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Wie 1V, 1A schalten?
Voltage ICs liegt oft darin. Es sind bipolare ICs, also alles schön NPN oder PNP Strukturen, keine MOSFETs.
DMN1019 > > DMN1019, verschiedene Packages Liest hier keiner die Antworten? Es gibt solche Mosfets
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MOSFET - einige Fragen
Hallo, ich habe gelesen, dass man bei MOSFETS auf eine schnelle integrierte Diode achten soll. Warum? Ergibt sich die Diode aus dem interenen Aufbau des MOSFET oder ist das ein "separates Bauteil" auf dem Silizium? Bei einem IPB011N04L
, nicht den mit Mosfets ;)
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Poti zwischen OPV Betriebsspannung, wo für?
eigentlichen Leistungs-Darlingtons. Wo hast Du da Leistungs-Darlingtons entdeckt? BUZ21 sind MOSFETs.
und T12 bzw. R26, R21 > und T11 wider. C14 entspricht dabei in etwa der Eingangskapazität der > Mosfets. Dadurch verhält sich die Schaltung so, als ob der Opamp > (bezogen auf das jeweilige Source-Potential) die Mosfets direkt über den > jeweiligen Gate-Vorwiderstand ansteuern würde. > > Um den
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Funkschalter für Teichpumpen mit Solarpanelen
Bistabile Relais oder passende Mosfets.
wird es da kaum geben. Einen Selbstbau schließt du ja leider aus. Mit einem Arduino und ein paar MOSFET müsste man das relativ einfach hinbekommen.
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MOSFET ersetzen
Schau, wieviel Spannung die Ansteuerung liefert - und ob die noch funktioniert. Dein Mosfet sollte mit deutlich oberhalb 5V angesteuert werden. Bei Ganz-Billig-Umrichtern ist es auch sinnvoll, die Leiterbahnen auf Unterbrechungen zu prüfen. Das hat mich schon 2 ausgetauschte Mosfets gekostet
sagt 35 Ohm zwischen Plus und Minus. Da wird wohl ein Kurzschluss sein.. Is das typisch wenn ein MOSFET defekt ist? Auf den Bildern sieht manja wo die MOSFETs sind, das in dem Schrumpfschlauch hab ich auch mal freigelegt. Die Leiterbahn bei dem rechten MOSFET (Foto 1) sieht etwas komisch aus, ist aber
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Wärmeentwicklung Mosfet
meinen Schrittmotorantrieb für einen TMC 262 Motortreiber entschieden. Dieser betreibt externe Mosfet´s die ich mir aus dem Datenblatt passend herausgesucht habe. Nun versuche ich zu ermitteln welche Wärmeentwicklung bei den Mosfet auftritt. Dafür habe ich zuerst einmal die Verlustleistung beim
Beitrag #4426514: > Gibt es keine Worst Case Szenarien ? Natürlich: So schnell schalten, daß der MOSFET gar nicht mehr mitkommt sondern halb-leitend analog stehen bleibt, dann fliesst der halbe Maximalstrom an der halben Spannung, also 1/4 der Motormaximalleistung wird im MOSFET verbrannt. Das hilft
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Mosfet Auswahl
zur Mosfet auswahl? MfG
Achja... https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht :-D
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MOSFET Gateladung?
ergeben. Beim Ausgang des Treibers ist das Signal aber noch absolut in Ordnung. Erst nach dem MosFet sieht es so komisch aus. Wenn ich den Treiber weglasse ist das Signal nach dem MosFet aber auch in Ordnung. Verstehe nicht warum.
und den BUZ350 direkt an den µC ist das Signal aber wieder in Ordnung. Passt der Treiber nicht zum MOSFET????
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Identifizierung Mosfet
Hallo zusammen Ich bitte um Hilfe bei der Identifizierung eines Mosfet einer Schubkarrensteuerung. Verbaut sind 12 TO-220 Mosfet mit der Bezeichnung EZ50S90AP. Leider habe ich nirgendwo irgendwelche Daten hierzu gefunden.Kann mir irgendjemand weiterhelfen? Vielen Dank
Sven-Uwe S. schrieb im Beitrag #7740992: > 12 TO-220 Mosfet Da wird sich doch wohl wenigstens einer fotografieren lassen.
