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Suchmaschine für Halbleiter gesucht
Wie findet man MOSFET im TO220 Format, die für Vgs 3V (oder weniger) spezifiziert sind?
Hans W. schrieb im Beitrag #8080914: > Wie findet man MOSFET im TO220 Format, die für Vgs 3V (oder > weniger) > spezifiziert sind? Ich geh an mein Regal.
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Kinder E-Quad
Alexander M. schrieb im Beitrag #6999690: > verbaut sind Mosfet 75V 80A, habe bei Reichelt 75V 82A und 75V 120A > gefunden, die Leiterbahnen werde ich auflöten und die Kabel auswechseln. Nur durch das Austauschen des 80A Mosfets durch einen 120A Mosfet und
Klippe fahren. Aber das Leben ist lebensgefährlich. Soviel zum Freitag. Und zum Quad: Der Mosfet-Tausch bringt nichts. Die Anteuerung wird deswegen nichts anderes machen. Die Mosfet werden auch deutlich überdimensioniert sein. Zeichne die Schaltung mal auf. Du wirst sehen, dass es einen Feedbackwiderstand
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Reparatur Schaltnetzteil
wellig, ist ein Elko faul, geht sie runter, sollte man (mit der gebotenen Vorsicht) mal am Drain des MOSFet oszillografieren.
lassen. Damit sieht du auch sofort die Gate Leckage und den benötigten Steuerstrom, der bei MOSFets ja so gut wie null ist.
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Vorschlag für Impulsschaltung mit hohem Strom
Da brauchst du halt einen MOSFET der die 24V und 24A aushält. Ich nicht ungewöhnlich. Sowas wird bei Amazon als Modul mit Schraubklemmen angeboten. Es gibt aber auch Impuls Generatoren mit MOSFET, dann hast du es kompakter. https
low liefert, der MOSFET aber in dieser Zeit eingeschaltet sein soll, nimmt man einen P-Kanal MOSFET wie MTP50P03 und einen negativen Regler wie 7912, so dass der NE555 mit VCC an +24V hängt und GND auf +12V (-12V gegenüber
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FET verzögert einschalten - FET´s sterben.
nicht einsetzen wegen zu hohem RDSon...): -IRFP 260N - PD=300W, Vds=200V: https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-200v-50a-300w-to-247ac-irfp-260n-p41701.html?r=1 Diese beiden Sterben: -IRFB 3607 (Eingangs erwähnter FET) - Pd=140W, Vds=75V: https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-75v-80a-140w-to-220ab-irfb
einsetzen wegen zu > hohem RDSon...): > -IRFP 260N - PD=300W, Vds=200V: > https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-200v-50a-300w-to-247ac-irfp-260n-p41701.html?r=1 > > Diese beiden Sterben: > -IRFB 3607 (Eingangs erwähnter FET) - Pd=140W, Vds=75V: > https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-75v-80a-140w-to-
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Spannungsschalter verstehen
Operationsverstärker und einen Kondensator(?). Falsch. Das ist kein Kondensator, das ist ein [[MOSFET]]
Gesteuert von V_C schaltet der Komparator auf HIGH und sperrt den P-MOSFET. REF = Referenzspannungsquelle
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Wie lange Gate Spannung damit N-Kanal Mosfet schaltet?
habe gelesen, dass sich der Eingang eines Mosfets wie ein Kondensator verhält, also dass er geladen bleibt auch wenn keine Spannung mehr am Gate liegt und man ihn aktiv entladen müsste. Wie lange hält sich diese Mosfet-"Kondensator"-Spannung denn
: > >> Ups vllt habe ich da was falsch verstanden > > Das hast du auf jeden Fall. Auch ein MOSFET bleibt nur so lange > eingeschaltet, wie Spannung am Gate anliegt. Die Gatekapazität muss sich schon entladen damit der Mosfet wieder sperrt. Das bedeutet aber auch das der Mosfet während des Ausschaltevorgangs
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Schalten eines 5V Luefters mit einem Transistor an einem ESP8266
merke mir das so: Der Pin mit dem Pfeil gehört an die Stromversorgung. Das gilt für NPN, PNP, N-MOSFET und P-MOSFET gleichermaßen, wenn man sie als digitale Schalter verwendet.
