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Anderer Source-Drain Widerstand bei Mosfet. Defekt?
, das die Produktbezeichnung dieses Mosfets aber hat?). https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=51257
/product-detail/MOSFETs_HUAYI-HYG053N10NS1D_C18236201.html
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Reverse Voltage Protection
ausfallen, wenn die Spannung zu langsam steigen sollte. Das Bild mit der Kennlinie müßte ein Mosfet im TO247/218 Gehäuse sein.
grösseren Elkos im Versorgungspfad. Es gab im Forum einen Thread, da war nach rund 200x Schalten der Mosfet immer wieder defekt.
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Reverse Engineering / Bauteilidentifikation
könnten. Ein weiteres Signal schaltet die Spannung für die USB-Ladeports frei (über einen p-Channel-MOSFET). Ich vermute der Zweck ist, die USB-Ports erst dann einzuschalten, wenn genug Spannung anliegt, und sie außerdem bei Überstrom abzuschalten (daher die Shunt-Messung). Vermutlich handelt es sich
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Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
ID max (pulse) * ID max (continuous) t = 10 µs * 100 µs * 1 ms * 10 ms * This area is limited by RDS(ON) DC operation (Tc = 25 °C) * Single pulse Tc = 25 °C Curves must be derated linearly with increase in temperature. Drain current ID (A) Drain-source voltage VDS (V) Fig. 8.16 Safe Operating Area (Guaranteed Maximum)
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Brushles motor steuerung pwn TX RX GND
soll dann überhaupt > PWM rauskommen? Die LED samt Vorwiderstand zieht den Ausgang hoch und der Mosfet zieht ihn runter. Bruelisauber H. schrieb im Beitrag #7597697: > Der solte funktionieren oder ? Kann sein, aber für eine belastbare Aussage bräuchte man einen Schaltplan.
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Mini-Jakobsleiter
eine Schwingzeit von 100 µs. Statt eines richtigen Schalters befindet sich in der Schaltung ein MOSFET (z. B. BUZ91A) der für 300 Volt ausgelegt ist. Eine Zeitgeberelektronik steuert die Gatespannung, siehe nächster Abschnitt. Die Experimentierfreude soll jedem selbst überlassen bleiben in Form weiterer
Lötbrücke zwischen Drain und Gate auftrennen dann darf die LED nicht mehr leuchten. Ansonsten ist der MOSFET defekt. Nun den Schaltungsteil für den Zeitgeber aufbauen, aber noch nicht mit dem MOSFET verbinden. Leuchtet die LED der Versorgungsspannung ist alles in Ordnung. Jetzt Zeitgeber und MOSFET verbinden
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Schaltplan mit Bauteilberechnungen und Zeitkonstanten
5 KV 74HCxxx Gatter 0,025 us Anzahl 3 Verzögerungszeit 0,075 us U1 Gate Driver V03120 0,4 us Q1 MOSFET Gate Kapazität 2 nF R11 1 Kohm R11 Q1 Zeitkonstante 2 us Gesamtzeit 8,395 us U1 D9 R11 1K R3 10K 100K R41 D10 Q1 TW045N120C, S1F 1200V 40A 45mR Takt/Stromregelung VO3120-X007T 10mA 1,6V
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MOSFET TW045N120C Kurzschlussschutz maximale Zeit ?
nicht geht oder zu kompliziert ist. Erst dann weißt du tatsächlich, was da los ist. Und für den Mosfet geht es nur um Tatsachen.
Hier MOSFET
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P- oder N-Mosfet-?
Moin Frage : ist das ein N-oder P Mosfet? INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF2807PBF Uds 75 V, Id25 82 A, Rds(on) 0,013 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 49 ns, TO-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform
MOSFETs gezeigt, bei P-Kanal das eines P-Kanal MOSFETs. I_Drain bei N-Kanal ist positiv, bei P-Kanal negativ. Gleiches gilt für V_DSS. Das passt dann auch zur im Schaltsymbol gezeigten Polung der Body-Diode
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DRV8711 Schrittmotortreiber Fehler
Probleme mit Eingangspannung >24V durch Rauschen. Wenn du 47 ohm Widerstände auch an die low side MOSFET Gates schaltest, könnte das Problem behoben sein.
