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CMOS-Batteriespannung messen
Schmitt-Trigger mit definierter Schaltspannung. Dann muss aber die gesamte Auswerteschaltung hinter dem Schalt-FET liegen.
dem Fet wäre mir der symphatischste, müsste ja mit einem > logic level p-Fet zu lösen sein. Da die Spannung der CR2032 immer unter > 5V liegt sollte man doch direkt an den Port gehen können und kann sich
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FET oder MOSFET als Heizung
ich gern eine kleine planare Fläche auf etwa 100°C (gern auch 150°C) aufheizen. Würde das mit einen FET oder MOSFET gehen? Habt Ihr Tips wie ich den anschließen kann und nach welchen Spezifikationen ich schauen muss um einen geeigneten FET zu finden? Das ganze soll wirklich nur einfach klein sein
Überlastet, dann fliegt einem de glühende Sand engegen und das kan weh tun... Zum Thema: Mittels FET Heizen ist billiger (So ein Hochlastiderstand im ALugehäuse ist ja recht teuer), den man kann irgendeinen alten FET (Restpöten denman nachgeschmissen bekommt) nehmen denn man zu Schalten nicht mehr
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Motor an PIC 12F675 mit PWM und PIC glüht.
einfach über eine andere versorgung für deinen motor nach. das ganze dann schön über optokoppler schalten und gut is.
...praktisch hast du wohl noch keinen Fet ueber OK (mit Erfolg)angesteuert...
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P-FET Back to Back Ansteuerung
Moin, ich habe ein paar Fragen zur Ansteuerung von P-Fets in Back to back Anordnung. Die Anwendung ist ein 24V Akku welcher von einem Laderegler getrennt werden soll, damit dieser ihn nicht rückwärts entleert. Beim googeln der back to back Anordnung für P-Fets
ich verstehe, der rGS ist einfach nur ein Pull Up. Der Kondensator lasst den Mosfet nur langsam schalten. Mir kam einfach nur nicht in den Sinn warum man das mutwillig machen sollte. Es ergibt aber sinn in der Anwendung als Schalter diesen langsam zu schalten. Im Gegensatz zu der Anwendung als PWM
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Tutorial 10x10x10 LED-Cube
betrieben > werden (multiplex) Wenn Du SCK/MOSI/MISO nicht auch noch als µC-Ausgänge für Deine MosFETs verwendest, ist T2 hyperfluid. Die Pulldowns an den Gates der MosFETs sorgen genau dafür, dass die MosFets sperren und damit nix kaputtgehen kann. Wenn das wirklich so klappt mit dem 11. MosFET ganz
schrieb im Beitrag #2373127: > Wenn Du SCK/MOSI/MISO nicht auch noch als µC-Ausgänge für Deine MosFETs > verwendest, ist T2 hyperfluid. Die Pulldowns an den Gates der MosFETs > sorgen genau dafür, dass die MosFets sperren und damit nix kaputtgehen > kann. Wenn das wirklich so klappt mit dem 11. MosFET
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MOSFET soll verschiedene Spannungsquellen schalten
Kein Wunder, das das nicht funktioniert. Wie aus dem Datenblatt eindeutig hervorgeht, ist dieser FET für Ugs 3V nicht geeignet. Bleib bei Deinen Bipos, die schalten ab 0,7V.
Sind die Massen beider Akkupacks auch verbunden? Das so zu schalten kann in die Hose gehen, da immer noch der PWM Eingang und die 5V mit dem Servo verbunden sind, nur seine Masse fehlt. Besser wäre es Plus des Servoakkus zu schalten.
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1.55V Signal nach GND ziehen in 5V Schaltung
GND. Bei den meisten Mikrocontrollern geht es auch ohne externe Beschaltung. In Ruhezustand schaltest Du den Pin als Eingang, wenn er auf Low gezogen werden soll, schaltest Du ihn als Ausgang und auf Low.
Danke! Gute Idee nur den Controller Eingang zu verwenden! Aber noch eine Frage zu dem FET: das ist ja ein pFet, ich dachte da liegt "normalerweise" Drain auf GND?