gleichermaßen? Ja, auch dann gehört der Pin mit dem Pfeil an die Stromversorgung. NPN und N-MOSFET zum Schalten von Minus PNP und P-MOSFET zum Schalten von Plus PS: Weniger Beleidigungen wäre gut
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Spule über Mosfet mit dem µC betreiben
Linearbetrieb mittels PWM gesehen. Wie geht das? Diesen FET habe ich auch hir im Forum in der MOSFET Übersicht gesehen. Dort steht das der für Linearbetrieb geeignet ist. Bitte klärt mich in diesem MOSFET Jungel auf. Vielen Dank Stefan
es läuft vermutlich auf einen Shunt-Widerstand zur Strommessung und einen OpAmp zur Regelung des MOSFETs hinaus.
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Frage zu MOSFET p Kanal Spannungsabfall über drain und source
Hallo, Ich habe da eine Frage zum einem belasteten P-Kanal MOSFET. Dazu die angefügte Schaltung über den kleinen Bipolartransistor T2 ziehe ich das Gate des MOSFETs T1 auf Ground, wenn ich 3,3V an die Basis von T2 lege..... Nun frage ich mich, ob ein Spannungsabfall
über R20 entladen. Und während der Entladezeit ist der MOSFET im Linearbetrieb und heizt.
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IRLZ44 atmega8 Gesperrt
Einfacher fuer mich ist ein Pegelwandler fuer den mosfet als fuer i2c.
. 3,3V und IRLZ44 passen nicht zusammmen- so wie sich überhaupt kein MOSFET findet der das in allen Situationen tut!
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Schottky wird heiss bei 2,4 Khz PWM?
Hier ist noch der falsche Mosfet eingezeichnet. SRY! Es ist aber schon ein IRF4905 in der Schaltung!
Technik'. Das mit den Widerständen verbrät einiges an Leistung und wird heiß. Mach mal lieber vier MOSFETs parallel und an jede Source jeweils deine Diode + Lampe. Dann ist das gut. Die Ansteuerung kannst eigentlich so weit lassen. Vor jedes Gate ein seperater 100R Widerst. Also 4x100R, 4xMOSFET,
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Schottky beam me up
nur > mit relativ lahmen Schaltflanken. Das wiederum würde die > Umschalt-Verlustleistung in den MOSFETS erhöhen. Der FOD3181 hat einen MOSFET-Treiberausgang mit 75ns/55ns typ. rise- bzw. falltime, das sollte damit kein Problem darstellen. Ob das delay von 50-500ns problematisch ist, kann man ohne
die Anwendun verteilt ist diese ok. ->(4 der 12 FOD3181 sind aktiv) VarA ->(2 der 6 lowside MOSFET BTS244Z http://pdf.dzsc.com/BTS/BTS244Z.pdf) ->(2 der 9 highside MOSFET AUIRLR2703 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/auirlr2703.pdf) VarB ->(1 der 6 lowside MOSFET BTS244Z http://pdf.dzsc.com
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kompakter Tiefentladeschutz für 12V nimh Akku
Wenn an Set 1 (=R21) über 1,3V abfallen, dann schaltet Out 1 ein Low-Signal und legt das Gate vom Mosfet gegen Masse. Dieser Schaltet daraufhin. Aber das leuchtet mir dennoch nicht wirklich ein. Bei unter 1,3V am Set 1 müsste der Out 1 Ausgang wieder abfallen und der Mosfet sperren...?