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Finde den Mosfet
Hallo zusammen, Vielleicht könnt ihr mir helfen. Ich suche den Mosfet auf dem Bild im Anhang. Ggf. hilft mir schon der Hersteller. Finde leider absolut nichts (sinnvolles) im Netz. Müsste von der Schaltung her ein P-Kanal sein, da die Lasten auf Drain-Seite liegen.
die Batteriespannung wird die Schaltung am Gate nicht hinausgehen. Strom max. 35A über diese zwei Mosfet zusammen. @H.H.: gib mir mal bitte einen Tipp, wo ich falsch liege. Lerne gerne dazu - ernst gemeint! Schönen Gruß Robinson
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Problem mit eingefügtem Optokoppler LT Spice Modell
unwichtige Effekte aus dem Modell entfernen kann? Ich habe im Anhang mal das Modell und das Symbol des MOSFETs mit angehängt. Ich habe auch schon nach alternativen MOSFETS geschaut. Da ich aber einen mit Vds,min= 650V oder besser noch größer benötige, konnte ich bisher keinen anderen MOSFET finden. Gruß
nämlich gerade festgestellt, dass in der Bauteilbibliothek vom LTSpice doch ein paar High Voltage MOSFETs sind, darunter auch der STW11NM80, welcher das selbe Datenblatt besitzt wie mein hinzugefügter MOSFET STB11NM80 :) Und die gute Nachricht ist, dass mit dem MOSFET aus der Bibliothek auch die Simulation
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Stromausfalldetektor Leistungsarm
Wechselspannung mit 4 Dioden gleichrichten, per Spannungsteiler (12 MOhm zu 470k) eine Spannung für ein MOSFET-Gate draus machen und den MOSFET den Batteriestromkreis mit der LED am Vorwiderstand schalten lassen, dann hängt aber über Source des MOSFET die Batterie an Netzspannung. Auswechseln also nur bei Netzausfall
Wechselspannung mit 4 Dioden gleichrichten, per > Spannungsteiler (12 MOhm zu 470k) eine Spannung für ein MOSFET-Gate > draus machen und den MOSFET den Batteriestromkreis mit der LED am > Vorwiderstand schalten lassen, dann hängt aber über Source des MOSFET > die Batterie an Netzspannung. Auswechseln also
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Mini Mosfettreiber für 3,3V
dem LTC1157 komme ich zwar auf schnellere Schaltzeiten. Jedoch steuert auch mit dem Treiber mein Mosfet ganz durch. Gibt es überhaupt Mosfets die bei 3,3V ganz duchsteuern? Mein derzeitiger Mosfet hat ja auch eine "gate-source threshold" Spannung von 1,5V und steuert nicht ganz durch. MfG
Ich muss jetzt noch einmal zurück zum Mosfet. Der IRL6372PbF hat laut Datenblatt nur 0,17mOhm bei 2,5V (max 6,5A) und max 30V. Also 2x max 0,272W Verlustleistung. Bei dem Mosfet von dir bin ich mit 22V über den max 20V des Datenblattes.
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Led- Schaltung BC640 PWM
dient nur um die kompletten 700mA zu erhalten ;-) Aber jetzt nochmal der Schaltplan mit richtigem MOSFET.
, das eine Spannung am Gate angelegt wird und der Mosfet ein magnetisches Feld aufbaut. Sucht man weiter, heißt es auch, ohne Widerstand gegen Masse vom gate, baut sich das Feld nicht ab und der Mosfet bleibt durchgeschaltet... Und heißt es net auch,
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LEDs an N-Kanal MOSFET (IRLML2502) flackern.
