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Transistoren - Die-Bilder
Heute ein FET, ein V-MOSFET: BD522 https://richis-lab.de/FET01.htm Spender war Roland.
/FET02.htm
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Unterschiedliche FETs bei Syncronwandler
etc.) auch teilweise deutlich kleiner bei den kleineren FETs was schalt Verluste einspart. Die sind bei den hohen Frequenzen der GAN FETs je nach Anwendung ausschlaggebender als die Verluste durch den höheren Innenwiederstand. Wenn man damit einen mehr Phasen
Buchstabenkombinationen > bedeuten? Stell dir vor das weiß ich. Soll ich es dir richtig aufschreiben? GaN-FET -> Galliumnitrid-FET Ich weiß das sie deutlich geringere Kapazitäten als Silizium FETs haben und dadurch erheblich weniger schalt Verluste. Die genauen technischen gründe kenne ich darum geht es
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bridgeless pfc
einem nachfolgen Step-Up-Wandler nur einen Brückengleichrichters, deren Dioden nach Masse durch zwei FETs ersetzt werden, die die selben Ansteuersignale wie die des FETs der Normalschaltung. Prinzipiell lassen sich beide Gates parallel schalten. Spart einen Standard-Gleichrichter und dessen Verluste, kostet
, kostet einen > weiteren FET und eine schnelle Diode. Nein, die Funktionsweise kenne ich, mir ist nur nicht klar, wie man durch das Schalten der FETs eine Power factor Korrektur erreicht. Was muss die Schaltung zB wie tun, wenn
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Fragen zu TP4056
1.Wenn du meinst eine galvanische Trennung zu benoetigen,sind Optokoppler fuer akkurates Schalten des Ladestromes wahrscheinlich nicht zu empfehlen,wegen der Kollektor - Emitter Restspannung.Mit einem MosFet/Reedrelais waere das kein Problem.Am besten mal testen wie sehr der berechnete Ladestrom
Optokoppler ist recht windig, da deren Restspannung UCE schwer kalkulierbar ist. Ich würde die mit zwei N-FETs machen, mit einem geeigneten LL-FET ginge das sogar sogar am Raspberry.
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Basiswiderstand
vor der Temoeratur. Nimm statt des Spannungsfolgers einen Komparator und statt der Transistoren FETs.
: > Übrigens ist auch der Spannungswert 0,7 V ein worst-case-Wert. Die > meisten Transistoren schalten (bei Raumtemperatur) schon bei einer > Basisspannung von 0,5 V. Nein, sie schalten nicht. Sie beginnen zu leiten. Es ist eine Frage des Stromes, wie gut sie leiten. Die Spannung an der Basis stellt
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Lidl Powerbank
einer Kapazität von 10Ah. Eine weitere interessante Frage ist folgende: Die meisten Powerbanken schalten den Ausgang einfach ab, wenn am Eingang ein Ladestrom angeschlossen wird. Ist das hier auch so oder liegt während der Ladung am Ausgang die 5V an? Könntest du das mal bitte testen?
also: Powerbanks verfügen meist über einen Controller sowie undd hier aufgepasst,: mindestens 1 N-Fet oder mehrere N-Fets, in 6-oder 8-Pin-Bauform (Dualfets), die im Minuszweig zum Akku - Ausgang geschaltet werden vom Controller aus. dazwischen liegen irgendwo immer Shuntwiderstände von ca 0,xx mOhm
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MOSFET und digitale Modellbahn
Frage zu MOSFET. Ich betreibe eine digitale Modellbahn (Fleischmann Spur-N). Eine Gleisblöcke schalte ich zur Zeit noch händisch mittels Kippschalter ab. Mir kam die Idee, dass durch einen Arduino digital ausführen zu lassen. Als elektrischer Schalter kam mit das MOSFET in den Sinn. Was mit einer
Programmieren" kannst. Leider geht es dem TO (noch immer ;)) nicht um Weichen, sondern um das Schalten der Gleisspannung. MfG, Arno
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Common-Gate Schaltung N-Fet?
Christoph db1uq K. schrieb im Beitrag #6252645: > Er will den FET "invers" betreiben Mit JFET ist das möglich zu vertauschen. Mit Mosfets geht das nicht. Das kommt daher, weil Viele schlampigerweise (to lazy for all 5 letters) oft FET, statt MOSFET schreiben.
