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LEDs an N-Kanal MOSFET (IRLML2502) flackern.
/ohne Mosfet) Also denke ich an den Dünnen Laborkabeln liegt es nicht. Wie könnte das mit dem Mosfet zusammenhängen? Danke
Beitrag #4481562: >> Das sollte theoretisch doch auch gehen oder? > Dann brauchst du einen P-Kanal Mosfet. Was genau kann ich da denn für einen nehmen? Strom sind ca 1.8A VCC ist 10VDC Brauche ich noch einen wiederstand am p Kanal mosfet? Danke :)
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Frage an die Physiker (Drehmoment?) Propeller
Es sind 8,5mm brushed-Motoren, die werden über (je) einen Mosfet angesteuert, wobei die beiden Mosfets für einen "Arm" das gleiche Signal am Gate haben.
Rainer U. schrieb im Beitrag #4390909: > Es sind 8,5mm brushed-Motoren, die werden über (je) einen Mosfet > angesteuert, wobei die beiden Mosfets für einen "Arm" das gleiche Signal > am Gate haben. WAS soll das bedeuten? Mit einem Mosfet kommutierst oder stellst du einen Motor? Ersteres würde
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Schaltnetzteil mit NTC schützen?
B. schrieb im Beitrag #5784292: > Bei den beiden Monitoren (auch Samsung) war jeweils ein 600V Mosfet > kaputt. Da hilft kein NTC.
Warum brennen die PowerMOSFETs (oft) ?durch
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MOSFET Wahl.
und S über die Lampe auf GND Aber tja uas Fehlern lernt man. Hab mir ja vorsorglich ein paar MOSFETS gekauft. Aber der MOSFET typ ist grundsätzlich der richtige oder? mfg
[[MOSFET-Übersicht]]
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MOSFET am PIC
Hallo, ich möchte ein paar MOSFETs (IRF7314) mit einem PIC 16F57 schalten. Kann ich die GATEs direkt an die Ausgänge hängen, oder müssen noch Widerstände dazwischen oder gegen Vdd oder Vss geschaltet werden? Grüße Mark
ich die GATEs direkt an die Ausgänge hängen, Meist ja. Aber denk dran, du brauchst Logic Level MOSFETs, siehe [[Mosfet-Übersicht]]. > oder müssen noch >Widerstände dazwischen Bei höheren PWM.Frequenzen im kHz Bereich manchmal sinnvoll. Meist aber nicht. Der PIC ist selber hochohmig genug.
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Wie diesen MOSFET anschließen?
unklar, auch das Datenblatt brachte keine Klärung. Deshalb bitte ich um Hilfe, wie ich diesen Mosfet anschließen muss, bzw mit welchen Punkten die Pins verbunden werden müssen. Ist für einen Profi bestimmt was ganz banales, aber ich steig da nicht durch. Hier das Datenblatt zum Mosfet: http
Ich habe mich noch nie mit der Funktionsweise von Mosfets und OP und dem ganzen Zeug beschäftigt.
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Welcher Mosfet von Pollin
> Das PWN wird ein ATTiny erzeugen Du musst einen LogicLevel MOSFET nehmen, der mit den 5V auskommt die der ATTiny liefert, und der STF16NF06 ist keiner, sein RDSon ist bei UGS=10V angegeben. Du hast keine 10V als Gate-Schaltspannung. > Ist bei der Freilaufdiode
Datenblätter angekuckt und würde den STF16NF06 nehmen. > richtige wahl? Nein, das ist kein Logikpegel MOSFET. > Und wo wir grad dabei sind: Ist bei der Freilaufdiode irgendwas > bestimmtes zu beachten? Sie muss schnell genug für die gewünschte PWM-Frequenz sein.
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Frage Mosfet
Der Mosfet hat ein Gate, genau wie eine Elektronenroehre ein Gitter. Dieses Gate ist im wesentlichen ein Kondensator. Es fliesst etwas Strom hinein, bis zur Sollspannung, und danach wird keine Leistung mehr für
dir vor, du bist vorher über Kunststoffboden gelaufen und hast dich richtig aufgeladen. Tip: MOSFETs vertragen als Gate-Source-Spannung oft nur 20V.