/ohne Mosfet) Also denke ich an den Dünnen Laborkabeln liegt es nicht. Wie könnte das mit dem Mosfet zusammenhängen? Danke
Beitrag #4481562: >> Das sollte theoretisch doch auch gehen oder? > Dann brauchst du einen P-Kanal Mosfet. Was genau kann ich da denn für einen nehmen? Strom sind ca 1.8A VCC ist 10VDC Brauche ich noch einen wiederstand am p Kanal mosfet? Danke :)
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FET und Relais Diode notwendig?
einzelnes Relai ist etwas übertrieben. Normalerweise sollte beim sperren des Fets die Z-Diode des Mosfets leitend werden. Hierbei wird fast die gesammte Energie im Magnetfeld im Mosfet in Wärme umgewandelt. E=0,5*I²*L Das Problem wird sein, wenn du die Spannungsversorgung ausschaltest wärend Strom
> wird dann dennoch eien Diode benötigt JA > die Z-Diode des Mosfets Welche Z-Diode ? Noch nicht wach um 13:02 ? Ach nö, Redegle-Troll.
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2Q Motorsteller - defekt durch einschalten
allein den vollen Strom über mindestens ein, zwei volle Pulslängen. Das kann für so ziemlich jeden Mosfet schon zu viel sein, denn die Ströme sind hierbei ja "unbegrenzt". Zum anderen misst Du so selbst während des laufenden Betriebs nicht den Strom in den Mosfets/dem Motor, sondern den zu den Elkos.
On-Zeit (z.B. gerade beim Start, oder nahe dem Blockieren) hast Du so den 10fachen Strom in den Mosfets. Das natürlich nur 1/10 der Zeit, aber die Verlustleistung im Mosfet geht dabei logischerweise trotzdem extrem nach oben. Solche Strommessungen sind heute wirklich veraltet, das ist ähnlich schnell
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was passiert, wenn ein Spannungsregler zu heiß wird?
etwa 23 mA oder 0,5 W Wärme gespart (mit heutigen 317). Durch schnellere Umschalten werden auch MOSFET weniger warm.
MOSFET schneller umgeschaltet und folglich auch weniger Wärme ableiten. Da MOSFET für Kühlung Gehäuse nutzt, wird das Ganze nicht so warm wie jetzt.
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Wieviele N-MOSFETS an einem µC Pin?
dieses Mosfets mit z.B. einem IRL3103 oder IRL3803...
Du kannst keine 50 MOSFETS an den uC hängen, das wird viel zu lahm. Ich würde >1 MOSFET einen ordentlichen Treiber einsetzen.
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Darlington Transistor als PNP
MOSFET, Low-Side.
| LED | +--|>|--+ [/pre] Das geht natürlich auch mit einrm P-Kanal LogicLevl MOSFET.
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Stromregelung geht bei Kurzschluss kaputt
es so wie im Plan ohne irgendwelche Abblock-C's in der Versorgungsspanmnung für den OPV und den Mosfet gebaut hast, dann könnte das der Grund sein. OPV kann ins schwingen geraten, und die Mosfetleitung könnte, wenn etwas zu lang, als Induktivität Spannungsspitzen erzeugen, die für den Mosfet evtl. etwas ungesund sind. Da aber Überspannung von Mosfets relativ gut vertragen werden, wenn nicht zu viel Strom bzw. Energie dahinterhängt (der wirkt dann wie eine Z-Diode), denke ich eher ans Oszillieren, was viel Strom zog, den Mosfet aufheizte, bis er
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Transistor (Emitterschaltung) ohne Invertierung
Normale Leute machen das mit drei N-Kanal MOSFET, zum Beispiel dem IRLML6344. Mich wundert, dass du dich an der Invertierung störst, denn für deinen LED Streifen wird genau das gebraucht. http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#n-mosfet
Bedingungen nichts anderes erlauben. https://www.mikrocontroller.net/articles/Konstantstromquelle#MOSFET
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Elektronische Last, Kühlung von Halbleitern
Kühlkörper nun mit einem kleinen Lüfter belüfte, kann ich meine geforderten 33W erreichen? Jeder MOSFET soll ja dann ca. 30W verbraten. Da die MOSFET-Stufen voneinander nicht galvanisch getrennt sein müssen, kann ich die MOSFETs direkt ohne Isolierpd auf den Kühlkörper schrauben (Wärmeleitpaste nicht
von +40..50K. Bei einer Umgebungstemperatur von 25°C wird der KK also max. 70°C bei 300W. Meine MOSFETs haben ca. 1.5K/W Rthjc; da jeder MOSFET 30W verbraten muss, kommen also nochmal 45K dazu. Macht also eine Sperrschinttemperatur von ca. 120°C. Ist zwar relativ warm, meine MOSFETs sind aber bis 170
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Mosfet-Berechnung so richtig?
