleitern synchron ansteuern. Kennt Ihr ein evalboard, das so 160-200 I/Os bereitstellt? THX Cheers Detlef
Wäre es bei schnellen Schaltvorgängen nicht besser, anstelle von MOSFETs HEMTs zu nehmen, auch wenn sie teilweise komplizierter in der Beschaltung sind?
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Wieviele N-MOSFETS an einem µC Pin?
dieses Mosfets mit z.B. einem IRL3103 oder IRL3803...
Du kannst keine 50 MOSFETS an den uC hängen, das wird viel zu lahm. Ich würde >1 MOSFET einen ordentlichen Treiber einsetzen.
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Eigenbau: BCD-Armbanduhr
ziemlich abgedreht und unverständlich. U.a. aus dem Grund verwende ich statt Bipolartransistoren MOSFETs. Um genauer zu sein, verwende ich Ultra-Low-Resistance MOSFETs, die schon bei weniger als 3V durchschalten. Das hat mehrere Vorteile (glaube ich zumindest): Ich muss lediglich dafür sorgen, dass der Strom beim Umschalten der MOSFETs 20mA bzw. 40mA nicht überschreitet (maximale Pinlast vom ATtiny 4313 ist 40mA pro Pin, 200mA gesamt). Das mache ich über 200 Ohm Widerstände am Gate. Da der MOSFET im Grunde nur ein Schalter ist und
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Mosfet-Treiber abgeraucht
ich den Motor angeschlossen habe, ist nach 4-5 Sekunden das Treiber-IC (MC34151PG) abgeraucht. Als Mosfet verwende ich den IXYS IXTH360N055T2. Woran kann das liegen? Das das Mosfet zu schwach dimensioniert ist kann ich mir nicht vorstellen... Fehlt beim Treiber evtl noch "Hühnerfutter" dran? Entschuldigt
Bisher wird der MOSFET nur direkt geschaltet, PWM soll irgendwann noch kommen. Ich habe jetzt den pingleichen ICL7667 besorgt, eben eingelötet und er treibt problemlos ;-) Bisher bleibt der MOSFET handwarm und der Motor
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ULN2803(A) am ESP32
Aufsatz geschrieben, auf den ich leicht verweisen kann: http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
mit Anschlussklemmen und Gehäuse für 15 Mäuse auch gar nicht so teuer ist, statt da mit DPAK/D2PAK MOSFets selber rumzuhantieren.
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LED-Matrix (Wortuhr - frage)
Die 120mA könnte mit Strombegrenzung ein TB62716 schalten, da ist ein IC der Schieberegister, MOSFETs und Widerstände enthält. Bei 16 braucht man nur noch 7 Zeilen, deren MOSFETs könnte der PIC direkt ansteuern. Das macht 5 Bausteine (ein TB62716 und 4 Dual P-Kanal SO8 MOSFETs) statt deiner
weniger hat (bzw. in diesem Fall weniger leuchten lassen muss, nur 4) 16 TPIC6B595 Ausgänge vs. 7 MOSFETs.
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Motfet und Elko
Das mit Elko und Mosfet ist nur dann ein Problem, wenn Spannung mit einem Mosfet mit niedrigem RDSON, auf einen grossen (leeren) Elko mit niedrigem ESR geschaltet wird. Der anfänglich hohe Impulsstrom kann den Mosfet killen
+------+ | MOSFET | GND Denn da zerknallt der MOSFET, auch wenn der Elko nach Masse geschaltet wird. Aber dein Aufbau ist in Ordnung. Du wirst ggf. trotzdem Probleme bekommen, wenn der Umschaltvorgang
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Totzeit für Digitalsignal
LED-Schaltung arbeitet doch höchstwahrscheinlich NICHT mit Netzspannung. Wahrscheinlich reicht ein normaler MOSFET-Treiber ala ICL7667. Als passenden Typen kann man den IR2111 oder IR2104 empfehlen. Siehe [[MOSFET-Übersicht#Mosfet-Treiber]] MFG Falk
verwenden. Der Baustein IR2101 erfordert zwei Eingangssignale. Eines für den oberen Halbbrücken Mosfet und eines für den unteren Halbbrücken-Mosfet. Das Ansteuer-Signal des unteren Halbbrücken-Mosfet gewinne ich aus aus einem selbst gebastelten Rechteckgenerator. Das Ansteuer-Signal des oberen Halbbrücken-Mosfets
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Mosfest (P-Fet) sperrt nicht komplett - wieso?