dadurch der Chip ernsthaft schaden nehmen? > Wenn du 47 ohm Widerstände auch an die low side MOSFET Gates > schaltest, könnte das Problem behoben sein. Danke für deine Rückmeldung. Welchen Einfluss haben die Widerstände? Geht es hier nicht primär darum, den Mosfet schneller hoch- resp. runter
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(Anfrage) zum Bau eines Netzteils für Röhren Experimente
mit einem schwächeren Trafo aus dem Fundus, auf max. 100mA begrenzt, und daher auch mit weniger Mosfets. Sinnvoll wäre eventuell auch ein zweites Netzteil für z.B. Schirmgitterspannung oder negative Gittervorspannung. 300...350V bei 100mA sollte so ein Netzteil aber schon mindestens bereitstellen
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H-Brücke mit N-MosFet und 100% Duty-Cycle
Oszillogramm wäre nützlich. Ein wenig sollte man auch auf die Umschaltzeiten achten. Falls alle MOSFETs leiten, könnte auch das Licht ausgehen.
> > Mit einer komplett eigenständigen GS-Versorgungsspannung (Vcc + 10V) für > die High Side Mosfets, aus der endlos 100% geschöpft werden kann. Klingt > aufwendiger, ist es auch. > aufwendiger..?? mit nem isolierten preiswerten DC-DC wandler.. https://www.google.com/search?q=dc-dc+1w&tbm
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MC Widerstand zwischen + und GND
Kurz: diese Pullup-Widerstände gibt es gar nicht als Bauteile. Sie werden mit schlecht leitenden Mosfet-Transistoren "nachgeahmt".
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Stabiröhrenschaltung ersetzen gegen moderne Spannungsregler
der Stabilisierung. Mit Halbleitern gibt es die bekannte Schaltung mit einem LM317 und 1000V MOSFET als Booster.
Beitrag #7592435: > Mit Halbleitern gibt es die bekannte Schaltung mit einem LM317 und 1000V > MOSFET als Booster. Das interessiert mich. Hast du ein Beispiel, einen Link o.ä.? 73 Wilhelm
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Nanopi Neo Mosfet überbrücken
verbunden. Daher kann ich an den Micro-USB Port kein USB Gerät anstecken. Meine Frage: Kann ich den Mosfet (AO3415A), der den Micro-USB Port vom 5V Teil der Schaltung trennt, einfach überbrücken um die 5V auf die Micro-USB Buchse zu bekommen? Um gleich eine Frage zu beantworten: Ich möchte die Versorgung
Micro-USB Anschluss will ich nur ab und zu verwenden. Anbei der relevante Schaltungsteil mit dem Mosfet. Die fragliche Überbrückung habe ich schon eingezeichnet. Danke für Tipps.
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Schaltplan einer USB-Stromversorgung mit MOSFET-Schaltung
VDD_SYS_3.3V, R239, 10K, MicroUSB, G5, VBUS, 1, G1, 2, G2, D-, 6, USB-DM0, G3, 8, D+, 6, USB-DP0, G4, 4, ID, 5, GPIOG12/USB0-OTGID, 5, GND, G6, MicroUSB, GND, Q1, AO3415A, VDD_5V, C73, 22uF/6.3V, BCM856BS, Q10A, 1, 2, 6, 5, BCM856BS, Q10B, 4, 3, R163, 10K/1%, R184, 10K/1%, GND
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SMD Bauteil identifizieren, Relais ansteuern mit 24V Zeitschaltuhr Heizung Junkers DT1 DT2
Schaltsignal, Ausgang: ein Wechslerkontakt. Zur not kann es auch anders herum sein. Ich habe kleine Mosfets im To92 hier. Beispielweise BS250 oder BS170 aber auch bipolare Typen und natürlich auch eine Freilaufdiode 1N4148 und Widerstände (1/4W - 1W - 5W) etc.. Wie würdet Ihr das kleine Relais beschalten
> BS170 in der Konstellation wirklich durch zu steuern? Der BS170 wird zwar zum Teil als LL-MOSFET bezeichnet, aber nur ein Hersteller (Calogic) spezifiziert ihn auch für 4,5V Ugs.
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Gleichrichter wird bei 10 ampere ca 120-140 Grad Celsius heiss
Für hohe Ströme nimmt man aktive Gleichrichter mit MOSFETs. Damit kann man Flußspannungen <100mV erreichen und muß nicht so heizen. Als Ansteuer-IC z.B. TEA1795T. Der Trafo muß dann mit Mittelanzapfung ausgeführt sein.