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MOSFET Kenndaten
bleibt einen LogicLevel MOSFET wie IRLZ34 denn normale MOSFETs (UGSth von 2-4V) benötigen 10V um voll durchzuschalten. Allerdings schaltet über die 10k der MOSFET eher langsam ab, es könnte sinnvoll sein, einen MOSFET-Treiber
schrieb im Beitrag #3739132: > und wenn es bei 5V Ansteuerrtspannung bleibt einen LogicLevel > MOSFET Es gibt keine LL-MOSFETs für so hohe U_DS.
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IGBT oder MOSFET
Laut dieser Seite http://electronicdesign.com/interconnects/igbts-or-mosfets-which-better-your-design sind inzwischen IGBTs auch für höhere Schaltfrequenzen besser geeignet als MOSFETs, außer sie werden mit einem geeigneten Gate-Treiber angesteuert, dann sind sie etwa
den > allgemeinenen Weisheiten der IGBT bei höheren Frequenzen seine Vorteile > gegen über dem MOSFET besitzt. Darin wird umschrieben, dass ein Mosfet für hohe Spannungen eine hohe Gateladung hat und deshalb für die selben Schaltzeiten einen starken Gate-Treiber braucht: [pre] Also, the MOSFET’s
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Mosfet sperrt nicht
nicht eingezeichnet, wird von einem LM317 mit 1,8V gespeist), welcher dann über den BJT das Gate des Mosfets auf Groundniveau zieht. Doch dass ist dem FET irgendwie völlig egal - er schaltet durch, komme was wolle. Auch eine direkte Drahtbrücke vom Gate auf Source bzw. auf den BJT ändert nichts. (es fließen
vom Akku + 0.7V, wird minus der Solarelle NEGATIV in Bezug vom minuspol vom Akku bzw. Drain vom MOSFET. Und wenn du den MOSFET siehst, dann siehst du im Schaltplan seine eingebaute parasitäre Body-Diode, die bei minus am Drain und plus am Source in Leitrichting wäre. Dein abschalteter MOSFET führt
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Unterschied zwischen Spannungs und Stromgesteuerter FET
kein Gate-Strom. Einer der Vorteile von FETs gegenüber BiPos. > den Unterschied zwischen MOSFETs und JFETs hab ich > noch nicht verstanden bis auf die Isolierung des Gates > beim Mosfets Das *IST* der Unterschied. Beim MOSFET bildet das Gateoxid (hochwertiges SiO2) den Isolator zwischen
linear wie beim Bipolartransistor, sondern näherungsweise quadratisch. > den Unterschied zwischen MOSFETs und JFETs hab ich noch nicht verstanden > bis auf die Isolierung des Gates beim Mosfets Das *ist* der Unterschied. Beim MOSFET ist da ein echter Isolator aus Metall-Oxid (dafür das MO in MOSFET
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DRAM und SRAM ltSpice-Beispiele
Wenn man im inet sucht findet man immer nur die Grundbausteine, die beiden Datenleitungen, in Mosfet-Symbol und ein Kondeensator.. Danke! Mike
> DRAM-Zelle. Vielen Dank für die Starthilfe! Das sieht schon recht kompliziert aus. Neun Mosfets für eine einzige Zelle. Das sieht man, wie irreführend "falsch" die ganzen im Internet veröffentlichten Schaltungen für die Mosfet-DRAM-Zelle sind, da kommen die meisten mit einem Mosfet pro Zelle
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Back-to-Back PMOS & Diodenplatzierung
liegen kann. Was bedeuten "kurzzeitig" und "etwas" in Zahlen? Brauchst du deshalb einen so dicken MOSFET?
APV_Series.pdf Ja. > Was genau soll ich damit bzgl. der Ansteuerung machen? Die treiben deine Mosfets. Und das können dann auch n-MOSFET sein, wg galvanischer Trennung.
