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90dB gesteuertes Dämpfungsglied aus China - Ein (etwas längerer) Bericht von der Front :-)
Bernd schrieb im Beitrag #6342783: > Wie macht man es dann? Das dürfte wohl alles FET-basiert sein, in GaAs oder SOI-Technologie. Bei moderner Kommunikatiomnstechnik hast du ja in jedem System reichlich HF-Schalter im Signalpfad, von den Bandschaltern bis zum Antennentuner, da kann man
Leistungsaufnahme für batteriebetriebene Geräte zu hoch wäre. Man findet einige Hinweise zur Konstruktion der FET-Schalter wie z.B. hier: https://web.wpi.edu/Pubs/E-project/Available/E-project-042616-135537/unrestricted/RFSwitchMQPReport.pdf
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Quarz ohne Kondensatoren
die Kondensatoren. Messe korrekt nach ob das Teil schwingt. Mit der Stromzange beidseitig, mit dem FET Tastkopf eingansseitig. OWD
Werskeinstellung via J20) WK6 Busverteilung und Spannungsversorgung - OK TRF7M sec IGBT Platine mit Schaltern - OK (Treiber, Dioden und Leistungsschalter funktionieren) TRF6M sec IGBT Platine mit Schaltern - OK (Hier sind noch 2 zusätzliche Leistungsschalter verbaut die ich nirgends finden kann. Platine
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AGM mit ICL7665 nachladen
schadenfrei in die Knie. Entweder der Transistor o. das NT gibt auf... geht kaputt. Ich würde den Fet als Lowside-Schalter einsetzen. Ein Shunt-Regelung ist das hier ja nicht wirklich! Und das NT nach der Diode einspeisen.
Hallo, ich habe das so verstanden, dass der Fet das Solarpanel kurzschliesst und dann nichts mehr über die Diode zum Accu fliesst. Da der Fet 30 A kann und das Solarpanel nur 2 - 3 A liefert, sollte der doch reichen. Das von mir geplante, nicht
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LTO über Solar laden
die NCP300xx-Familie von Onsemi an. Das ist praktisch deine gelbe Schaltung komplett (bis auf den FET) in einem SOT-23. Die brauchen max. 1.3uA, bzw. 0.9uA nach dem Abschalten. Das Poti dürfte auch unnötig sein, die Abschaltschwelle liegt (z.B.) zwischen 1.94 bis 2.06 Volt. https://www.onsemi.com
gewählt. Kann sonst entfallen. Die beiden Widerstände R5 und R6 begrenzen den Stromimpuls beim Schalten des MOSFET auf <5mA. Gemäß Datenblattangabe ist das der max. Strom an OUT. C1 ist eine gute Idee, wenn wir es mit Verbrauchern mit erhöhten Einschaltströmen zu tun haben; etwa Motoren oder starke
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230V Led Lampe drosseln?
ausgehend, den 1R60 raus und den anderen mit geeignetem MOSFET > überbrücken und Gate per Taste schalten, ergibt 2 Stufen. Oder nach > Belieben mehr. Das finde ich hoch interessant. Um es richtig einzuordnen: Hier wird der interne Widerstand/Übergang von C-E bzw. D-S ausgenutzt? Und das Schalten
folgt gegen Plus? Liegt da die gleichgerichtete 230V an? Und müsste ein Hochspannungs-Transistor/MosFet zum Einsatz kommen? Danke Leute.
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Halbbrücke bei WIG-Schweißgerät - MOSFET Steuerkreis
jetzt einmal, die Zenerdioden + Glaskugeldioden, Gate-Widerstände und die MOSFETs zu wechseln. Dann schalt ich das mal ein und mess die Ansteuerung mit dem Oszi durch.
gabs dann aber einen Knall, wobei es bei der + Seite der Halbbrücke ein Source-Beinchen an einem der FETs und die BYR29-800 Diode gesprengt hat. Die anderen Bauteile - insbesondere auch die neuen - sind alle i.O. Ich werde jetzt die neuen MOSFETs verbauen, welche ich eh schon rumliegen hab und eine aktuelle
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Bitte Hilfe bei Schaltung / Gartenbeleuchtung mit ESP steuern
Wieso nimmst du nicht einfach einen Shelly oder Sonoff und schaltest direkt das Netzteil ein und aus?
