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FET mit AVR schalten - Wie schnell?
Schnelles Schalten von Fets direkt vom Portpin aus? Das kann nicht funktionieren, schon bei 10KHz wird es bei den meisten Fets problematisch, die mit vielleicht 30mA schnell genug zu schalten. Probiert es im Zweifelsfall
umständen schon. Kannst du ja ganz leicht Simulieren z.b. mit der pspice demo. Da kannst du einen realen fet nehmen, oder einfach einen RC Tiefpass. R = Vorwiderstand C = Gate-Kapazität Mit welcher Frequenz willst du den Fet schalten?
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MOSFETs parallel schalten? Temperatur absenken?
, wird es da drin schon gut warm. Mit IR Thermometer und über Kontaktthermometer messe ich an dem FET ca. 80-90°C. Der FET sitzt auf einem geschlitzen U-Kühlkörper. Wenn ich jetzt einen gleichen FET parallel zum Ersten packe, wird das schaltungstechnisch funktionieren, da der FET als Schalter betrieben
am Gate sind jetzt wirklich eckig und nicht mehr "sinusförmig" wie mit dem BC327. Die Zeit, wo der FET durch den linearen Bereich getrieben wurde, war wohl doch zu lang. Mir war zwar bewusst, dass zum Ansteuern eines FET's als Schalter viel Strom ins Gate zwecks Umladen der Kapazität erforderlich ist
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Stromversorgung schalten
nichts miteinander zu tun haben, geht das so. Mir ist immer lieber, dass Masse Masse bleibt -> Vcc schalten, mit p-FET. Ich habe öfters solche Anwendungen, da wird dann immer nur der Teil eingeschaltet, der auch gebraucht wird. IRML6401 z.B. ist ein passender Kandidat, der auch bei 3,3V hervorragend funktioniert
miteinander zu tun haben, geht das so. > Mir ist immer lieber, dass Masse Masse bleibt -> Vcc schalten, mit > p-FET. Wär mir auch sympatischer. Aber was hat es mit den größeren Verlusten auf sich? Sind dieses in meinem Größenbereich überhaupt noch bemerkbar? H.Joachim Seifert schrieb im Beitrag
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Optimierung Mosfet Schaltung gegen Überhitzung
man das Gate auch mit einem Pullup-Widerstand von wenigen 100 Ohm hochziehen und mit einem kleinen FET das Gate gegen Masse schalten. Um welche Last handelt es sich nun? Wenn man die Spule zu lange bestrom und diese gesättigt ist, geht der induktive Widerstand gegen null und es greift nur noch der
Es bleibt also die die Binsenweisheit, das man entweder mit einem auf niedrigen RDSon getrimmten Fet langsam schalten kann und an den Flanken verliert, mit einem schnellen Fet schnell schalten kann und dafür mehr Durchlassverluste in kauf nimmt, oder mit einem teuren Fet schnell und mit niedrigem RDSon
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Wechselspannungs-Signale schalten
Signale. Allgemein sind Möglichkeiten gesucht Wechselspannungssignale über einen elektronischen Schalter zu schalten (kann man ja für ganz unterschiedliche Anwendungen nutzen, z.B. muxen, filter rein schalten und was auch immer). Ist jetzt erstmal egal ob der Schalter HF-geeignet ist oder nur für
title=Datei:Noninverting_Amplifier.svg&filetimestamp=20070601123427 Wobei dann mehrere kleine NMOS-FETs wahlweise verschiedene R1 schalten. Gruß
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Welchen FET?
P oder einen N dotierten FET? Alle FETs sind P- _und_ N-dotiert. Du meinst wahrscheinlich P- oder N-Kanal. N-Kanal-FETs haben bei gleicher Größe das geringere RDSon und sind deswegen vorzuziehen. P-Kanal-FETs werden nur dann
geht das auch mit diesem? der sollte unter 5V schalten oder?
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Transistor als "abschaltbare" Freilaufdiode?
durchgehende 5kW Winde ist überhaupt nicht lustig... Dafür gibt es im Fall der Fälle einen Notaus-Schalter. Und wenn du schon nicht mal gescheite Steuerspannung für deine FETs bereitstellen kannst, naja . . .
