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Schaltnetzteil FET wird warm!
schon mal das Netzteil nachgebaut und das gleiche Problem gehabt? Achso! Der Hinweis das wenn der FET warm wird man ne andere Spule holen soll habe ich auch schon getestet. Das gleiche Ergebnis. Schö mit Ö...
das Netzteil zur Probe auf einem Steckbrett aufgebaut. Send pix, babe. Warm werden koennte der FET in der tat wenn die Spule falsch ist. Allerdings wird nach meinen Erfahrungen dann zuerst die Spule sehr warm. Es ist aber sehr wichtig das der FET auch schnell geschaltet wird. Aus dem Grund wurden
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8 Dual N-Mosfet an ESP32
in deiner Schaltung nicht zu entdecken. Welchen meinst du? Wenn du die Gates sowieso zusammen schalten willst, brauchst du auch nur einen FET. Vielleicht zeigst du mal deine Schaltung.
hoeherer Spannung versorgt werden muessen, als einzelne LEDs). Fuer winzige LEDs gehen fast beliebige Fets, aber Du wirst sicher einige in Reihe schalten (es ist ja eh Quatsch, immer nur eine einzeln aublitzen zu lassen - viel eher machte es Sinn, diese einzeln kurz verloeschen zu lassen...). Daß dafuer
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Collector emitter saturation voltage ?
schon hin kommen, wenn die kleineren TO-92 500mA schalten können. Und das war Original so :-/
den GATE Treiber ist ja dann noch höher, bzw. es kommt noch weniger GATE Spannung raus, worduch die FETs garnicht schnell genug Geladen/Entladen werden bzw. schalten... oder wo ist da nun wieder mein denkfehler? :-/ aber das würd ich ggf. in einen weiteren Thread packen
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Fensteroeffner
Relais. Ein Relais muesste ja auch gehen, weil die ganze Sache ja nicht besonders oft pro Sekunde schalten muss richtig? Oder ist ein Transistor eher das Passende? Und waere ein MosFET dann gescheiter oder ein bipolarer Transistor? lg Mic
ca. 20A (I_D) fliessen, was fuer meine Zwecke voellig ausreichend waere. Gibt es bei MosFETs denn noch mehr zu beachten? lg Mic
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MOSFET-Halbbrücke: Hilfe, es klingelt!
> für mein Heizgerät habe ich eine Halbbrücke mit Coolmos-FETs für den > hart geschalteten PWM-Betrieb aufgebaut. 100 kHz, 4 kW soll das später > heizen. > IPW60R045CP. Das ist schon mal kritisch. Die "CP"-Mosfets schalten extrem schnell und haben eine
Leistungselektronik) werden ungewünschte manchmal gefährliche (für den Halbleiter) Schwingungen beim Schalten von Leistungshalbleitern bezeichnet. Ob das wie hier Fets sind oder IGBTs, GTOs oder sonst was ist egal. Dieses "Klingeln" hört man nicht, hat also nichts mit Magnetostriktion oder bewegten Drähten
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LEDs mit LDR und Transistor schalten
Hallo zusammen, ich möchte gerne ein paar LEDs in Abhängigkeit vom Tageslicht schalten. Dazu habe ich mir folgende Schaltung überlegt (s. Anlage) Das Schalten nimmt ein BC547C (NPN-Transistor) vor. In Abhängigkeit eines LDR Widerstands soll bei Dunkelheit (R=~4k) den Transistor
Ein FET wäre vielleicht noch eine Alternative - der braucht keinen Basissrom und der Gate-Spannungsbereich zwischen halbwegs sperren und ziemlich gut leiten ist beim FET i.d.R. recht schmal.
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Mosfet schaltet nicht korrekt
die Frequenz runtergeschraubt (von 21kHz auf 2kHz), hier konnten wir dann ca. 90% Tastverhältnis schalten, ehe es wieder Probleme gab. Die Bilder sind jetzt wieder bei 21kHz aufgenommen worden.
mal auf allen Kanälen nutzen und gleichzeitig die Netze/Testpunkte PWM_PB5/7, IR_HO, das Drain des FET und die Source des FET aufzeichnen. Ggf. wäre auch ein Blick auf VB interessant, der Treiber könnte sich wegen Undervoltage ausschalten. Und mach bitte eine Einzelmessung des Ausfalls, nicht eine
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MOSFET als Schalter: wofür ist der Kondensator zw. Gate und Source?