Kontroller H-Pegel ausgibt, wird der NPN-Transistor durchgestuert und zieht dadurch das Gate des p-Kanal-Mosfet auf GND. Damit das funktioniert, muß ein Kollektorstrom fließen können, der durch die 10 KOhm am Mosfet gewährleistet ist. Damit steht UGS von -5V am Mosfet und der "macht auf" und schaltet die Last
) Vgs: < 0.2V Wenn Vgs < 0.2V und die LEDs glimmen trotzdem ists der Mosfet.
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Mosfet als Sicherungs-Schalter von µC angesteuert
den Mosfet schon zu spät sein. Auserdem: die meisten Mosfets halten keine Ugs>20V aus
ich verwenden kann. >Als Mosfet dachte ich an den IRLML6402 Lass mich raten, ein 200A Monster mit 4 mOhm? Nö, diesmal nicht, ein niedlicher MOSFET mit 3,7A in SOT23. Der wird sich über 5A aber weniger freuen. Und über 24V Sperrspannung
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Transientenschutz KFZ
Welche Dioden würdest Du da nehmen? Ich habe noch eine Schaltung mit Diode, Widerstand, MOSFET und Elko gefunden http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz Wäre sowas auch zielführend?
Teilweise. Die Bauteile hinter dem > Spannungswanlder haben es unbeschadet überstanden, aber die MOSFETs zum > Schalten des Ventils und des Relais hat es durchgehauen. (In meinem > Prototypen gibt es erst mal nur ein Ventil und ein Relais) Die MOSFETs sehen beim Abschalten die doppelte Betriebsspannung
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Hilfe mein Mosfet tuts nicht
bei einem Dauerstrom von 8Ampere und einem Anfangs-/Spitzenstrom von 12Ampere) sollen mithilfe von Mosfets an- und ausgeschaltet werden. Die Mosfets wiederum werden von Treiberbausteinen gesteuert die mit dem Mikrocontroller verbunden sind. Für den Heizer habe ich zwei Mosfets verwandt um beide Halbwellen
diese nicht bzw. die Mosfets werden nicht durchgeschaltet (Frage: müssen die Treiber/ Mosfets anders als im Datenblatt beschrieben beschaltet werden?) - Bei direkter Ansteuerung der Mosfets mittels Messsonde
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Schaltung mit 2 N-Kanal Mosfet
Modell verwendet. Und wieder völlig daneben. Mit den Parametern eines VMOSFET kann man einen MOSFET mit separatem Bulk eben nicht beschreiben.
p-Kanal Typ, aber die meisten Distributoren haben den nicht. https://www.google.com/search?q=mosfet+with+separate+bulk+pin
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Netzteil LM723 mit Print
#3532555: > Das mit den Bipolartransistoren ist scheisse. Nimm lieber einen > einzelnen dicken MOSFET. Den 723 versorgst du mit ~10V mehr als die > Ausgangsspannung. Dann hast du keine Dropoutspannung. Die Schaltung oben hat auch nur 1V Dropspannung und ist insofern vergleichbar mit p-Kanal-Mosfets
schrieb: >> Das mit den Bipolartransistoren ist scheisse. Nimm lieber einen >> einzelnen dicken MOSFET. Den 723 versorgst du mit ~10V mehr als die >> Ausgangsspannung. Dann hast du keine Dropoutspannung. > > Die Schaltung oben hat auch nur 1V Dropspannung und ist insofern > vergleichbar mit p-Kanal-Mosfets
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Batterieumschalter
Modellbaubereich ein Ernstes Problem darstellt. Für vorgestellte Schaltung sind in jedem Falle 2 Mosfets fällig was Preislich für nen Relais sprechen kann (Je nachdem wo man kauft)da der Platzbedarf ja bei beiden Versionen recht ähnlich ist. Bei Leistungsrelais oder Mosfets sieht das dann wieder anders
Danke,hab ich glatt überlesen. Gut,Leistung ist nicht gerade gefragt. Also ises egal ob 2 Mosfets oder nen Bi-Relais.