üblich. > Manche davon kann man sogar als Verstärker benutzen. Hier geht nicht um einen CMOS-Schalter sondern um die Basisischaltung mit einem NMOS-Transistor.
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schematic review
Status LED die mit die höchste Flussspannung hat sollten die 5V locker reichen um den Opto zu schalten. Der Opto verstärkt selbst geringe Ströme wodurch die Gate Spannung ansteigt. Selbst wenig Spannung führt bei einem FET dazu das e anfängt zu leiten. Da der kanalwiderstand jedoch in diesem Bereich
schalten will, dass man mehr als Widerstand und Zenerdiode braucht. Bei vernünftigen Frequenzen ist man doch froh, wenn der FET nicht so steile Flanken raus wirft. Irgendwer muss hinten dran ja auch filtern
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1A Konstantstromquelle für max. 5W mit 5V/2A-Steckernetzteil betrieben machbar?
https://kompendium.infotip.de/konstantstromquelle.html Welche Nachteile hat ggf. Version3 mit 1 FET und 1 Widerstand
Bei 5V geht die dort vorgeschlagene Schaltung FET: https://www.mikrocontroller.net/topic/488914#6132395 Den ganzen Thread zum Lesen: https://www.mikrocontroller.net/topic/488914#new
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H-Side Schaltung - Feedback
Projekt. Dabei habe ich in der Version 0 einen gravierenden Fehler gemacht: Ich habe einfache N-MOS FETs als High-Side Treiber verwendet. Dies hat mich sehr geärgert, da ich dies durch eine einfache Spice-Simulation hätte verhindern können. Ich habe vor diese Woche die neuen PCBs zu bestellen, und diesmal
. Das sollte das Netzteil eben können. Könntest du noch erklären, warum du mit M2 und M5 zwei Schalter geplant hast? Hier reicht doch einer und bei 56facher Ausführung ist das schon Geld ... Zumal: wenn du M2 betrachtest: der wird ja schon ausschalten, bevor C1 leer ist, weil bei einer Restspannung
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Highside, FET wird heiß
Hallo, sorry, kenne mich mit FETs nicht sonderlich aus. Brauche einen Higside switch um 12V/5A zu schalten. Hab angehängte Schaltung auf gebaut aber der FQD11P06 wird extrem heiß. Selbst wenn ich den Strom über das Netzgerät auf unter
keine Ahnung > habe und es zig verschiedene Typen gibt. Mussv es denn unbedingt ein "Highside"-Schalter sein? Bei N-FETs gibt es eine wesentlich grössere Auswahl an FETs mit kleinem Rdson.
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Widerstandswerte für Opamp-Grundschaltung
Last. Sollte dessen Last nur sehr hochohmig sein dürfen, dann würde ich noch einen Buffer davor schalten.
bzw. Widerstandsverhältnis). Und Offsetstrom interessiert hier sowieso nicht, denn das sind OPV mit FET-Eingang, also extrem hochohmig. Die paar pA Offsetstrom interessieren da bei 10k oder 20k überhaupt nicht, bzw. der Fehler mit normalen Meßgeräten nicht feststellbar. >Ein Fehler in meiner Schaltung
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Triac mit Logikchip ansteuern
Besonders wenn man statt Thyristor nen Transistor (BJT,FET,IGBT) nimmt und dann die Ausgangsleistung mit PWM stellen kann.
Variantenreichtum könnte noch mit Erwähnung vom GTO (Gate Turn Off Thyristor) angereichert werden ((BJT,FET,IGBT) hier fehlt MOSFET, falls FET hier nicht nur für den JFET steht). ;o) ;o)
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Offene Basis bei Reset - Widerstandsdimensionierung
Hallo, ich möchte mit einem RPi eine Last schalten 25mA benötigt. Im Datenblatt (2N2222A) sehe ich eine hFE = 75 für Ic = 10mA und eine hFE von 100 für Ic = 100mA. Da ich nur 25mA schalten will, wähle ich die 75. Ib = Ic/hFE = 0.13mA Da ich
Controllers im Reset hochohmig ist, dann kann kein Strom herausfließen und der Transistor kann nicht schalten. Einen Pulldown Widerstand braucht man bei FETs, weil diese einen sehr hohen Eingangswiderstand haben und durch Spannung gesteuert werden.