R3: Die Last/Summer C1: besagter 100nF Kondensator Q1: mein MOSFET: IRLB3813PBF S1: Schalter/Arduino Pin Vielen Dank schonmal und hoffentlich hab ich mich nicht ganz Laienhaft ausgedrückt
Spannung an die Schaltung gibst, dann ist es so dass das Gate durch die parasitäre Kapazität des MosFETs (glaub <1nF) nach high gezogen wird und der MosFET ganz kurz an geht. Mit einer größeren Kapazität zwischen Gate und Source hält man das Gate auf low während man die Spannung dem System zuführt.
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Blinkschaltung mit NE555 und IRFZ34N Mosfet
entschieden. Nun komm ich aber ins stocken. Ich wollte den Ausgang Pin 3 vom 555 direkt ans Gate vom FET anschließen, nur habe ich Bedenken, das der nicht schalten könnte, weil ich nämlich die Last also meine Blinkglühlampen nicht von Plus nach Drain schalte, sondern von Source über die Lampen nach Masse
> Kann der NE555 überhaupt einen Mosfet schalten? Ja, sogar recht gut (200mA Source/Sink) Aber _NUR_ wenn der Fet mit Source an Masse hängt. In deinem Fall brauchst du entweder einen High-Side-Treiber, der sich eine eigene Spannung fürs Gate
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R 1k lässt HF Rechteckspannung von IC 555 nicht durch DIY Erodiermaschine
wären die Schutzdioden D9, aber es kann natürlich auch über einen der Gatewiderstände und einen defekt FET gehen.
du Stück für Stück die Widerstände R16 - R21 herausnehmen. Da zeigt sich dann, welcher oder welche FET´s Gate-mäßig defekt sind. Im Zweifel alle Fet`s ersetzen. Aber auf jeden Fall vielleicht zu Weihnachten das Multimeter - Oszilloskop wünschen. Viel Glück. Gruß von Paulus
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Seltsames Verhalten eines OPs
fallen immer ein paar mV ab. Habe ich selbst schonmal erfahren müssen. Außerdem würde ich keinen FET zum Stromregeln verwenden sondern einen einen NPN-Leistungs- transistor. FETs eignen sich eigentlich nur zum Schalten oder bei PWM-Anwendungen. Versuche es daher mal mit einer neg. Versorgungsspannung
nicht übersteigt. darüber steigt die Ausgangsspannung drastrisch auch ein paar 100mV an. Dass FETs nur zum Schalten und damit z.B. für PWM Anwendungen gut sind, stimmt nicht. Setzt man FETs in solchen Stromquellen ein, hat man sogar einen Vorteil gegenüber der gleichen Schaltung mit Bipolartransistoren
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18 RGB Steifen ansteuern
Vorschlag: Eine Hand voll PCA9685 und FETs dahinter.
das nicht gross ins Gewicht, wenn sie aber 10-20mA braucht, dann hast du noch einen Bruchteil zum Schalten des FET und dann braucht er mehrfach so lange um durchzuschalten.
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Anlauf-Kreis
habe sowas mal mit einer Z-diode und einem hochvolt-FET gemacht. der FET bekommt einen schön hochohmigen widerstand an's gate, die Z-diode begrenzt die gate-spannung auf z.b. 12V (was immer zum anlaufen erforderlich ist) und gut. kannst auch eine diode nach den FET schalten, dann zieht das ganze nur noch den Z-strom wenn die betriebsspannung nach anlauf des wandlers höher ist als die Z-spannung. bei zu hohen einschaltströmen (FET öffnet zu schnell) kannst du noch
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gatetreiber diskret hilfe
ähhh, 10x 50A fets par.? gibt 500A max. ...was soll das steuern? motor....oder schweissgerät?