Peter D. schrieb im Beitrag #7591539: > Für hohe Ströme nimmt man aktive Gleichrichter mit MOSFETs. Ich habe den LT4320 im Tausch gegen einen 25A Gleichrichter im Einsatz. Super Sache, die Schaltung braucht weniger Platz und wird nicht mal handwarm.
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Signalaufbereitung aus der Wicklung einer Drehstromlima
Pegel bringt. Das mit der Schottky-Diode war "früher" Gang und gebe, als es noch keine kleinen Mosfets gab. Heute kann man das dann eigentlich auch weglassen und einen 2N7002 oderso verwenden. Hab hier was zu "Speed-up switching time npn with schottky" gefunden. Kannst aber auch mit dem Bipolaren transistor
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
R2 10k M2 FDS4559_P M1 V2 12V R3 100 V1 PULSE(0 15 1 0.01 0.01 2 0 1) BSB012N03LX3 Vout1 R1 100k R7 100k .tran 5
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Mit 3.3V Logik 12V Logik schalten (Optokoppler vs NPN + MOSFET vs Load Switch vs SSR)
einen N+P-Mosfet im SOT323 Gehäuse wie z.B. den FDG6321C nehmen und statt des NPN-Transistors einen N-Kanal Mosfet einbauen.
richtig verstehe, ich nehme den FDG6321C und beschalte den so wie im meiner Schaltung die beiden MOSFETs beschalten sind? Oder was meinst du mit "statt des NPN-Transistors einen N-Kanal Mosfet einbauen"? Danke auf jeden Fall das ist eine viel sauberere Lösung! :)
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFET
R2 10k Q1 NPN R3 1k V1 PULSE(0 3.3 0.01 0.01 2 0 1) Rser=10 FDS4559_P M1 Vout1 R1 100k V2 12V .tran 5
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Schaltplan mit Optokopplern, MOSFETs und Spannungsreglern
OK4 TLP 250 R5 GND R6 TLP 250 OK5 R16 R18 Q9 Q10 IRF540 R15 VDD GND IC3 78L12Z C7 C8 C5 C6 VI VO GND D2 D4 IC4 78L12Z C9 C10 C11 C12 D3 D5 IC6 VI VO GND PRI
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Stromspar KFZ Schutzschaltung mit 11V und 3.3V
Kamera aber nochmal messen um sicher zu gehen. Ansonsten die Überlegung, die Rückfahrkamera mit einem MOSFET zu schalten. Woher hast du die 47uF, konnte im Datenblatt nichts konkretes finden, bzw. finde ich, dass die Aussagen sich sogar teilweise widersprechen. "[...] input capacitor is not required
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Suche Datenblatt zu Hallsensor
regulären Betrieb kaputtgehen. Digitaler Ausgang ist immer noch richtig. Ein bipolarer Transistor, kein MOSFET. Er enthält im Gegensatz zu anderen Allegro-Sensoren keinen Permanentmagneten, der muss für unmagnetisierte Zahnräder noch dahinter angebracht werden. Leider scheinen alle drei Typen schon lange
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Panasonic TX-P50U20E
... 5V STB habe ich nicht gemessen. Habe die Platine im Moment draussen und habe ein ofenen mosfet Q355 gefunden. Muss erst mal gucken ob es daher kommt.
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Mosfet Samsung Fernseher Netzteil
Hallo, ich habe vor kurzem einen defekten Mosfet auf dem Netzteil meines Fernsehers gefunden. Ausgelötet und zwischen allen 3 Pins Durchgang gemessen. nun suche ich einen Ersatz dafür, kann aber nicht genau das Teil finden. Kann man da vielleicht ähnliche mosfets nehmen und wenn ja wie finde ich heraus welchen genau? Bild davon ist im Anhang. (ist mein erster Beitrag hier und ich hoffe das passt überhaupt hier hin)
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Mosfet und Ultraschallsensor
Bisher habe ich Mosfet immer genutzt um Motoren oder Lichter zu steuern. Nun muss ich ein Ultraschallsensor, dass 140 Volt benötigt ansteuern. Ich wollte es erstmal mit 14,8V versuchen. Eine LiPo Batterie. Mosfet die ich
dass die volle Volt zahl ankommt von 14,8v. Vllt habe ich den falschen Mosfet. Wie ihr auch merkt, habe ich nicht viel wissen, was dafür nötig wäre ^^ Habe natürlich auch viel über Mosfet herausfinden wollen, aber ich glaub ich begreif das irgendwie nicht.