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AC Leerlaufsignal zu DC Massesignal für Kontrolleuchte
ist fliesst über die Greatz Brücke der geringe Optokoppler Strom, sagen wir 3mA. Der Transisor oder FET vom Photomos wird beleuchtet und leitet! Wenn der Kontakt schliesst fällt die Beleuchtung ja aus, der Fototransistor oder FET wird nicht mehr beleuchtet, was du damit machst, z.B. invertieren zum Schalten
zum Schalten bleibt dir also überlassen. Perfekt, vielen Dank! Beste Grüße
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IRFR5505 Beschaltung
Beschaltung mit Z-Diode relevant, bei 12V DC nicht. 2. Es ist nicht möglich, AC mit MOSFets zu schalten, wenn man nicht besondere Tricks benutzt. Dazu muss man entweder 2 MOSFets antiseriell schalten und speziell ansteuern. Oder man verwendet Triacs, PhotoMOS o.ä.
als nur ein NEIN. Das ist eine Serienschaltung. Du musst die beiden Mosfets aber antiseriell schalten!
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Impedanzwandler für Thermoelement nötig?
zweiten OPV auch einfach stillegen (also z.B. als Spanungsfolger für die halbe Versorgungsspannung schalten und den Ausgang nicht weiter benutzen).
unabhängig davon was Q2 macht? Im aktuellen Schaltplan gibt es zwei Fälle: 1) wenn Q2 sperrt sieht der FET ein U_GS von -18V und steuert durch 2) wenn Q2 leitet sieht der FET ein U_GS von -36V und sein Gate wird zerstört. Thomas O. schrieb im Beitrag #6248913: > aber ich > darf ja nicht mehr als 20V
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AoE JFET Transkonduktance Messschaltung
gewundert wie das funktionieren soll. Jetzt ist es klar (1. Bild). Es gibt noch einen weiteren Schalter um den Ausgang des Integrators (zwischen R3 und R4, bei mir X1) auf Masse zu schalten, beschriftet mit "meas @Idss". Mit diesem Schalter verbunden ergibt sich das 2. Bild. In der Simulation ergeben
Lurchi schrieb im Beitrag #6246488: > Als begrenzender Punkt und zum erkennen der Limits des FETs, wäre eher > die Gate Spannung passend. Wenn man da deutlich in den positiven Bereich > kommt ist man am Anschlag für den FET. Stimmmt, danke für den Hinweis. Gäbe es außer einem Schmitt-Trigger
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LTSpice Problem
In LTSpice sind nämlich D und S vertauscht, damit leitet die Bodydiode auch wenn du glaubst, den FET abgeschaltete zu haben und so kommst du nie unter 19.3V.
Eagle-Schaltplan), das geht gar nicht: Man kann nicht ungestraft 20V per PWM und MOSFET auf 100µF schalten (schau mal den Drain-Strom der MOSFETs beim ersten Einschalten an)! Erst wenn du diesen Kondensator weglässt, geht es ungefähr in die Richtung, die du vorhast. Welche Last soll denn per PWM
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IR Sensor mit Elektroventil
Wie würde das funktionieren in der 12V Schiene mit NPN schalten? Bin kein Profi;) danke euch
Bipolaren Transistors (TiP32C), Relais und BC547C könntest du auch einen unipolaren Transistor (MosFET) nutzen, den steuerst du leistungslos an. IR-Hindernissensor -> MosFET -> Ventil Möchtest du reine Gleichspannung schalten? Welche Spannungsquellen stehen dir hierfür zur Verfügung? Die 12V
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Ist hier ein Fehler in dieser OP-Amp Schaltung?
Supply mit 24VAC(24V PGND) und einem (Opto)Triac. Das kann man natürlich nicht mit einem Mosfet schalten der auf AGND referenziert ist wie Thomas das vorhat. Da muss eine Isolation(optisch oder Trafo) dazwischen.