Gatewiderstand eher höher > zu wählen, wenn es nicht auf die Geschwindigkeit ankommt. Ein schnelles Schalten sorgt dafür, dass beim Umschalten von Aus auf Ein und umgekehrt der Transistor kürzer im lienaren Bereich ist. Also: halb durchgeschaltet (worst case) hieße in deinem Fall 6V und 0.6A am Transistor
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FET Mute-Schaltung
N-MOSFETs Q1..Q4 falsch herum eingezeichnet sind (S und D vertauscht). Das Ziel ist ja nach LO-GND zu schalten. Im vorliegenden Fall wären die V_GS ja VCC - LO-{RF,LF,RR,LR}; die FETs schalten also mal mehr, mal weniger durch. In dem Fall müsse dann evtl. auch die Ansteuerung über Q5 invertiert werden,
etwas gedauert :). Ok also Quasi so (siehe Anhang). Sollte man auf GND oder auf Audio-Masse schalten (daher ist aktuell auch noch die Lötbrücke eingezeichet) und sollte man vor oder nach dem 22u schalten? Weil die diese Version erzeugt ein Knacken beim Muten.
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MOSFET Basics
FET falsch herum. Bei dir ist Source oben und Drain unten.
MOSFETs (auch alle FETs?) haben parasitäre Dioden. Die Diode leitet in gezeigten Verschaltung.
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Wie schließt man eine Freilaufdiode an?
jeweils der Strom(85), welches schalten soll und Masse(86). Wo schließe ich jetzt jedoch die Diode an? Kommt die an die Versorgung des Relais(85) oder wo genau setzt man diese ein? Relais; https://www.ebay.de/itm/131877548479 Diode
elektronischen Steuergeräten parallel entwickelt. Ein Erfordernis, es war, diese Entwicklung. --- ProFET - High Side Switches, sind auf dem Gebiet, klar auf der Überholspur.
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Taster anstelle Drehpotentiometer
ppx_yo_dt_b_asin_title_o00_s02?ie=UTF8&psc=1 Wenn ich ihn mit einer kurzen Berührung auf die maximale Stufe schalte, lässt sich die Steuerung nicht mehr über die Fernbedienung schalten, was nicht sein soll. Lasse ich ihn durch eine Dauerberührung in die höchste Stufe "hochfahren", bleibt eine Steuerung über die
im Beitrag #6333951: > Das Ganze besteht nur aus einem ESP8266, einem Widerstand und einem > MosFet, Kosten ca. 5€ Ersetze den ESP durch einen Tiny 10. Dann kannst Du nebenbei den MosFet auch mit 5V ansteuern und hast da die bessere Auswahl. Ok, Ein Kondensator (Vcc/GND) kommt noch dazu.
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Netzteil Diagnosegerät 90er Jahre - Transistor geplatzt
erfolgreichen Test Den solltest du auf jeden Fall nicht gleich mit voller Netzspannung starten. Schalte da eine echte Glühbirne in Reihe mit der Netzspeisung, z.B. 60W oder 100W. Wenn die Lampe hell leuchtet, ist da noch ein Problem. Im Normalfall sollte sie kurz blitzen (Anlaufstrom) und dann schnell
doch Test ohne möglichen Knalleffekt ermöglicht. Aber eine Glühlampe auf Netzseite in Reihe zu schalten hilft ja auch schon.
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ADC Spannungsteiler Schaltungsvorschlag
doch? https://www.baldengineer.com/low-side-vs-high-side-transistor-switch.html/high-side-with-fet-pull-up#main
doch? > > https://www.baldengineer.com/low-side-vs-high-side-transistor-switch.html/high-side-with-fet-pull-up#main Nö. Denn du übersiehst, daß die Ansteuerung (Signal CONTROL) noch fehlt. Die muss nämlich bis auf deine Batteriespannung schalten. Wie hoch ist deine Batteriespannung? Was für eine
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Schneller NPN mit kleinem Vbe?