würde ich sagen, bei max. 25mA ist Schluss. Die Lösung dieses Problems: Gatetreiber zwischen MOSFET und Atmega-Pin.
das Schalten der Leistung durchführen. Von diesen "Client-Platinen" entweder 2 weitere mit 8 Mosfets oder 3 weitere mit 4 Mosfets, womit ich dann 12 oder 16 "Objekte" (LED-Spot, Halogenspot oder LED-Streifen) mit je maximal 150W dimmen kann. Die Client-Platinen hätten je ein eigenes Netzteil,
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Meinung zu Phasenabschnittdimmer
! 5. Für den MOSFET sollte man sich auch eine Schutzbeschaltung (R-C) gönnen.
Ich weiss jetzt nicht wie es sich mit dem IRF MOSFET verhält, beim ELV Dimmer ist es aber so das der MOSFET eigentlich eisekalt bleibt, die Dioden aber ordentlich Hitze produzieren. Also vielleicht mal schauen wie heiss der Brückengleichrichter so wird
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Hilfe mein Mosfet tuts nicht
bei einem Dauerstrom von 8Ampere und einem Anfangs-/Spitzenstrom von 12Ampere) sollen mithilfe von Mosfets an- und ausgeschaltet werden. Die Mosfets wiederum werden von Treiberbausteinen gesteuert die mit dem Mikrocontroller verbunden sind. Für den Heizer habe ich zwei Mosfets verwandt um beide Halbwellen
diese nicht bzw. die Mosfets werden nicht durchgeschaltet (Frage: müssen die Treiber/ Mosfets anders als im Datenblatt beschrieben beschaltet werden?) - Bei direkter Ansteuerung der Mosfets mittels Messsonde
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Schalten mit 3,3V
Hast du dich nun für einen MOSFET entschieden? Ich brauche einen MOSFET für die gleiche Anwendung... oder doch lieber einen Transistor? Ich würde gerne noch ein paar Ideen hören :)
http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-Übersicht
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Motoransteuerung - 24vdc / max. 500W
: * INTERSIL HIP4082IBZ MOSFET Driver IC + eine diskret aufgebaute power MOSFET-Brücke (wäre die größte Herausforderung) * INTERSIL HIP4082IBZ MOSFET Driver IC + IXDN630CI Gate Drivers * INFINEON BTN8962TA MOTORTREIBER, HALBBRÜCKE
habe ich mir folgende Überlegungen gemacht bzw. > Bauteile ausgesucht: > * INTERSIL HIP4082IBZ MOSFET Driver IC + eine diskret aufgebaute power > MOSFET-Brücke (wäre die größte Herausforderung) Was ist daran eine Herausforderung 4 fette FET anzulöten? > * INTERSIL HIP4082IBZ MOSFET Driver IC
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Mosfet H Brücke / P Mosfet wird warm
Hallo, ich habe ein Problem mit meiner Schaltung (siehe Anhang) und zwar werden die P-Mosfets warm, auch wenn nichts am Ausgang angeschlossen wird. Ist INA und INB Low, so funktioniert alles. Sobald INA+INB High sind machen die Mosfets einen Kurzschluss bzw die P-Mosfets werden warm. Pwm
2,3V ist die Gate-Source-Spannung bei der der Mosfet anfängt zu leiten! Beide Mosfets vertragen min. 20V an Gate-Source!
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N-Kanal Mosfet im Plusstrang?
P-MOSFET + NPN am Gate. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor
), damit kommt aber deine Spannung am MOSFET unter 24V, bis 0V, die Ansteuerschaltung muss damit zurecht kommen, ein P-MOSFET mit NPN kommt das nicht Insgesamt erscheint deine PV Schaltung ungeschickt.