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kompakter Tiefentladeschutz für 12V nimh Akku
Wenn an Set 1 (=R21) über 1,3V abfallen, dann schaltet Out 1 ein Low-Signal und legt das Gate vom Mosfet gegen Masse. Dieser Schaltet daraufhin. Aber das leuchtet mir dennoch nicht wirklich ein. Bei unter 1,3V am Set 1 müsste der Out 1 Ausgang wieder abfallen und der Mosfet sperren...?
ICL das genau macht R23 ist entweder Bestandteil vom Spannungsteiler oder durch den internen MOSFET an HYST überbrückt.
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suche Elektroniker aus dem Saarland für ein Mikrocontrollergesteuertes LED Projekt
> also zum einen sind Mosfet eine komplett andere Technologie wie > Transistoren Ich weiß schon was du meinst, aber MOSFETS sind auch Transistoren. Das was du meinst sind Bipolartransistoren. MOSFET wiederrum steht für
Transistor schrieb im Beitrag #2962020: > Ich weiß schon was du meinst, aber MOSFETS sind auch Transistoren. Mosfets werden mit einer Spannung geschaltet, normale Transistoren mit einem Strom.
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Logic Level FET für 3.3V
durchschaltet: IRL6283 (DirectFET 20V) N-MOSFET der bei 2.5V immerhin 5.1A durchschaltet: IRL6244 (SOT23 20V) P-MOSFET der bei 2.5V immerhin 1A durchschaltet: NDS332 (Fairchild SOT23 20V) P-MOSFET der bei 2.5V immerhin 1.3A durchschaltet: FDN338 (Fairchild SOT23 20V) N-MOSFET der bei 2.5V immerhin 50A durchschaltet: PH2925U (LFPAK SOT669 4.3mOhm 25V, 70A ab 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 2.5V immerhin 22A durchschaltet: IRF6201 (SO8 20V) P-MOSFET der bei 2.5V immerhin
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Drahtlose Energieübertragung - Schaltung macht Probleme
Schaltung abgesehen ... 1. Wie sieht das Signal an den Pins 2, 4, 6, 8 des 4069 aus wenn die MOSFETs nicht eingelötet sind? 2. Wie ändert sich das Signal an Pin 8, wenn *nur* der n-MOSFET eingelötet wird? 3. Dito wenn *nur* der p-MOSFET? 4. Wenn beide MOSFET in der Schaltung sind aber *keine
weil nur ein Mosfet warm wird. Kannst du mir erklären wie es in dem Szenario dazu kommen könnte dass nur der 'untere' Mosfet heiss wird?
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Akku laden mit PWM aus MOSFET
Hallo, ich habe einen Mosfet(N-Kanal & Verarmungstyp), der aus einer 320V Gleichspannung eine variable Gleichspannung mit PWM erzeugt. Also einen Abwärtswandler. Der Mosfet wird folgendermaßen angesteuert: µC->Optokoppler->Treiber
Schalte den MOSFET zwischen den -Pol der Batterie und GND. Über einen Spannungsteiler kannst du dann die Akkuspannung (50V) jeweils dann messen, wenn der MOSFET leitend ist. Überspannung am Messeingang des µC
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IRFP 250 - wie heiss darf er werden?
gleichmäßig auf alle FETs > auf. Ich hoffe er macht da so wie hier im Forum vielfach propagiert: Pro Mosfet ein eigener Shunt und Stromregelung. Und ich hoffe der Mosfet ist für Linearbetrieb geeignet.
Wenn du Pech hast werden dir einzelne Mosfets durchbrennen. Schau hier bei [[Konstantstromquelle]] unter Punkt 3. Mach das für jeden Mosfet. So funktionierts.
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Diode Ersatztyp Makita DC18RA D4
Thomas D. schrieb im Beitrag #7699282: > Kann es sein das der NCS1206 am Ausgang den Mosfet überlastet hat Eher umgekehrt. MOSFET entweder wegen zu viel Spannung (Snubber defekt) oder zu viel Strom (shunt niederohmig, Trafo Windungsschluss) zerplatzt und NCP1216 mitgerissen. Schaltplan
Ja mit dem Mosfet muss ich euch rechtgeben. Das dieses Ladegerät mal eine 110V Version war hatte der Mosfet VGS500V. Der neue hat jetzt 800V. Ersatztyp 2SK3679. Ich habe jetzt Skizzen von Schaltbild des DA18RA.
