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4x Blue LEDs für ESP8266
Ohm Widerstand nehmen pro Pin damit das so auf 8mA kommt Antreiben tuen die digital Pins nur MOSFETs: AO3400A Ich stelle diese Frage nur deshalb so akribisch, weil ich PCB mit SMD beauftragen lassen will und ich blöd fände wenn die LEDs nicht leuchten oder ESP8266 kaputt geht.
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Wie funktioniert diese MOSFET Schaltung als Strombegrenzer
Bezüglich Schaltungstechnik bin ich eher Einsteiger. Bicker hat ein Board im Angebot, auf dem ein MOSFET verbaut ist, mit der man den Einschaltstrom begrenzen kann (externe Link: https://www.bicker.de/be-dceb5a_dc_einschaltstrombegrenzung_8-40vdc_5a_open_frame) Ich sehe da außer dem MOSFET nur noch
grundsätzlich und wie wird die > Begrenzung auf 13A gelöst? Ein nicht ganz durchgesteuerter MOSFET begrenzt den Strom ähnlich einer Konstantstromquelle, man muss also nur durch ein RC-Glied dafür sorgen, dass die Gate-Spannung beim Einschalten langsam steigt. Die Z-Diode verhindert dann, dann
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Isolierte DC/DC Quelle 200V 0.5A gesucht
man auch den Übertrager aus so einem 0815 Netzteil "umdrehen" und die ex-Sekundärwicklung mit nem Mosfet takten. In der Leistungsklasse sind das normal noch Sperrwandler, da kann man die Diskrepanz in den Windungszahlen gut mit etwas höherer Sperrspannung am Mosfet überbrücken.
ermittle die orig. Betriebsfrequenz. Dann füttere man dessen Trafo künftig mit 12VDC über LV-Mosfet an z.B. UC3842/3 in Beschaltung für ebendiese Frequenz, ergänze sekundär z.B. UF4007 und Elko, und gewinne so locker > 200VDC. Allerdings bei weitem nicht mit "wenig Ripple". Dazu wäre ein
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LED-Umbau Artas NVA Signallampen
zugehörigen Phasendrehung. Außerdem würde ich die UNterspannungsabschaltung nicht mit einem weiteren Mosfet im Hochstromzweig machen, sondern die Referenzspannung wegschalten (z.B. P22 auf Masse schalten) oder den Pin 4 von U31 anheben oder das Gate von M31 auf Masse legen.
bzw. Biasstrom. > Außerdem würde ich die UNterspannungsabschaltung nicht mit einem > weiteren Mosfet im Hochstromzweig machen, Da habe ich auch überlegt, ob es nicht einfacher geht. Normal würde man M31 einfach die Gatespannung gegen gnd klemmen. > sondern die Referenzspannung wegschalten (z.B
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Piezo-Buzzer - was steckt da drin?
2 zu erkennen, wo ein Standard PNP seinen B- und E- Pin hätte. Vielleicht gab es damals schon MOSFETs und du hast die Substratdiode zwischen Drain und Source gemessen. Wo befinden sich in deinem Schaltbild denn die Pins 1 und 2?
Noch ein Nachtrag: Rainer W. schrieb im Beitrag #7635802: > Vielleicht gab es damals schon MOSFETs und du hast die Substratdiode > zwischen Drain und Source gemessen. Das _ist_ ganz offensichtlich ein Thyristor. Ich habe zwar den R6G nicht gefunden, aber zwei bzw. drei andere im SOT23, die ein
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Was ist das für ein Widerstand?
schauen, ob die vorliegende > Schaltung dem entspricht. So ist es. Da wird mindestens auch der MOSFET in der PFC durchlegiert sein.