AGND und PGND irgendwo sternförmig verbudne sind, d.h. gleiches Potential aufweisen. Das Gate des FET sieht dann beim Durchschalten des Bipolartransisotrs -24V -- das sollte man prüfen ob der FET das verträgt (meistens tut er das nicht da Vgs max. -20V) Ich sehe in diesen Fällen Spannungsteiler und
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ATmega328PB mit H-Brücke hat Aussetzer
nicht aus der Ruhe. Außerdem sieht man doch am Oszi, dass der N-Kanal ultraschnell schaltet. Die P-FETs werden übrigens statisch geschaltet und die N-FETs machen die PWM. Fazit: FETs scheinen zu schalten. Können die 32kHz Stromspitzen durch die Gateladung/-entladung das interne Energieniveau des Controllers
Das Portpin wird den FET in der sehr seltsamen Motorbrücke nicht durchschalten können. Keine Chance. Baue Dir die Brücke mit FET Treibern auf und überarbeite die Schaltung. Wurde aber weiter ober schon angeschnitten. https
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el Last für einzelne Li Zelle
Hatte sowas mal mit einem LEM-Stromsensor gemacht. Ausgang von einem DAC an das Gate vom FET und einen PID Regler entworfen. Dadurch war sogar der Strom dynamisch einstellbar.
, was fließt dann noch? Heute gemessen, je nach Spannung bis 80µA. Wie viel davon durch die FETs oder in den INA219 geht, untersuche ich nicht weiter, der Strom ist gering genug.
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Trafo in PC Netzteil
Hallo Ben! Ich hänge ein Foto an. Links am Kühlblech hängt ein MosFet dran. Ein Anschluss liegt an den 325V , ein anderer an Gnd. Der dritte wird von einem Uc3843 angesteuert. Da kommt aber nix an, nur mV . Vielleicht MosFet kaputt, oder der UC3843. Ein TNY267 ist
schon vermutet habe, Eintaktwandler ohne PFC, die 325V am Trafo müssen da sein und der Transistor/FET am linken Kühlkörper sorgt für die Arbeitsfrequenz von etwa 50..70kHz. Die "FETs" auf dem rechten Kühlkörper sind Doppeldioden für die Gleichrichtung der Sekundärspannungen. Der TNY267 regelt
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Gatetreiber für 20 NTR4140NT
du also höchstens einen Strom dieser Größe schalten. Ein Gatestrom fließt nur im Umschaltmoment. Je schneller du schalten willst, desto mehr Strom muß der Treiber liefern. Die Gateladung ist mit knapp 5nC angegeben (Nano-Coulomb = Nano-Ampere-Sekunden
schaltest, dann könnte der Strom den der AVR kann überschritten werden. Schau ins Dateblatt vom ULN. Ggfs. musst Du einen Transistor zwischen AVR und den ULN Eingängen schalten. Bspw. ein BC547 oder vergleichbarer
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Geräuschreduzierung über Gegenschall
natürlich auch schlechter geleitet wird. Anstatt eines fetten Relais kannst du doch massenweise MosFETs verbauen welche tausend Ampere schalten können.
/389/dm00042858-1797442.pdf So verschalten: https://www.mikrocontroller.net/attachment/41321/FET.gif Der Treiber kann dann über ein Kondensatornetzteil gespeist werden oder du verbaust da statt dessen ein kleines Schalt-Netzteil welches genügend Spannung liefert damit du etwa 10V an die Gates
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Zündung Relais, Mosfet Öffner
geschrieben, dass Du den Fet damit abheizt! Denk mal etwas logisch: Bei Highside mit N-Kanal Fet ist Source an der Relaisspule, 12 Volt die Steuerspannung - beim ersten Einschalten wird zwar die Relaisspule bestromt und die
diese aber nie erreichen, weil das Verhältnis Gate zu Source immer kleiner wird, damit wird der Fet in einem Bereich betrieben, der nicht mehr als Schalter wirkt, sondern auf Grund der sinkenden Gate-Source Spannung dann nicht mehr voll durchgesteuert wird - folglich steigt die Verlustleistung
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s´luce PIPE - RGB LED Röhre mit Farbwechsler
> Was ich am Ende gerne hätte ist eine Röhre die ich in Rot, Grün und Blau > auf Dauerlicht schalten könnte, so einfach wie möglich. Das dürfte sich sehr wahrscheinlich mit drei simplen Schaltern realisieren lassen. Schon das würde zusätzlich zu den gewünschten Varianten auch noch Cyan, Gelb und Violett (und "Aus") ermöglichen. Das Blöde ist nur: Die Schalter sind dann mit Netzpotential verbunden, die Sache muss also entsprechend berührungssicher ausgeführt werden und es müssen dafür geeignete Schalter verwendet werden.