ICL das genau macht R23 ist entweder Bestandteil vom Spannungsteiler oder durch den internen MOSFET an HYST überbrückt.
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LEDs mit PWM betreiben, aber dennoch immer gleiche Helligkeit
wie gesagt bei einem von dem 4 Schaltungen ausgebaut. Das wird wohl ein Snubber sein. Wenn der MOSFET sperrt kommt es bei induktiven Lasten zu einem negativen Spannungsspike am Drain. Die Spannung kann so hoch werden, dass sie den MOSFET beschädigt. Mit Snubber kann der Strom weiterfließen und
gesagt bei einem von dem 4 Schaltungen ausgebaut. > > Das wird wohl ein Snubber sein. Wenn der MOSFET sperrt kommt es bei > induktiven Lasten zu einem negativen Spannungsspike am Drain. > > Die Spannung kann so hoch werden, dass sie den MOSFET beschädigt. > Mit Snubber kann der Strom weiterfließen
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Mosfet Gleichrichter
Hallo, Ich möchte einen Mosfet Gleichrichter aufbauen- so wie er hier beschrieben ist: http://fahrradzukunft.de/14/mosfet-gleichrichter/ (verwendet zwei N/P channel Mosfets mit jeweils maximaler Gate Source Spannung von 20V und
. Ging mir ja hauptsächlich um die Dimensionierung der Zenerdioden. Wenn 16V für 20 V Mosfets reichen, müsste ich bei 8 V Mosfets mit 6,2 V Zenerdioden hinkommen- soweit die einfachen Überlegungen...
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Mosfet und Brückengleichrichter
Hallo Irgendwie verstehe ich gerade garnichts mehr , ich versuche einen 24 Volt Motor mit einem Mosfet per PWM zu steuern , mit einem PC luefter und Strom aus einem Netzteil geht es ohne Probleme , sobald ich aber 24 Volt von einem Trafo nehme und einen Brückengleichrichter vor denn Mosfet schalte laueft
Danach schaust du dir an, was die ungedämpfte Induktivität von Motor und Zuleitung mit deinem Mosfet anstellt.
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Mosfet Auswahl
einem Atmega8 Halogenlampen bei 12V und und 6,7A dimmen. Mein Problem ist, dass mein bisheriger Mosfet (IRF 510: U_GS=4V), selbst wenn ich 12V ans Gate anlege, nicht ganz durchschaltet und deswegen sehr heiß wird. Deswegen meine Frage: Wie finde ich heraus, wann ein Mosfet tatsächlich ganz durchschaltet
weil ich in meiner Testschaltung >> >> und die wäre > > Die testschaltung besteht nur aus dem Mosfet und der LED mit > Vorwiderständen. > Über ein Pott kann ich die Spannung am Gate einstellen und schauen wann > der Mosfet anfängt durchzuschalten. Es ist ein N-Kanal Mosfet, d.h. ich hoffe
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MOSFET passend?
entworfen. Angesteuert wird ein 300W Getriebemotor 24V. Bin mir nicht ganz sicher, ob der eingesetzte MOSFET passend ist bzw bin ich für Kritik an der Schaltung jederzeit offen.
Die Schaltung funktioniert so NICHT!!! Es fehlt die Bezugsleitung für den Highside MOSFET! Laut Datenblatt ist VS mit dem Halbbrückenausgang zu verbinden.
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Verlustleistung Mosfet
des MOSFETs ( P_v_steuer = f * Qg * Ugs ) Wenn man diese 3 Verlustleistungen addiert müsste die gesamte Verlustleistung des Mosfets berechnet sein ? gruß
auf? Bei induktiver Last leuchtet es mir > ein. Es geht ja um Strom und Spannung im bzw. am Mosfet. Leitet der Mosfet, ist der Strom maximal, dafür aber die Drain-Source-Spannung sehr klein. Sperrt er, ist die DS-Spannung maximal (gleich der Versorgungsspannung), aber der Strom praktisch null
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MOSFET des Todes
Hallo! Beim Stöbern durch diverse Kataloge nach einem einfachen Mosfet tauchen immer wieder einzelne Produkte mit galaktischem Maximum Continuous Drain Current auf, so z.B. beim HEXFET IRFS3206PBF mit über 200A! Wie ist dieser Wert zu verstehen?