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Unbekannte Bauteile in EVG für Leuchtstofflampe
Sieht man am Foto nicht alles. Hat insgesamt 1,2mH, bis Anzapfung 0,89mH. Die Ansteuersignale der FETs sehen hässlich aus. Gelb zum FET in der Graetz-Brücke, blau vorm Koppeltrafo zur Halbbrücke. Ist auch alles andere als Digitaltechnik davor, auch wenn’s auf dem Gehäuse drauf steht. Blicke die Schaltung
sind höchstwahrscheinlich Z-Dioden, wie oben schon jemand schrieb. Die zum Gate Parallelen 5k1 schalten natürlich auch ab. Ob schnell genug um Querstrom zu vermeiden weiß ich allerdings nicht.
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Brückengleichrichter mit Elko - Spannungsbegrenzung
Einfach in Reihe zur Primärwicklung einen MKP-Kondensator schalten.
vorgeschalteten Hilfsschaltung die Spannung vorm Zug > auf 54V begrenzen (2x 27V Z-Dioden in Serie schalten). Geht auch mit FET. Die Summe der ZD-Spannung muss um die Gate-Source-Spannung größer sein als die gewünschte Ausgangsspannung. Der Ausgang benötigt eine Grundlast von einigen mA. (Lastwiderstand
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H-Brücke m. Relais, so machbar ?
und brauche ich die MBR150 noch wenn ich eh schon die MBR2545 über den FETs hängen habe ??
kann es bei schnellem Schalten zu recht Hochfrequenten Störungen kommen. Entsprechend muss man auf kurze Leitungen achten, denn bei 30 A Strom und schnellem Schalten stören auch schon kleine Induktivitäten an der falschen Stelle
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Led blitzen ohne Spannung/ Strom
Hersteller braucht die Hauptstelle Busch-Wächter 6804U eine > Mindestlast von 60Watt [pre] Der MOS-Fet-Einsatz 6804U-101 ist ein mit einem Nebenstelleneingang ausgestatteter und mit Sensornebenstellen (6805U) kombinierbarer Schalter für • Glühlampen • 230 V Halogenlampen • Konventionelle
Lothar Miller schrieb im Beitrag #3010973: > Der MOS-Fet-Einsatz 6804U-101 ist ein mit einem Nebenstelleneingang > ausgestatteter und mit Sensornebenstellen (6805U) kombinierbarer Schalter > für > • Glühlampen > • 230 V Halogenlampen > • Konventionelle
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10W LED's mit Arduino und IRF1404 dimmen
SPANNUNG. Mehr info tut not. Andre schrieb im Beitrag #4073934: > Welchen Typ eines Logic-Level Fet wäre angebracht? Würde dieser > schaltungstechnisch identisch wie der Mosfet angesteuert werden? Ein Logic-Level-Fet ist auch ein MOSFet, aber der ist gemacht um mit der niedrigen Spannung aus einem
schnellen und guten Antworten. Max D. schrieb im Beitrag #4073942: >> Welchen Typ eines Logic-Level Fet wäre angebracht? Würde dieser >> schaltungstechnisch identisch wie der Mosfet angesteuert werden? > > Ein Logic-Level-Fet ist auch ein MOSFet, aber der ist gemacht um mit der > niedrigen Spannung
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Funkmodul mit Microcontroller
des einfachen Empfängers gefüllt und der MosFET schaltet die Versorgung für das Empfangsmodul frei. Ich würde hier jetzt einen Mikrocontroller nutzen um einen P-Kanal MosFET zu aktivieren der die Versorgung ebenfalls freischaltet, denn der MosFET
einmalig, > sporadisch. Aber was das Problem ist, ist das Standby Modus. I Mach doch einen Schalter rein.
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High-Side-Strom auf Low-Side spiegeln (Stromspiegel?!)