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Ansteuerung MOSFET über Koppelkondensator
Fragen. Kurz zur Erklärung: Durch Toggeln an DUE_SS_IN_2 baut sich eine Spannung am Gate vom MOSFET auf und dieser schaltet. Bei einem konstanten Signal schaltet der MOSFET nicht mehr. Die Fragen: 1. Wie berechne ich hier die Spannung am Gate vom MOSFET in Abhängigkeit von der Schaltfrequenz?
schrieb im Beitrag #7357849: > Durch Toggeln an DUE_SS_IN_2 baut sich eine Spannung am Gate vom MOSFET > auf und dieser schaltet. Bei einem konstanten Signal schaltet der MOSFET > nicht mehr. Das "Problem" ist, daß ein MOSFET nicht "schaltet". Das ist ein zutiefst analoges Bauteil. Die Gatespannung
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Frage zu Spannungsteilerschaltung und Mosfet
#2745323: > lasst mich raten, ich benötige einen n-kanal, und dann würde es gehen? Ganz genau. Mosfets kann man bei der Flussrichtung mit Transistoren gleichsetzen. Drain wäre der Collektor und Source der Emitter. N-Mosfet entspräche einem NPN. P-Mosfet entspräche einem PNP.
Dann müsste dieser funktionieren, oder? http://de.rs-online.com/web/p/mosfet/0302016/ IRLML2402
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Lautsprecher lautlos machen
mußte im Wikipedia gucken, WAS ein Mosfet ist... :( Also, bist du so nett, und sagst mir was für ein Mosfet ich nutzen kann (so daß ich bei zB Reichelt es suchen kann) und wie ich es vom ATMega32 steuern kann? Idealerweise, sollte der
es via Mosfet in der Zuleitung wohl eher ein kräftiges Plopp geben wird.
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SSR an uP direkt?
galvanische Trennung) und Deine Last mit 5V DC arbeitet, würde für Deinen Zweck auch ein Logic Level MOSFET reichen. Logic Level ist dafür da, das der MOSFET auch bei den 5V sicher durchschaltet. Falls Deine Last induktiv ist (z.B. ein Motor) sollte die Last eine Freilaufdiode oder der SSR/MOSFET einen Snubber
deinem Fall eher durch den µC beschränkt. Die Empfehlung ist so bei 10-100Ohm zwischen dem µC und dem MOSFET. Für max. 10mA wären es 500Ohm. Je schneller die Gate-Kapazität umgeladen ist, umso schneller wechselt der MOSFET vom sperrenden (Sehr hoher Widerstand) zum leitenden Zustand (RD-ON, sehr kleiner
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Rechteck- statt Sinus-Wechselspannung möglich?
(Arduino oder ESP - den brauch ich eh für die Steuerlogik und Sensoren) 50Hz erzeugen und damit MOSFETs ansteuern, die die 24V AC Rechteck erzeugen. Klingt der Plan nach einem tauglichen Plan? Hättet ihr ggf einen Tipp für passende MOSFETs? Ich bin leider zu 99,99% in der digitalen Welt unterwegs
Man könnte für die Signalerzeugung auch einen PC mit Soundkarte verwenden...:-) > ...und damit MOSFETs > ansteuern, die die 24V AC Rechteck erzeugen. > Klingt der Plan nach einem tauglichen Plan? Ja. Läuft bei mir. > Hättet ihr ggf einen Tipp > für passende MOSFETs? MOSFETs? Hier wollen
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Relais 15 Sek. Abfallverzögerung
Hallo, oder ganz einfach mit einem N-Mosfet, braucht in Ruhe gar keinen Strom.
Yenka Schüler schrieb im Beitrag #4079176: > Hallo, oder ganz einfach mit einem N-Mosfet, braucht in Ruhe gar keinen > Strom. Damit wird das Relais wohl nicht lange leben.
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Kaskodenschaltung
15065665552075.pdf https://www.electropages.com/blog/2020/07/mitsubishi-launch-n-series-1200v-sic-mosfet
https://www.eetimes.com/solving-the-challenges-of-driving-sic-mosfets/#
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Elektronische Last, Kühlung von Halbleitern
Kühlkörper nun mit einem kleinen Lüfter belüfte, kann ich meine geforderten 33W erreichen? Jeder MOSFET soll ja dann ca. 30W verbraten. Da die MOSFET-Stufen voneinander nicht galvanisch getrennt sein müssen, kann ich die MOSFETs direkt ohne Isolierpd auf den Kühlkörper schrauben (Wärmeleitpaste nicht
von +40..50K. Bei einer Umgebungstemperatur von 25°C wird der KK also max. 70°C bei 300W. Meine MOSFETs haben ca. 1.5K/W Rthjc; da jeder MOSFET 30W verbraten muss, kommen also nochmal 45K dazu. Macht also eine Sperrschinttemperatur von ca. 120°C. Ist zwar relativ warm, meine MOSFETs sind aber bis 170
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Optokoppler an 230VAC
Heinz schrieb im Beitrag #6542251: > So langsam lerne ich was Hmm, z.B. sollte der MOSFET auch bei 3.3V schon schalten, dein Si4436 tut es erst bei 4.5V. Und 1MOhm führt mit den 100nA Leckstrom des Optokoppler zwar nur zu 0.1V, dazu Gate-leakage des MOSFETs mit nochmal 100nA, aber bei
sei ein Alleinstellungsmerkmal. ;) MaWin schrieb im Beitrag #6542559: > Hmm, z.B. sollte der MOSFET auch bei 3.3V schon schalten, dein Si4436 > tut es erst bei 4.5V. > > Und 1MOhm führt mit den 100nA Leckstrom des Optokoppler zwar nur zu > 0.1V, dazu Gate-leakage des MOSFETs mit nochmal 100nA
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Versorgung abschalten und trotzdem geringer Spannungsabfall oder Stromverbrauch
du danach die MOSFETs aussuchen kannst.