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ESD Verpackung von MOSFETs
Waren es vielleicht Power-MOSFET (BUZ... oder so)?
Jo, das sind beides Power-MOSFET, die man anfassen kann.
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12V-Halogenlampe an 14,8V-LiPo anschließen
> Sogar der MOSFET (ein IRLZ34N) wird so heiß, dass ich ihm mal einen > Kühlkörper verpasst habe. > Dann wäre das Problem jetzt ja gelöst, Defintiv nicht. Wenn bei der PWM von gerade mal 2A der MOSFET heiß wird
0,350972222W × 62°C/W <= 21,7602777...K Bei derzeit 26,6°C im Raum komme ich auf eine Temperatur des MOSFETs von Theta <= 26,6°C + 21,7602777...K <= 48,3602777...°C Hm, also der MOSFET war bestimmt so im Bereich 60°C bis 80°C, also nicht mehr anzufassen. Bär Luskoni schrieb im Beitrag #3757972: >
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PWM erzeugen mit niederohmigen 0V-Zustand
mit der Totzeit noch nicht ganz klar. Schau hier: http://www.talkingelectronics.com/projects/MOSFET/MOSFET.html Wenn ein MOSFET die Leitung auf 12V High zieht, und dann auf einen anderen umgeschaltet wird, der sie auf 0V zieht, wird es eine kurze Übergangsphase geben, in der beide MOSFET leiten. Dann hast du einen Kurzschluss. Totzeit bedeutet, dass zuerst der eine MOSFET abschaltet, dann wartet man ein paar ns, und erst danach schaltet man den anderen MOSFET ein.
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Warum sperrt P-Kannal FET M1 nicht
Und hier noch ein Tipp. In der gezeigten Anwendung sollte man die kleinsten Mosfets nehmen, weil die hier benutzen großen Mosfets bis zu 10uA Drainstrom im Auszustand haben. In der gezeigten Anwendung reichen Mosfets mit einem Ron von 10Ohm.
Unter "MOSFET Basics" findest du von zahlreichen Herstellern PDFs zum Thema.
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Spulenstrom erst absenken und beim Abschalten schnell loswerden
nach dem "fast-decay"-Prinzip von Schrittmotoren ist eine Brückenschaltung mit einem zusätzlichen Mosfet. Über den Mosfet und die Freilaufdiode fließt dann während des PWM-Schaltens der Induktionsstrom und mit Abschalten fließt der Strom zurück in den Kondensator und danach über die Zenerdiode ab. Leider
gewählt werden, dass die Transistordaten (Durchbruchsspannung) nicht überschritten werden. Es soll MOSFET geben, die haben die Diode bereits eingebaut.
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N-Kanal Mosfet im Plusstrang?
P-MOSFET + NPN am Gate. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor
), damit kommt aber deine Spannung am MOSFET unter 24V, bis 0V, die Ansteuerschaltung muss damit zurecht kommen, ein P-MOSFET mit NPN kommt das nicht Insgesamt erscheint deine PV Schaltung ungeschickt.
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Quick&dirty - schnelle Problemlösungen selbst gebaut Bilder
Spannung holen, die den Strom durch den Switch widerspiegelt. Es ist quasi ein intelligenter Mosfet. Wobei das nicht ganz stimmt, weil ich ihn nicht mehr wie einen Mosfet behandle. Hab wohl nichtmal mit den Eigenheiten eines Mosfet mehr was zu tun, wie Gate Driver und Miller und so.
Drei Dual-N-MOSFET TSM6968SD im TSSOP8-Gehäuse: ideal für Lochraster-Aufbauten.
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Empfehlung Halbbrücke mit Treiber 50V, 2A
wird. Der Drainstrom des High-Mosfets war maximal bei 40mA. Kann mir jemand erklären wieso das IC durchbrennt, wenn ich die Mosfets belaste? Vcc = 11V Vin = 18V
meine. Die Anschlüsse am Treiber habe ich offen gelassen, es geht mir nur um die Verschaltung der Mosfets.