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Alternative für ULN2803A mit 3.3V
zu 5A Das ändert nun wirklich nicht viel an den bereits benannten Problemen ... Nimm P-Kanal-Mosfets, denn mit den TIPs wird das nur ein Krampf ...
> sicher, ob dieser sicher mit 3.3 V durchschaltet. Du solltest mal was zeitgemäßes nehmen. MOSFETs existieren, und zwar mit viel besseren Werten als Dein TIP42C. Und für den ULN2803A nimmst Du vier hiervon: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/qs6k1fra.pdf
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Spule verzerrt PWM-generiertes Sinussignal
Ist das ne Mosfet oder ne olle BJT Brücke wie der L295, der selbst einfach 0.7 bis 2 V drop hat, je nach Strom? Ohne Last tolles Signal, mit Last halt das was du jetzt siehts. Da hilft A wesentlich mehr Spannung als 3 V Oder B ne Mosfet Brücke mit niedrigen RDSon.
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LL-Fet als Treiber
|E | +--|<|--+--|I MOSFET | |E --R--|< | |E | GND GND [/pre] Den unteren Transistor kann man durch einen kleinen LL-MOSFET ersetzen. Den oberen auch, allerdings führt dort ein MOSFET zu grösserem Spannungsverlust, eher also 15V als 12V reinstecken.
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Schaltplan mit MOSFET und Magnetventil
GND D6 R1=10k IRLZ34N G D S + - Selenoid
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Makroaufnahme eines integrierten Schaltkreises auf Leiterplatte
TPH1R4 03NL 012 R2 R010
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Dimensionierung eines Ringkerntransformators
Produktbild sieht man auf dem Kühlkörper eines 2500 W Kanals links und rechts jeweils einen anderen MOSFET. In der Mitte sind 6 MOSFET vorhanden die dann für den Gegentakt zuständig sind. Also hat man 3 MOSFET parallel geschaltet. Das ergibt dann 6,7 mOhm RDS(on). Das passt so gerade. Ich hätte da gerne
der MOSFET dies selber zu tun. Die Streungen können schon mal +/-20% betragen. Das kann dann bei 3 parallelen MOSFET schon mal eng werden. Der kleinste stribt dann zuerst, danach etwas später die anderen.
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PWM Signal prüfen > Kontakt Schalten
ändert sich :) Tl431 kann ja nur 20mA schalten das reicht nicht ich bräuchte also noch einen Mosfet. Meine idee wäre High Side zu schalten. Wie baue ich denn die Messung mit den Comperatoren auf? Ich werde aus dem Datasheet leider gar nicht schlau.
aufgetrennt werden, weil das ein N-Mosfet ist.
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Single Transistor SSTC
quasi ein Schaltsignal, welches die Stromrichtung der Sekundärspule anzeigt. Damit wird dann der Mosfet geschaltet. Die genaue Phasenlage ist dabei etwas kompliziert und sicher auch nicht ideal und auch nicht genau im Stromnulldurchgang der Primärspule, aber zumindest die Frequenz stimmt. Was möglicherweise
?, 47n?) und der Widerstand R13 Null ist. Dann fängt man sich 'nur' Probleme damit ein, dass der Mosfet einschalten könnte, wärend die Spannung gerade sehr groß ist. Also große Schaltverluste. Gruß, Roland
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1A Stromtreiber für Spule
overkill, bzw unnötig komplex. Gibt es da noch andere Alternativen? Selbst das Ganze aus Einzel-Mosfets aufzubauen kommt mir jedoch auch nicht so schlau vor... Vielen Dank schon mal vorab für Deine Ideen! Beste Grüße, Manuel
bifilar drauf bringen, sozusagen für jede Magnetisierungsrichtung eine. Dann brauchst du nur zwei Mosfets lowside und kannst die möglicherweise (nur 24V/1A) direkt mit dem Microcontroller schalten. DMN3042L ist der erste beste Mosfet, den ich gefunden habe. Wie gesagt, wenn du zwei Wicklungen machen
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Bandelin rk102h
Es handelt sich um IGBTs, nicht MOSFETs. Und das Marking lässt sich nur teilweise lesen. Was steht denn in der ersten Zeile?
Kurzes Update läuft wieder schuld waren 2 mosfets originale beim Fachhändler gefunden und eingelötet alles top danke für die Hilfe
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Tastdimmer Stehlampe defekt
Nur wären das gerade 5mA für die Diode und 5mA Laststrom. Kommt mir wenig vor, allerdings sollten MOSFET und µP nicht viel benötigen.