> Wenn man soviel Strom zum Ansteuern von ein paar FETs braucht, hat man > grundlegend was falsch gemacht. Im Gegenteil, wenn man schnell schalten will oder muss, dann braucht man oft Ströme im Ampere-Bereich, schließlich müssen Kapazitäten im nF-Bereich
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Mosfetschalter, geht es schneller?
kurz in LTSpice zeigt Dir, das die G-S Kapazitäten der Grund sind, warum in Deiner Schaltung das Schalten noch nicht wunschgemäß funktioniert. Da kannst Du auch sehr schön ausprobieren, wie schnell Du schalten solltest und welche (noch fehlende) Transsil Diode am Ausgang das Zerstören Deiner FET verhindert
der T10 nun als Emitterfolger arbeitet, kann die Spannung für die Gates auch kaum 8 V erreichen. Die Fet schalten zwar durch, bei höhere Spannung wird der RDS aber kleiner. Mal sehen wie hoch ich die Spannung bei dem NE555 noch erhöhen kann, ohne das es zu Störungen kommt.
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FET als Schalter gesucht
fällt diese Lösung aus. Lösungsansatz: -------------- Ich suche also einen elektronischen Schalter, der Richtungsunabhängig eine Leitungsverbindung freigeben oder sperren kann. Als Idee schwebt mit vor, einen FET als Schalter zu benutzen, der ein symmetrisches Schaltverhalten besitzt, wo es
Vielleichtgegen zwei FETs in Reihe (antiseriell) oder so. Ein solches Symbol wie du gemalt hast, habe ich noch nie gesehen.
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MOSFET stirbt, PWM 400W, Halogen
vom FET beachten Der Fet und der Treiber sitzen sicher dicht beieinander, oder? Oder: einen anderen, kleineren FET verwenden? JA, ich habe nicht überlesen, das der Tod zumeist beim Einschalten, Reset
glüht? 100ms? Mehr? Weniger? Schaue >mal ins SOA-Diagramm nach, welche Ströme für den gewählten FET bei der >gewählten Spannung zulässig sind... SOA? Das ist doch eher was für den Analog-Betrieb. DBs von Schalt-Mosfets habens owas schon fat gar nicht mehr. Im Schaltbetrieb dagegen gilt eher
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Transistoren - Die-Bilder
Heute ein FET, ein V-MOSFET: BD522 https://richis-lab.de/FET01.htm Spender war Roland.
/FET02.htm
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Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais
sehe mir keine weiteren Specs an. Ich teile Deinen Tipp an den > TO nicht. Für die Auswahl als Schalter nehme ich die Tabelle. Jetzt ist unser Jörg bockig, obwohl er es vermutlich besser weiß. Wenn ich schalten will, sehe ich U(GS) und wenn ich die nicht habe, ist der FET ungeeignet. Ich habe
sehe mir keine weiteren Specs an. Ich teile Deinen Tipp an den >> TO nicht. Für die Auswahl als Schalter nehme ich die Tabelle. > > Jetzt ist unser Jörg bockig, obwohl er es vermutlich besser weiß. Wenn > ich schalten will, sehe ich U(GS) und wenn ich die nicht habe, ist der > FET ungeeignet.
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Wer kann den FET-Knoten in meinem Kopf lösen?
Diese dumme Idee hatten wir, weil wir keine Ahnung hatten, wie man den Minuspol von zwei Akkus schalten kann.. Naja, da es wohl keine P-Kanal MOS-FETs gibt (selbstsperrend und selbstleitend), die die benötigte leistung schalten können, werden wir das ganze nochmal gründlich überdenken müssen. Wie
p davor sondern: - Plusleitung schalten - TTL Pegel FET - <5A Dauerstrom Ich wäre überglücklich, wenn ich da das rihctige Bauteil zu hätte!! :D
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hohe Ströme zu Transistor im TO220 Gehäuse führen
eine einfach Abmagnetisierschaltung notwenig (ähnlich wie beim Stromwandlern). Gerade wenn man 2 Fets (zb gegenüberliegende Low und High Side) gleichzeitig Schalten will, ist ein Trifliar gewickelter Gate Übertrager mit ordendlichem Low side Treiber meiner Meinung nach das einfachste, robusteste und
Du willst 300A+ schalten? Paßt nicht zu deinem Kenntnisstand. Fang mit einfacheren Sachen an!!