Bis jetzt hast du nichts davon gesagt und es sind wohl alle davon ausgegangen, daß der MOSFET als Schalter betrieben wird. > Das Ziel der Schaltung ist einfach, den tatsächlichen Zustand vom > FET zu erkennen. Auch das ist nicht eindeutig. Den Zustand (leitend/hochohmig) kann man ohnehin nur indirekt
jetzt hast du nichts > davon gesagt und es sind wohl alle davon ausgegangen, daß der MOSFET als > Schalter betrieben wird. Siehe Bild im ersten Eröffnungs-Post Axel S. schrieb im Beitrag #6358596: >> Das Ziel der Schaltung ist einfach, den tatsächlichen Zustand vom >> FET zu erkennen. > > Auch
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Logik MOSFET
@Michael: Mit der Schaltung würd ich aber keine 400Hz schalten, vor allem nicht bei nem dicken Power-Mosfet mit gigantischem Gate-Charge. => Nach der [[Pegelwandler]]-Stufe aus NPN1 und R3 eine Gegentakt-Stufe aus NPN+PNP vorsehen, dann glüht der FET beim
Bob schrieb im Beitrag #1950006: > @Michael: > > Mit der Schaltung würd ich aber keine 400Hz schalten, vor allem nicht > bei nem dicken Power-Mosfet mit gigantischem Gate-Charge. > > => Nach der Pegelwandler-Stufe aus NPN1 und R3 eine Gegentakt-Stufe > aus NPN+PNP vorsehen, dann glüht der FET
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Leistung eines Heizelementes mit µC regeln
>ich denke mal, ich brauche FETs oder so? Wird die beste Lösung sein.
du aber selber. >Ich kenne mich bei den >Bauteilen nicht so aus, ich denke mal, ich brauche FETs oder so? Ja, FETs, die du mit einem Treiber ansteuerst oder einen SmartFet mit Logikeingang.
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400V nMosfet für sehr geringen Strom, leicht Schaltbar
sehr wohl?? Verrate uns doch mal deine Schaltfrequenz. Ich könnte Dir sonst nur raten einen FET mit geringen parasitären Kapazitäten auszusuchen, umgeladen werden müssen die nämlich sowieso. Oder Du musst den Entlastungskreis entlastet schalten :)
> Bei 400V landet man bei den Fets die primär als Hauptschalter in PFC, > Brücken, Umrichter gedacht sind also niederohmig und sehr kapazitv. > Hingegen sind die alten hochohmigeren auch nicht besser zu Schalten. Wie wärs mit dem
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Leistungselektronik
den AD-Wandler den Duty-Cycle deiner PWM verändern. An den PWM-Ausgang hängst du einen High-Side Schalter (bzw N-Chanel Fet mit Treiberbaustein..Infineon hat hier wirklich klasse Fets mit sehr geringem RdsOn, wichtig für wenig Verlustleistung!!) Jo das waren jetzt mal meine "ersten" Gedanken :) Google
übermittelt. Jan schrieb im Beitrag #2412506: > An den PWM-Ausgang hängst du einen High-Side Schalter (bzw N-Chanel Fet > mit Treiberbaustein.. Was bringt mir der NMOS am PWM Ausgang eigentlich?
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FET für max. 150 A @ 40 V
Wenn Du 40V schalten willst, brauchste aber schon mind. ein 60V FET. Und ein einzelnes FET zu kühlen um da 150A drüber zu jagen ist nicht gerade simpel. Insbesondere mit ner so hohen Schaltfrequenz (Schaltverluste!)
oder so große Gehäuse stören da eben. Prinzipiel ist es Möglich solchen Strom so schnell zu Schalten. Allerdings ist die Auswahl des Fets da das geringste Problem. Multophasenwandler wurde schon genannt. Dafür gibt es unzählige Controller. Damit is die Realisierung sogar noch einfacher als mit
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MOSFET Basics
berücksichtigen und leiten daher beim N-Fet und Strömen von Source nach Drain - allerdings mit einem Dioden-typischen Spannungsabfall, wenn der Fet ausgeschaltet ist.
der Mosfet ein Transistor ist nur mit Gate. Der signifikannte unterschied liegt darin das der MOS-FET ein 2 quadranten schalter ist und der Transistor nur 1 quadranten. Das heisst wie n/a geschrieben hat der MOS-FET kann ströme in beide Richtungen leiten und kann jedoch nur possitive Spannung sperren
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Problem mit Aufwärtswandler
auf 250mA zu verstärken). Es ist eine Kunst, einen bipolaren Transistor sauber mit 50kHz zu schalten, nimm besser den MOSFET.
doch den Aufbau recht gut. Sie zeigen auch zwei gute Möglichkeiten, wie man einen oder auch zwei FETs an den TL494 dranbekommt.
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DC-DC Wandler 60V -> 15V?
dann da auch 6Stück davon und komme damit > schon wieder deutlich dem Fertiggerät näher :( Dicke FETs, die deine Strom schalten können, gibt es doch genug. Da wird man dem Switcher-IC schon mit einem externen FET etwas helfen müssen.