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Fahrtwindbetriebenes Fahrradlicht
dem Propeller (nur so einen Schnapsidee - ein taster tuts natürlich auch) N-Kanal und P-Kanal MOSFET http://www.vishay.com/mosfets/list/product-73102/ http://www.vishay.com/mosfets/list/product-73381/ ideale Diode als Synchrongleichrichter http://www.linear.com/pc/productDetail.do?navId=H0,C1,
Spannung mit Zenerdiode an den Mikrocontroller. Ein PWM-Ausgang mit Tiefpass könnte dann einen Mosfet schalten, der dann als drehzahlabhängiger Widerstand arbeitet. Du musst halt mal schaun, wieviel du so rausholen kannst. D.h. Versuchsaufbau mit Generator, Mosfet, Mikrocontroller, dazu ein niederohmiges
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Tueroeffner doppelt beschalten - wie am Besten?
falsch .... Das kann sein, hab ich halt für diese Frage schnell zusammengeworfen. > 2. dein MOSFET schließt laut Plan die Spannung für den Öffner kurz? Am Öffner liegt nur Spannung an, wenn die Siedle-Anlage schaltet. Und dann ist es richtig, dass diese durch meine Freilaufdiode und den Mosfet
Conny G. schrieb im Beitrag #3335050: > So meine ich das. der Mosfet verbindet doch +12V und GND also ein Kurzschluss?
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Fronius Schweißinverter TP 1400 Leistungsteil defekt
den dingern. schau auch gleich nach einer Kalten Lötstelle im Bereich des Leistungsteils nach.(4 Mosfet's). Konterolliere auch, ob die beinchen noch am Mosfet sitzen. (Brechen hin und wieder ab.)
Oder den Mosfet neukaufen, so teuer kann der nicht sein. Was steht denn für ein Typ drauf?
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Verstärkerschaltung für Ausgangssignal eines optischen Empfänger
@ Michael M. (silverstein-88) >kann. Daher schwebt mir da ein MOSFET als Schaltkontakt vor, da ein Richtiger Ansatz. >Allerdings ist das Ausgangssignal des optischen Empfängers ja >wahrscheinlich auch zu schwach um einen MOSFET durchzuschalten. Und 2,4V
wie ich aus dem >schwachen Ausgangssignal des Empfängers ein solides Signal zum Schalten >des MOSFETS erhalte. Ich denke das dürfte das Hauptproblem darstellen. Mit einem MOSFET-Treiber. Wobei hier ein 4000er CMOS Gatter locker ausreicht, du brauchst keine Schaltzeiten im zweistelligen Nanosekundenbereich
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Controller für Sperrwandler
- 600V. Es gibt genügenf MOSFET dafür.
Voraussetzung nicht stimmt, trifft diese Schlußfolgerung nicht zu. > Woher weiß ich, welchen MOSFET ich nehmen soll bzw. welche Parameter > sind zur Auswahl eines MOSFETs wichtig? Der MOSFET muß den Spitzenstrom und die Spitzensperrspannung auf der Primärseite des Trafos aushalten. Außerdem
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Positive Leitung mit 3,3V mit nur 2,2-3,1V schalten - welcher Mosfet?
