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Schaltplan eines P-Kanal-MOSFETs mit Last
+ 0V - S R = unendlich G D + 20V - P-Kanal-MOSFET sperrt
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Welche Bauteile sind das ?
G1: MMBT5551 von Onsemi. Der andere wohl ein p-MOSFET. IRLML6402?
TF1 könnte ein Vishay Si2337DS P-Kanal MOSFET sein.
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Sind ESP32/ESP8266 Module out of the box als WLAN Gateway verwendbar?
sein, entweder nach speziellen Boards Ausschau zu halten, die gleich Levlshifter odr LogicLevel MOSFETs drauf haben, denn gefühlt schlägt hier alle 2 Wochen jemand auf, der seinen LED Stripe garnicht, oder nur instabil zum Laufen bringt, wenn die "out of the Box" Controllerplatinen verwendet werden.
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mcp23017 pull up / Vorwiderstand erforderlich?
Oder: den I²C-Bus auch abschalten. Am Einfachsten: die I²C-"Pegelwandler-Schaltung" mit zwei Mosfets verwenden.
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Massetrennung beim Layouten?
Versorgungsspannung noch ein brauchbares Messsignals bei herauskommen. Die Frage, ob ein Transistor/MOSFET in Kollektorschaltung/Sourceschaltung zum Schalten von Versorgungsspannungen geeignet ist, wurde hier schon in unzähligen Thread in beliebiger Ausführlichkeit diskutiert. <spoiler>Die Antwort lautet
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET und Zener-Dioden
+VIN T1 IRFP240 +VOUT R1 560R R3 2k2 D1 BZX84-12 D2 BZX84-12 C1 10u C4 100n D3 BZX84-15 D6 BZX84-15
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Bauteilbestimmung: MMIC Amplifier mit Marking 03 und 06
Schaltung ist aus einem Coherent C55 CO2 Laser. Es scheint die Vorverstärkung für einen HF Power Mosfet SD57030-01 zu sein. Den Power Mosfet hats zerissen, daher meine Frage wie ich die MMICs prüfen kann? Fehler-Auslöser war ursprünglich ein Spannungsregler, der sich verabschiedet hatte. Angefeuert werden
viel Luft, die Coherent beim Design offen gelassen hat. Jetzt heißt es warten auf den Power Mosfet. Ich halte Euch am laufenden. Was mich noch wundert, das Signal für die Power Mosfets sollte doch ein Rechtecksignal sein, es ist aber bei beiden Lasern gleich, immer ein Sinussignal mit 100Mhz
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Positive Halbwellen
Regeltrafo. Ist es möglich diese Halbwellen Spitzenspannung bis ca 300 Volt mit Halbleiter z.B. Mosfet zu regeln ohne das sich die Form der Halbwelle verändert.
#7676873: > Ist es möglich diese Halbwellen Spitzenspannung bis ca 300 Volt mit > Halbleiter z.B. Mosfet zu regeln ohne das sich die Form der Halbwelle > verändert. Heutzutage geht der Trend dahin, sich den Sinus selber zu bauen, d.h. mit einem genügend schnellen PWM-Signal. Warum brauchst du für
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Brückengleichrichter mit Elko - Spannungsbegrenzung
es eine Lösung um den Wert um ca. 10V zu vermindern? Ich habe da bei Schaltungen mit Z-Diode und Mosfet nichts passendes gefunden. Eine Lösung mit Längstransistor gibt es sicher, aber der Aufwand um die Abwärme loszuwerden ist doch hoch. Anbei mal mein 1. Versuch mit Dioden in Serie und einem Lastwiderstand
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Mosfet Überschwinger trotz Snubber
Ben schrieb im Beitrag #7676797: > das Layout Über wie viele Kilometer ist Masse des MOSFET Treibers mit Source vom MOSFET verbunden, oder gar nicht ?