- danach hätte ich vermutlich plasmaartige Zustände am FET :P Darum ist noch ein µC dabei, der per differentieller Messung die Eingangsspannung und die Ausgangsspannung als auch den Ausgangsstrom misst und dann per I²T und SOA des FETs abschaltet. Was ich
anfing zu rotten. Heute sieht man da nur noch die Kappe des Multiplizierers sowie 8stk. parallele FETs und deren Treier-Päärchen. Die ersten FETs habe ich zweimal tauschen müssen (waren zuerst nur 4). Deshalb nur halb vergossen. Den Typ der FETs bekomm ich nicht mal mehr ansatzweise hin, ich kann
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Bürstenmotor Anlaufstrom & LiPo Akkus
gekauften Waffe ist das Problem wenig bis nicht vorhanden. Die benutzen aber auch einen mechanischen Schalter und haben sogar oft noch eine Schmelzsicherung verbaut.
Also die Schalt-Elektronik ist nichts spezielles...ist mer der Microcontroller der halt alles praktisch macht. (Einstellung von Schusskadenz, Abzugsempfindlichkeit und aufzeichnung von Anzahl Schüsse und so) Wenn
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Sprachlich missratene Anleitung für Step-Up-Wanlder eindeutschen, rsp erstellen
V ist, beginnt das Netzteil wieder mit dem Boosten. Methode 2: Legen Sie die Batterie ein oder schalten Sie die Stromversorgung. Wenn die UVLO-Lampe auf der Platine ausgeschaltet ist, stellen Sie das RV1-Potentiometer im Uhrzeigersinn ein, erhellen Sie die UVLO-Lampe und drehen Sie sie zwei Umdrehungen
Wenn die UVLO-Lampe eingeschaltet ist, drehen Sie das RV1-Potentiometer gegen den Uhrzeigersinn, schalten Sie die UVLO-Lampe aus und drehen Sie sie zwei Umdrehungen. (Anpassung an 10V-45V Spannung) Vorsichtsmaßnahmen: (1) Die positiven und negativen Pole des Ausgangs können nicht umgekehrt und nicht
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Ruhestrom Spannungswandler DC DC
between Input and Output during Shutdown Der TPS61046 z.B. kann das - oder halt ein N und ein P-FET..
Okay, dann schalte ich ihn komplett über den Vin?!
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RaspiPi mit 3,3V einen 5V Kreis wie schalten?
Ich verwende dafür den 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET *ZXM61N02F* Der N-FET kann bis zu 1,7A schalten und ist von der Bauform sehr klein.
Sollte einmal mehr Strom erforderlich sein, wobei 1,2A schon viele Einsatzfälle abdecken, kann man die FETs, aufgrund des negativen TK, problemlos parallel schalten.
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Schaltnetzteil selber bauen mit TL494
geil, @Luca! Es ist schön, Dich wieder mal zu lesen!! Mach mal nen Kühlkörper an den FET und schließe ne Glühbirne als Belastung ran! mfg
und kokelt schnell, wenn man was ändern will oder mehrere Netze am Pin hängen. Ebenso Leistungs-Fets (wenn man dann mal tauschen muss) oder Transistoren, die ihre Kühlkörper selbst tragen. Da sollten alle Beine wie beim Dreibein-Grill fest sein.
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Zwei Spannungen gleichzeitig, aber nur eine davon auswählen
lassen. Eine weitere Variante sind jeweils eine (Schottky-)Diode ind die beiden VCC-Leitungen zu schalten - mit dem Nachteil, dass eben 400-500mV fehlen werden.
> Eine weitere Variante sind jeweils eine (Schottky-)Diode ind die beiden > VCC-Leitungen zu schalten - mit dem Nachteil, dass eben 400-500mV fehlen > werden. Hmm, ist das echt die einzige Möglichkeit? Ein halbes Volt ist schon viel.