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Transistorausgänge gegen Kurzschluss und Überlast absichern
Erfahrung nach zu träge. In meinem Fall gehe ich von einem Mikrocontrollerpin aus, welcher einen Mosfet ansteuert. Der Mosfest schaltet dann z. B. 24V für ein Relais oder macht eine PWM für LEDs. Wie lange hält ein Transistor normalerweise einen Überstrom aus? Nach welchem Wert müsste ich im Datenblatt
time 100~270µs Slew rate on/off 0,2~1.1V/µs (bei 24v wären es dann ca. 26µs) Zum Vergleich ein Mosfet, den ich im Moment verwende. Dieser hat Turn-on/off-Zeiten im ns Bereich: https://www.reichelt.de/mosfet-n-kanal-40-v-50-a-rds-on-0-0058-ohm-dpak-ao-d4184a-p166479.html https://cdn-reichelt.de/
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Was ist das für ein Transistor
Könnte Apec AP2316GN-HF-3 sein, ein N-Channel MOSFET.
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Schneller Transistorschalter als komplettes Modul verfügbar?
Es gibt "DC Solid-State Relais" . Diese verwenden allerdings meist einen Mosfet. Vielleicht erfüllt es aber trotzdem deine Anforderungen. /edit: hier eine High-Speed Variante: https://www.weidmueller.com/int/products/electronics/relay_modules_solid_state_relays/high_switching_frequencies.jsp
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PWM Steuerung Kfz Kühlerlüfter
funktioniert. Wenn du das umbauen willst, kannst du einen DS18B20 Temperatursensor nehmen, einen Mosfet und Freilaufdiode brauchst du, dann noch einen Arduino und dann musst du das Programm dafür schreiben. Die Hysterese nicht vergessen. Alles relativ einfach. Ich würde allerdings bei dem Visco Lüfter
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Kennt jemand diese LED-Matrix 48x28?
wäre ein Schaltplan und/oder wie man das Teil ansteuert ( ( 48 x 28 x RGB = 4032 ) / 8 an den MOSFETs erkennbare Multplexebenen = 504 Schieberegisterbits ) / 8 = 63 '595, es scheinen aber 96 zu sein. Ähnlich HUB75 aber andere Stecker.
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FlipFlop bistabil MOS FET Impuls-Wechsler(!) für 12V/60W/6A
und Q2 getestet. Zeig mal diese Schaltung, die du schon hast. Dann kann man da sicher iwo einen Mosfet reinmalen.
bei 12V Eine kalte Halogenlampe hat 0.16 Ohm, das wird nichts mit 7A, das sind eher 80A die der MOSFET aushalten muss. Besser einen sich selbst schützenden smart high side switch wie BTS432, der begrenzt den Einschaltstrom was die Lampe schont. Er kommt einfach an Q und /Q deines FlipFlop.
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Günstige Herstellung von Platienen, welche Vorgaben ?
muss, die > Bauteile sind halt kleiner und können nur weniger verheizen. Gerade bei Leistungs-MOSFETs für Schaltanwendungen sieht das aber manchmal komplett anders aus, da diese sehr großflächig mit den Kupferstrukturen der Leiterplatte verbunden werden können, wohingegen sich ein bedrahteter MOSFET
die effektiven Leiterbahnbreiten und den Wärmetransport in der Leiterplatte reduzieren. Bei SMD-MOSFETs kann man elektrisch und thermisch sehr gut leitfähige Anbindungen an z.B. Dickkupferinnenlagen mittels Microvias vornehmen. Bei vielen sehr modernen Bauelementen, z.B. GaN-MOSFETs, geht der Trend
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Ausgangsschutz mit MOSFET für Parallelschaltung zweier IU-Lader
Platinen einschleifen könnte, ich würde aber gerne wissen, ob und wie ich das Problem mit Hilfe von MOSFET-Transistoren nicht noch energiesparender lösen könnte. Wie sähe die passende Schaltung aus? Danke.
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Nixie Röhren IN-14 Leuchten nicht
Controller einstellen, auf dem man die Bauteilbezeichnungen > erkennen kann? Vor dem Trafo ist nen Mosfet: 5C670L Darüber den IC kann ich nicht entziffern.
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Schaltung die alle paar Minuten 5 Watt Last verursacht
einzeln mit einem Taster aktiviert > werden. Dann überbrückt man den Taster mit einem Relais oder Mosfet.
Niklas G. schrieb im Beitrag #7631435: > Dann überbrückt man den Taster mit einem Relais oder Mosfet. Nein, ich möchte keine Änderungen an der Powerstation selbst vornehmen. Die wird auch noch anders genutzt.