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Dimmer mit FET realisieren
man mit antiseriell verschalteten MosFETs Wechselspannung schalten kann, haben aber praktisch keine Wirkung, wenn man die FETs immer gleichzeitig schaltet.
Spannung, und erreicht schliesslich 60mV, wenn der FET voll durchgeschaltet ist. Selbst wenn ich also parallel zum FET eine hypothetische Schottky-Diode mit Vf von 100mV schalte, wird diese arbeitslos, sobald der FET geschaltet ist, wie das in dem weiter
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Transistor mit Basistrom im µA-Bereich schalten?
finden und ihn einbinden. Noch eine generelle Frage: Macht es Sinn bei so einem kleinen Strom ein FET zu verwenden? Ich hätte zum bipolaren Transistor gegriffen, weil ich die Regel kenne, dass bipolare mit Strömen und FETs mit Spannungen gesteuert werden. Aber auf der anderen Seite sind FETs schneller
mompf schrieb im Beitrag #5014000: > Macht es Sinn bei so einem kleinen Strom ein FET zu verwenden? Ich hätte > zum bipolaren Transistor gegriffen, weil ich die Regel kenne, dass > bipolare mit Strömen und FETs mit Spannungen gesteuert werden. Aber auf > der anderen Seite sind FETs
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Mosfet/IGBT und Treiber für einenMosfet/IGBT
Ich muss zugeben ich hab NULL Ahnung von IGBTs und den dazu gehörigen Treibern . Leider sind IGBTs/FETs ganz was anderes als Bipolar Transistoren. Aber sie sind wenigstens effizienter. Mit nem NPN Transistor 50A schalten is nicht mehr lustig da ist der Basisstrom minimum 1A aber meistens mehr.
@ Patrick Weinberger (seennoob) >Treibern . Leider sind IGBTs/FETs ganz was anderes als Bipolar >Transistoren. Sooo viel anders auch nicht. > Aber sie sind wenigstens effizienter. In wiefern? > Mit nem NPN >Transistor 50A schalten is nicht mehr lustig
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Leistungs-Taschenlampe mit CREE LED
Morgoth schrieb im Beitrag #2072895: > FET2.GIF 1.9 MB > So in etwa? Jau, so sollte das funktionieren. Du kannst die beiden linken ICs weglassen und mit dem Schalter direkt den LM10 einschalten. Dazu noch ein 10kΩ von Gate des Mosfets nach
die als Brücke zwischen Steuerplatine und LED Platine dient, allerdings diesmal übersichtlicher Der FET hat nur einen Zweck, und zwar weiss ich nicht ob ich nen Rasttaster finde der 2,1 A mitmacht, da geh ich lieber sicher und schalt den FET dazwischen Anregungen / Kritik erwünscht Gruss Björn
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Mehrere Minuten Spannung halten
Jens G. schrieb im Beitrag #1788673: > Wenn man R (der am FET) 10MOhm hat, und der C 100µ ( bekommt man noch > als SMD Kerko), dann käme man auf tau=1000s. Also wenn ich 100µF und 10MOhm nehme, dann würde der Transistor ca. 1s schalten. Nehme ich also 4 Cs
>> Wenn man R (der am FET) 10MOhm hat, und der C 100µ ( bekommt man noch >> als SMD Kerko), dann käme man auf tau=1000s. >Also wenn ich 100µF und 10MOhm nehme, dann würde der Transistor ca. 1s >schalten. Nehme ich also
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Pulsstrom bis 587A mit IRLB3034 schalten
Danke für den Hinweis. Wenn ich das richtig verstehe, kann ich bei einem Puls von 10ms maximal 500A schalten, wobei über dem FET ein Spannungsabfall von ca. 1V entstehen würde? D.h. bei längeren Pulsen muss ich zwingend mehrere FETs verwenden. (Zudem ist ein Spannungsabfall von V echt zu viel!) Christian
kannst Du 2kA Dauerstrom bzw. 6.4kA Pulsstrom schalten. Pfennigfuchserei ist doch an dieser Stelle völlig kontraproduktiv. (Ja, ich weiss, die Treiber kommen noch dazu. Vielleicht kann man vier FETs mit einem Treiber schalten, dann braucht man
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Seltsamen Verhalten von MOSFET
#5184942: > Neue MOSFETs einzubauen ohne den Fehler zu kennen macht ja keinen Sinn. Aber neue FETs, die bei 5 Volt ordentlich schalten, machen Sinn!