Kondensator zu speisen. Dadurch fließt der hohe Impulsstrom nicht über deine ganze Leiterplatte bis zu den FETs und macht einen Spannungsabfall an den langen Leitungen. Zur Dimensionierung des Kondensators würde ich wie folgt vorgehen. Über die benötigte Energie zum Schalten: Ws = N x Qg x Ugs (N:Anzahl
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Relais als Einschalter ersetzen
möglich. Es gibt auch nur wenige FETs, die für diesen Linearbetrieb geeignet sind, evt. der PSMN2R3-100SSE. Wenn du ein Relais hast, das diese Leistung schalten kann, ist das wohl das kleinere Übel. Die Spulenverluste kann man reduzieren
davon > nehmen? Das Problem bei Relais ist, das alle Standardrelais nicht mehr als 30V DC schalten können, weil man bei >30V mit Lichtbögen rechnen muss. Höhere DC-Spannungen kann man nur mit speziellen Relais schalten, die dann auch ihre speziellen Preise haben. Beim Schalten mit FETS gibt
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Audio-Mosfet-Verstärker (25Watt)
dem Ohmmeter vorprüfen, BE und BC auf Diodenwirkung, EC muß in beide Richtungen sperren. Bei den FETs muß jemand anders passende Vorschläge machen. Prinzipiell müßte man auch die FETs erstmal weglassen können, den 500 Ohm Ruhestromregler auf maximalen Wert stellen und die G-S Anschlußpunkte miteinander
zusammenschalten. Auf einem der Photos habe ich 6 Elkos gesehen da kannst du doch je 3 parallel schalten das sollte reichen.
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High-Side-Schalter mit p- und n-MOSFET
an der Betriebsspannung verhält sich die Schaltung wie folgt: Ohne Ansteuerung ist der N-Kanal-FET geschlossen (Ugs = 0 V) und der Pullup-Widerstand R33 zieht das Gate des P-Kanal auf Vcc. AM P-Kanal-FET liegt dann eine Ugs von 0 V an und dieser sperrt. Bei Ansteuerung schließt der N-Kanal-FET
Datenblatt!) und der Ladezeit über Deinen Pullup-Widerstand ermitteln. Einschalten wird der P-Kanal-FET sehr schnell, abschalten etwas langsamer. Als einfache Schalter ist das alles unkritisch. Interessant wird es erst, wenn Du sehr hohe PWM-Frequenzen fährst und sehr schnell ein- und ausschaltet und
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ESP32 3,3V auf 1,5V reduzieren
runterregeln, jedoch ist auf dem PIN Dauerstrom und daher kann ich diesen dann nicht über die App schalten. Gibt es eine einfache Möglichkeit die Spannung von 3,3V auf 1,5V zu reduzieren oder über den PIN 15 den 5V-Strom über den Step-Down Regler an und aus zu schalten? Geht das mit einem Transistor
da basteln und einfach zwei parallel schalten, aber besonders sauber ist das nicht. Das Gate des FET wird mit einem Widerstand nach GND verbunden (ca. 10 kOhm, der konkrete Wert ist aber echt nicht wichtig), damit das Gate immer auf einem
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PNP turn-off Transistor als FET-Treiber wird heiß
leuchtet am hellsten. Die ZD12 am Gate habe ich weg gelassen. Bis 16 V Eingangsspannung ist nie am FET etwas passiert. CT = 330 pF. Spule auf Schalenkern habe ich mittels Luftspalt auf maximale Helligkeit eingestellt. Ca 19,5 Watt Eingangsleistung, 16,8 Watt Ausgangsleisung. FET ist ein BUZ73, bleibt
.10 k an Pin2 habe ich ausprobiert. Die LED wird zwar noch fast so hell wie bisher, jedoch wird der FET deutlich wärmer. Auf den Fotos kann man erkennen, daß da schon ein ordentlicher Kühler dran ist (man kann ihn noch fest halten). Mit PNP kann man den losen FET in den Fingern für >20 Sekunden lang nach
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Wieviel Last verträgt ein Flipflop?