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TLE5205 Testschaltung
schon klar, dass sich die LED's in Sperrrichtung bei zu hoher > Spannung bald mal abfackeln. Schalte doch einfach beide LED's antiparallel über einen gemeinsamen Vorwiderstand. Dann ist die Sperrspannung gleich der Flussspannung.
Noldwil schrieb im Beitrag #6237849: > Aber was bezwecken die 100Ohm Widerstände parallel zu den FET's Damit man high Z von break unterscheiden kann, bei high-Z wird die Spannung an den Motoranschlüssen bei 12/2=6V liegen.
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Möglich mit PWM / LED Driver LEDs über Transistoren zu steuern?
Der von dir genannte PCA9685 ist ok. Beispielschaltung mit externen FETs im Datenblatt.
der Verlustleistung aufpassen und eventuell Vorwiderstände vor LEDs schalten. Es gäbe auch noch DM631 oder SCT2514.
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Probleme mit Konstantstromtreiber / gatetreiber
allgemein großzügiger und hab alles Kürzer gebaut... Die Stromschleife des Laststroms, die beim Schalten des FET umkommutiert wird, ist deutlich größer geworden. (sie passt nicht mal mehr auf den Layoutausschnitt drauf). Im Anhang (Laststrom.png)habe ich dir skizziert, welchen Weg der Laststrom nimmt
Achim S. schrieb im Beitrag #6243761: > > Die Stromschleife des Laststroms, die beim Schalten des FET umkommutiert > wird, ist deutlich größer geworden. (sie passt nicht mal mehr auf den > Layoutausschnitt drauf). Im Anhang (Laststrom.png)habe ich dir > skizziert, welchen Weg der Laststrom
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MC34063 Darlington vs. Non Darlington
Möglichkeit, sie anwenden zu können. Falls verlustarm geschaltet werden soll, spendiert man am besten einen FET. MfG
etwa gleich steil und damit auch die Schaltverluste. Der Darlington kann aber höhere Frequenzen schalten als die andere Version.
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Shuntmessung mit AMC1301, Versorgung mit SN6505B ein Problem?
dahinter gemacht. Man muss halt die Verlustleistung im Auge behalten bzw. die on-time der low-side FETs, damit die Spannung an den AMCs nicht zusammenbricht. Die ziehen ja durchaus ein bisschen Strom.
stammen aus der Niederspannungsversorgung. Ich hätte noch erwähnen sollen, dass ich plane GaN-Schalter einzusetzen. Mein erster Prototyp hatte noch SiC-Mosfets von Wolfspeed. Im Datenblatt zum Würth 750313734, der theoretisch in Frage kommen würde, schreibt ein Voltage Time Product von 11 uVs
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H-Brücke: Gate des MOSFET schwingt
Symptombekämpfung - Die Störung ist synchron zur PWM-Frequenz und kommt nachdem die MOSFETs eigentlich schalten/sperren. Zur Zeit habe ich nur ein Top-Down-Pfad in Betrieb, d.h. die anderen MOSFET sind "deaktiviert" (Gate-Widerstände rausgelötet). In den KO-Bildern sieht man die Signale gegenüber GND, ausser
gemeinsamen Source-Leitung. Zur Not musst Du einen Kondensator zwischen Gate und Source direkt am FET anbringen. Von Dämpfungsperlen halte ich da nichts. Oszillographiere doch mal bitte zwischen GND und Source low side direkt wo das Bein in den Transistor geht. Und zwischen GND und Pin5 vom Treiber
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Audiosignal verdoppeln (Kopfhörer und LS gleichzeitig)
zweite Link ist falsch, aber macht ja nichts. Bei dem Relais ist der Schalter ja geöffnet, falls Spannung anliegt. Wo finde ich das anders herum? Der Schalter wird wohl die meiste Zeit geöffnet sein. > Ich würde das Eingangssignal der ersten Box direkt auf den einzubauenden
schrieb im Beitrag #6233011: > Aber es geht mir darum, den Ausgang an der Klinkenbuchse (aus) zu > schalten. Außerdem den Eingang zu schalten (zwischen Klinke und > Bluetooth-Empfänger) und nicht den Verstärker zu muten, was ich ja mit > dem 12er Pin gemacht hätte, oder? Nimm zum Schalten ein klassisches
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[TIPP] Reparatur Senseo Milchaufschäumer
wetting current... Alternativ kann man einen kleinen Kondensator (47 nF) parallel zum Taster schalten. Der lädt sich über den Pullup auf und lässt dann kurzzeitig einen höheren Strom durch den Taster fließen. Paranoiker schalten dem Kondensator noch einen kleinen Widerstand in Reihe, der die Spitze
darum im Verdacht aber noch keine Zeit gehabt dem nachzugehen... Die Heizung wird ja direkt über den FET geschaltet.