brechpunkt schrieb im Beitrag #3991435: > Wäre der IPD90P03P4L-04 als MOSFET ok? Das ist ein 90A (in Worten: neunzig Ampere) Mosfet. Wie viel Strom möchtest Du schalten?
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Verständnisfrage Verstärker
die Ansteuerung der Gates genau? Die Mosfets haben jeweils eine "fixe" Gatespannung (über die Spannungsteiler R7..R32), die Ansteuerung der Mosfets erfolgt dann jeweils über ihre Source: der Q1 zieht die Source des Q8 Mosfets nach Masse, die
im Beitrag #7674320: > Wie funktioniert die Ansteuerung der Gates genau? Q1 und Q2 sind keine MOSFETs, haben kein Gate. Die Gates hängen an einem Spannungsteiler und jeder MOSFET ist ein Sourcefolger, verstärkt also bloss den durch den Spannungsteiler möglichen Strom, scheinbar aber auch nur auf
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Level Shifter selbst bauen, ESP8266, I2C, Bi-Direktional - Welcher MOSFET?
0,7 V am Source, wodurch der MOSFET anschaltet, und am Source dann auch ungefähr 0 V ist. > Verwende lieber einen PCA9306, den liefert saubere Signalpegel. Der PCA9306 benutzt auch nur MOSFETs. Details siehe http://www.ti.com/lit
, warum ein 1-MOSFET-Shifter 0,7 V ausgeben sollte. > Ich habe weiter oben beschrieben, dass ich in Kombination mit Lego > Mindstorms NXT auf ein akutes Problem gestossen bin. Wenn der 1-MOSFET-Shifter dieses Problem
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LED-Lampe mit IR-Fernbedienung-Ausfall
hast wahrscheinlich einen Kurzschluß. Tu dir einen Gefallen und schmeiß die Optokoppler raus, die MOSFETs kann man direkt mit 5V ansteuern. Nur den Widerstand zwischen Gate und GND musst du drin lassen, damit die MOSFETs sicher sperren, wenn dein Arduino im Reset ist.
meinem eingeschränkten Wissen als >unkritisch für meine Anwendung ansehen. Das ist der richtige MOSFET.
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MOSFET Halbbücke - Treiber in LTspice
ist der Laststrom, Blau die Gatespannung am High-Side MoOSFET und rot die Gatespannung am Low-Side MOSFET. Viele Grüße Philipp
In dem Bild sieht man keine Totzeit. Um die zu sehen müssen Ugs vom oberen Mosfet und Ugs vom unteren Mosfet gleichzeitig auf dem Bild sein.
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RGB LEDs Stripes Ansteuerung per PWM IC, 150 Kanäle
--> leistungslose Ansteurung von MOSFETS.
Zu Beachten ist, dass der N-MOSFET-Anreicherungstyp im Sättigungsbereich betrieben wird. Das heisst du willst ja eine PWM steuern. Also der MOSFET ist entweder voll durchgeschaltet oder ebend nicht, aber nichts dazwischen weil dann
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mehrer LEDs parallel an einen Arduino Mega
klappte es auch. Dieter S. schrieb im Beitrag #4631744: > Und wichtig, der Mosfet schaltet durch, wenn HIGH auf der Basis des NPN > liegt. Und es sollte auch mit PWM so funktionieren. Kann ich es auch so schalten, das der Mosfet schaltet, wenn ein LOW Signal anliegt? Gruß
Was für einen Mosfet hast du genommen? Mit oder ohne NPN?
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Wie mit Atmega32 vernünftig Cree-Leds steuern?