> Ben schrieb im Beitrag #7676797: >> das Layout > > Über wie viele Kilometer ist Masse des MOSFET Treibers mit Source vom > MOSFET verbunden, oder gar nicht ? hier das Layout rund um den Gate-Treiber sorry die Textfelder haben vorher gefehlt! GND-Layer hellgrün. Verbindung über Vias
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Schaltplan einer Leistungsschaltung mit MOSFET und Snubber
12V Schaltregler, VCC +24 VDC, D50 D2M10-M3/H_NE, J3 7796, R1 30HM, D21 SR12100-D10, 500mm, 1,5mm2, J1, 7796, R60W61005000K, C5, GND, J2 7796, D17 SMCJ60A, RC snubber, Q2 FDP150N10A-F102, R8 200V, TS4148_NE, D11, IC3 UCC27517DBVR, R4 16Ω, OUT, IN+, GND, VDD, IN-, CMD_1, C7 1uF, C9 100nF, C4 100uF
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SSR schaltet nicht bei Betrieb mit Widerstand
bei benannten Strömen jeweils ist. Daraus könnte man schließen, ob's sich nun um einen BJT oder MOSFET handelt. Ich traue dieser Möhre ja nicht. Dieses Video hat mich traumatisiert! :-(
Voltage-OK-Signal von den Akkus (Optokoppler) geht auf inaktiv und spätestens ein paar hundert ns später ist der MOSFET abgeschaltet - voila!
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12V LEDs langsam hochfahren
brauche also: Dimmbare 12V LEDs, dimmbaren PWM LED-Treiber, den Arduino samt Programmierung und MOSFET Endstufen. Ist das richtig? Und was ich weiter brauche, ist vor allem eine Ahnung, wie ich das alles zueinander bringe. Grüße Rainer
Rainer schrieb im Beitrag #7675934: > den Arduino samt Programmierung und MOSFET Endstufen. Von MOSFET Endstufen habe ich nichts geschrieben. Die LEDs werden vom dimmbaren PWM LED Treiber versorgt. Da brauchst du keine extra MOSFET. > Und was ich weiter brauche, ist vor allem
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Eine Frage zu DC/DC StepDown
Schaltwandler ohne Schottky Freilauf Diode. LT hat da sehr performante Käfer mit synchron-Steuerung für MOSFETS. Sind natürlich relativ teuer. Aber dafür bekommt man eben die gewünschte Performanz. Ich baute mit so einem vor Jahren in der Firma einen 5V 10A SD, der vollkommen kalt lief mit Eingangsspannungen
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Frage zu Induktivitäten
des MOSFET-Gates mit incl. Schwingungen. Und genau das sieht man.
Gate besser? Wenn dein Funktionsgenerator 50 Ohm Ausgangswiderstand hat, sollte das OK sein. Der MOSFET muss ja nicht in 10ns schalten, selbst 200ns sind hier schnell genug.
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Alternative Abwärtswandler LM2596
da sie z.B. keinen On/Off-Steuereingang besitzen, du also noch mindestens eine Schalteinrichtung (MOSFET mit Beschaltung) dazu zaubern müsstest. Womit und wie wird deine "kurze Zeit" gesteuert? Die angegebenen 3A der LM2596-Module sind allerdings eher als Werbespruch zu verstehen. Um diesen Strom nutzen
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Kurzschlusserkennung Mosfet
lieber ein neues Thema auf. Ich habe ja bei meinem Scooterprojekt das Problem, dass sich der Mosfet immer in Rauch auflöst und somit eine Art Kurzschluss erzeugt. Da ich jetzt mehrmals einen Ausfall des FETs gehabt habe und ich nach so einem FAll keine Möglichkeit habe, den Motor von der Versorgung