Hau weg den 56Ohm und 150Ohm Widerstand. Du sollst einen 10kOhm von Clk nach +5V einbauen. Dann schaltest du mit dem Schalter direkt von CLK nach Masse.
in den Klammern solltest Du schnell&vollständig vergessen. Das ist total falsch. Du musst einen FET als einen Schalter betrachten: S und D werden durchgeschaltet, wenn am G eine positive Spannung gegenüber S anliegt. (Die gilt für den hier verwendeten N-Kanal MOSFET). Du brauchst einfach nur die
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Power Mosfet für H1/ H7 Autolampen
Er wollte damit sagen das man einen P-Channel Fet dann eigentlich bräuchte. Bei einen N-Channel Mosfet als Schalter schaltet Source gegen Masse. Geht aber in diesen Fall gar nicht weil die Lampe fest aus Masse verdrahtet ist und man dann gegen Vcc
n channel high side geht nur mit hilfswandler, da der FET recht lange geöffnet gehalten werden muß. also ungünstig. p channel high side wäre weniger das problem, bei 5-10A für so eine lampe findet man auch einen passenden FET. nachteil: der FET arbeitet
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MOSFET an BLDC brennt bei 50% PWM durch
das riecht doch sehr nach mosfets schalten zu langsam -> hohe verlustleistung -> erwärmung bis zum hitzetod
-Layout? -Wie weit ist der Zwischenkreiselko von den FETs entfernt? -Wie weit bricht die Spannung an High Side ein? Wenn die Spannung um mehr als 5..10% von Unenn im Schalt- oder ON Moment eingbricht, ist das Layout Pfusch und Du solltest aufhören Deine
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MOSFET identifizieren
mindestens anlegst, dann kannst Du sicher sein, dass Deine MOSFETs auch über die Exemplarstreuung immer schalten.
anlegst, dann kannst Du sicher sein, > dass Deine MOSFETs auch über die Exemplarstreuung immer schalten. Erstmal gibt's da nur den Min-Wert und außerdem: bei der Spannung kann man nur ein paar hundert µA schalten. Aber, der TO hat bisher noch nicht verlauten lassen, ober er 10µA oder 2A schalten
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BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Teil 2
Und was schlagt ihr als FET-Treiber für die Bremse vor? Ein IR2110, nur LOW-side beschaltet, oder etwas diskretes?
machen willst, um z.B. die FETs weiter zu verteilen, ansonsten nehmen wir das so wie es ist.
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Mosfet und Diode Parallel - Wie hoch sind die Verluste?
man mehr aufwand hat, da man diesen schalten muss und auch noch schaltverluste berücksichtigen muss.
ersetzen und immer dann, wenn die stromlauf über die den mosfet aktiv wird, lasse ich den mosfet schalten.
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kleines Projekt für Einsteiger: Aufbau einer Steuerung für eine CD-Schleifmaschine
#3680145: > Der rauchzeichengebende Wiederstand ist der R26. der W_i_derstand ist direkt beim FET, und FET schmoren schon mal durch. Erst mal Widerstand und FET tauschen, und alle anderen FET prüfen. Dann mit dem Labornetzteil zaghaft strombegrenzte Spannung (die RICHTIGE HÖHE!) draufgeben
google doch einfach mal nach K2232 und FET. Da findest du einiges.
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Elektronische Wechselstromsicherung
(potenzialmäßig) Dein GND? Und in diesem Zusammenhang: Wie wird der OP versorgt? Wer steuert den FET an? Ist die Versorgung z.B. potenzialfrei, hat man mehr Schaltungsmöglichkeiten, soll sie aber z.B. kapazitiv aus den 230Vac erzeugt werden, sieht das ganz anders aus. Und zum FET: wenn er bei
Nur so nebenbei kann in nem SSR auch ein FET sein...
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Leistung von MOSFET im SO8 Gehaeuse
Mein Lieblings-FET (weil ich ne Mange davon hab) schafft sogar 11A .... leider nur 30V. Achja AO4422
allenfalls braucht's eben einen Treiber, der mehr Gatespannung liefert. Allenfalls braucht's eben auch 2 Fet in Parallel.
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S8050 Reihenschaltung?
hinaus einige ausgebaute 80nf70 aus dem defekten e bike Controller. Aber wie oben geschrieben, die schalten nicht voll auf bei der Spannung.
einem etwas größeren Gehäuse: Aus der BD Reihe habe ich 3 Stück bd680a rum liegen. Würde es schalten bei 3.4v?