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Drahtlose Energieübertragung - Schaltung macht Probleme
Schaltung abgesehen ... 1. Wie sieht das Signal an den Pins 2, 4, 6, 8 des 4069 aus wenn die MOSFETs nicht eingelötet sind? 2. Wie ändert sich das Signal an Pin 8, wenn *nur* der n-MOSFET eingelötet wird? 3. Dito wenn *nur* der p-MOSFET? 4. Wenn beide MOSFET in der Schaltung sind aber *keine
weil nur ein Mosfet warm wird. Kannst du mir erklären wie es in dem Szenario dazu kommen könnte dass nur der 'untere' Mosfet heiss wird?
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Akku laden mit PWM aus MOSFET
Hallo, ich habe einen Mosfet(N-Kanal & Verarmungstyp), der aus einer 320V Gleichspannung eine variable Gleichspannung mit PWM erzeugt. Also einen Abwärtswandler. Der Mosfet wird folgendermaßen angesteuert: µC->Optokoppler->Treiber
Schalte den MOSFET zwischen den -Pol der Batterie und GND. Über einen Spannungsteiler kannst du dann die Akkuspannung (50V) jeweils dann messen, wenn der MOSFET leitend ist. Überspannung am Messeingang des µC
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Acer Nitro 5 startet und lädt nicht
Schaltpläne befinden sich hinter Pay Walls. Es scheint dass Compal das Ding gebaut hat. Der verbrannte Mosfet ist Teil der Rückspeiseprotektion. Da ist mit ziemlicher Sicherheit ein Schluss hinter diesem Mosfet, Ich hab mal einen Schaltplan angehängt. Keine Garantie dass das 100% passt. Die Bezeichner
in Reihe mit gemeinsamem > Gateanschluss ? Warum nicht nur einer ? Das liegt daran, das jeder MOSFet eine durch Produktion bedingte Diode hat, die zum D-S Kanal in Sperrichtung liegt (die ist auch im Symbol des MOSFets eingezeichnet). Würde man nur einen MOSFet zum Schalten des Netzteil benutzen,
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Empfängereingang KW
> ein DG Fet wirste da aber bestimmt nicht am RX-Eingang finden DG-Mosfets werden/wurden verwendet, wenn der Vorverstärker schön rauscharm sein soll und eine Vorselektion möglich ist. Dies macht auf 11m, 10m und auch auf 2m Sinn. Außerdem hat der DG-Mosfet eine bessere Großsignalfestigkeit
@Ralf, Siehe Link. http://nt7s.com/2014/12/dual-gate-mosfet-investigations-intermodulation/ Dort versucht der OM einen BF991 im Eingang mit geringem Strom intermodulationsfest zu machen. Ist für portable Anwendungen gedacht. Warum er nicht, zumindest für
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Diode Ersatztyp Makita DC18RA D4
Thomas D. schrieb im Beitrag #7699282: > Kann es sein das der NCS1206 am Ausgang den Mosfet überlastet hat Eher umgekehrt. MOSFET entweder wegen zu viel Spannung (Snubber defekt) oder zu viel Strom (shunt niederohmig, Trafo Windungsschluss) zerplatzt und NCP1216 mitgerissen. Schaltplan
Ja mit dem Mosfet muss ich euch rechtgeben. Das dieses Ladegerät mal eine 110V Version war hatte der Mosfet VGS500V. Der neue hat jetzt 800V. Ersatztyp 2SK3679. Ich habe jetzt Skizzen von Schaltbild des DA18RA.
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Was piept an diesem Netzteil so unangenehm?