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AEG Wäschetrockner Schaltnetzteil
Datenblatt schreibt hierzu: [code] If the FB pin is not pulled high for approximately 40 ms, the power MOSFET switching is disabled for 800 ms. The auto-restart alternately enables and disables the switching of the power MOSFET until the fault condition is removed. [/code] Wenn ich dies richtig verstehe,
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XH-M131 invertieren
zu trennen und einen npn-Transistor als Inverter dazwischen zu schalten. Noch besser wäre ein n-MOSFET wie BSS138. Gate an den Ausgang des LM393, Drain an R6 und Source auf GND. Ein npn-Transistor bräuchte noch zwingend einen Basiswiderstand von ca. 47KΩ. Besser noch größer, um die Hysterese nicht zu
kann. Ich muss nur einen BSS138 organisieren. Wäre jemand so freundlich, die Anschlusspunkte des MOSFETs auf dem Bild der Platine oder dem Plan einzuzeichnen? Hatte schon lange sowas nicht mehr in der Hand. Mein Dank geht an alle die geholfen haben!
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Erweiterung AVR-Transistor-Tester mit Schnittstelle zum Kennlinienschreiber
9 Ascii-Werte über die serielle Schnittstelle geschickt werden : '1': npn Transistor '2:' n-Mosfet (enhancement) '3:' n-jFet '4:' n- Diode (etwas willkürlich, hier : Kathode an TP1) '5:' pnp Transistor '6:' p-Mosfet '7:' p-jFet '8:' p-Diode (siehe 4:) '9:' n-Depletion-Mosfet Am Kennlinienschreiber
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Identifikation SMD-Bauteil "WMC"
aber ich finde nichts. Es ist der Beschriftung nach ein Transistor (Q), vermutlich ein Dual Gate MOSFET (Verstärkerstufe mit AGC kurz hinter dem Eingangsfilter). In den gängigen Listen finde ich bei "WMC" einen LDO, das ist das hier aber definitiv nicht.
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Reparatur LG-Netzteil EAX64905301 (2.4) von LG-TV 42LN5758
Der Kondensator scheint Teil des Snubbers am MOSFet Q101 zu sein, der als Hauptakteur das Netzteil antreibt. Daher kann es schon sein, das es den MOSFet auch erwischt hat und damit ist auch die Stromversorgung verdächtig. Miss den MOSFet auf Kurzschluss
Die Schaltung sieht für mich etwas merkwürdig aus - als wenn die Jungs mit Spitzen über dem MOSFet zu kämpfen hatten. Immerhin wird der arme kleine Kerl alle paar dutzend µs kurzgeschlossen um gleich wieder geladen zu werden. Notlösung?
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USB-C (USB2.0) Stecker per Relais trennen
Plus Leitung sollte reichen. Falls die Verluste zu hoch sind kann man auch eine Ideale Diode mit Mosfet bauen, aber Teste erstmal mit der Diode Falls USB C das nicht mag, eine USB 2.0 Verbindung erzwingen indem man einen USB A - USB C Adapterkabel statt USB C Kabel benutzt.
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Bauteil Identifikation
Beitrag #7628390: > Die Bauform sieht aus wie QFN6. Müsste ich raten würde ich sagen es ist ein MOSFET im UDFN6 Gehäuse mit 1,6mm Kantenlänge.
Stefan K. schrieb im Beitrag #7628393: > MOSFET im UDFN6 Gehäuse ACK, und ich denke von VBsemi. Der TE soll mal genaue Maße nennen.