Leistungsmosfet regelmäßig (20kHz) kurz abgeschaltet, was dazu führen sollte, dass die Drainspannung dieses Mosfets kurz auf 36V (+ Diodenspannungsfall) hochspringt und genau das erkennst du dann. Wenn diese kurzen 36V-Pusle nicht mehr da sind, ist der Mosfet durchgebrannt. Gegen einen Kurzschluss im Motor
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Schaltplan einer CMOS-Schaltung mit MOSFETs
hvp, C7, c=[Cmos], r=100k, Q1, NMOS, D5, C5, r=100k, D4, Q3, NMOS, C6, r=100k, POS_DRAIN, Q5, NMOS, D2, D, GND, D1, Q2, PMOS, NEG_DRAIN, D3, C2, r=100k, Q4, PMOS, C3, r=100k, D6, C4, c=[Cmos], r=100k, Q6, PMOS, hvn
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Anfänger-Entwicklung einer Gärbox Steuerung
klemmts schon gewaltig.. Zum Schalten des Heizdrahtes (12V; ca. 1,5A) nehme ich doch besser einen MOSFET, den IRLZ44N, TO220 Gehäuse, anstelle eines Relais. Außer mir scheinen nun alle anderen zu wissen, wie die drei Beinchen dem Gate, Source und Drain zuzuordnen zu sind. Das Gate ist wohl der mittlere
ersten nennenswerten Versuchsaufbau. Er enthält bis auf ein etwas kleineres OLED-Display und den MOSFET bereits alles, denke ich. Jetzt geht's wie gesagt weiter am weitgehend unabhängigen SW-Modul OledPrint(), das für die Bedienung der Steuerung entscheidend ist.
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Verständnisfrage Verstärker
die Ansteuerung der Gates genau? Die Mosfets haben jeweils eine "fixe" Gatespannung (über die Spannungsteiler R7..R32), die Ansteuerung der Mosfets erfolgt dann jeweils über ihre Source: der Q1 zieht die Source des Q8 Mosfets nach Masse, die
im Beitrag #7674320: > Wie funktioniert die Ansteuerung der Gates genau? Q1 und Q2 sind keine MOSFETs, haben kein Gate. Die Gates hängen an einem Spannungsteiler und jeder MOSFET ist ein Sourcefolger, verstärkt also bloss den durch den Spannungsteiler möglichen Strom, scheinbar aber auch nur auf
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Backofen Siemens IQ500 defekt
, wenn ich den Text richtig verstehe: TOPSwitch-JX cost effectively incorporates a 725 V power MOSFET, high-voltage switched current source, multi-mode PWM control, oscillator, thermal shutdown circuit, fault protection and other control circuitry onto a monolithic device. Gefunden hier: https
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Astabiler Multivibrator mit TLC555 (LMC555)
#7679433: > Hallo, ich habe ja einen Schaltplan gezeichnet. Wie wäre nach dem > Ausgang 3 der p-Mosfet einzubauen. Wolf17 schrieb im Beitrag #7679276: > 1) wozu der überflüssige PNP? Nun p-Mosfet, wozu diese Hi-Side-Umstandskramerrei?
der Zelle aufgrund der wieder > einsetzenden Passivierung wieder steigen. > > Ein P-Channel Mosfet anstatt des PNP BJT würde die ganze Rechnerei > überflüssig machen. Besser durchschalten würde der auch noch. > > Ein 8-Pin uC mit einem N-Channel Mosfet als Schalter würde dein Problem > mit
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Schaltplan mit P-Kanal MOSFET und BC547 Transistor
MC Port, 1k, BC547, GND, R1, 2k2, G, S, P-Kanal, D, + IN, + OUT
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12V Verbraucher mit 3,3V Steuerspannung schalten
Plusleitung sinnvoll. Das zeigt die mitgelieferte Schaltung oben. Das einzig besondere ist der P-Kanal MOSFet. Wenn du einen ihm Basisvorwiderstand spendierst, kannst du stattdessen auch einen gemeinen PNP Transistor einsetzen.