schrieb: >> Neue MOSFETs einzubauen ohne den Fehler zu kennen macht ja keinen Sinn. > > Aber neue FETs, die bei 5 Volt ordentlich schalten, machen Sinn! Ich verstehe deine Aussage nicht. Warum macht das für dich Sinn? Warum 5V?
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100A per uC schalten
Eigentlich gibt es hier 2 Schalter mit unterschiedlichen Anforderungen die man betrachten muss. Der 1. Schalter dient dazu den Entladewiderstand in den Stromkreis zu schalten. Dieser Vorgang wird noch nahezu leistungslos von sich gehen
Der Schalter 2 (Spulenkurzschluss) ist wahrscheinlich ein langsamer supraleitender Schalter.
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DigitalStrom aus der Schweiz
erzählt bekommen zu haben, dass der komische DS Chip in den Klemmen die Last ohne zuätzliche MOS-FETs oder Triacs schalten soll, diese wären erst bei größerer Last nötig. Leider sind meine Informationen da sehr unvollständig, so dass ich nur spekulieren kann. Hat denn wer genauere Informationen
Da der Dimmer nur sehr niedrige Schaltfrequenz (50 Hz) benutzt, der FET darf hier ganz langsam schalten und die Verlustleistung bleibt trotzdem klein. Kleine Verlustleistung und kleine Transienten schließen einander bei Netzfrequenz nicht aus.
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LED mit Mosfet schalten (150mA)
> 1) reicht die Gate-Source-Spannung von 3,3 V (vom Mikrocontroller) aus, > um das MOSFET zu schalten. Das kommt auf den FET an. Es sollte schon ein Logik-Level FET sein, z.B. ein irlml2502 hätte sogar noch ein paar Reserven.
eine Spannung ~0V an Drain-Source abfällt? Manfred schrieb im Beitrag #5005674: > Warum einen FET und keinen Standard NPN-Transistor BC_3-irgendwas? Da ich recht schnell (1MHz) schalten will und MOSFETs schneller sein sollen.
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Transistor als Schalter -> Basiswiderstand?
soll. Bevor man da irgendwelche Empfehlungen gibt, solltst Du sagen, was Du mit dem Transistor schalten willst.
Udo S. schrieb im Beitrag #6546448: > Wolfgang schrieb: > Ein FET entspricht in seiner Funktionsweise weitgehend einer > Elektronenröhre. Warum kam der nicht von mir? Nur weil man den FET nicht vorzuheizen braucht? mfg
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Solarpanel spannungsbegrenzung auf 36V
führt zum thermischen lebensdauerverkürzenden Hotspots. Na dann nimm halt einen Hochsperrenden FET und schalte die Paneele ab..worauf hin die Spannung dann beliebig ansteigt... Gruß, Pille
Parameter als P-FETs. Gruß, Pille
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2 Batterien Parallel, Bessere Schutzmöglichkeit als Dioden?
sinnlos am FET verbraten? Und dann bei 40V. Da knallts dem FET gleich mal das Gate weg. Es gibt dafür fertige ICs. Die überwachen die Spannung, die sorgen für eine ordentliche Gatespannung. Die sorgen dafür, dass der FET sauber als Schalter arbeitet. Die haben oft reverse protection. LTC4416, knapp, nur bis 36V LTC4364, single, braucht man 2x, bis 80V LTC4418, dual, 40V Ja, die kosten dann halt mal 5 Eur. Ein
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aktive PFC für große Leistungen
willst, bedenke dass man Fets parallel schalten kann (ja auch die CPS), wenn man paar Kleinigkeiten beachtet. MFG
dem dann engesetzten Treiber testen. Auch einen realistischen Strom und Spanung mit dem Fet schalten beim Testen. Selbst dann werden die Gate Signale im Wandler wieder etwas anders aussehen. Bei den AC-Koppelkapazitäten ist viel nicht immer besser, denn je größer um so länger dauert es bis
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Taster als Schalter - wie funktioniert diese Schaltung?