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Hochspannungsregler Version 2, Meinungen bitte
HV-Relugator musst du die Endstufe mit Wuerde sehen. Nicht jeder Transistor kann einen externen Schalter handhaben ohne gleich kurz zu schliessen.
nochmal ausgraben. Ich habe mir ArnoRs Regler nochmal vorgenommen, den Längstransistor durch einen FET ersetzt (IRF840) und den Strom durch den Differenzverstärker auf ein bisschen mehr als 1,5mA gelegt. Alle anderen Transistoren sind TO-92, was Mouser eben mit Spannungsfestigkeit CE > 400V liefern konnte
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Ansteuerung - Bimetall Tankanzeige
abzuschätzen mess mal den Widerstand des Bimetalls. Abhängig davon kannst du ja einen Widerstand in Reihe schalten.
braucht die deutlich mehr als 40mA... Und der Strom ist was es macht... Ich würde die mit einem FET mit PWM heizen, den Eingangswert a bis b kann man ja auf x bis y % PWM mappen, Versorgung mit konstanter Spannung, Ende. Oder den Strom messen und im Proz regeln, Potiwert = soundsoviel ADC.Strom ist
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Falsche Schaltung: Motor parallel Kondensator Lowsideschalter
Mußt du rechnen: I(t)=C x dU/dt der Strom killt deinen FET
Womit steuerst du deine FETs? Die Gatekapazität will auch geschaltet werden.
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N-MOS High Side - Lösung gesucht
Moin! Ich bin nicht so vertraut in der Verwendung von FETs, wollte diese jedoch in meinem derzeitigen Projekt mal ausporbieren. Durch mangelnde Recherche habe ich allerdings einen N-MOS als Schalter für die High Side von meiner Last verwendet, was so nicht
die Bestellung neuer PCBs sparen kann. Vielleicht einen normalen NPN-Transistor, oder eine N-P-Ch FET Kombination als IC? Es sollen 12V mittelts einer 3,3V Spannung kommend von einem Controller geschalten werden. Dabei werden hier um die Elektromechanischen Anzeigen zu Schalten nur Stromimpule benötigt
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ESP32 mit P-Channel Mosfet als Schalter
Hallo, Vorweg, ich bin Elektronikanfänger, daher bitte etwas Nachsicht walten lassen ;) Die erste Frage bezieht sich auf die Schaltung in den ersten beiden Screenshots. Dies ist zwar nur eine Simulation mit iCircuit, aber das Verhalten habe ich 1:1 auch wenn ich diese Schaltung nachbaue. Benutzte Komponente: - Gleiche Stromquelle für Gate und Source-Drain (3.3V) - rote LED (2V / 10mA) - IRFU 9024 P-Channel Mosfet Wieso ist Vsd bei 2.4V resp. es liegt an der LED ca. 0.9V an? Der Mosfet sollte doch bei Vgs = 0V komplett sperren oder nicht? In der realen Schaltung leuchtet die LED auch im
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Not-Halt Steuerung Arduino-CNC
Alles andere ist eine ungeschickter Umsetzung des normalen Stopp-Befehls. Meine Umsetzung: - Ein P-FET in der +24V-Versorgung mit 50k-Pull-up vom Gate zur Versorgung - Ein N-FET in der Masseversorgung mit 50k-Pull-down vom Gate zur Masse - Die beiden Widerstände werden über den NC-Not-Aus-Schalter
die Pull-up/down-Widerstände als Spannungsteiler und geben über die Spannungsdifferenz die Beiden FET frei - Bei gedrücktem Not-Aus greifen die Pull-up/down und machen die FET dicht - damit steht der ganze Apparat mit Sicherheit und der Arduino und die Treiber können machen was sie wollen!