Maximum, die Gate-Anschlüsse der FETs halten meistens nicht mehr als 20V aus. Folglich brauchst Du eine Hilfsspannung, die ausreichend belastbar ist um das Regel-IC zu versorgen und die Schaltverluste der FETs tragen kann. Wenn Du so
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Ferrit-Trafokerne ETD59 "blind" gekauft. Vermutung war N27 o.ä., aber Aufdruck "M9-97" ?
www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap10/Kapitel10.html auch die gemessenen Kurven sind recht ähnlich. FETs sind IRF3205z im TO220 ohne Kühlung. Die werden nicht mal richtig handwarm. Eingansspannung ist 24V. So wie ich das über einen shunt messe ist der Strom beim Schalten nahe 0.
Zwischenkreiskondensatoren (die nach unten zeigten), die andere enthielt die Treiberbausteine für die vier FETs. Die Bohrungen für die FET-Anschlüsse waren so ausgerichtet, dass sie in diesem "Sandwich" genau übereinander lagen. Die Fets hatten TO220-Gehäusen, deren Anschlussbeine so lang gelassen waren, dass
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Unverstädnis N-MOS-FET
Wie groß ist die Last die du schaltest?
5V-Spannungsversorgung ist nichts weiter drauf. Das Ganze soll mal so aussehen: http://jreise.de/RCUSB/RC-Schalter.html (Mitte der Seite, PowerFET-Stufe) Das ist auch freifliegend verdrahtet, aber offensichtlich von einem bedeutend erfahreneren Bastler.
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Transistorschaltung zur Regelung einer Widerstandsheizung
1,5A liefern kann? > > Netzteil schafft bis zu 3A Wunderbar! Dann halbier den Widerstand, schalte ihn ganz herkömmlich per Logiclevel-N-Fet zwischen +15V und GND und spar dir den Käse
liefern kann? >> >> Netzteil schafft bis zu 3A > > Wunderbar! > Dann halbier den Widerstand, schalte ihn ganz herkömmlich per > Logiclevel-N-Fet zwischen +15V und GND und spar dir den Käse So reicht mir aber glaub ich die Heizleistung nicht.
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Transistor schaltet nicht ab
ein Fet hat kein beta als solches. es gibt sicher 800V Mosfets. je nach Strom, den du schalten musst, würde ich dir aber auch empfehlen deine augen auf IGBTs zu richten.. die machen das locker
... schrieb im Beitrag #3420770: > ein Fet hat kein beta als solches. > > es gibt sicher 800V Mosfets. je nach Strom, den du schalten musst, würde > ich dir aber auch empfehlen deine augen auf IGBTs zu richten.. die > machen das locker
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Persöhnlicher Alarm (DIY) zum Vertreiben von Angreifern
Ich bins wieder, kennt jemand einen Schalter, der mit einem Stift, den man aus einer Öffnung zieht, ausgelöst werden kann? Im Notfall ist es immer gut, wenn man den Stift dann wegwerfen kann, so dass der Angreifer den Alarm nicht so leicht deaktivieren
Ben B. schrieb im Beitrag #6790413: > Mit einem FET oder Darlington komme ich mit > der Stromaufnahme problemlos in den Bereich der > Batterie-Selbstentladung. Hätte die Schaltung FET + Schließer anstelle von Öffner denn irgendeinen Vorteil?
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Bipolar-Transistor vs. FET
Hy zusammen, kannmir jemand kurz und bündig den Unterscheid zwischen einen BT und einem FET erklären ? Beide sind da zum schalten, an beiden muss man an Gate ( oder Basis) ein eSpannung anlegen damit sie durchschalten. Also was ist dann der Unterschied ? Lg Nikolina
Ein Bipolartransistor schaltet bei einem *STROM* durch, und ein FET bei einer *SPANNUNG*. Beim Bipolartransistor bricht die Basisspannung auf ca. 0,7V zusammen, beim FET ist der Strom fast null (Gate-Kondensator). Außerdem können FETs meistens größere Spannungen
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Konstantstrom mit PWM zum LED dimmen
auch wenn es sich dabei auf 2 Semester Elektrotechnik beschränkt. Das es auf jeden Fall ein MosFet sein muss sehe ich ersteinmal nicht ein. Es gibt ja schließlich auch normale NPN Transistoren, mit denen man Leistungen schalten kann. Ich sehe ersteinmal kein Problem wieso der BC337 nicht eingesetzt
fällt. Werde mir dann aber noch einen passenden FET herraussuchen. Danke für die Erklärung.