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N-MOS wie P-MOS treiben
#6325880: > verstehe ich das falsch? Tust du, du kannst auch mit 30V am Gate einen 1V Lastkreis schalten (sofern der FET für 30V am Gate gemacht ist, versteht sich)
den Spannungsabfall und damit den Hub am Gate. > So, jetzt nochmal: welchen Strom willst DU schalten? Welchen > Spannungsbereich? Strom ist doch völlig egal. Danach muss er den FET auslegen. Den Spannungsbereich hat er genannt: 12V oder 18V oder 24V, variabel eben, ohne die maximale oder die
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Problem mit N-MOSFET
einen Linear FET.
gespeichert. Diese Energie muss verbraten werden - teils von deinem 10mOhm Widerstand, teils von deinem FET. Wie die Aufteilung passiert hängt davon ab, wie schnell du den FET schaltest. Da ist eine künstliche Bremsung der Schaltflanke durch C1, R2 extrem ungünstig. Dein FET verträgt im Durchbruch eine
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Kaskodenschaltung
Da die fehlt und der Betreuer auch nix kann wird es ein spannendes Stueck Arbeit. Also diese 1200V Fet gleich in der 1000er Packung kaufen. Und erst mal mit einem, dann zwei, drei vortasten. Nach ein paar Versuchen siehst du, dass die FETs steckbar sein sollten. Also am Besten einen Stecker pro Stufe
Transistoren so etwas aufzubauen. Sibille S. schrieb im Beitrag #6324399: > Dateien: > Schalter.png > > 113 KB, 236 Downloads
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Induktivität/Hubmagnet schnell abschalten
Normale Diode! (Brauchst also zwei antiseriell) Die Spannung kann so hoch gewählt werden, wie der /Schalter/ verträgt.
wird kann der FET die Energie verbraten (ohne Freilaufdiode). Gruß Anja
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Gefunden Oder: Material zum Nulltarif
mit kleinen Magneten und Hallsonden in einer 3D-Gedruckten Mechanik genau die Schalter gemacht, die sie benötigen. Auch wenn die Schalter nicht mehr direkt etwas schalten sondern die Hallsonden per I2C an einem Mikrocontroller hängen. > Das ist doch das Problem mit langlebiger Technik
zum WR wenn man Strom ran gibt und der Schalter ist bereits auf ON, läuft der nicht an und plärrt nur. Das wird im Auto oder WoMo schonmal zum Wegwerfgrund führen. Aber bei "Strom IST anliegend" und der Schalter wird dann auf on gestellt
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Fire-TV Stromversorgung
dem Du nach Aktivität lauschen kannst und bei Aktivität die 5V des FireTV-Sticks schalten. Das sollte relativ einfach mit einem Controller und einem P-Channel FET zu lösen sein. Dann würde der FireTV angehen wenn irgendeine Aktivität am Fernseher erkennbar ist. Zu erkennen ob aber wirklich
...ich schalte auch nur aus Prinzip ab, nicht aus Paranoia. Klaus.
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Operationsverstärker in der Lehre noch zeitgemäß?
die Röhre kurz angerissen, weil sie ja in einigen Aspekten nicht sooo viel anders reagiert wie der FET... 73
bei mir: "Eine Röhre soll sich ähnlich verhalten wie ein FET". W.S. schrieb im Beitrag #6322562: > Und hier im Forum erlebt man Leute, die nicht mal richtig lesen (nämlich > verstehend lesen) können und die auch nicht mehr Grammatik und > Rechtschreibung
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12 V Max 1 Ampere am Stm32 3,3V
erstmal in LTSpice nachbauen. Wie stellst du dir in der Schaltung die Ansteuerung deines N-Kanal FETs vor? Wenn der FET durchgeschaltet ist, ist U_GS wie groß? Da geht der FET kräftig in den Linearbetrieb und bei deinen Verbrauchern kommt von den 12V nur ein Bruchteil an.
, sind immer noch D und S vertauscht. Zudem ist R3 etwas groß, er muss ja dafür sorgen, dass der FET auch wieder zügig abschaltet. Und falls du Spulen schalten willst, dann spendiere auch gleich noch eine Freilaufdiode an X1.