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Bücher mit praktischen Beispielen zu MOS FET und IGBT
am MOS FET. Da hätte ich ja noch dicke Luft. Das mit Rds_on Fehlt mir bei IGBTs Kann ich den bei IGBTs wirklich einfach nur einen Spannungspegel zum einschalten ans Gate anlegen und zum aus schalten
20A. P= I*I*R = 20*20*0,003 = 1,2W >Verlustleistung am MOS FET. Da hätte ich ja noch dicke Luft. Man braucht keinen 3mOhm FET um "lausige" 20A zu schalten. Selbst ein old school BUZ11 mit ca. 50mOhm kann das, wenn gleich er dann 20W verheizt. Wozu gibt es [[
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MOSFET schaltet nicht ganz durch
Man muß die Kirche auch mal auf dem Teppich lassen. Das macht aber den MOS nun auch nicht mehr FET. MfG Paul
Und das bei 4,5V Ugs. Irgendwas war in der Testschaltung faul. Ich glaub auch nicht an gefälschte Fet. Wenn es mit dem Fossil BUZ11 ging, geht es mit neueren gleich recht.
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100W-Verstärker
eines einzelnen Aufbaus kann man schlecht allgemeingültige Regeln ableiten. Ich denke aber, das FETs Vorteile bei den Verzerrungen haben, wenn man mit der Leistung eies einzelnen FET-Paares auskommt. Gruss Harald
üblich ist. Falls Class-D-Endstufen hier interessieren: IRS2092. EDIT: Ja, ich hab die FETs selektiert... sollte man bei analogen Parallelschaltungen immer machen.
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Photodioden-Frontend hohe Empfindlichkeit, mittlere Bandbreite?
Hmm, ja, eventuell ist mein Problem wirklich dass ich keine FET-Input Opamps genommen habe ... guter Hinweis ...
spezielle für > Transimpedanzverstärker an Fotodioden mit extrem kleinen Strömen > konzipiert sind (DiFET-Technologie), kaum noch durch dolle > Schaltungstrickts zu toppen. Ok, danke für den Hinweis und den Tipp mit den DiFET-Opamps, da werde ich mich nochmal umschauen. Viele Grüße, Sven
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ESP32-S2-Saola-1 und Spannung 1.69V und 3.29V ?
noch 13bit ich möchte bei meiner Konfiguration folgende Sachen damit erledigen Kein PWM: 2x N-Fet schalten (der schaltet nur eine 5V oder 12V Spannung durch regelt also via PWM nichts PWM: - dimmen von MeanWell LDD's (beim Arduino verwendete ich hier 1000Hz) - dimmen einer Konstantstromquelle
Pin gedimmt werden) (bisher hatte ich 1000Hz) - MeanWell KSQ mit 0-10V dimm über PWM und einen N-Fet (N-Fet passt zur Spannung und stromstärke ) - 12V PC-Lüfter mit ca 0.18A 3-pin inkl. PWM (die 12V werden aktuell über einen N-Fet geschaltet ) zum dimmen wollte ich direkt den PWM-Pin benutzen aber
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LCD-Display über MOSFET aktivieren/deaktivieren
Mosfet (IRLML 2502) zu verwenden. Ist meine Beschaltung, wo ich VDD, RW, sowie BLK dazu über den FET nach GND schalte korrekt? Gruß Olaf
Hintergrundbeleuchtung ist der wahre Stromfresser! > Ist meine Beschaltung, wo ich VDD, RW, sowie BLK dazu über den FET nach > GND schalte korrekt? Lass es. Schalte VCC mit einem P-Kanal MOSFET. Es muss auch kein Super-Duper moderner sein, es reicht ein old school BSS84. Vor dem Abschalten müssen aber alle Signal
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Notstromversorgung mit Knopfzelle für ATTiny45
beiden Widerstände sind bei einem bipolaren Transistor notwendig, bei einem unipolaren (also dein MosFET) ist nicht mal unbedingt ein Widerstand zwischen Gate und I/O-Pin notwendig.
Wenn du den Innenwiderstand (Ri=30 Ohm) senken möchtest kannst du auch zwei parallel schalten.