Der Strohhalm war eine gute Idee! Am lautesten piept es an dem Übertrager und dem Mosfet. Ich werde morgen der Gate-Kapazität des Mosfets mal einen 10nF- bzw. 100nF-Kondensator spendieren und sehen ob sich was ändert. Vielen Dank erstmal für alle Tipps! Ich melde mich morgen nochmal
> falls das geht, am Mosfet den Gate-Kondensator (1000pF gegen 100 nF > austauschen - dazuschalten (parralel), so werden die Schaltspitzen des > Mosfets "abgefangen". > Und das Piepen hört auf. Bitte lass die 100nF am Gate
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Mosfet als Sicherungs-Schalter von µC angesteuert
den Mosfet schon zu spät sein. Auserdem: die meisten Mosfets halten keine Ugs>20V aus
ich verwenden kann. >Als Mosfet dachte ich an den IRLML6402 Lass mich raten, ein 200A Monster mit 4 mOhm? Nö, diesmal nicht, ein niedlicher MOSFET mit 3,7A in SOT23. Der wird sich über 5A aber weniger freuen. Und über 24V Sperrspannung
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HIGH-LOW side treiber
MOsfet schrieb im Beitrag #1859716: > kann mir jemand helfen ? Schon die Gatesignale überprüft? Übrigends, was willst du genau ansteuern? :-)
MOsfet schrieb im Beitrag #1859716: > => also kein rechteck an der last !! An welcher Last? Welche Frequenz hat das Signal?
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MOSFET stirbt immer wieder
Schaltung die Last irgendwie eingeschaltet wird geschieht das nur über parasitäre Ströme die die MOSFET "irgendwie" einschalten. Und, warum schaltest Du die Last gegen Plus? Da Du ja eine eigene Stromversorgung für die MOSFET Ansteuerung ast, kannst Du die Last auch mit einem N-Kanl MOSFET gegen Masse
die Transistoren nicht durchsteuerst. > Der LM339 ist ein Open-Kollektor Schaltkreis. Der erste MOSFET kann also > überhaupt nicht eingeschaltet werden. Damit wird auch der andere MOSFET > nicht eingeschaltet. Der erste MOSFET wird schon korrekt angesteuert, zumindest arbeitet er und zieht den
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H-Brücke (High Side Switch) kurzschlußfest machen
jemanden, der schon mal ähnliches gelöst hat. Ich habe eine H-Brücke (diskret aufgebaut 2x P-Mosfet + 2x N-Mosfet), mit der ich die Stromrichtung in einer Last schalten möchte. Diese Last kann sehr niederohmig werden (aber auch im Kurzschlussfall soll nichts zerstört werden). Als Quelle hab ich eine
du könntest als Highside-switch einen P-Mosfet und einen N-Mosfet parallel schalten. Das gate des einen schaltest du auf Masse, das gate des anderen auf plus (nicht direkt, sondern mit Widerstand und Zenerdiode zur Begrenzung der Gatespannung).
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Suche Optokoppler mit Verstärkung
sich den OK vllt. komplett sparen und wie weiter oben scho vorgeschlagen das Relais direkt mit dem MOSFET ansteuern.
den OK vllt. komplett sparen und wie weiter oben scho > vorgeschlagen das Relais direkt mit dem MOSFET ansteuern. dustre schrieb im Beitrag #5034824: > Wozu dann überhaupt die Optokoppler? Ein Relais kann man mit einem > MOSFET praktisch ohne Steuerleistung schalten. Habe ich doch geschrieben
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LED Tester nach Arno - Vorlage
. schrieb im Beitrag #8007246: > 19,52V bestehen, auch wenn R2 vom G des 9510 abgetötet ist. Mosfet mit offenem Gate führt zu undefiniertem Zustand.
Arno R. schrieb im Beitrag #8007292: > Auf die Schnelle: die Last muss an Drain des Mosfet und Rx an Source, > bei deinem letzten Bild sind Drain <-> Source vertauscht. Beim Mosfet Source und Drain tatsächlich vertauscht im Plan angedeutet. Jetzt funktioniert alles vom Feinsten!
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PWM Stromverstärkung und und gleichbleiben der Spannung
leicht mit einem Spannungsverdoppler erzeugen, wenn du dann unbedingt High-Side mit einem N-Kanal MOSFET schalten möchtest.