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LTspice: MOSFET vs. BJT
Anwendungen ist. Was für einen Anwendung hast du im Hinterkopf, bei der du 5V und 0,5mA schnell schalten willst? Wenn du - wie hier - tatsächlich nur einen Strom von 0,5mA schaltest, dann macht sich die Drainkapazität des FET stark bemerkbar. Die 0,5mA sind auch nur rund ein Tausendstel dessen, was der FET schalten könnte. Wenn du mit den geschalteten Strömen in einen Bereich kommst, in denen typische Anwendungen liegen, dann ist die Drainkapazität des FET sehr viel schneller aufgeladen.
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KFZ Transientenschutz
Verpolung anziehen, aber wäre das so schlimm ? Denk noch mal nach: was macht die Body-Diode des FET in dem Fall? Gruß Anja
Zumindest bei meinem indischen Motorrad schaltet die Elektronik alles Low-Side. Auch einige mechanische Schalter tun das. Aber nicht alle.
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Wandler Kühlschrank: Rätselhafter Schaltplan.
nachfolgenden diskreten OR/AND ergibt das wohl tatsächlich nur eine Totzeit zwischen dem High- und Low-FET. Das Ganze ist, nett gesagt, ziemlich Old School. Man kann auch sagen, arg verkrüppelte Bastelei, wenn man sich ein paar andere Details ansieht. Ich würde es aus Sicherheitsgründen entsorgen, s.o
Trotzdem würde ich da > noch einen Folienkondensator mit möglichst hoher Kapazität parallel > schalten. Was da auch so gemacht wurde. Steht halt nur als Text dabei, das Symbol fehlt im Schaltplan. Oliver
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N-Kanal Mosfet für PWM mit ESP8266 ansteuern - Schaltung ok?
Du hast eine total unsymmetrische Ansteuerung des FETs. Mit Q2 reißt du ihn recht zügig auf, bekommst ihn aber mit R1 nur langsam wieder zu. Bau dir das mit in LTSpice auf und guck dir die Flanken und die Verlustleistung beim Umschalten an.
und R4 alle etwa 4k7 groß machen und parallel zur B-E Strecke von Q2 noch einen 2k2 Widerstand schalten. Stefan K. schrieb im Beitrag #6316502: > Weil ich die genannten Teile hier liegen habe und dachte es ist ein > nettes Lern-Projekt. Das ist gut. Dann sollte zusätzlich zwischen Q2 und dem
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20W LED Chip blinkt dauerhaft
https://www.amazon.de/gp/product/B07MCGWLDY/ref=ppx_yo_dt_b_asin_image_o06_s01?ie=UTF8&psc=1 Schalte ich ein, fängt die LED sofort gleichmäßig und dauerhaft an zu blinken. Ich bin Laie und habe leider keine Messgeräte. Was mache ich falsch? Herzlichen Dank für Hinweise! Alex
alex schrieb im Beitrag #6316377: > Schalte ich ein, fängt die LED sofort gleichmäßig und dauerhaft an zu > blinken. Logisch. 1.5A in LEDs zu pumoen die maximal 0.6A vertragen, klar geht das schief. > Ich bin Laie. Was mache ich falsch
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MOSFET Defekt
Du nutzt den LED Treiber doch eigentlich überhaupt nicht, die Ansteuerung der Fets ,hätte jede noch so kleine MCU mit nem PWM auf einem IO gemacht. Was bei der Fehleranalyse natürlich hilft, einfach mal die Schaltung im Betrieb durchmessen ; )
60V-Typen, vorzugsweise "automotive". -100V oder +100V sind da auch mal locker drin. Ich würde den MosFET niemals direkt an die 12V Leitung klemmen. Ohne einer gewissen Schutzbeschaltung würde ich nichts an das Bordnetz hängen.