Matthias S. schrieb im Beitrag #7673928: > Das einzig besondere ist der P-Kanal MOSFet. ... und die niederohmige Ansteuerung des MOSFETs. Wenn der MOSFET ein paar µs zum Umschalten braucht, wird ihn das bei der Belastung mit den paar mA nicht gleich umbringen. Der braucht keine 5mA
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Spannungsregler für AVR-µC im Auto (ATmega328P)
weniger als 5 mA. Bei laufender Zündung (also nicht zu Lasten der Batterie) soll der µC über MOSFETs seine Peripherie (OLED, NeoPixel, GPS-Modul, SD-Modul) zuschalten, welche unter 500 mA benötigt. Am einfachsten sollten diese Module vom Spannungsregler des µC versorgt werden - falls sinnvoller,
. Auch bei ausgeschalteter Zündung (also zu Lasten der Batterie) soll der µC alle 24 h über MOSFET geschaltet einen anderen Spannungsregler mit Strom versorgen, der einem SIM-Modul 5 V mit bis zu 2 A liefern kann. Hierbei hätte ich an einen LM 1085 IT5,0 gedacht (https://www.reichelt.de/ldo-spannungsregler-fest
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Unipolarer Schrittmotor
Es soll einfach nur lustig aussehen Dann nimm einen DC-Motor, mach mit deinem µC PWM und einen Mosfet. Deutlich einfacher als mit einem Schrittmotor.
soll einfach nur lustig aussehen > > Dann nimm einen DC-Motor, mach mit deinem µC PWM und einen Mosfet. > Deutlich einfacher als mit einem Schrittmotor. ich will das aber auch mit dem Schrittmotor verstehen wollen.
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Mosfet Identifikation
Hallo, Kann mir jemand helfen und sagen welcher Mosfet Typ das ist bzw.welcher kommt als Ersatz in Frage. Gruß Stefan
Ein 60V-MOSFET von Philips, ohne Ersatztyp 2000 mit PCN43 abgekündigt (S.18). Weitere Daten habe ich nicht gefunden, wird aber noch als "Aviation Part" angeboten. Arno
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[Kaufempfehlung gesucht] Umrüstung Taschenlampe auf Li-ionen
er einen Stepup-Regler. Und der braucht sowieso einen /undervoltage lockout/, sonst stirbt sein MOSFET bei zu geringer Eingangsspannung den Heldentod, weil er nicht mehr voll aufgesteuert werden kann. Folglich hat das jeder derartige IC integriert.
er einen Stepup-Regler. Und der > braucht sowieso einen undervoltage lockout, sonst stirbt sein MOSFET > bei zu geringer Eingangsspannung den Heldentod, weil er nicht mehr voll > aufgesteuert werden kann. Das kannst Du gerne behaupten, beweisbar und pauschal für alle Lampen zutreffend ist das ganz
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LDO power an Vout
halte diese Spezifikation für Bockmist. Sowohl das Ersatzschaltbild als auch die Verwendung eines p-MOSFET als Regelelement legen nahe, daß im IC eine Diodenstrecke zwischen Ausgang und Eingang existiert. Die im Fall der Bodydiode ungefähr die gleiche Stromtragfähigkeit hat wie der MOSFET selber. Die
haben können. Mit 5 V oder 3,3 V ist das kein Thema, ein 7805 braucht keine Diode. * bei LDOs mit MOSFET darf kein nennenswerter Strom durch die Backgate-Diode fließen. Jeder MOSFET wirkt rückwärts als Diode, so auch der interne. D.h. am Eingang sollte nichts angeschlossen sein, was dauerhaft Strom zieht
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Tabelle mit Berechnungen für MOSFET-Verlustleistung und Gate-Treiber
Mosfet Verlustleistung IRF1405PBF P 1000 W U 36 V I 35.6 A Duty-Cycle 0.5 Gateansteuerung 12 V Gatewiderstand 10 Ohm PWM freq 20000 Hz RDS 0.0016 Ohm ton 5.00E-07 s toff 5.00E-07 s Tj Tamb 60 °C Pv 14 W Rthjc
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Schaltplan einer optokopplergesteuerten MOSFET-Schaltung
230VAC/FH1 J3-SCHRAUBANSCHLUSS Lampe L N ACHTUNG: Geschalteter N Phase liegt immer an U8 4N35M +12VDC_ISO 1 2 3 NC 6 5 4 4N35 sollte mit LS0 Vorwiderstand auch an 5V betrieben werden können Q4 IRF840PBF Q3 IRF840PBF R12 10k GND 0VAC 0VDC_ISO
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Phasenanschnitt - Mosfet geht kaputt
Lampe eingebaut, getestet und jetzt ist wieder das gleiche Mosfet kaputt. Ursprünglich hatte ich eine PhasenABschnittsteuerung geplant, daher 2x Mosfet und kein Triac. Mit der bestehenden Lampe (Osram Halogen Superstar 64698 200W) hat das allerdings nicht funktioniert
Offenbar ist dein MOSFET an Überspannung sowohl am Gate als auch an Source/Drain gestorben.