Ich hatte bereits mit einem Freund darüber gesprochen, der meinte ich solle am besten N-Kanal Mosfets benutzen (ein Mosfet eine LED). Allerdings hat mich die Auswahl an Mosfets ein bisschen erschlagen, und ich weiß auch nicht genau wie ich den Mosfet direkt an den µC anschließen kann. Habe bis
Batterie) an Spannungsregler. Dann 5V mit Vorwiderstand an Anode von LED die Kathode an Drain vom Mosfet und Source vom Mosfet an GND. Gate vom Mosfet dann mit eventuellem Vorwiderstand an den I/O Pin vom µC? Gruß
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H-Brücke (High Side Switch) kurzschlußfest machen
jemanden, der schon mal ähnliches gelöst hat. Ich habe eine H-Brücke (diskret aufgebaut 2x P-Mosfet + 2x N-Mosfet), mit der ich die Stromrichtung in einer Last schalten möchte. Diese Last kann sehr niederohmig werden (aber auch im Kurzschlussfall soll nichts zerstört werden). Als Quelle hab ich eine
du könntest als Highside-switch einen P-Mosfet und einen N-Mosfet parallel schalten. Das gate des einen schaltest du auf Masse, das gate des anderen auf plus (nicht direkt, sondern mit Widerstand und Zenerdiode zur Begrenzung der Gatespannung).
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Stromregelung geht bei Kurzschluss kaputt
es so wie im Plan ohne irgendwelche Abblock-C's in der Versorgungsspanmnung für den OPV und den Mosfet gebaut hast, dann könnte das der Grund sein. OPV kann ins schwingen geraten, und die Mosfetleitung könnte, wenn etwas zu lang, als Induktivität Spannungsspitzen erzeugen, die für den Mosfet evtl. etwas ungesund sind. Da aber Überspannung von Mosfets relativ gut vertragen werden, wenn nicht zu viel Strom bzw. Energie dahinterhängt (der wirkt dann wie eine Z-Diode), denke ich eher ans Oszillieren, was viel Strom zog, den Mosfet aufheizte, bis er
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Transistor für 2000 V 1 mA gesucht
2 mal 1000-Volt-MOSFETs anbieten, die noch zu moderaten Preisen gut beschaffbar sind. Jörg
Von Ixys gibts relativ kleine IGBTS & Mosfets bis 4000V.
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Ausgangsspannung bei Hex Inverter?
Gunnar F. schrieb im Beitrag #5912569: > 5V MCU zum MOSFET Treiben. 5V auf 15V kann z.B. der CD4504, ist aber kein Treiber. MOSFET-Treiber sind in der Regel TTL-kompatibel, z.B. der TC4432.
. Ob das geeingete MOSFET-Treiber sind, glaube ich eher nicht. ciao gustav
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FET und Relais Diode notwendig?
einzelnes Relai ist etwas übertrieben. Normalerweise sollte beim sperren des Fets die Z-Diode des Mosfets leitend werden. Hierbei wird fast die gesammte Energie im Magnetfeld im Mosfet in Wärme umgewandelt. E=0,5*I²*L Das Problem wird sein, wenn du die Spannungsversorgung ausschaltest wärend Strom
> wird dann dennoch eien Diode benötigt JA > die Z-Diode des Mosfets Welche Z-Diode ? Noch nicht wach um 13:02 ? Ach nö, Redegle-Troll.
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Mini Mosfettreiber für 3,3V
dem LTC1157 komme ich zwar auf schnellere Schaltzeiten. Jedoch steuert auch mit dem Treiber mein Mosfet ganz durch. Gibt es überhaupt Mosfets die bei 3,3V ganz duchsteuern? Mein derzeitiger Mosfet hat ja auch eine "gate-source threshold" Spannung von 1,5V und steuert nicht ganz durch. MfG
Ich muss jetzt noch einmal zurück zum Mosfet. Der IRL6372PbF hat laut Datenblatt nur 0,17mOhm bei 2,5V (max 6,5A) und max 30V. Also 2x max 0,272W Verlustleistung. Bei dem Mosfet von dir bin ich mit 22V über den max 20V des Datenblattes.
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Led- Schaltung BC640 PWM
dient nur um die kompletten 700mA zu erhalten ;-) Aber jetzt nochmal der Schaltplan mit richtigem MOSFET.
, das eine Spannung am Gate angelegt wird und der Mosfet ein magnetisches Feld aufbaut. Sucht man weiter, heißt es auch, ohne Widerstand gegen Masse vom gate, baut sich das Feld nicht ab und der Mosfet bleibt durchgeschaltet... Und heißt es net auch,