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Schaltung defekt, Fehlersuche
5 W77 /16 BCP53 BCP53 PNP Transistor 6 011N04L Infineon IPB011N04L N-Kanal Power MOSFET, 180A [/code] Ich sehe keine offensichtlichen Fehler. Nichts aufgebläht, nichts verschmurgelt. Wenn ich 12V einspeise, bekomme ich am Regler (Nr. 7 auf Seite 1) 5V, am µC 1,8V und 3,3V jeweils da
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KICAD Net-Ties (Netztrenner) auf inneren Lagen
Hallo Simon. danke für Deine Antwort. Es geht nicht um 2 Masseflächen, sondern im einen MOSFET im TO247 Gehäuse. Aus Platzgründen muss ich die Gate Ansteuerung in eine Innenlage verlegen. Und da möchte ich einen Netztrenner zwischen Source Anschluss und. Ansteuerelektronik machen. Sonst
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DC Motor + Mosfet + ESP32
schnell genug ein/aus schalten kann, sonst wird der heiß. Dann brauchst du womöglich zusätzlich einen MOSFET Treiber. Also welchen MOSFET benutzt du?
RFP30N06LE MOSFET 30 A 60 V N-Kanal
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Verstärker missbrauchen / Kenndaten verstehen
Ich meinte, dass ein D-Verstärker sowieso immer zwischen voll +/- umschaltet und damit erleben die Mosfets sowieso ständig das Schlimmste was es gibt, ergo kann eine ungewöhnliche Last die Lage auch nicht mehr verschlimmern -> sollte also robuster gegen 'komische' Lasten sein. Korrektur: Der vorgeschlagene
meinte, dass ein D-Verstärker sowieso immer > zwischen voll +/- umschaltet und damit erleben die Mosfets sowieso > ständig das Schlimmste was es gibt, Ich stimme fuer deinen Kollegen. :) Du hast bei Class D boese PWM wo sich der Hersteller vermutlich bemueht die Flankensteilheit zu begrenzen
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Keithley gesucht
werden... > > Was wäre den der Defekt bzw. würdest du es Verkaufen? Hab schon etliche dg444 und Mosfets getauscht, die Endstufe ziemlich kaputt. Ist ein sehr kompliziertes Gerät. Allerdings vermutlich preislich nicht für dich interessant mit etwa 1000€.
Thomas W. schrieb im Beitrag #7627055: > Hab schon etliche dg444 und Mosfets getauscht, die Endstufe ziemlich > kaputt. > Ist ein sehr kompliziertes Gerät. > Allerdings vermutlich preislich nicht für dich interessant mit etwa > 1000€. Ja preislich leider eher uninteressant
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Suche Ansteuer-Verstärker für Ventil
brauche also einen Verstärker, um von 24V auf 60V zu kommen. Ich hätte kein Problem, mit einem MosFet und Schutzbeschaltung das hinzubekommen. Gesucht ist aber keine Bastellösung, sondern ein kaufbares Produkt, das der Betriebselektriker in den Schaltschrank einbauen kann. Hat jemand eine Idee
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24V LED Repeater Verlustleistung reduzieren
ersetzen, denn die Schaltung erzeugt nur die Gatespannung, die dann von den Optokopplern auf die MOSFet Gates geschaltet wird. Damit reduzierst du nicht nur die Verlustleistung an R3 und D4, sondern schaltest die MOSfets kräftiger durch. Mit einem Arbeitswiderstand von 3,3k werden auch die PC817 dabei
ersetzen, denn die Schaltung erzeugt nur die Gatespannung, die dann > von den Optokopplern auf die MOSFet Gates geschaltet wird. Damit > reduzierst du nicht nur die Verlustleistung an R3 und D4, sondern > schaltest die MOSfets kräftiger durch. > Mit einem Arbeitswiderstand von 3,3k werden auch die
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Kellerbeleuchtung mit 12V Motorradbatterie
es eine AppNote für einen PIR mit Auswertung, der kommt mit 2 μA aus. Die LED dann über einen LL MOSFET schalten.