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1A mit 5MHz schalten
Hmm 5 MHz warum will man das tun? Die Periodendauer liegt dann bei 200ns. Fet und IGBT würde ich bei der Frequenz ausschließen. Die Kapazität des Gates verhindert in der Regel so schnelle Schaltvorgänge. Bei Transistoren könntest du hingegen noch fündig werden.
Spannungsversorgung ist ein 5MHz Sinus / Rechteck? Oder: Du möchtest mit einem 5MHz Signal etwas schalten, um ein Bauteil mit 100V zu versorgen? Wie sieht welches Signal aus? Gruß
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Lineare Widerstandsschaltung
Verlauf. Eine Möglichkeit wäre ja zum Beispiel zweimal meine Paralellschaltung hintereinander zu schalten um dann die erste Paralellschaltung einen Widerstand in Reihe zu der 2. Paralellschaltung zu schalten.
her: das Design würde mich ja mal interessieren. Auch die 8 FETs als Schalter freuen sich natürlich über solche unerwarteten Impulse quer über drain und Source.
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Tiefentladungsschutz mit Attiny und P-Kanal Fet
Zukunft solche Fehler vermeiden kann. Ich nehme an das hat etwas mit den parasitären Kapazitäten des fets zu tun?
Erklärung schlüssig. Deswegen habe ich gerade direkt an den Pins des Tiny nachgemessen was beim Schalten des Ausgangs-FETs und somit beim Laden des entladenen 1uF Kerkos passiert. Man sieht einen Spannungseinbruch von knappen 1,5V. Wie gesagt, bisher hatte ich keine Probleme, aber da werde ich beim
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I²C pull-ups möglichst elegant abschalten (low power)
Beispiel Basisstrom des NPN), der mir die Batterie auf >Dauer leernuckelt. Wie wäre es mit P-FET zum Schalten, und damit die Ansteuerung keinen Strom statisch benötigt, ein CMOS InverterGatter, welches aus der vorhandenen Batteriespannung (HIGH) ein LOW zur Ansteuerung des P-Fets macht?
dass es keien Dioden gibt??? Matthias Lipinsky schrieb im Beitrag #3522128: > Wie wäre es mit P-FET zum Schalten, und damit die Ansteuerung keinen > Strom statisch benötigt, ein CMOS InverterGatter, welches aus der > vorhandenen Batteriespannung (HIGH) ein LOW zur Ansteuerung des P-Fets > macht
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Wann brauch ein FET einen Treiber
wollte ich noch einen 74HCT245 dazwischen hängen. Frage wie kann ich abschätzen wie schnell die FETs schalten können??? Ein Gatetreiber ist ja dafür da kurzeitig einstellige Amperebeträge ins Gate zu schieben um schnell zu schalten. Wie schnell geht das mit dem Logikbaustein oder brauche ich einen
> deswegen wollte ich noch einen 74HCT245 dazwischen hängen. Damit schaltest du ihn natürlich nur halb durch und er verträgt nur 1/4 des Stromes. > Frage wie kann ich abschätzen wie schnell die FETs schalten können??? 16.5nC = 16.5nAs, bei 1A also 16.5ns zum umschalten
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Reparatur Schaltnetzteil
Kannst du mal das Bauteil, Diode oder Z-Diode rechts Neben dem FET, ziemlich genau in der Mitte der Platine testen.
eProfi schrieb: >Oder schalte ihn zum originalen parallel. eProfi?! Alles klar.
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Schalter mit PROFET BTS555
die gleiche Turn On Time haben. Außerdem ist die Verlustleistung nicht ohne. Bei 100A pro Schalter kann man schon von 40W Verlustleistung pro Schalter ausgehen. Macht zusammen 160W, die erstmal weggekühlt werden müssen. Vielleicht doch besser auf N-Kanal MOSFET gehen, wenn machbar: http:/
die Bonddrähte weggebrannt sind. Das muß kein Vorteil sein, wenn man seine Anlage spannungsfrei schalten möchte...