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OctpoCoupler richtig benutzen
. Also muss ich noch einen Widerstand in reihe zur LED schalten die mir die restlichen 2.15V abnimmt mit 10mA. Ist das korrekt oder habe ich hier einen Denkfehler? Ich will Später eine größere Last über den MOSFET per PWM schalten können... Spannung ist ca.
oder habe ich hier einen Denkfehler? Im Prinzip richtig, kommt allerdings drauf an, was das für ein FET wird, wie oft du schalten willst und wie hoch der zu schaltende Strom ist. > Ich denke das ganze würde ja uber den MOSFET direkt auch klappen oder? Das kommt drauf an, wie hoch dein VCC ist und
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Strompeak im Lastpfad beim Ansteuern eines DC-Motors mit einer H-Brücke
über die FETs (s. schema_3) kurzgeschlossen und der Motor treibt den Strom. Dieses Schalten ist nötig um die Drehzahl einzustellen. Die Drehrichtung ändern wir noch nicht.. Zuerst solls mal ohne Peaks vorwärts
habt wahrscheinlich die falschen Widerstände genommen die vom IR2011 > > direkt zur Gate's der FET's gehen und dabei die Eingangskapazität der > > FET's nicht berücksichtigt. Dabei bleiben die FET's leitend trotz einer > > Wartezeit. Was meinst du damit? Gruss tobi
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FET und Relais Diode notwendig?
Hallo, wenn ich mit einem IRL3803 FET ein KFZ Relais ansteuere, wird dann dennoch eien Diode benötigt oder reicht die vom FET völlig aus? Es wird nur selten geschaltet, kein Interval oder sowas
Wie viel Strom soll den fließen? Ein 6mohm Fet für ein einzelnes Relai ist etwas übertrieben. Normalerweise sollte beim sperren des Fets die Z-Diode des Mosfets leitend werden. Hierbei wird fast die gesammte Energie im Magnetfeld im Mosfet in
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PWM mit Mosfet, Ausschaltflanke abflachen für EM-Störungsreduktion
Ausschaltvorgang ebenfalls verzögern? Indem du den Effekt nutzt, der normalerweise stört wenn man schnell schalten will: den Miller-Effekt.
Irgendwie widerspricht das Meiste, hier diskutierte allem, was ich über PWM und FETs im Kopp habe. PWM "lebt" doch (in der Energiebilanz) vom schnellen Umschalten. Sonst gibt's Ärger mit Heinz dem Heizer. Die meisten FETs sind darüber hinaus ungeeignet für den Analogbetrieb und lassen
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MOSFET - welche Leistung?
HildeK hat sich auf linearen Betrieb bezogen. Hier geht es aber um Schalten. Der Schalter ist entweder offen oder zu. Wobei zu ein Widerstand bedeutet, der hier nicht angegeben wurde. Bei 25V kann dieser FET 0.95A Schalten, macht diese 23W fuer die Last, nicht fuer den Fet. Der Fet kann geschlossen, die 0.95A runterlassen, und dabei die 0.55W verheizen. Dabei liegen ein paar 100mV ueber dem FET. Wenn er geschlossen ist, koennen bis 25V anliegen. Zum Schlaten reichen 1.5V
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Phasenempfindlicher Gleichrichter
ist. Das erklärt einiges. Aber selbst, wenn ich den JFet durch zwei anti parallel geschaltete MosFets mit vorgeschalteten Dioden ersetze, bleibt das Problem bestehen. Einen idealen Schalter will ich nicht verwenden, denn bei einem späterem Aufbau und einer angestrebten Frequenz von 100kHz (natürlich
einen Sinus einspeisen, der 90' verschoben ist ? Besser ein Rechteck. Besser ein Rechteck direkt am FET.
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High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler
@Easylife > Da deine FETs ja im Bereich von 20KHz-1MHz schalten werden, kannst du > nicht davon ausgehen, dass ein Spannungsregler mit dieser > Geschwindigkeit seine Spannung ändern kann. ja, das ist begründet, dass die
sein!! dennoch total unsinnig. Wie groß ist denn DC+ - DC-? Wenn DC- der Bezugspunkt für deine FET-Steuerung ist, brauchst du eine einzige positive Spannung, die garantiert, dass der "oberste" FET durchschalten kann. Die gleiche Spannung kann auch alle anderen FETs schalten.