Impulsstrom sogar bis 840A. http://de.farnell.com/international-rectifier/irfs3206pbf/mosfet-n-60v-d2-pak/dp/1436973?Ntt=IRFS3206PBF Peter
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Verständnisfrage zu MOSFETs
Versuch 1: Trafo abklemmen und mal anstelle einen Leistungswiderstand mit dem MOSFET schalten. So dass ein vernuenftiger Strom fliesst der vom MOSFET auch problemlos geschaltet werden kann. Nimm 100 Ohm oder sowas. Dann die Spannung am Widerstand messen. Ist die nun perfekt rechteckfoermig
Falls Versuch 1 ein gutes Ergebnis bringt, dann klemme den Trafo mit dem Widerstand in Serie an den MOSFET an. Schwingt der Kram dann auch so? (natuerlich nur zum Messen!) Frage: Was ist an der Sekundaerseite angeklemmt? Etwa nichts? Versuch 3 : Trafo wie geplant an dem MOSFET anschliessen und testen
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Mosfet gesucht
Ich suche einen Mosfet der bei Reichelt erhältlich ist, mit folgenden Eigenschaften: N-Kanal nicht LL (soll bis 3V gate-source komplett sperren) Innenwiderstand so um die 10mOhm Spannungsfestigkeit min. 30V min.
nicht dabei obs die bei Reichelt gibt oder nicht ;) Und ich hab auch keinen Bock, für alle Reichelt-Mosfets die Datenblätter runterzuladen!
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Zündungsschalter MOSFET
ganze findet bereits hinter dem Verpolungsschutz statt. D1 und D3 sollen hierbei die Vgs der MOSFETS auf maximal 15V (Transienten...) begrenzen. RG1 dient als Pullup für das Gate von Q1 und hält Vgs auf 0V und damit Sperrt Q1. RG3 dient als Pulldown für das Gate von Q2 und hält Vgs auf 0V und damit
Das ist schlicht und einfach nicht nötig. Wir sind hier nicht an der Fleischtheke: "200g N-Kanal-Mosfets bitte!" "Wir haben heute auch schöne Relais im Angebot?!" Danke nein, meine Frau ernährt sich nur von TRIAC-Salat.
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Wie benutzt man einen MOSFET
J. S. schrieb im Beitrag #6081358: > Nebenbei würde ich eine Glühlampe etc. mit dem Mosfet eher im PWM-Modus > regeln, statt ihn als einstellbaren Widerstand zu missbrauchen. Ja wie gesagt die Lampe ist nur ein Test. Das Ganze soll ein Ladegerät für eine Autobatterie werden. Der Mosfet
@Micha123, Wie wäre es mit Mosfet-Weitwurf?
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Mosfet richtig auslegen
. Der Wert sagt aus ab welcher Spannung der Mosfet anfängt zu leiten, und zwar im uA-Bereich. Liegt Vgs unter dem im DB minimal angegebenen Wert für Vgs(th) sperrt der Mosfet. Du möchtest den Mosfet im Schaltbetrieb verwenden, daher ist für Dich
verwendet werden. Darüber hinaus ist es je nach Schaltungsauslegung erforderlich zu wissen wann der Mosfet sperrt. Vielleicht ein schlechtes Beispiel, aber wenn der Mosfet z.B. von einem OPV angesteuert wird dessen Ausgang nicht bis runter auf 0V kommt (also kein R2R) soll der Mosfet ja trotzdem sicher
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Zu blöd für MOSFETs, wie ich fürchte
Wenn der Ausgang vom Controller Tristate macht, haben deine Mosfets keine Möglichkeit, die Gateladung los zu werden. Deshalb ist beim Mosfet meisten ein Gate-Source Widerstand zusehen.