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Immer Schweissstrom vorhanden
Maschine angestellt habe und an das Werkstück kam, brannte sofort der Draht ab ohne daß ich den Schalter an dem Griffstück betätigte. Auch das Gas strömte. Als erstes dachte ich es sei der Schalter am Griffstück, der ist aber in Ordnung. Muss der Schütz-, ( ich habe wirklich keine Ahnung von Elektrik
vera... kann ich mich auch selbst. Es muss ja irgendwo dran liegen, daß da immer ohne daß der Schalter betätigt wird, Strom anliegt.
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Bipolartransistor im Auto schützen
eine Last (350mA mit hoffentlich ausreichender Schutzschaltung, da Serienprodukt für Automotive) schalten. Dazu würde ich entweder einen NPN oder einen PNP Transistor verwenden, die sollen ja robuster sein als FETs und die (geringen) Verluste kann ich locker tolerieren. Das Steuersignal kommt von einem
beispielsweise eines Spannungsreglereingangs) er oft abgetrennt wird mit einem ausreichend spannungsfesten Schalter, siehe Verhalten der ProFETs. Damit der schnell genug reagieren kann, verlangsamt man den Spannungsanstieg durch vorgeschaltete LC Kombination. Aber über 50V ist auch schon nicht schlecht, hält
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TLE4905 über ODER-Gatter, Dioden?
öffnet der TLE und erhält am Ausgang wegen PullUp 5V. Wir müssen hier umgekehrt denken. "Schalten" heißt hier: Magnet weg, TLE bekommt am Ausgang 5V, und dieses Signal steuert den MosFET-Teil über die Optos. Trennung zwischen Steuer- und Lastkreis ist leider zwingende Vorgabe.
Andreas K. schrieb im Beitrag #6158824: > "Schalten" heißt hier: Magnet weg, TLE bekommt am Ausgang 5V, und dieses > Signal steuert den MosFET-Teil über die Optos. Deine Oder-Verknüpfung bedeutet dann: erst wenn *beide* Magnete gleichzeitig weg
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Könnte das so funktionieren? Mega8
Ah okay sorry, mit den Sensoren hast Du recht. Aber warum hängen die MosFets denn an analogen Eingängen? Wie gesagt damit kannst Du nur schalten und solang man noch genug digitales frei hat würde ich nicht auf die analogen springen, wer weiss was Du da noch verbauen willst.
Der 10K zwischen Gate und Source verhindert ein Schalten des FET wenn sich der Controllerausgang im hochohmigen Zustand befindet (z.B. während der Programmierung). Axel
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PWM mit Längstransistor schalten
R1 einen zweiten Widerstand parallel schaltest, der mit einem Transistor 'aus dem Stromkreis' genommen werden kann. Das wäre mein Ansatzpunkt. PS: Lass die 20ms Pausendauer links liegen. Die sind für das Servo ziemlich unwichtig. Wenn sich
Ja da war meine Idee zu R1 einen wiederstand parallel zu schalten und damit den Widerstand z.B. zu halbieren. Und bei den Servos kann ich dir auch zustimmen. Ton ist entscheident, Toff ist den Servos recht egal. Also R1 in einem Bereich von 5-27k und R2 auf
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BMS an Litium Akku anschließen
"nur" die Spannungsüberwachungen der einzelnen Zellen. Bei Unter- oder Überspannung einer Zelle schalten diese die großen FETs ab. Dazu noch etwas Mimik gegen Überstrom beim Entladen (nicht bei allen!), mehr nicht. Es fehlen deutlich sichtbar die großen Bleedingwiderstände typischer einfacher Balancer
nur" die Spannungsüberwachungen der einzelnen > Zellen. Bei Unter- oder Überspannung einer Zelle schalten diese die > großen FETs ab. Dazu noch etwas Mimik gegen Überstrom beim Entladen > (nicht bei allen!), mehr nicht. Es fehlen deutlich sichtbar die großen > Bleedingwiderstände typischer einfacher
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Aktiver Gleichrichter (synchron)?