Gratulation, Du hast den FET zerschossen! Die meisten seiner Art vertagen nur 20V Ugs!
> EIN Zustand benötige ich 24V und im AUS Zustand > sollte es so sein als wäre der Schalter geöffnet (ohne Potential). Nimm die obige Schaltung und schalte so einen High-Side-Schalter dahinter: [pre] 24V o __ | .-|__|--o | |
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FET Schaltung, einfacher Schalter
Hallo ich möchte mir einen einfachen Schalter mittels Mosfet aufbauen, den ich über einen Funktionsgenerator (PWM) ansteuern kann. Siehe Bild. Frage: Ist die Verschaltung so richtig? Bei einigen Schaltungen habe ich gesehen, dass noch ein hoher Widerstand (1MOhm) zwischen Gate und Source geschaltet wird.. Habt ihr einen Tipp für mich? Ich möchte im grunde nur einen einfachen pwm-gesteuerten schalter aufbauen. Gruss Jason
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Transistoren parallel schalten für Leistungstransistor??
ein FET verträgt, desto mehr Ladung benötigen die Gates.
oder schalte 2 parallel.
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P-Kanal-FET - HILFE!
Hallöchen, ich möchte mit meinem Atmega8 einen FET ansteuern und dann damit 9 Volt schalten. Irgendwie habe ich es heute schon mal hinbekommen - aber nach Anschluss des µC ging der FET nicht mehr. Folgendes Problem: Drain-Gate schaltet immer durch - ist das richtig? Ich möchte einfach nur wissen, wie ich Gate, Source und Drain schalten muss, damit der FET erst freigibt, wenn vom µC 3 Volt kommen? Habe gerade keinen Schaltplan zur Hand - das spielt prinzipiell auch keine Rolle :) Zwei Grundlegende Fragen: Masse von 3V und 9
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12V Verbraucher schalten
geht recht einfach. Ist ja sozusagen der klassiche Fall. Welche Last willst Du denn wie oft schalten. In Frage kommen, Transistor (Fet,Bip), oder Relais. Grüße Hans-Josef
den µC und statt dem dicken IRF540, müsstest du mit einem Treibertransistor z.B. BC337 ein Relais schalten. So wie die Schaltung im Moment ist, darf sie nicht an 230V betrieben werden. @Matt warum denn kein MOS-FET? Der schaltet seine kleinen Verbraucher ebenso gut, wenn nicht besser, als z.B. ein
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Welcher Transistor beim Pic16F84?
etwas." mit solchen Unterstellungen hast Du mich schon mal konfrontiert! Deine Aussagen über den Fet sind zwar richtig aber geben nur die simpelsten Zusammenhänge wieder (Induktives Schalten mit Fet's ist doch etwas komplizierter). Ich empfehle Dir, Dich mal mit der Rückwirkung von UD auf UGS über
"Warum soll man für erste Versuche erst die Dinger nehmen und dann den FET? Was bringt das denn? Und nun lassen wir es gut sein, ja?" Weil man mit 5V den Fet nicht vernünftig schalten kann!!!!!!!!!!! Aussagen wie die oben lasse ich nicht unbeantwortet
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Selbstleitende MOSFETS
selbstleitenden MOSFET N-Kanal benötige. Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später vielleicht SOT23. Der FET sollte ca. 200mA schalten können. Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften aufweist. Ich hätte schon bei einem Elektronikhändler nachgefragt, aber die haben nur selbstsperrende
=3 Die ursprüngliche Frage war: "Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später vielleicht SOT23. Der FET sollte ca. 200mA schalten können. Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften aufweist." Im Link sind einige im SOT89 Gehäuse. In 13.5 Jahren sollte man es aber schaffen,
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DC-Motor schnell abschalten
beim Ausschalten des FET das Gate leer macht. Alles ne frage des Taktes und des Stromes. NPN oder PNP von Gate nach Masse oder Plus je nach FET. OK ???
Zeit bis der nächste kommt.!! Begrenze Ugs auf 13V. Das reicht Dicke !!! auch für BUZe bei LL FET wie 3803 reichen 5 Volt Ugs. Sind eben "Logic Level" FET.