Last unbedingt an GND liegen und die +12V geschaltet werden > muss, dann brauchst Du einen P-Kanal MOSFET mit Source an +12V. > Allerdings wird dann das Signal invertiert. Danke das sache Mit den P Kanal mosfet hat Funktioniert. Aber aus reiner neugier wie hätte ich die Sache zwischen Drain und 12V
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Versorgung abschalten und trotzdem geringer Spannungsabfall oder Stromverbrauch
du danach die MOSFETs aussuchen kannst.
brechpunkt schrieb im Beitrag #3991435: > Wäre der IPD90P03P4L-04 als MOSFET ok? Das ist ein 90A (in Worten: neunzig Ampere) Mosfet. Wie viel Strom möchtest Du schalten?
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Verständnisfrage Verstärker
die Ansteuerung der Gates genau? Die Mosfets haben jeweils eine "fixe" Gatespannung (über die Spannungsteiler R7..R32), die Ansteuerung der Mosfets erfolgt dann jeweils über ihre Source: der Q1 zieht die Source des Q8 Mosfets nach Masse, die
im Beitrag #7674320: > Wie funktioniert die Ansteuerung der Gates genau? Q1 und Q2 sind keine MOSFETs, haben kein Gate. Die Gates hängen an einem Spannungsteiler und jeder MOSFET ist ein Sourcefolger, verstärkt also bloss den durch den Spannungsteiler möglichen Strom, scheinbar aber auch nur auf
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"Universalprogrammer" für Linux
Btw, in dem Schaltplan weiter oben (uprog2.png) ist der MOSFET Q2 falsch - sollte nen N-Channel sein. Und was soll des Gehampel dahinter mit dem OpAmp?
Spannungsversorgung verwendeten Ports dann Low-Aktiv verwendete werden sollte um die Spannung per Mosfet zu schalten.....
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Auch erste Platine: 16x 7A PWM mit PCA9685 und Mosfets im RPI Zero Format
positive Versorgungsspannung (an der die andere Seite der Iduktivität ja angeschlossen ist), bis der MOSFET stirbt.
Adafruit Platine ansprechen und eine LED fadet auf und ab in gleicher Art und Weise. Leider sind die Mosfets noch nicht angekommen.
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Lüftersteuerung per GPIO und Transistor
Hab gesehen, dass es Logic-Level MOSFETs gibt. Habe gerade mal IRL540 bestellt und werde deren Gate vom GPIO auffüllen. Meine kleinen NPNs werden zu heiß.. dann spar ich mir auch diese Treiberschaltung mit NPN vor Mosfets.
Ist bestimmt auch keine schlechte Idee zwischen mosfet Gate und dem uc gpio einen Widerstand zur Strombegrenzung einzufügen. Gucke Mal ins db des mosfet, das Gate braucht schon ein wenig Strom um ordentlich durch zu schalten, halt gucken wieviel "zieht
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Lötstation von 230V AC auf 12V/24V DC Umbauen
Experimentieren ans Netzteil angeschlossen Siehe Bilder. Und dort wo der Triac angelötet war hatte ich ein Mosfet angelötet dieser wurde wo der Lötkolben heiß wurde auch seeeeehr Heiß, weil der ganze Heizstrom durch den Mosfet fließt. Ein weiteres Problem tauchte auf, die Steuerung macht aus der Positiven Spannung
Weller auch nicht anders, nur eben mit extra Spezial-IC, letzteres /relativ/ grundlos) und einem MOSFET aufbauen.
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Unterschied zwischen Spannungs und Stromgesteuerter FET
kein Gate-Strom. Einer der Vorteile von FETs gegenüber BiPos. > den Unterschied zwischen MOSFETs und JFETs hab ich > noch nicht verstanden bis auf die Isolierung des Gates > beim Mosfets Das *IST* der Unterschied. Beim MOSFET bildet das Gateoxid (hochwertiges SiO2) den Isolator zwischen
linear wie beim Bipolartransistor, sondern näherungsweise quadratisch. > den Unterschied zwischen MOSFETs und JFETs hab ich noch nicht verstanden > bis auf die Isolierung des Gates beim Mosfets Das *ist* der Unterschied. Beim MOSFET ist da ein echter Isolator aus Metall-Oxid (dafür das MO in MOSFET