darüber in Richtung 3V, wird nicht mehr (ausreichend) durchgeschaltet. Nun suche ich den richtigen Mosfet für mein Problem. Wenn ich es richtig verstanden habe, muss ich einen Mosfet suchen, dessen UGS/V möglichst niedrig ist. In der Übersicht https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
T1 noch einen Basisvorwiderstand spendieren muß - wenn man ihn nicht gleich durch einen n-Kanal MOSFET wie BSS138 o.ä. ersetzt. In dieser Schaltung schalten die MOSFETs beide durch, sobald der untere genügend Gatespannung erhält. R1 kann man hochohmig wählen (z.B. 100K). Der p-Kanal MOSFET kriegt dann
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Motor mit separatem Öffner und Schließer ansteuern (Arduino)
schrieb im Beitrag #7782075: > Welche Variante fällt mir nicht ein? Du könntest den zweiten MOSFET durch einen Inverter aus dem Steuersignal des ersten MOSFET steuern lassen, dann schalten sie immer alternativ und Programmierfehler sind nicht möglich. Beide Leitungen abzuschalten geht dann nicht
den einen oder anderen Anschluss geschaltet > werden. Aktuell mache ich das über einen P-Kanal MOSFET angesteuert über > einen NPN Transistor, funktioniert auch. Du meinst alternativ einen PNP-Transistor. Könntest du auch GND schalten statt der 12V? Dann mit N-Kanal MOSFET bzw. NPN-Transistor
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L298 ersatz für bipolaren Schrittmotor mit 4,2A
mosfets auskenne wollte ich das sie von euch mal gegenkontrolliert wird. achja wie man dem schaltplan entnehmen kann will ich mein schrittmotor bipolar schalten und ich weiß die mosfets brauchen mehr Spannung
fand :( Der HIP4080 ist ja genau das was ich brauch ^^ aber im Datenblatt ist der mit full n Mosfets beschalten, also doch keine p Mosfets für den oberen Teil?
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Anlaufelektronik für Pumpe
| | | | +--------- N MOSFET ---------+ | | ??? LG
| > | | > +--------- N MOSFET ---------+ > | > | > ??? dann nimm einen P MOSFET (ein N MOSFET bräuchte nämlich mehr als +12V zum Aufsteuern am Gate
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Optischer Sensor auf Mosfet Board - Signal abgreifen für Arduino
Ben G. schrieb im Beitrag #6759636: > Mosfet Board Was ist für dich ein Mosfet? Für mich ist das sowas: https://www.google.com/search?q=mosfet Die Begriffe Gate und AEG machen das Ganze nicht besser. > Die Frage ist, wie komme ich an
Hallo Lothar, danke für deinen Beitrag. Auf besagter Platine ist ein Mosfet verbaut. In der Softair Community ist dieses Zubehör umgangssprachlich einfach als „Mosfet Board“ bekannt. Hintergrund ist, dass wenn man die „Automatic Electric Gun“ ohne Mosfet betreibt, es starken
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brauch ich noch Leistungstransistoren ?
https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein.3F Danke für den Link und Eure Einschätzungen. Dann darf ich also bei meinen Mosfets bleiben :-)
kann man zwar einsparen, sollte den MOSFET aber trotzdem mit einem Push-Pull Ausgang ansteuern. Sonst handelt man sich ordentlich Schaltverluste ein. Und wenn die Platine dreckig oder feucht sein sollte, kann es gar passieren, daß der MOSFET
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sperrdiode für 30-250 µA gesucht.
MaWin schrieb im Beitrag #3087780: > Einen Verpolungsschutz baut man so mit einen MOSFET Mawin, das haut aber nicht so ganz hin. Bei Verpolung leitet die Inversdiode des Mosfets... Schottkys bleiben bei dem geringen Strom problemlos im genannten Spannungsabfall-Bereich. Man nimmt
> Mawin, das haut aber nicht so ganz hin. Bei Verpolung leitet die > Inversdiode des Mosfets... Du musst den MOSFET natürlich so rum drehen, dass die Diode in Leitrichtung liegt wenn es nicht verpolt ist. Der dann eingeschaltete MOSFET sorgt für eine Verringerung des Spannungsabfalls unter
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Transistor 12v > 12v 3A