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Abwärtswandler- brauche Hilfe beim Schalter
habe... Soll ich den Transistor dann als Emitterschaltung, also an dem Kollektor abgegriffen, vor dem Fet schalten? Habe ich mal ausprobiert, aber hat nicht wirklich was gebracht :-( Das FET wird immer noch schlecht angesteuert :-( (also schaltet noch nicht das Eingangssignal Ue wie es sollte) Und,
Soll ich > den Transistor dann als Emitterschaltung, also an dem Kollektor > abgegriffen, vor dem Fet schalten? Nicht wirklich ,,abgegriffen'', sondern der Kollektor geht direkt ans Gate des FETs. OK, ist schon eine Emitterschaltung, der Kollektorwiderstand (Arbeitswiderstand) ist dann der von
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Problem mit N-MOSFET
einen Linear FET.
gespeichert. Diese Energie muss verbraten werden - teils von deinem 10mOhm Widerstand, teils von deinem FET. Wie die Aufteilung passiert hängt davon ab, wie schnell du den FET schaltest. Da ist eine künstliche Bremsung der Schaltflanke durch C1, R2 extrem ungünstig. Dein FET verträgt im Durchbruch eine
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MOSFET zur PWM
Logic Level Mosfet? Dein Fet braucht 10V um sicher durch zu schalten.
was Anderes faul. Schalt mal den Fet dauerhaft ein. Nicht per fast PWM sondern Gate direkt an 5V. Da geht der nämlich entweder nie dauerhaft an oder aus, je nach Konfiguration. Dann darf der nicht warm werden. Man kann Fets
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Gleichrichterschaltung B6C
Im Anhang ein einphasiges Beispiel, wie die beiden Fets bei PWM schalten, und auch welcher FET den Strom führt. Was wichtig ist: Die Dioden D1 und D2 sind in der idealen Anwendung überflüssig, weil der Kanal des Fets die body Diode kurzschließen wird
Dann mach es so wie ich es dir (und alle anderen auch) seit dem ersten Beitrag sagen. Polatität der Fet`s umdrehen und eine Diode in Serie schalten ;-)
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Reihenschaltung von 3 Bleigel-Akkus überwachen
habe im Prinzip zwei Ideen: 1. Nur einen Akku mittels ICL7665 überwachen und entsprechend einen MosFET schalten. Da bin ich mir unsicher, ob man mit 12 Volt am Gate 36V zwischen Source und Drain schalten kann. Ich habe zwar Grundkenntnisse in dem Bereich aber dafür reicht es nicht aus. 12 V Akkus habe
wie man mehrere Signale damit logisch verknüpft und > anschließend einen UND-verknüpften Ausgang schalten kann. Einen P-FET und alle drei Optolopplerausgänge in Reihe nach GND. Wenn einer davon zu macht, ist der FET aus. Dazu ein Spannungsteiler, um die zulässige U(GS) nicht zu überschreiten.
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Ansteuerung Magnetventil mit 2 MOSFETs
@ Flak: das wäre der Fall, wenn die FETs beide einen Anschluss des Magnetventils schalten würden. Hier ist aber das Magnetventiel zwischn 2 FETs an die Batterie angeklemmt.
Ok, Vielen Dank! Ich arbeite dann am liebsten mit 2 FETs. Wie soll ich die schalten? Wie im Anhang? Oder jeweils 1 FET an jeden Anschluß des Ventils? Grüße, Flo
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Fet Beschaltung
Wechselrichter mit ca. 0,5 Ohm vor (0,5 Sek) ist alles gut. Nun wollte ich dieses Vorladen über einen zweiten Fet bewerkstelligen, wo das Gate langsam (Widerstand lädt einen Elko) hochgefahren wird. Im Prinzip schaltet der erste "Schalter" Fet den 0,5R Widerstand an den Wechselrichter und der Fet, welcher den Widerstand
kurzschließen soll wird innerhalb einer Sekunde langsam kurzgeschlossen. Ach das funktioniert, aber dieser Fet stirbt zeitweilig (GS Schluss)Das langsame hochfahren sollte den Fet nicht überlasten, denn die Leistung vom Wechselrichter wird erst später abgerufen. Beide Fets schalten also niemals die volle Last
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
der Schaltung auch in nähe zum FET dämpfen (vorausgesetzt die Versorgung ist 'hart' genug) die Schwingungen. Die Rückwärtsdiode im FET ist oft geringer Qualität, es kann was bringen paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei
@ warze (Gast) >Die Rückwärtsdiode im FET ist oft geringer Qualität, es kann was bringen >paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war >sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Das mag zwar stimmen, aber nach
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MOSFET Stromsparend schalten
auch über ein CMOIS Gater 40xx ansteuern wenn du auf Nummer 500% gehen willst. oder einen Logic Level FET verwenden.
