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Leistungs-MOSFET IRF3708 in Plastikbeutel
IRF3708 PD47D C837
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Spannung zwischen BNC-Masse und Schutzleiter
Transistoren sind bei mA nicht gefährdet. Anders sieht es bei ungeschützen Gates von FETs oder MOSFETs aus. Aber die sind noch leichter durch statische Entladung zu beschädigen.
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LiIon Battery Packs
eine Spannung > 4V, trotzdem hab ich keine Ausgangsspannung. Da ich im Ausgang jeweils zwei dicke MOSFETs (IRFB7437) entdeckte, hab ich die bei einer Ridgit-Platine mal ausgebaut und getestet. Die waren aber offensichtlich OK. Jetzt kann ich mir nur vorstellen, das der in der Lade-/BMS-Schaltung verbaute
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Tektronix TDS744A Netzteil
auf das Servicemanual welches ich reingestellt hatte. Da heist der Trafo auch T7 und es ist ein Mosfet als Transistor eingebaut. Hinz hat mir freundlicherweise einen Ausschnitt hier eingestellt, was meine Version wohl eher entspricht. Da heist der Trafo T3 und es ist ein bipolarer Transitor drin.
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USB Power und gleichzeitig VIN mit 5V
immer die GNDs verbinden. Wenn du eine der beiden Eingänge priorisieren möchtest, wäre das mit MOSFETs möglich.
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AEG Steuerplatine
Mosfets und den MC einfach tausche und schaue was passiert?
wird? Nein. > Was wäre wenn ich die Mosfets und den MC einfach > tausche und schaue was passiert? Geht viel einfacher: Fenster auf, Geld raus.
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Ersatz für BF556C
Man kann auch nach "BF556C equivalent" suchen, und findet z.B.: https://alltransistors.com/mosfet/transistor.php?transistor=1248 und von da aus https://alltransistors.com/mosfet/crsearch.php?&struct=FET&polarity=N&pd=0.25&uds=30&id=0.007&rds=1000&caps=SOT23&cf=on Nicht wundern, dass da meistens "MOSFET" steht, obwohl es ein junction-FET "JFET" ist. Ein paar JFET stehen auch in der Liste. Die anderen einfach ignorieren, Computer sind doof.
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Spannungsproblem 18650 akku 6S BMS
Dein BMS ist (noch) abgeschaltet. D.h. der Mosfet auf dem BMS wird nicht aktiviert. Entweder weil defekt oder weil was anderes defekt ist oder weil Du das BMS nicht korrekt verkabelt hast und der Steuerchip aus Sicherheitsgründen abgeschaltet hat
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Welches ist euer Lieblingstransistor?
BD245/246 oder (etwas kleiner) BD441/442. Und dann natürlich als Schalttransistor den N-Kanal Mosfet BUZ11. Wirklich "nachtrauern" tu ich allerdings einem BF245, der war so herrlich gut für "automatic gain controll" in Operationsverstärkerschaltungen. Und Transistoren heute? Die Faszination ist
besonderes. Aber na gut, ich schreibe mal meine aktuellen "Lieblingstransistoren": A2SHB N-Mosfet in SOT-23. Kennt keiner? Doch sicher. Das ist das gängige Marking für Si2302. Der wird so oft und von so vielen nachgebaut, dass das Marking häufig statt der Typbezeichnung verwendet wird. Den gibt
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Simulation : Wieso hat V2 Kurzschluss ?
Ich würde dem Q1 einen Widerstand in Reihe zur Basis spendieren, ist ja schließlich kein MOSFET. Ich gehe mal davon aus, daß U2 kein VEE am Ausgang schafft, d.h. Q1 wird auch nie sperren.
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Hilfe 3. ESP kaputt, MOSFET Schaltung
kaputt gemacht und weiß > nicht warum. Kann da jemand helfen? Die 5V, die über D0 oder D1 auf die Mosfet-Gates geschaltet werden, landen über die Gate-Drain-Kapazität der Mosfets direkt an den GPIOs. Je größer die Mosfets sind, umso sicherer werden die Eingänge zerschossen. Man kann die Eingänge mit
Arno R. schrieb im Beitrag #7616733: > Die 5V, die über D0 oder D1 auf die Mosfet-Gates geschaltet werden, > landen über die Gate-Drain-Kapazität der Mosfets direkt an den GPIOs. Je > größer die Mosfets sind, umso sicherer werden die Eingänge zerschossen. > Man kann die Eingänge
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Alternative zum IRF3708
zur Mitte gebogen, etwas Lotpaste aufgetragen, den MOSFET aufgelegt und auf einer Leiterplatte liegend mit durch den Reflowofen fahren lassen. Mit einer 36-poligen Stiftleiste hatte ich so nach kurzer Zeit 12 steckbare MOSFETs.