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Class-D mit GaN Mosfets
verstehe ich den Sinn des 15Ohm/1.8nF Konstruktes nicht wirklich... Wer hat denn schonmal mit GaN Fet's gearbeitet hier im Forum?
zum Gate zu geben. Einen GaN kann man also nicht einfach mal so an einen normalen Gatetreiber schalten, der das Gate dann einfach so mal mit Ugs=12V beaufschlagen würde, was den GaN himmeln würde. Also eigentlich eher verwandt mit der Ansteuerung von BJT-Teilen.
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Spannungsbegrenzung 50V DC gesucht
BE-Stecke des Transistors fast vollständig an > der Ausgangsspannung. Dann nimmst du einen N Kanal Fet mit Source an Masse Drain über den Widerstand an Versorgung und lässt das Gate vom Komparator schalten. Die Freilaufdioden gehören wenn direkt an die Quelle in dem Fall an den Motor. Er könnte
Der Zahn der Zeit schrieb im Beitrag #6219858: > dicker MOS-FET mit ZD in der Lage sein, ginge auch ein MES-FET oder muss es ein MOS-FET sein?
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Fronius Ohmpilot Alternative - Selbstbau - Stromzählermessung
Datamanager aktiviert hast. Mike schrieb im Beitrag #6219808: > Mach ich mit ZC ja nicht Naja du schaltest nicht irgendwo im Sinus ab, aber trotzdem Schaltest du im Nulldurchgang eine Last ab, die vorher da war und 3 Nulldurchgänge später schaltest Du die Last meinetwegen für 3 Perioden wieder ein.
überlegt PWM mit DC Zwischenkreis zu machen, da frisst der Gleichrichter aber auch wieder mehr, wobei der FET ggf. besser als der IGBT ist. Wellig ist es nach hinten eh, es sei denn man nimmt alle 3 Phasen/B6.
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Tranistor-Dimensionierung zum Schalten eines 12V Relais
einplant: > https://www.sprut.de/electronic/pic/grund/o4.gif Weil er wohl offensichtlich High Side schalten möchte. Sonst könnte er sich den Zirkus sparen.
> https://www.sprut.de/electronic/pic/grund/o4.gif Weil er highside und *OHNE INVERTIERUNG* schalten will. > Es reicht doch auch so wie bei mir im Bild, oder? Sicher. Du schaltest lowside.
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Kapazitiver Spannungsteiler - Theorie vs Realität
Schwingkreis, der die Frequenz bestimmt. Messe ich mit dem oszi am kollektorseitigen Ende und nach dem Schalter, erhalte ich das violette Signal. Messe ich zwischen den Kondensatoren und nach dem Schalter, hätte ich erwartet, dass ich ein Signal mit halbierten Spitze-Spitze Wert erhalte. Stattdessen erhalte
beziehst das auf diesen speziellen Transistor, oder? Nöö. Gilt generell für BJTs (also npn/pnp). FETs sind da sicherlich besser, wenn es einem darauf ankommt. >Ist ein sehr alter Germanium Transistor. So wie die Kurve aussieht, >dürfte unterwünsche Ausstrhlungen geben, ist das korrekt? Ja, das
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Kann man das so machen? PNP Schaltung
Mosfet? Darum: >> ...jetzt habe ich aber einen Anwendungsfall das ich auf der High side >> schalten muss.
mehr, aber das kann nicht der Hauptgrund sein. Hat aber dafür so gut wie keine Verlustleistung im FET und auch weniger in T1. Und wieso überhaupt einen Emitterfolger für T1 an der Stelle? Und es gäbe auch noch die Smartswitches (BTSxxxx) ...
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Aktivität auf UART detektieren
Hallo Welt, ich würde gerne eine Powersave-Funktion in einem Gerät nachrüsten und ein Relais schalten, wenn Daten über die serielle Schnittstelle erkannt werden. Da ich in die bestehende Firmware nicht eingreifen kann, muss ich das irgendwie andocken. Meine Idee war nun, den RX-Pin des Controllers "anzuzapfen" und zu einem Pin am atmega328p, mit dem ich dann auch das Relais schalte, zu führen. Die Erkennung würde ich dann einfach per PinChange Interrupt machen. Nun frage ich mich aber gerade, wie ich den Eingangspin konfigurieren sollte. UART ist HIGH wenn im Idle