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Leistungs-MOSFET im TO-220 Gehäuse
FTP08N06A IPS YU11 CFNE1H
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6V 1A mit BC547 Pendant schalten?
> > die hat dieser FET nur bei Vgs= 10 V und 25C -- > reicht aber dennoch für den TE. Der Mosfet hat lt. Tabelle garantierte R(ds)on Werte für Vgs 4,5V zwischen 45mR bis max 64mR. Natürlich reicht der. Das ist ein LL-Mosfet.
im Beitrag #7585262: > Nun habe ich einen Verbraucher 6V 1A. In der Größenordnung eignen sich MOSFET besser. http://stefanfrings.de/transistoren
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Schaltplanausschnitt mit MOSFET und Bipolartransistor
Q5 IRFIZ34N R20 22-1/4W INJ-2 Q15 2N3904BU Jmp I_INJ2 R38 0.050-TO220
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Last Schalten mit möglichen Kurzschluss
auch "Malen" Ich habe diese Schaltung ähnlich wie auf dem Bild gebaut, aber mit einem zufälligen Mosfet mit einem zufälligen Treiber und es hat funktioniert, bis ich einen Kurzschluss hatte.(MOSFET tot) Dann habe ich den Strom mit einem Hallsensor gemessen und bei Überlastung abgeschaltet. Es funktionierte
Shunt nur 0,7V ab. Die restliche Spannung (und damit auch der Großteil der Leistung!!) fällt am Mosfet an. > So lange, bis auch der MC dies auch bemerkt und schließlich > abschaltet/einen Fehler meldet. Bis dahin hat dann wegen eines Hotspot im Mosfet schon die Siliziumschmelze begonnen. Wie
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET und Operationsverstärker
+15V, C2 100n, U2 LED44175N01B, R2 33, J2 Conn_01x02_Socket, 72V, GND, R3 0R8 Extern als Heizwiderstand, J1 Conn_01x02_Socket, Q1 ISZ106N12LM6, Enabled, SIGNAL, IN, OUT, OC P, C3 100n, GND, R1 1mohm, +3.3V, C1 100n, U1, GND, CURRENT
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PIC18F4550 führt ständig RESET aus.
Das ist ein Board, was an PC angeschlossen wird, steuert mit Mosfets die Spannungsversorgung. Die andere Boards laufen an, obwohl nichts angeschlossen ist, außer natürlich die 5V. Da bleibt nur den Prozessor von anderen Board zu nehmen und versuchen ob es wirklich
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Leiterklassen und Leiterquerschnitte in Target3001
Schaltung, dort habe ich die dicken Bahnen gelegt, die nach ganz hinten zum Ausgang der Schaltung an die MosFETs angelegt werden. Ab dem Abzweig in der Mitte fließen aber kleine Ströme zur Versorgung der Sensoren und des Arduino. Jetzt heißt ja aber das Signal vor dem 7805 komplett "12V" und hat in den Leiterklassen
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Welche Shottky Diode für Bastelkiste?
max 0,3V bei 100mA Die gibt es wohl nur im Märchen. Für solche Anwendungen nimmt man besser MOSFETs, z.B. in Buck-Konvertern oder Synchrongleichrichter.
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Tafel mit Magnetsteckern
6 MOSFET in Reihe schalten und jedes Gate an den Vorwiderstand zur LED. Ist quasi ein 6-fach NAND.
ein 12V Relais verbinden Wenn der OP den Strom für das Relais kann. Ich würde einen Transistor/Mosfet hinter den OP schalten... [pre] 12V---o--------------------. | | | Kichterlette | | \ | XX---+----|- \ |/
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Triac PCB Layout
zwischen den Pads fräsen. Weitere Informationen: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_MOSFET_CoolMOS_Electrical_safety_and_Isolation-AN-v01_00-EN.pdf
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Schaltplan einer Stromversorgung mit MOSFETs und Dioden
VBAT UFUSED FUSE1 6V/2A/Poly VBAT IN CJ2301-PMOS VBAT R35 100K PWR EN FET2 CJ2302-NMOS PS ON D7 1N4148 RTC ALM KEY PUSH IO D8 1N4148 KEY PUSH D10 1N4148 D11 3.3V/ESD R37 100K C94 10nF/25V GND