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MOSFET RU1H150R
Hi! Weiß hier eventuell jemand wo ich den N-Channel Advanced Power MOSFET RU1H150R, aus einer möglichst sicheren Quelle, bekomme? Die gängigen, von mir bisher genutzten, Bauteillieferanten haben diesen MOSFET nicht. Es ist einer (Q3) von 4 MOSFETS in der Ausgangsschaltung
. schrieb im Beitrag #7626065: > Weiß hier eventuell jemand wo ich den N-Channel Advanced Power MOSFET > RU1H150R, aus einer möglichst sicheren Quelle, bekomme? https://www.lcsc.com/mobile/product-detail/MOSFETs_Shenzhen-ruichips-Semicon-RU1H150R_C126334.html
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Dimensionierung Spannung MOSFET Brücke für permanenterregten Synchronmotor (bzw. BLDC)
der Verbindungen zwischen den MOSFETS und von da zum Zwischenkreiskondensator vorausgesetzt? Ich will keine MOSFETs killen, aber auch nicht unnötig überdimensionieren, weil sonst der Rds_On zu groß oder die MOSFETs unnötig teuer werden
eine Zwischenkreisspannung entschieden, um > wie viel Prozent sollte die Spannungsfestigkeit der MOSFETs höher sein, 20%.
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Led-Treiber Reparatur - Kondensatoridentifikation
Led-Treiber einer Deckenlampe mit einem Knall verabschiedet. Ein SMD-Kondensator, der parallel an einem Mosfet (JCS7N65F) zwischen S und D verbaut ist, hat sich in Rauch aufgelöst. Leider habe ich keine Anhaltspunkte um was für eine Kapazität es sich handelt. Ich konnte diesbezüglich auch keine Infos im Internet
Philipp schrieb im Beitrag #7626046: > Ein SMD-Kondensator, der parallel an einem Mosfet > (JCS7N65F) zwischen S und D verbaut ist, Ohne Serienwiderstand? Dann wird der in der Größenordnung wie Coss liegen.
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LEDs treiben V_uc>V_LED
Platine statt eines Buck- einen Boost-Converter zu verwenden. Unsicher bin ich mir aber bei den MOSFETs. Kommen die damit klar dass die Gate-Spannung kleiner ist als die Source-Spannung? Wäre ein anderer MOSFET viel besser oder gar notwendig? Vielen Dank für's lesen bis hierher, Johannes edit
CN5711 oder als Schaltregler wie LTC3454 und die lassen sich abschalten, du brauchst dann gar keine MOSFETs mehr.
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Sortierbox mit elektronischen Bauteilen und Beschriftungen
B5819WS Schottky Diode 30V 0,4V bei 0,1A 0,8V bei 1A IRLML6433 N-MOSFET max 30V 4A 37 mOhm bei VGS 2,5V TLV431A Adjustable Shunt Regulator ref 1,25V max 6V 15mA IRLML6402 P-MOSFET max 20V 3A 135 mOhm bei VGS 2,5V 74LVC1G17 1x Schmitt Trigger Buffer 1,6 - 5,5V 24 mA bei
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WER KENNT DIESES 2S3P BMS für Lion 18650 von Akku-King Gesperrt
Schaltung aufnehmen. Leider fehlt mir ein Datenblatt zum BMS-Chip mit der Bezeichnung "20DBUG". Für dem MOSFET habe ich was gefunden. Ich vermute, Platine und BMS-Chip kommen auch aus China. Suche Infos zum Chip oder zur ganzen Schaltung.
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SMD power induktivität auf grafikkarten überbrücken ? Gesperrt
wesentlich kleiner ausfallen, die Kondensatoren werden weniger belastet, die Verlustleistung an den Mosfets wird auch geringer, weil quadratisch mit Strom.
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Datenblatt Transistor SOT23, Frage zur Kühlfläche
board design." Produktseite des AO3004A mit Link zum Datenblatt: https://aosmd.com/products/mosfets/low-voltage-mosfets-12v-30v/ao3400a
Teppichklebeband hätte ich spätestens beim Fotografieren nicht nur kleine Bruchstücke sonden die ganzen MOSFETs verloren.
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Schema Zeichnung mit ESP-Symbolen bei DevKit-Boards?