so 2,5mm^2 oder so. >Den IRLZ 34 N kann man da nicht nehmen oder? Nein, das ist ein N-Kanal MOSFET. MFG Falk
www.mikrocontroller.net/topic/234566#2375387 vorgeschlagen, aber du hast ja gnadenlos trotzdem einen P-Kanal MOSFET IRF4905 gekauft. Also hat Falk in http://www.mikrocontroller.net/topic/234566#2376229 aufgemalt, wie du dann mit einem zusätzlichen IC die P-Kanal MOSFET noch retten kannst und die IRF4905 nicht
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NPN Transistor - Basiswiderstand Verständnisfrage
beispielsweise der BC635. Obacht, anderes Pinout. > Also nimmt man in solchen Fällen besser einen MOSFET ja
Man nehme: Logic level MOSFET oder Darlington-Transistor
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Mosfet vs. Transistor
ääähhmm - ist ein Mosfet denn kein Transistor mehr? Schließlich sagt das t am Ende von Mosfe"T" , daß es ein Transistor ist
Trotz aller Vorzüge von MOSFETs und IGBTs haben bipolare Transistoren nach wie vor ihre Daseinsberechtigung. Es gibt diverse Schaltungen, die sich mit MOSFETs garnicht oder nur schwer realisieren lassen. Die Stromsteuerung und die
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Gate Treiber H Brückenschaltung und Verständnisproblem
ihr mir weiterhelfen könnt. Ich will in einer H Brückenschaltung mit einem Arduino (PWM) einen MOSFET Treiber (IR2125) und dann letztendlich einen MOSFET (IRF3205z) schalten. Hierzu habe ich die beiden High Side MOSFETs mit jeweils einem Treiber beschaltet. Sowohl die Treiber als auch die Drains der
Hier geht's um N-Mosfets. Bei nur 5V aus dem Akku wird es ohne eine höhere Steuerspannung schwer. Wobei ein Akkuschrauber-Motor und 75A-Mosfets scheint mir etwas überdimensioniert..??
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IRL2203N defekt?
Schaltung angeschlossen. Parallel zu Gate und Source einen 10K Widerstand. Leider schaltet der Mosfet nicht. Ich war jetzt der Meinung, dass ich eine Spannung dann über Drain messen könnte... Wäre der Mosfet denn grds. für 3.3V geeignet? Danke!
cc schrieb im Beitrag #6626711: > Wäre der Mosfet denn grds. für 3.3V geeignet? Eigentlich nicht, wenn dann höchstens für kleine Ströme.
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Was kann der AVR Processor? Kann es meine Aufgabe erfüllen?
Spannung für den Processor im 12V Bordnetz? 3) Sollte ich besser MOSFETS oder Transistoren zur Steuerung nehmen (Mosfets sind doch sparsamer? Die Schaltung sol nicht im Leerlauf die Batterie leersaugen)? 4) Sollte ich besser die Umpolrelaisfunktion auch in Digitaler Ausführung
der Spannungsteiler im inaktiven Zustand keinen Strom braucht, sollte er natürlich /hinter/ dem MOSFET eingefügt werden.
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Audio Verstärker mit MOSFET Gegentaktendstufe
Hallo, ich habe mir einen kleinen Audioverstärker mit einer MOSFET Gegentaktendstufe gebastelt. Das Problem ist, dass bereits beim Einschalten die MOSFETS vor allem M2 extrem schnell abrauchen! Folgende MOSFETS werden verwendet: M1 IRL3105 (55V / 25A / RDSon
irrelevant, weil der Mosfet im Analogbetrieb arbeitet.
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Maximale Spannung an UND-Gatter-Ausgang
Als Pegelwandler von 5V aus 12V zur Ansteuerung eines MOSFETs eignet sich: 74LS07/74LS17 mit Pull-Up Widerstand wären geeignet, aber es gibt dafür echte MOSFET-Treiber wie MC34151, mit denen schaltet der MOSFET schneller (was nicht immer nötig ist). Zwischenlösung sind zwechentfremdete LED-Treiber wie TLC5928 auch mit 1k Pull Up, damit kann man 16 MOSFETs bedienen wenn nicht 1 uC Pin -> 1 MOSFET sein muß.
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MOSFET kurzzeitig zu viel Strom
Hallo, was meint das SOA Diagramm deines Mosfets dazu? Grüße
Bob E. schrieb im Beitrag #7399685: > Kann ich die MOSFET der > H-Brücke "unterdimensionieren", z.B. Id(max) = 15A? Warum sollte man sowas tun? Ein knapper MOSFET hat einen hohen RDSON, d.h. man braucht einen großen Kühlkörper. Ich dimensioniere MOSFETs