Das Prinzip ist so, daß der Anschluß + fest an +12V hängt (P$1) und der Anschluß - durch den MOSFET gegen GND geschalten wird (P$2). Und zwischen diesen beiden Anschlüssen ist es vorgesehen, einen Verbraucher anzuschließen. Der Stromweg ist also: +12V -> Verbraucher -> Mosfet -> GND. Den Mosfet
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Benötige Hilfe bei Reparatur eines Schaltnetzteils
Übernimmt bis dahin nicht die Hauptstufe ist schluss und das Spiel geht von vorne los. Klemm das MosFet Gate ab und schau ob dann Pulse vom L6668 generiert werden. Wahrscheinlich ist nur der Mosfet hin. Mit Pech auch der Gate Vorwiderstand und die Teiberstufe im L6668. Wenn der MosFet durchschlägt
Läuft die Primär Stufe wieder schau Dir die Sek. Stufe an, ob alles ok ist. Oft überhitzen die MosFets weil die Regelung versucht bei einem anderen Bauteildefekt 'gegenzuhalten'.
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Brauche Hilfe mit Schaltkreis
Und welchen Mosfet brauche ich dann?
Da ist dein MOSFET http://www.digikey.com/product-detail/en/IRL530/IRL530-ND/50629
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Optokoppler an 3-32V= (Galvanische Trennung Eingänge uC)
Mosfets. Die Spannung darf weder zu groß sein - dann gehen die Mosfets wegen zu hoher Gate-Source-Spannung kaputt. Noch zu klein - dann schalten die Mosfets nicht sicher durch, werden also evtl. zu warm und
vertragen höchstens 20V. Für den Betrieb an höherer Spannung müßte man die Gate-Source-Spannung der Mosfets begrenzen. Für den Betrieb an kleinerer Spannung andere Mosfets nehmen. Und wenn man auch nur halbwegs schnell/oft schalten will, dann nimmt man nicht 10K, um das Gate des Mosfet zu entladen sondern
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ULN2803(A) am ESP32
Aufsatz geschrieben, auf den ich leicht verweisen kann: http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
mit Anschlussklemmen und Gehäuse für 15 Mäuse auch gar nicht so teuer ist, statt da mit DPAK/D2PAK MOSFets selber rumzuhantieren.
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Rechteck- statt Sinus-Wechselspannung möglich?
(Arduino oder ESP - den brauch ich eh für die Steuerlogik und Sensoren) 50Hz erzeugen und damit MOSFETs ansteuern, die die 24V AC Rechteck erzeugen. Klingt der Plan nach einem tauglichen Plan? Hättet ihr ggf einen Tipp für passende MOSFETs? Ich bin leider zu 99,99% in der digitalen Welt unterwegs
Man könnte für die Signalerzeugung auch einen PC mit Soundkarte verwenden...:-) > ...und damit MOSFETs > ansteuern, die die 24V AC Rechteck erzeugen. > Klingt der Plan nach einem tauglichen Plan? Ja. Läuft bei mir. > Hättet ihr ggf einen Tipp > für passende MOSFETs? MOSFETs? Hier wollen
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Batterieumschalter
Modellbaubereich ein Ernstes Problem darstellt. Für vorgestellte Schaltung sind in jedem Falle 2 Mosfets fällig was Preislich für nen Relais sprechen kann (Je nachdem wo man kauft)da der Platzbedarf ja bei beiden Versionen recht ähnlich ist. Bei Leistungsrelais oder Mosfets sieht das dann wieder anders
Danke,hab ich glatt überlesen. Gut,Leistung ist nicht gerade gefragt. Also ises egal ob 2 Mosfets oder nen Bi-Relais.