. - ESP32-S2 Wroover als DevKit aufgesteckt werden.c. - 16 kanal PWM Multiplexer etc. Selbst Mosfets möchte ich wenn möglich an Steckleisten einstecken können. Wie zeichnet man nun so eine Platine... kann ich hier die ganz normalen Footprints bzw. die schema-Symbole nehmen, meine Leiterbahnen
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Laden von Lipo direkt an Solarzelle
Versorgungsspannung messen kann und direkt am Akku hängt, kann auch er die Steuerung des kurzschliessenden MOSFET übernehmen. Da seine Referenzspannung aber auch um 10% abweicht braucht er eine Software Kalibrierung.
reduzieren, aber er hat auch die Spannung gemessen und das PV-Modul bei ausreichendem Ladestand mit einem MosFET abgeschaltet (oder glaub einfach kurzgeschlossen).
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Vorsicht, Bastler mit Steckernetzteilen
nicht einschätzen, inwieweit der Autor des oben genannten Y-Tube Artikels recht hat, nen nackten Mosfet kriegt man auf die Tour jedenfalls gekillt. LG auch von Dr. Brinkmann (Glottertal)
Axel H. schrieb im Beitrag #7623164: > nen nackten Mosfet kriegt man auf die Tour > jedenfalls gekillt. Mit nackten MosFets soll man auch nicht spielen, egal ob man dabei den ESD-Kittel trägt oder sonst komplett angezogen ist. mfg
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Widerstand, Sicherung, oder Induktivität?
belastet wird, killt die Leistungsstufe den MELF Widerstand am Mainboard. Ich werde demnächst alle Mosfets aus der Leistungsstufe auslöten und wahrscheinlich durch die neuen ersetzen.
sagen? Am dritten Mosfet (auf dem Bild) habe ich 4,6 Ohm und 1 Mega Ohm versehentlich andersrum gekennzeichnet)), aber man kann glaube ich verstehen was gemeint ist.
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Was für ein Bauteil?
view.jsp?Searchword=76429P&sField=1 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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Suche Datenblatt zu 72JL6G2ZZ
3 CS I Sense current pin 4 VCC POWER Power supply 5, 6 DRAIN O Drain of internal high voltage MOSFET 7 GND GND GND https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1806062239_Hangzhou-Silan-Microelectronics-SD6704STR_C93939.pdf Über das Marking konnte ich überhaupt nichts finden, es könnte ein custom marking sein
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Fehlersuche Deutronic Ladegerät
Beitrag #7623953: > Fehler gefunden! Und was für Gleichrichter sind da im Einsatz? Sieht ja nach MOSFETs aus. Dann kann auch ein Defekt der Ansteuerung die Ursache sein.
Ja, es sind MOSFETs (IRFS3306). Der Grund für die Überlastung war vermutlich nicht elektrischer Natur. Ich habe nämlich mittlerweile herausgefunden, dass das Ladegerät mit einer falschen Software-Variante geflasht wurde
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Kreuzschaltung
Vishay) SLA2402M (600V 2A) TC4469 (4x300mA 4.5-18V Conrad) L9958 (ST 28V 8.6A) TX861 (3-12V 2.6A MOSFET ESOP8) MP6528 (5-60V driver, current limit) MC33883 (5.5-55V driver 100kHz) DRV8701 (5.9-45V driver, current shunt) A3941 (5.5-50V driver) A4957 (4.5-50V driver) TB6612 (2.5-13.5V 1.2A Motorrichtung
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Mikrowellentrafo als Drossel: Sekundär kurzschließen?
rumgebastelt, bzw. Zündkerzen getestet habe. Da gibt es auch einige Schaltungen/Experimente mit MOSFETs zu. Aber auch hier könnte die Kapazität des langen Erdkabels probleme machen und EMV-mäßig ist das m.W. auch eine ziemliche Sauerei (schönen Gruß an die Afu-OMs hier).
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Artikel
Nixie-Röhren/Versorgung/Kaufmodule/Nixie Supply ae1005005526009791
externen Spannungsregler. – Oder implantiert einen originalen MAX668EUB+ (dabei die Ratings des MOSFETs beachten!). Obwohl das Modul eine Unterspannungs-Abschaltung bei ca. 2,7 V hat, ist ein sinnvoller Betrieb aus (einem) Lithium-Akku nicht möglich, da sich unterhalb einer Eingangsspannung von 4 V
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Leistungs-MOSFET IRF3708
IRF3708 P047D CB37