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Suche ein Starterkit
Bereich von µs. Sonst raucht es recht schnell. Die ADC Aufzeichnung soll schon kurz vor dem Schalten der Spule gegen DC anfangen. Die Kurven per USB an einen Rechner, ohne FTDI oder andere Zwischenchips. Da das ganze periodisch reproduzierbar ist, reichte ein STM32F103 aus. Die Abtastrate
halt) prima. Inkl. Auslesen einer Infrarot-Diode mit der ich die verschieden Beleuchtungsprogramme schalten kann. Fakt ist also. Es ist wie bei allen. Wenn man seine Sachen halbwegs optimieren kann, und die Hardware an die Aufgabe anpasst geht vielen mit kleinen Teilen. Ich würde ein Arduino
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Klimaregelung Audi 100 - alte Steuergeräte
Wucherpreisen aufzutreiben. Außerdem sollten sich die Ansteuerung von Magnetventilen und Motoren mit Power-FETs vereinfachen lassen, gegenüber "handgefeilten" Leistungstransistoren. Relais können kleben, oder die kontakte abbrennen, Freilaufdioden und Leistungshalbleiter sterben. Entweder du brichst irgendwann
einzelnen Steller weiter oder wird Luft angesaugt. Kleben vielleicht die Vakuumdosen? Falls die schalten, bleibt dann der Unterdruck im Gesamtsystem erhalten? Die Magnetsteller könnte man mit entsprechenden Signalen beaufschlagen. Der Bowdenzug zur Temperaturregelklappe wäre auch ein Prüfkandidat
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Kapazitive Berührungssensor Platine (hinter Glas) 5V - 12V (China-Bauteil ?) gesucht
(da wo man drauf drückt) leuchtet. Das Ausgangssignal der kleinen Platine habe ich mit einem MosFET verstärkt um auch 12V und höhere Ströme schalten zu können. Man kann den Sensor empfindlicher machen indem man anstatt des Touch-Pads (Kupferfläche auf der Vorderseite) eine Platine an den I-Pin
wo man drauf drückt) leuchtet. > > Das Ausgangssignal der kleinen Platine habe ich mit einem MosFET > verstärkt um auch 12V und höhere Ströme schalten zu können. > > Man kann den Sensor empfindlicher machen indem man anstatt des > Touch-Pads (Kupferfläche auf der Vorderseite) eine Platine an
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Arbeitet ihr lieber mit SPI oder I2C Bauteilen?
und es waer natuerlich auch denkbar einen Sensor bei einem Problem die Betriebsspannung weg zu schalten. Und Potentialtrennung fuer I2C war auch lange Zeit eher doof zu machen, da gibt es aber mittlerweile ICs die das koennen. Olaf
im Beitrag #6309973: > +1 für SPI, simpel, schnell und robust. +1 für SPI, oder halt mit einem FET VCC für die I2C Slaves kurz wegnehmen. Macht der externe Reset Chip so nebenbei mit... Butzo
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P Kanal MOSFET mit hohem Widerstand.
so, beim Highside Schalter, dass ich den Verbraucher hinter dem MOSFET habe. Die Sourcespannung ist also ähnlich der Drainspannung wenn der durchgeschaltet ist weil R_DS_ON niedrig ist. Ich kann den MOSFET also nicht ausschalten
Plus und Minus nicht durcheinanderbringen. War durch die Benennung verwirrt. Jetzt habe ich die FETs anders herum eingelötet und die Schaltung funktioniert.
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MOSFET Power Dissipation
die angegebenen Leistungswerte ausgereizt werden, oder ist das die Leistung, die das Gehäuse des FET´s abführen kann?
Documents/Articles/Article_Linear_Power_MOSFETs.pdf aus: https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Schalt-Verluste google: The Power MOSFET Application Handbook - NXP
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JFETs wofür? Anwendung? JFET vs MosFET
Sven S. schrieb im Beitrag #6307427: > P-Kanal J-FETs Ich ging von selbstleitenden P-MOSFETs aus.
Ich verwendet JFETs gerne zum Schalten von analogen Audio-Signalen. Dazu schalte ich den JFET über einen Widerstand gegen Masse. Solange am Gate keine Spannung anliegt, schließt er das Signal praktisch kurz. Wenn ich -10V anlege, dann
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PMW Signal für MOSFET vom µC aufarbeiten
Schaltung 1kW liefern im CCM Betrieb bei größerer Eingangsspannung (230V gleichgerichtet). Ich nehme den FET um jetzt schonmal die Treiberschaltung zu designen. Lothar M. schrieb im Beitrag #6306524: > Was "schaltest" du sonst noch irgendwie in der Schaltung wo an? Wie ist > die Masse verbunden? Der
Versorgungsspannung von 20V (ca. 1,4A der > Treiber kann 2,5A Peak). ist das für die meistens FETs grenzwertig und für viele FETs zuviel. Welchen FET verwendest du denn? Wenn dessen Gate mal durchschlägt und niederohmig wird, stirbt in der Folge auch dein Treiber.