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OP mit Outout stage Booster
>Ströme, bis der Strom hoch genug ist und über R6 bzw. R8 die > Gate-Threshholdspannung der MOSFETs anliegt. Ab da übernehmen die >Power-MOSFETs den Stromfluss. Nein. Der Ausgangsstrom kommt zu 99% immer aus den MOSFETs, auch für kleine Ströme, wenn die Schaltung richtig dimensioniert ist,
>>Ströme, bis der Strom hoch genug ist und über R6 bzw. R8 die >> Gate-Threshholdspannung der MOSFETs anliegt. Ab da übernehmen die >>Power-MOSFETs den Stromfluss. > > Nein. Der Ausgangsstrom kommt zu 99% immer aus den MOSFETs, auch für > kleine Ströme, wenn die Schaltung richtig dimensioniert
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warum Mosfet stirbt
Mit 5V am Gate schaffst du es nicht, den MOSFet richtig durchzuschalten - siehe Fig. 3 im Datenblatt. Das ist nämlich kein sogen. Logiklevel MOSFet und mehr als max. 9A sind bei 5V Ugs nicht drin, typisch sogar nur 5A. Dein MOSFet wird also schon
schrieb im Beitrag #4168751: > Ich versuche zu versehen warum under bestimmten umständen > meine mosfet sterben. Überspannung oder Überhitze. Diese zwei Methoden führen sicher zum Mosfet-Tod. > Wenn ein Mosfet seine Masse verliert ist er Kaputt? Wenn ein Mosfet keine Masse mehr hat, dann ist er
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Diode in LTspice
Rest kann man nur mit einem Snubber oder langsamerer Ansteuerung des Gates begrenzen. Da der MOSFET selbst bereits eine ordentliche Ausgangskapazität hat, existiert bereits eine Begrenzung der Induktionsspannung! Und wenn der MOSFET zu langsam angesteuert wird, geht er kaputt...
> einem Snubber oder langsamerer Ansteuerung des Gates begrenzen. > > Da der MOSFET selbst bereits eine ordentliche Ausgangskapazität hat, > existiert bereits eine Begrenzung der Induktionsspannung! Jaja. > Und wenn der MOSFET zu langsam angesteuert wird, geht er kaputt..
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ESP8266 raucht ständig ab - Stromversorgung
Stefan U. schrieb im Beitrag #5171191: > sollte Q2 ein P-Kanal MOSFET sein. Nein, ein N-Kanal MOSFET für Q2 ist schon richtig, sonst funktioniert die Strombegrenzung nicht mehr!
Abgesehen von den fehlenden KLEINEN Kondensatoren um die Spannungsregler > herum sollte Q2 ein P-Kanal MOSFET sein. Wird ein P-Channel Mosfet nicht bei negativer GS-Spannung leitend? Oder würfel ich da wieder was durcheinander? > Die großen Elkos gehören nach links hinter den Gleichrichter. Nach >
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Laufband verlangsamen
Arduinobasis aufziehen. Meine Fragen: - wie dimensioniere ich die Gegentaktstufe zum Treiben der Mosfets? Bzw unter welchen Stichwörtern suche ich in Google? Mosfets sind FS22SM (http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/powerex/FS22SM-10.pdf ). - der Motor ist fuer 180VD spezifiziert, an den Mosfets
reicht ein einfacher MOSFET-Treiber.