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Verständnisfrage MOSFET Schaltbetrieb - Linearbetrieb
Schaltbetrieb ist ja klar, ich takte mit einer bestimmten Frequenz und abhängig von der Pulsdauer kann mein FET bestimmte Pulsströme verkraften. So wie es im SOA-Diagramm steht. Ich frage mich das, weil viele FETs ja entweder im SOA keine Kennlinie für DC haben, oder die zulässigen Ströme winzig sind, gerade
vergleiche mit der fuer SOT23 zulaessigen Verlustleistung. Ein zusaetzlicher Unterschied zwischen Schalt- und Linearbetrieb : fuer den Schaltbetrieb darf man mehrere FET parallelschalten, fuer den Linearbetrieb nicht.
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MOSFET vs. Bipolar Audio Verstärker?
oft auch mehrere einfach so parallel, ohne widerstände > im drain- oder source-zweig. Als Schalter sind FETs da ja auch besser als Bipos.
Zum Vergleich: Sony TA-F707 ES MOS-FET-Class-A-Treiberstufe MOS-FET-Vorverstärkerstufe MOS-FET-Leistungsendstufe G-Chassis STD-Netzteil Überdimensionierte Hochleistungs-Kondensatoren im Netzteil Sinusleistung bei 4 Ohm: 2 x 180 W
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Kann billiges Digitalmultimeter die Spannungsmessung verfälschen?
es da irgendeinen Trick (ausser neues > Multi kaufen) um die Spannung sauber zu messen? OPV mit FET-Eingang als Spannungsfolger dazwischen schalten.
>> OPV mit FET-Eingang als Spannungsfolger dazwischen schalten Guck mal hier: http://www.mikrocontroller.net/articles/Standardbauelemente
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Vierquadrantensteller, Motoren plötzlich zu langsam
Schaltung unbrauchbar Ja, ist unbrauchbar. Erklärungen finden sich zu ähnlichen Schaltungen (N-Fet als High-Side Schalter) x-fach im Inet. > und wenn ja, was muss ich > verändern? P-channel Fets statt der Dinger, die direkt an +9V liegen.
Also, ein N Fet braucht eine positive Spannung UGS, sagen wir 5V. Im Idealfall ist dein Fet Kurzschluss wenn EIN, und Unterbruch wenn OFF. Jetzt liegen aber die oberen N-Fets zwischen Versorgung (deinen 9V) und
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Controller am IO-Pin eines anderen betreiben.
Ich hoffe doch, du hast N-Fets. Einen schaltest du am Master. Port = 1 >>> Fet schaltet durch. Diesen Ausgang verbindest du mit Reset von deinem Tiny. Dein Programm sieht dann so aus: [c] int main(void) { _delay_ms(3 Tage); Schalte1; _delay_ms(3 Tage); Schalte2; _delay_ms(3 Tage); Schalte3; _delay_ms(3 Tage); Schalte4; _delay_ms(3 Tage); Schalte5; while(ewig); } [/c] mfg.
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Neue Erkenntnisse zu Transistoren?
Aber egal wie du es machst, wenn der FET nicht ordentlich überdimensioniert ist, dann kann er dir abrauchen. Durch den langsamen Spannungsabfall am Gate kommt der FET in den linearen Bereich und muss in der Zeit die volle Leistung verbraten
Ich glaube ich habe das mit dem FET jetzt verstanden. Wie genau ist das mit dem linearen Bereich? Heißt das,dass wenn das FET nicht richtig durch schaltet es sehr viel Leistung aufnimmt? Wieso ist das so? Ich habe die Schaltung
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"Bidirektionales" MOSFET- Array
Schalte die FETs so wie wenn du wechselspannung schalten willst. Du brauchst 2 N-Kanal-FETS, verschaltung wie folgt: Drain ist ein pol, kommt an die Stromquelle, beide Source-Anschlüsse der FETs miteinander
Source-Anschlüsse. Das ganze wird so gemacht wenn man Wechselspannung im Niederspannungsbereich schalten will ohne dass einem ein Triac einen großen Spannungsfall verursacht. Außerdem kannst du die FETs im Gegensatz zum Triac Abschalten wenn du willst. Suche mal hier im Forum es gibt da glaube ich