Wenn man den MOSFET noch mit Schmelzkleber kapselt, dann ist das Konstrukt des Q&D-Threats würdig ;-)
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Alternative BC327 und 337
Mit denen kann man so ziemlich alles in dieser Anwendungsklasse machen. Gilt auch für 2N7000 MOSFET. BSS138 ist gut für Logic-Level Anwendungen. Gerhard
vorrätig zu haben, mit denen man sowohl analoge als auch digitale Schaltungen aufbauen kann. MOSFET gehören auch in die Vorratskiste, keine Frage. Aber um die geht es hier nicht.
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Schaltplan mit P-Kanal MOSFET und BC547 Transistor
MC Port, 1k, BC547, GND, R1, 2k2, G, S, P-Kanal, D, + IN, + OUT
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Kennlinien eines MOSFETs
1000 VGS 10V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V BOTTOM 100 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 1 0.1 1 TOP 2.5V 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C Fig. 1 Typical Output Characteristics 1000 VGS 15V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V BOTTOM 100 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 2.5V 1 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 20µs PULSE WIDTH TJ = 175°C Fig. 2 Typical Output Characteristics 1000 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 1 TJ = 25°C TJ = 175°C 1 2.0 3.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 Fig. 3 Typical Transfer Characteristics 3.0 ID = 77A 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRF3708/S/LPbF International IOR Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 — — V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.028 — V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — 9.5 13.5 mΩ VGS = 10V, ID = 15A — 14.5 29 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A — — — mΩ VGS = 2.8V, ID = 7.5A VG(th) Gate Threshold Voltage 0.6 — 2.0 V VDS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current — — 20 µA VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C — — 100 µA IGSS
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Schaltplan mit LEDs, Widerständen und MOSFET
Bat1 3V R1 820K R2 300R LED2 T1 IRLML2502 LED1 BPW34
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Bauteil Identifikation Gleichrichter
Das ist ein BSS100 MOSFET.
Dieter W. schrieb im Beitrag #7615675: > Das ist ein BSS100 MOSFET. Vielen Dank. Gibt es dazu einen Ersatztyp, den bss100 bekommt man nicht mehr so einfach Stelle ich gerade fest
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Kennlinie eines MOSFETs
1000 VGS TOP 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.5V ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 4.5V 1 20µs PULSE WIDTH TJ = 25 °C 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
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Step-Down-Spannungsregler stört ESP8266 oder MOSFET?
G-S Widerstand fehlt. Und für 20kHz hat der ESP zu wenig Treiberleistung für so einen dicken MOSFET.
Ein MOSFET ist ein analoges Bauteil, der schaltet nicht plötzlich voll ein. Barish schrieb im Beitrag #7614860: > Gibt es ein MOSFET, was ähnlich hohe Ströme bereits mit 3,3V sicher > schalten kann (bitte
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RGBWW-LED Lichtband über Steuerspannung auf blau schalten
Controller hängt dann nur mehr an Plus, LED-Bänder arbeiten Der Controller wird intern 5 N-Kanal-Mosfets für seine 5 Ausgänge haben. Einen habe ich dir eingezeichnet. Überleg dir, was die Body-Diode im FET bewirkt, wenn du "von Hinten" GND anschließt.
diese Fünf, werden also Hochohmig und dein "+1" Mosfet steuert jetzt vorherrschend den Blauen Kanal. Vorausgesetzt, man darf die einzelnen Farben des LED-Streifens einfach so gegen GND ziehen, weil eben schon passende Widerstaände im Streifen verbaut sind
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Defekter Gleichrichter oder Elko?