Das prinip ist trivial. Einen gesteuerten schalter mit minimalen verlusten anstelle von einem satz Sioden einzusetzen. Worum geht es denn, um Leistung oder extrem kleine Signale ? Bei Leistung nimmt man MosFets, bei extrem kleinen Signalen auch Fets oder Analogschalter
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Links zu Datenblättern sowjetischer Bauelemente?
niemals offiziell dokumentiert waren. Mechanik konnten die Russen immer schon. Also sack ruhig an Schaltern und Steckverbindern ein was dir gefällt. Mehr als in Einzelstücken verbasteln kannst du die ja ohnehin nicht. Wir haben früher auch gerne Schalter , Einbauinstrumente und Elektromotoren vom MiG-Friedhof
offiziell dokumentiert > waren. > > Mechanik konnten die Russen immer schon. Also sack ruhig an Schaltern > und Steckverbindern ein was dir gefällt. Mehr als in Einzelstücken > verbasteln kannst du die ja ohnehin nicht. Wir haben früher auch gerne > Schalter , Einbauinstrumente und Elektromotoren
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Schneller MOS-FET gesucht
sehr stark von der Ansteuerung ab. Die Hauptfrage wird sein ob du innerhalb dieser Zeit das Gate des FETs vernünftig geladen und entladen bekommst. Ein guter FET-Treiber der einen hohen Strom liefern kann ist hier schon die halbe Miete. Für was wird der FET genau eingesetzt? PWM oder nur ab und zu mal schalten
Thread hier schon recht alt ist, doch ich bin auf einer ähnlichen Suche. Ich benötige einen MosFET der mit 5MHz Schaltfrequenz bei etwa 40V und 3A für eine PWM eingesetzt werden kann. Was für ein MosFET ist dafür geeignet und welcher Treiber? Danke.
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Schaltplanentwurf & Verständnisproblem zum HighSide n-Kanal Fets
mein Schaltplan. Allerdings komm ich an einer Stelle nicht zurecht. Es geht um den einen n-Kanal FET Schalter allerdings als Highside. Dazu benötigt man einen Fet Treiber. Und dieses Bauteil kapier ich nicht. Wie wird der denn nun angeschlossen damit der seine Aufgabe erfüllt. Im moment ist im
so ca. 4 Ampere und für den FET komme ich auf nicht mal 1 Watt Verlustleistung. Als zweite Funktion möchte ich die ZV sowohl mit einem Schalter im Amaturenbrett auf und zu machen können (an X3-1) und zum anderen soll diese sich
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Frage zu MSP430 Dokumentation für Einstieg
noch dessen Frickelportvorgänger MSP-FET430PIF der Fall war.
den USB-Stick für F2011 bis F2013. Jetzt schreiben sie im Internet: http://www.ti.com/tool/MSP-FET430UIF The next generation flash emulation tool, MSP-FET has been released and replaces the MSP-FET430UIF kit. The MSP-FET430UIF is no longer recommended for new designs. The MSP-FET430UIF is
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6kW LED Leuchte 1µs pulsen
Du kannst die Ketten nicht einfach parallel schalten, es gibt immer kleine Unterschiede der Flussspannungen, die dazu führen, das die Ketten unterschiedlich hell sind. Schalte besser jede Kette mit einem eigenen MOSFet und begrenze auf 2A.
Danke für die Links :) > Du brauchst also sehr kurze Kabel, solltest jede 2A Reihe einzeln > schalten. Oder anders gesagt: deine Probleme liegen da, von denen du > noch nicht mal was ahnst. Bei den 30 LEDs, hatte ich damit schon Probleme. Deshalb habe ich den FET inkl. Treiber direkt neben dem
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Suche Relais mit 5V Ansteuerung
Ich dachte auch schon an 2-3 Fets parallel.
Hei was haltet ihr von der Lösung: zwei von den FETs parallel (https://www1.elfa.se/data1/wwwroot/assets/datasheets/zuint_RECT_PmOSFET_TO-247AC_IRFP054_EN.pdf) dann muss ich ,da ich den FET als Schalter einsetze ,nur die Source auf Ground legen um
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Konstantspannungsquelle bis 12 V u. 6 A
FET etc....:-) Wenn du allerdings einen konkreten China-Vorschlag hast, wäre ich dir auch sehr dankbar. :-) Ciao, Olli
Halbe Kraft vorraus"-Einstellung, wenn die Leistungsaufnahme des Motors gleich der Verlustleistung am FET ist.