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PWM BUZ11 Vorwiderstand
einem Spannungsteiler. Der Ausgang der SPS wird, wie üblich, ein PNP sein. Der kann das Gate des MOSFET aber nicht entladen. Und die 24V sind sowieso zu viel für das Gate des MOSFET. Nimm einen Spannungsteiler mit zwei mal 470 Ohm und begrenze die Frequenz der PWM auf wenige 100Hz. Der BUZ11 benötigt
Spannungsteiler. > > Der Ausgang der SPS wird, wie üblich, ein PNP sein. Der kann das Gate > des MOSFET aber nicht entladen. Und die 24V sind sowieso zu viel für das > Gate des MOSFET. > Nimm einen Spannungsteiler mit zwei mal 470 Ohm und begrenze die > Frequenz der PWM auf wenige 100Hz. > >
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8kW Wasserkraftwerk wiederbeleben und direkt einspeisen
Über Triac zusätzich zugeschaltete Kondensatoren könnte noch nachgedacht weden, aber das geht mit Mosfets heutzutage besser.
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Drei Lüfter batteriebetrieben mit Raspberry Pi steuern
, über die Du ja anscheinend hartnäckig nicht nachdenken willst. Danke dein Vorschlag mit dem Mosfet sagt mir sehr zu. Wenn es obsolet ist, seine HDD zu kühlen. Dann verzichte ich aber drauf. Ich könnte nunmal in Erfahrung bringen, dass das Kühlen die Lebensdauer erhöht. Aber wenn dem so nicht,
Bahtiyar schrieb im Beitrag #7673070: > Danke dein Vorschlag mit dem Mosfet sagt mir sehr zu. Wenn es obsolet > ist, seine HDD zu kühlen. Dann verzichte ich aber drauf. Ich könnte > nunmal in Erfahrung bringen, dass das Kühlen die Lebensdauer erhöht. Würde die permanent
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Gate Trafo für 3,85MHz
bringen? ;-) Wenn du nur so kleine Treiber verwenden kannst, blieben eigentlich nur noch kleinere Mosfets, vernünftig gekühlt. Ist nur leider verpönt, man möchte heute lieber alles mit den stärksten Mosfets aller Zeiten totschlagen.
kein Makerprojekt! Die viel größere und kritischere Verlustleistung sind die Schaltverluste der MOSFETs selber!
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SQJQ184ER-T1_GE3 Footprint
nicht. Wenn ich den bestelle passt dieser sicher nicht auf den Footprint. Der Pin 1 Punkt auf dem Mosfet im Datenblatt weist ja darauf hin, dass dieser von der Topseite her gelötet und Bottomseitig gekühlt wird. Auf dem PCB muss also ein Board Cutout sein, so wie ich das verstehe.