kleinen Strom von Drain an Vcc fließen lassen, den dortigen C aufladen bis die Logik anfängt den MosFet durchzuschalten und sich damit dann über die Sekundärseite der Spule zu versorgen. Leider passiert da gar nichts, keine Spannung an Vcc messbar. Ursprünglich hatte es FB920, den C925 und die beiden
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Reparatur EIZO Flex Scan EV2750 (IC Name gesucht)
die Lupe genommen. Augenscheinlich ist nichts kaputt und alle großen Halbleiter, sprich Dioden und Mosfets wurden mit dem Multimeter geprüft und sind in Ordnung. Der Zwischenkreiselko hatte sich auf 300V aufgeladen (hatte den Monitor zu Beginn einmal angeschlossen und getestet). Da ich nun erstmal weiter
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Alte 6502/Z80-Systeme:Ohne CPU betreibbar zum Batterie-RAM Auslesen?
kollateral etwas. Das ist das eine, das andere ist die veraltete MOS-Technologie – überwiegend mit N-MOSFETs z.B. als HMOS etc. hergestellt – die Teile sind deutlich empfindlicher als die heutige CMOS-Technologie, die z.B. fast überall, wo es geht, integrierte ESD-Schutzdioden beinhaltet. Und noch das dritte
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4426A Treiber
ARDUINO UNO r3, IOREF, RESET, 3.3V, 5V, GND, GND, Vin, A0, A1, A2, A3, A4, A5, AREF, D13, D12, PWM D11, D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, D5, D4, PWM D3, D2, TX D1, RX D0, TC4426A, IN A, OUT A, GND, VDD, IN B, OUT B, Vsupply, R_L, Beispielschaltung TC4426A
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4426A Treiber
ARDUINO UNO r3, AREF, GND, D13, D12, PWM D11, PWM D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, PWM D5, D4, D2, TX D1, RX D0, A0, A1, A2, A3, A4, A5, Vin, GND, 5V, 3.3V, RESET, IOREF, TC4426A, IN A, GND, IN B, OUT A, VDD, OUT B, R_L, Vsupply, Beispielschaltung TC4426A
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4226A Treiber
ARDUINO UNO r3, AREF, GND, D13, D12, PWM D11, PWM D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, PWM D5, D4, PWM D3, D2, TX D1, RX D0, A0, A1, A2, A3, A4, A5, Vin, GND, 5V, 3.3V, IOREF, RESET, TC4226A, IN A, GND, IN B, OUT A, VDD, OUT B, R_L, Vsupply
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Ersatz 2k-bit PROM SN74S471
parat zu haben (PROM mit physisch durchbrennenden Verbindungen als Bitmatrix und auf ein Gate eines MOSFETs durchgetunnelte Elektronen in einem modernen EEPROM/FLASH ist etwas anderes, auch wenn es nach Außen genauso wirkt). Man weiß ja nie, was kommt oder passiert. Wären im Gerät noch weitere, andere PROM-Speicher
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IGBT Modul SKM150GAL12T4 brennt durch
Anbsteuerseitig praktisch ein N-FET, mit allen Eigenschaften. hier: https://wolles-elektronikkiste.de/der-mosfet-als-schalter habe ich das gefunden: "Alternativ könnt ihr Gate-Treiber ICs als fertige Lösungen kaufen" Siehe Anhang. Ich habe mir bei Reichelt zwei IR 2121 und zwei TLP 250H(F) sowie ein paar
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[V] Ringkerntrafo 2 * 45V 11A
Beitrag #7613600: > Optimal für einen fetten Power Amp... Ja. Der hätte damals exakt für den 600W Mosfet-Amp von Elektor gepasst. -und im Verhältnis zum hier angefragten Preis ein Vermögen gekostet. :-)
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YT-Fundstück: IGBT-basierte Induktionsheizung
#7613038: > Wer also mal Bedarf hat etwas glühen zu wollen. IGBT-basierte Induktionsheizung – kein Mosfet, keine Dioden, kein Widerstand, keine Spule. ergo Gauner.