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IRF3202 laufend zerschossen
Ratestunde ist eroeffnet. Vielleicht hat er ja einen LM358 verbaut. Da stirbt auch ein "fetter" FET wegen zu langsamen schaltens.
Schalter (FET) und eine Glühbirne (Schaltreglermodul) in Serie zu schalten, braucht ihr einen Schaltplan? Abschließend vielen Dank an Lothar M. (den Sehenden unter den Blinden) für den EINZIGEN zielführenden
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Freilaufdiode präventiv einbauen? Welche Dimension?
weglasssen? >> Was würde passieren? Beim (ersten) Ausschalten einer induktiven Last wäre Dein FET kaputt.
Spannungsfestigkeit sinken. Vom Strom her sollte es reichen, es sei, dass Du eine sehr große Induktivität schalten möchtest.
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LSK 489, Bob Cordells Vorschlag (Application Note)
wieder am Anschlag. Das oben beschriebene Problem mit dem kleinen Sättigungsstrom betrifft beide FETs in einem Paar. 5 mA je FET geht schief, wenn die Fets weniger als den typischen Sättigungsstrom haben. Grob geschätzt trifft dass 50% der Exemplare. Wenn die Gatespannung dann zu positiv wird kann dies
nutzen oder auch nur eine OP. Die 1.5 nf + 68 Ohms am Eingng des OPs sollte man eher als teil der Fet Stufe sehen. Die Fets geben extra gain - da reicht unity gain stabil nicht mehr.
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Messpfad kurz mal für ein paar us unterbrechen
Mikrosekunden müssten sich mit FET Schaltern machen lassen. Kommt drauf an, wie steil die Flanken sein müssen. Ob die den hohen Strom schalten können weiß ich nicht. GaAs Halbleitern werden in der HF Technik eingesetzt. Da denke ich,
Udo S. schrieb im Beitrag #6305875: > und schalte Masse. Geniale Lösung .... Masse schalten ..... hier werden sie geholfen.
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Mit 3.3V Mikrocontroller 5V schalten
10 Fache davon wäre normal. mit PhotoMOS AQV252g Relais käme man aber hin, 3mA kann rund 1A schalten, reicht um echte vernünftige Finder Trennrelais zu schalten.
der früheren bzw. noch aktuellen Fassung VOR der Umrüstung auf MCU-Steuerung. Da sind es noch Schalter statt Tastern, und man muss immer den einen Schalter der zusammengehörenden Dreierpacks (von oben nach unten) ausschalten und dann den anderen Schalter an. Das nervt und ist unschön - daher die neue
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LED´s Parallel und in Reihe Geschaltet, ungleichmäßige Helligkeit
sind die positiven Versorgungen für die LEDs und die Transistoren sollen die Kathoden gegen GND schalten, die bereits mit zwei LEDs nachgeben und deswegen ist die Frage ganz oben erst entstanden. Da gehören auch Transistoren hin, bestenfalls als FETs. MfG
Leuchtdioden parallel schalten ist keine gute Idee. Wenn Du Dir mal die Durchlasskennlinie einer Diode anschaust, wirst Du feststellen, dass schon geringe Spannungsänderungen große Stromdifferenz zur Folge haben. Hinter einem
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Widerstand links oder rechter?
worauf ich biher keine Antwort gefunden habe. Um einen klaren Zustand bei Transistoren, die als Schalter genutzt werden, zu erhalten platziert man einen Widerstand von ~100k am Basis vom Transistor (hier NPN) nach GND. Welchen Unterschied macht es, ob man den Widerstand zwischen dem Basisvorwiderstand
ein bis zwei Größenordnungen kleiner sein. (Die Geschichte sieht natürlich ganz anders aus bei FETs. Aber hier geht es um Bipolartransistoren)