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Datenblatt eines Automotive N-Channel MOSFETs
Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET PowerPAK® 8 x 8L Reverse Single FEATURES TrenchFET® power AEC-Q101 qualif 100 % Rds(on) Thin 1.9 mm height Material categori for definitions of www.vishay.com TOP VIEW Bottom View
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Schaltplan und Simulationsergebnisse einer MOSFET-Schaltung
PhotoMOS_00.asc PhotoMOS_00.raw PULSE(0 14u 500u 10u 10u 2m 4) R3 1 J1 SST201 R2 12 M1 SP8K31 V1 12 gate C1 500p R1 100k .tran 3m I(R3) 60uA 0uA -60uA -120uA -180uA -240uA -300uA -360uA -420uA -480uA -540uA -600uA V(gate) I(R2) 8.8V 1.1A 8.0V 1.0A 7.2V 0.9A 6.4V 0.8A 5.6V 0.7A 4.8V 0.6A 4.0V 0.5A 3.2V 0.4A 2.4V 0.3A 1.6V 0.2A 0.8V 0.1A 0.0V -0.1A 0.0ms 0.3ms 0.6ms 0.9ms 1.2ms 1.5ms 1.8ms 2.1ms 2.4ms 2.7ms 3.0ms
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Sicheres Schalten von MOSFET-Relais
Wenn ich ein optisches MOSFET-Relais, hier ein Omron G3VM[1] schalte, ist der Schaltzustand dann garantiert, wenn kein Strom mehr durch die LED fließt? Normalerweise muss man die Gate-Kapazität über Pull-Down-Widerstände entladen
Wenn ich statt dem MOSFET-Relais ein elektromagnetisches Relais zum Schalten des Türsummers bzw. der Klingel verwenden würde, wäre hier auch eine TVS am Ausgang des Relais erforderlich, oder dann nur die Freilaufdiode an der
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Schaltnetzteil Verständnisfrage
Guten Abend, Ich beschäftige mich aktuell mit Mosfets und der DC-DC Wandlung. In dem angehängten Schaltplan habe ich ein Bereich markiert, bei dem mir nicht klar ist, für was die Kondensator-Widerstands-Dioden Kombi gut ist. Die Dioden parallel zur Induktion fungieren als Schutzdiode für den Mosfet das wäre soweit klar, aber was hat das mit den Wiederständen und dem Kondensator zusätzlich auf sich,.. Entstörung ? Danke😉
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Defekter Miele Induktionsherd
Herzchen. Platinen zerstören, ohne es zu müssen, ist nie eine gute Idee. Ausserdem sind die beiden MOSFet mit Sicherheit defekt, also müssen sie eben sowieso raus. Du hast also nach deiner Methode dann eine geflickte Platine und einen immer noch defekten Herd - Supersache, das. Ausserdem sieht das nach
Herzchen. Platinen zerstören, ohne es zu müssen, ist nie > eine gute Idee. Ausserdem sind die beiden MOSFet mit Sicherheit defekt, > also müssen sie eben sowieso raus. Du hast also nach deiner Methode dann > eine geflickte Platine und einen immer noch defekten Herd - Supersache, > das. > > Ausserdem
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Step-Up Regel-IC mit "MOSFET-Überwachung"
Alles was ich sonst noch gefunden habe benötigt Shunts und überwacht nicht wirklich den Drop am MOSFET.
Christof R. schrieb im Beitrag #7670100: > Drop am MOSFET Das heutige Chips den nicht mehr überwachen liegt auch daran, dass dieser zu ungenau ist, d.h. die Mosfet zu sehr streuen und temperaturabhängig ist.
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Bauteilsuche: MOSFET eines BMS
Beitrag #7670097: > BQ7694003. Also gibt es einen Shunt, und es wird nicht der Kanalwiderstand der MOSFETs dafür missbraucht. Baugröße der MOSFETs wird D2PAK sein? Für wieviel Zellen in Reihe, und mit welcher Chemie, wird das BMS verwendet?
sollen, dann müssen es LL-MOSFETs sein. Für 100V sind das rare Teile. Heute kann ich dir keinen Vorschlag mehr machen.
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[V] Hitachi-MOSFETs 2SK176/2SJ56
Hallo, noch so´ne Regalleiche... Aus unvollendetem Projekt hier je 15 Stück der "guten" MOSFETs. Waren schon mal verbaut, aber nie in Betrieb. Ca. 50% der Transistoren habe ich eben stichprobenartig geprüft und für funktionstüchtig befunden. Sollte im Nachhinein doch ein defektes Exemplar dabei
Hallo, die MOSFETs sind reserviert. Gruß Andreas