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ESP, N-Mosfet 12V Fan PWM mit Mos-Modul
Forumsmitglieder, ich versuche mich gerade an einer PWM-Steuerung um einen 12V Fan via ESP über Mosfet zu dimmen, zumindest soweit es er mit der benötigten Spannung erlaubt . Frage: Ist es korrekt das der GND des ESP, gleich der GND der 12V Spannungsversorgung sein muss, damit ein Mosfet nicht
da es ein PC Lüfter ist ich wollte aber die Mosfetschaltung und nehmen wo er über GND über den Mosfet gedimmt wird
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Verdrahtung ESP8266 mit MOSFET-Modul
ESP8266, WI-FI, MH MOSFET Module, STG, UCC, GND, PSU, GND, 12V+ DC, 0-12V+ DC, GND
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HighSide-Treiber AUIR3242STR
MPP-Tracking und den Buck-Converter habe ich mit dem IR2104 und entsprechend Highside- und Lowside N-MOSFET vom Typ CSD19505 umgesetzt. Nun zur eigentlichen Problemstellung: Mit dem Buck-Converter lade ich meine Batterie. Zum Entladen über einen Wechselrichter ist ein Highside-N-MOSFET geplant (CSD19505
Den Tiefpass hätte ich mit 10kOhm und 100nF bestimmt. Da der Treiber invertiert (In-Pin High -> MOSFET durchgeschaltet) arbeitet, würde ich als Sicherheit gerne einen Pull-up-Widerstand einsetzen, der den Eingang beim deaktivierten uC auf 3,3V hochzieht. Hierzu ist ein 10kOhm-Widerstand geplant. Macht
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3 x INA114 am selben Shunt?
nicht sowas wie den INA139 verwenden, da kannst du im Spezialfall den Lastwiderstand mit einem MOSFET umschalten?
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Schaltplan einer Stromversorgung mit zwei Quellen
2 Sources / Polarisation safety INPUT OBD_12V D3 SS14 Q2 IRLML5203 3 2 OUTPUT VCC_5V_OR_12V_PLUS 1 47k R2 INPUT VCC_5V_USB GND
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Schaltplan und Oszilloskop-Messkurve einer MOSFET-Schaltung
Draft1.raw V(n003) 12V 11V 10V 9V 8V 7V 6V 5V 4V 3V 2V 1V 0V 0s 1s 2s 3s 4s 5s 6s 7s 8s Draft1.asc R4 10 V1 5V R1 47000 M1 IRF7204 R2 1000 V2 M2 47000 IRF7204 PULSE(0 12 1 0.2 0.2 1 2 6)
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Schaltplan verschiedener Spannungsversorgungen
5 Volt Supply (100 mA) OUTPUT +5V U1 L78L05_5OT89 INPUT VCC_PLUS_FUSED IN OUT GND C8 C_Polarized GND Polarisation safety Q1 IRLML5203 Q2 IRLML5203 INPUT VCC_5V_DR_12V_PLUS OUTPUT GND R1 R2 OUTPUT 3.3 Volt Supply +3.3V U2 LM2596S-3.3 INPUT VCC_PLUS_FUSED VIN FB OUT C6 C_Polarized C11 SRR1260-470M C9 C_Polarized D2 SS34 R3 R4 R5 GND GND GND Enhanced Buffer for A760B Chip - need >1000uF OUTPUT +3V8 C_Polarized C1 C_Polarized C2 C_Polarized C3 C_Polarized C4 C_Polarized C5 GND 3.8...3.9 Volt Supply +3V8 U3 LM2596S-3.3 INPUT VCC_PLUS_FUSED VIN FB OUT C12 SRR1260-470M C10 C_Polarized D1 SS34 R6 R7 GND
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Mosfet-P-Kanal
Variante zu der ich noch keine Aussage hier bekommen habe. Ich denke immer noch das ein P-Channel mosfet 'umgekehrt' angeschlossen und mit dem Gate an die optionalen 12V angeschlossen genau seinen Zweck machen dürfte... die (mosfet-)Diode wird schützen ... und der Mosfet wird dank Ug-Us bei 0 volt liegen
Martin B. schrieb im Beitrag #7611834: > Ich denke immer noch das ein P-Channel mosfet 'umgekehrt' angeschlossen > und mit dem Gate an die optionalen 12V angeschlossen genau seinen Zweck > machen dürfte... die (mosfet-)Diode wird schützen ... und der Mosfet > wird dank Ug-Us bei 0
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Schaltplan mit zwei MOSFETs zur Spannungsregelung
INPUT Q1 IRLML5203 3 2 Q2 IRLML5203 3 2 OUTPUT VCC_5V_USB VCC_5V_OR_12V_PLUS R R1 R2 GND OBD_12V GND
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1 Volt Spannung am OPAmp
> Jetzt fiel mir auf, dass ich ca. 1 Volt Spannung am Ausgang des OPVs > bzw. am Eingang des MOSFETs habe. > Meine Vermutung ist, dass das an der hohen Verstärkung des OPAmps liegt. > Stimmt das Nein. Deine Rückkopplung liegt an plus, nicht am OpAmp Susgang. Ein nur mit 0V am Minusanschluss
: > Jetzt fiel mir auf, dass ich ca. 1 Volt Spannung am Ausgang des OPVs > bzw. am Eingang des MOSFETs habe. Gib doch mal den Typ an. Mit R2R-OPV sollten es nur noch etwa 100mV sein.