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Schaltplan EWM TRSQW2 für Merkle Insquare 250W 350W, ESS SquareARC 351 WIG-Schweissgeräte
und Mosfets sind relativ einfach zu organisieren. Lorch 252 und 320/420 haben unterschiedliche Trafos verbaut. Lorch 320/420 haben gleichen Trafo, beim 320 hats allerdings weniger MOSFETs/Gleichrichterdioden auf Primär und Wechselrichterseite. D.h. man kann ein 320G/GW mit ein paar MOSFETs und Gleichrichterdioden relativ einfach zum 420G/GW pimpen. MOSFETs Primärseite STE26NA90, Freilaufdiode: BYT230PIV1000 Gleichrichter Sekundärseite: BYV255V200 oder BYV255V400, AC-Wechselrichter
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Unsichtbare Weißlichtblitze
Hallo Forum, ich schaffs doch heute schon. Statt PIC nehm ich aber nen 555. Damit kann ich den MOSFET ohne extra Treiber ansteuern. Einen MOSFET möchte ich schon nehmen, weil mir die 1 us für Darlington ne Spur zu schnell wären. Außerdem muss ich so nicht erst großartig Controller brennen. Die zu
Hallo Forum, oben links der Aufbau. Ganz links der CMOS 555, der den darunter gesetzten MOSFET mit 400ns Pulsen ansteuert. Rechts vom MOSFET die LED mit dem rechts davon angebrachten induktionsarmen Shunt, der vom Scope per Referenzkontakt induktionsarm abgetastet wird. Versorgt wird das ganze
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Transistor nach masse ziehen wie Mosfet?
Ausräumens beschränkt. Du hast einfach Unsinn erzählt, weil dir die Funktion des 10k pull down am MOSFET nicht klar war, und bist zu eitel es zuzugeben, dafür erfindest du lieber ein halbes Dutzend Ausreden.
die Pin noch nicht konfiguriert > sein. > Bei einer LED kann es da kurz blitzen. Bei einem MOSFET. Bei einem NPN nicht, mangels Basisstrom. Darum geht es schon im ganzen thread.
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Relais killt eine High Power LED
liegt sie bei 700mA bei etwa 4,1V und bei der Roten lag Sie bei 2,5V. Die beiden LED's und der Mosfet sind mit Wärmeleitpaste(Aratic Cooling MX-4 2019) auf der Alu Platte montiert und sind mit Schrauben fixiert. Mfg
. weniger Verlustwärme könnte dafür sprechen. Felix N. schrieb im Beitrag #6343835: > da der Mosfet > doch wohl warm wird
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Level Shifter selbst bauen, ESP8266, I2C, Bi-Direktional - Welcher MOSFET?
0,7 V am Source, wodurch der MOSFET anschaltet, und am Source dann auch ungefähr 0 V ist. > Verwende lieber einen PCA9306, den liefert saubere Signalpegel. Der PCA9306 benutzt auch nur MOSFETs. Details siehe http://www.ti.com/lit
, warum ein 1-MOSFET-Shifter 0,7 V ausgeben sollte. > Ich habe weiter oben beschrieben, dass ich in Kombination mit Lego > Mindstorms NXT auf ein akutes Problem gestossen bin. Wenn der 1-MOSFET-Shifter dieses Problem
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Quadrokopter mit ATMega32?
eines Quadrokopters aber immer nur in > eine Richtung drehen sollte doch eigentlich ein einfacher MOSFET > reichen? ein Mosfet reicht nicht. nein > 3. Wo kauft man solche "simplen" Bauteile wie MOSFETS? Farnell z.B. > wirft mir 4000 Ergebnisse entgegen, wie trifft man da eine Entscheidung?
eines Quadrokopters aber immer nur in > eine Richtung drehen sollte doch eigentlich ein einfacher MOSFET > reichen? Wenn der Motor nur in eine Richtung drehen soll reicht auch ein Mosfet. Die Frage wäre halt noch ob du auch aktiv bremsen können willst, dann wirds wieder eng mit nur einem Mosfet.