Wie sieht es aus, wenn man den MosFet so ansteuert: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/bilder/endstuf4.gif Da würde auch nur Strom fließen, wenn der FET umgeladen wird, die Spannung dafür kann am OpAmp entsprechend eingestellt
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Brauche Hilfe bei der Schaltung
Meine Last hat GND Bezug und der FET soll die 12V schalten. Dabei sollen die 12V mit der gleichen Frequenz wie der uC Ausgang geschaltet werden. Oben im Bild ist V1 mein uC Ausgang.
man meint, sonst entsteht nur Verwirrung. > Ich habe noch paar Fragen dazu: > > Zum 1: Welchen FET würdet ihr mir empfählen? Als Last kommen 16x > LED-Stripes mit 12V und 400mA pro Strang. Sollte ich evtl. noch eine > Komplementärstufe vor dem FET schalten um den FET richtig zu sperre und > öffnen
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SiC MOSFET schnell (28 MHz) schalten
20V * 2 = 17 Watt Treiberleistung (Treiber+Int. GateR). Und dann noch die eigentlichen Verluste vom FET (Leit+Schalt). Wie hast du vor die Bauelemente zu Kühlen? Mein Baugefühl sagt das das um Faktor 10 über dem gerade noch so machbaren liegt. Viel Spaß...
eine Halbwelle. In Wirklichkeit käme jetzt ein EL7185 o.ä. um die Treibertransistoren sauber zu schalten. Der eigentliche Treiber für den C2M0280120D ist dann resonant ausgeführt, L1 dient als Stromquelle für das Gate, bis die parasitären Dioden der Treiber-FETs die Spannung begrenzen. Das Simulationsergebnis
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Layout entwerfen - Ströme bis 100A
paar nH zusammen wenn der Treiber nicht direkt an den Gates ist. Dies führt dann zu mehr Verlusten im FET. Wie schnell schaltest du den FET? LM317
> Wie schnell schaltest du den FET? Die maximale Schaltfrequenz liegt bei 16 kHz
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MOSFET brennt durch
ich hernehmen. Harald W. schrieb im Beitrag #4707570: > Vielleicht könntest Du dann auch einen N-FET nehmen; die haben meist > bessere Daten als P-FETs. Wie gesagt: ich muss High-Side schalten weil GND direkt auf der Masse des Verbrennungsmotors liegt. Daher muss ich, denke ich, einen P-FET einsetzen
Flo schrieb im Beitrag #4707712: > Wie gesagt: ich muss High-Side schalten weil GND direkt auf der Masse > des Verbrennungsmotors liegt. Daher muss ich, denke ich, einen P-FET > einsetzen, oder? Nein. Für einen N-Kanal Typ brauchst du allerdings eine Hilfsspannung,
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FPGA Board erstellen
Transistotstufe die 5V und das Masse-Potential vom FPGA. Mit der > Spannung, die am Widerstand abfällt, schalte ich dann den > Logic-Level-FET für den Magneten. Spendiere einfach eine Leitung von gnd_netz nach gnd_board und fertig. Der Strom ins FET-Gate ist i.d.R. so klein, dass der FPGA das problemlos
Masseleitung habe ich berücksichtigt. Ich bin mir nicht ganz sicher was für Transistoren ich zum Schalten nehmen soll. Am Magneten nen Logic-Level-FET, so wie ich es gelesen habe. Und für den anderen Transistor? Kann ich das mit den 9V am Kollektor zum schalten so machen (rote 1)? Gruß Basti