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Schaltplan mit Messwerten einer Simulation
20Hz, 10k, 210.4µA, 2.1V, 47k, 803.6µA, 12V, 283.7nA, 12V, 1k, 500m, 500m, 0A, 1V, 100k, 10.1µA, 0V, 793.5µA, 0V, 11.6pA, Max=11.442 V
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Implementierung einer CCT LED mit ELG-100-36-3Y Netzteil und PWM-Dimmung über Arduino
dass dieses Setup funktionieren würde? Gibt es spezielle Überlegungen bezüglich der Auswahl der MOSFETs für die PWM-Dimmung? Ich plane ein Standard-2CH Mosfet Modul von amazon zu nutzen. Jegliche Einblicke oder Vorschläge zu diesem Plan wären sehr willkommen. Vielen Dank im Voraus für eure Unterstützung
Hutschienen NT. Da kann man die Spannung von 3V bis 52V und die Strombegrenzung ab 2A einstellen. Die MOSFETs habe ich über OK mit ca. 10V angesteuert. Gruß Carsten
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Artikel
Versorgung aus einer Zelle
Artikel Speicher über EEPROM gezeigt wird. Für die Netzteilseite kann eine Schottky-Diode oder ein MOSFET verwendet werden, um den Spannungsabfall zu senken. Für die Lithiumzelle darf keine Schottky-Diode verwendet werden! Denn diese haben einen merklichen Rückstrom, und der Spannungsabfall einer gewöhnlichen
der relativ hohe Spannungsabfall (300..400 mV über Schottky-Diode). Besser ist der Einsatz eines MOSFETs zum Schalten der Netzteilspannung: Ein p-Kanal-MOSFET, wenn keine ungeregelte (höhere) Spannung zur Verfügung steht, oder ein n-Kanal-MOSFET, wenn eine höhere Spannung für das Gate verfügbar ist.
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 2R 24V_OUT 75K 10V 75K ENABLE GND GND
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 250nF 75K 10V 24V_OUT 75K GND GND
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Drahtlose Stromübertragung
Aussagen, das ich Festspannungsregler probiert habe. Es sind zwei flache Spulen, 61kHz, getaktet mit Mosfet per 555(wie im Video).
D. J. schrieb im Beitrag #7610724: > Es sind zwei flache Spulen, 61kHz, getaktet mit Mosfet per 555 Wir liiiieeeeben Schaltpläne in Prosa. Da kann man sich wenigstens alles so zurechtreimen wie man es selbst braucht. D. J. schrieb im Beitrag #7610724: > wie im Video Ach so, _das
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Akustik Steuerung flashlight
Beitrag #7610998: > am analogausgang noch ein Relais das die 3,5 a der LEDs schafft Eher ein MOSFET am digitalen Ausgang. Relais können nicht analog arbeiten und sie vertragen nicht so viele Schaltzyklen.
drain Strom bei ca 3,5A aber mit den ganzen anderen Angaben der kann ich nichts anfangen… welchen mosfet müsste ich denn nehmen? Gruß Christian
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Schaltplan einer Transistor-Treiberstufe mit MOSFET
L1 CMLH0704S102MTT Kl.15 R1 1k Q1 BC807 R2 4k7 PWM1 D1 SMAJ15CA-TP C1 100µ R3 100R R4 1k Q3 BC807 Q2 BC817 Load1 Q4 VNB14NV04 GND1