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Warum ist der LowSide Mosfet beim Synchronwandler stärker als der HighSide?
eigentlich bei einem Synchronwandler wie auf einem Mainboard oder einer Grafikkarte - der LowSide Mosfet immer deutlich stärker ausgelegt als der HighSide Mosfet?
eigentlich bei einem Synchronwandler wie auf einem Mainboard > oder einer Grafikkarte - der LowSide Mosfet immer deutlich stärker > ausgelegt als der HighSide Mosfet? Wenn um mehr als die Hälfte der Spannung herabgesetzt wird (z.B. von 12V auf 3,3V), leitet der LowSide-Mosfet länger als der HighSide-Mosfet
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Sicherheit beim Schalten von 230V Relais
Max 4V für meinen Esp32 mit 3,3V schaltbar Echt jetzt? Du hast bestimmt noch nicht viel mit Mosfets gemacht... Ugsth ist die Spannung, unter der ein Mosfet sicher *sperrt*.
L vollkommen. Lothar M. schrieb im Beitrag #7107479: > Du hast bestimmt noch nicht viel mit Mosfets gemacht... > > Ugsth ist die Spannung, unter der ein Mosfet sicher sperrt. Mit Mosfets tatsächlich kaum... Rds On bezieht sich also auf den minimalen Widerstand im Voll durchgeschalteten
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Schützen eines Ausganges vor 24VDC
Oha! Du willst also aus Platzgründen einen einzelnen MOSFET für 6A durch 60 einzelne Platinen mit Kleinleistungs-MOSFETs ersetzen? Na dann...
Ja das siehst du falsch! Mosfets brauchen zwar keine Leistung zum schalten (theoretisch). Da das Gate in nem Mosfet aber wie ein Art Kondensator wirkt können bei größeren Fets mehrere Ampere sogar fließen beim Umladen (ein/ausschalten
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Schutzschaltung für Labornetzeil: Wie abschalten im Fehlerfall?
Fehler könnte ja durch einen kurzgeschlossenen Transistor bestehen. - Relais ist zu langsam - Mosfet? Für ein Highside N-Kanal bräuchte ich eine zusätzliche höhere Spannung. - Lowside-Mosfet ist ungünstig, da dort der Shunt sitzt und dessen OP dann hohe Spannungen abbekommen würde, wenn der Mosfet
achim schrieb im Beitrag #4098038: > neben der Rds_on Geschichte, hast du bei einem Mosfet auch immer noch > eine Body-Diode eingebaut, die im abgeschalteten Zustand noch Strom > fließen lassen kann. Mir scheint, beim Einsatz eines P-Kanal-MOSFET existiert dieses Problem. Ein N-Kanal-MOSFET
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Konstantstromquelle, welcher OPV?
Zeitkonstante des Transistors. Das sind ja auch keine unendlich schnellen Bauteile, vor allem Power-MOSFETs mit großer Gatekapazität nicht.
Brutal vereinfacht ausgedrückt: Man macht den OPV einfach langsam "genug", damit er langsamer als der MOSFET ist. Noch ein Tip: Wenn man das genau machen will mit Spice, dann sollte man zusätzliche Leitungsinduktivität einfügen, bzw. die Gehäuseinduktivität vom MOSFET (falls nicht schon im MOSFET Modell
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Transistor/mosfet am schmitt-trigger
bei 2.5V immerhin 22A durchschaltet: IRF6201 (N-Kanal SO8 NMOS 20V) MOSFET der bei 2.5V 3mOhm hat und 20A durchschaltet: AON6411 (P-Kanal DFN5X6 20V, 38A bei 10V UGS) MOSFET der bei 2.5V 0.166 Ohm hat und 1A durchschaltet: AO3423 (P-Kanal SOT23 20V) MOSFET der bei 2.5V 0.048 Ohm hat und 3A durchschaltet: AO3400A (N-Kanal SOT23 30V) MOSFET der bei 1.8V immerhin 10.5A durchschaltet: FDS4465 (14mOhm P-Kanal SO8 20V, 13.5A bei 4.5V UGS) MOSFET der bei 1.8V immerhin 3.5A durchschaltet: DMG6968U (36mOhm N-Kanal 20V 6.5A ab 4.5V UGS) MOSFET