Hallo Simon, danke. Ja, ist gut abgeblockt. Der Treiber ist eine Vollbrücke von IRF530A/IRF9530A, welche über 2 ICL7667 angesteuert wird. Da hängen 1000u+10u so nah wie's geht und nochmal 0.1u unten an der Platine direkt an jedem Halbpaar dran. Das sieht man auf dem Bild nicht, ist
geht es denn? > > Ein 100V MOSFET ist bei 12V nicht unbedingt erste Wahl. Mhm, ich verwende IRF530 und IRF9540 zur Motoransteuerung. 2A-H-Brücken werden im Betrieb sehr warm, und die Schaltung sollte sehr robust sein. :)
Transistor: https://docs.rs-online.com/3bb0/A700000006782199.pdf MOSFET: https://www.vishay.com/docs/91021/irf540.pdf Folgende Gedanken/Fragen sind dabei entstanden: 1. R1/R2 bilden einen Spannungsteiler, sodass 12V am Gate des Mosfets anliegen und dieser voll durchsteuert. 2. Der MOSFET ist richtig
MOSFETs und akzeptierst, dass du einen Gate-Treiber brauchst. Nehmen wir statt dem steinalten IRF530 mal was moderneres aber ebenfalls im grobmotorischen TO220 PSMN1R9-40PL Der hat 1.7mOhm und bei 30A gerade mal 1.5W Verlust, das hält der ohne Kühlung aus, bei 3A quasi gar keinen Verlust.
Interrupterstufe mit jeweils einem TLC555 dazu n bisschen Hühnerfutter, dann ein GDT-Treiber mit einem IRF9530 & einem IRF530. Der GDT-Überträger der dann mit der Primärspule meiner SSTC verbunden wird, wird mit 230V versorgt, was eigentlich total unnütz ist das hier zu sagen. Bei der LED hab ich
]] ala 74HCT125 etc. Oder such dir einen MOSFET, der mit 3,3V SICHER angesteuert werden kann, z.B. IRF7401. Siehe [[MOSFET-Übersicht]]. >- Definiertes Hochlaufverhalten (Ausgänge aus), auch wenn 24/5V nicht >gleichzeitig kommen Pull-Down Widerstände am Treibereingang/Pegelwandler.
Kapazitäten, hab schon FETs mit 5nF in der Hand gehabt. Nach Datenblatt ergibt sich Cgd=73pF, Cgs=530pF und Cds=23pF Bei offenem Gate koppelt eine Spannungsänderung am Drain über den kapazitiven Spannungsteiler mit 0.121 auf's Gate zurück. Also deltaUds=24V ergibt deltaUgs=2.9V - genug um das FET
Das könnte aus dem Bauch geschätzt mit TL431, LM358 und IRF3708 gerade noch so hinkommen, vielleicht rechne ich es morgen mal durch.
normalerweise kein Problem ist, wenn Schaltung und Bad "erdfrei" sind. Die Kombination aus LM358 und IRF530 ist zwar bei 5V vermutlich ungünstig, so daß man da wohl was anderes wählen sollt (OPV mit R2R-Fahigkeiten (RailToRail) des Output gegen +, des Eingangs gegen -, und Mosfet lieber ein LL-Typ (LowLevel
ansonsten gleichen Daten auch noch Unterschiede bei RDSon etc ... Ok, bin am Suchen, z.B. sehen IRF530 / IRF9530 erst mal gut aus ...
mir eine Modelldatei gibst, kann ich Dir jeden anderen > real geeigneten anpassen. Hab' eine für IRF530 / IRF9530 ausfindig gemacht, bei dem netten Herrn: http://www.egr.msu.edu/~wierzba/ (Wenn dein LTS auch meckert: "Multiple definition", die Zeile in der /lib/cmp/standard.mos auskommentieren
scheinen mir schlüssig, 300 Hz Dauerfunken sollte auf jeden Fall machbar sein. Kurt hat oben einen IRF530 gemalt, bei dem würde ich erwarten, dass der beim _ersten_ Zünden direkt durchpfeift, der darf nur 100 V UDS. Weshalb nicht der 530, sondern dessen Ansteuerstein stirbt, ist mir vollkommen rätselhaft
aus diesem link bauen: http://www.mikrocontroller.net/topic/179726#new dabei muss ich einen mosfet irf620n verbauen. Ich bestelle morgen früh etwas bei Reichelt, die haben 630er 520er 530er uvw. nur keinen 620er. bei conrad gibt es die zwar, aber die Dinger kosten erstens nur wenige cent, sodas ich
strebst du den an ? Und welchen P-FET hast du dir > den ausgekuckt ? Ich wollte mal mit einem IRF9520 die ersten Gehversuche machen. (Gut, der macht nur 6A - aber im Augenblick kann ich damit leben. Momentan geht es mir mehr darum, das Prinzip, die Zusammenhänge und die Kalkulation zu lernen).
>> Der IRF9520 brauch um durchzusteuern eine Gate-Source Spannung von 10V. >Sorry, muss nochmal nachfragen. >Habe gerade das Datenblatt durchsucht, aber ich finde diese Information >nicht. Ist die in einem
PD-93853C IRF1404S IRF1404L HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = 40V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.004 G l Fully
Abweichung 16%. Dann ist dieser Rds_on temperaturabhängig. Wenn man sich das DB des IRL530 anschaut, sieht man, daß der rds_on sich mit vielleicht 7% alle 10K erhöht. Dein Konstantstrom wäre also ziemlich temperaturabhängig. Die Variante mit dem Schalten des +Eingangs dagegegn liefert
doch mal falsch herum anzuklemmen. Ich sehe kein Problem, das Ding mit z.B. einem (oder mehreren) IRF3708 oder IRLZ44 elektronisch schaltbar zu machen.
verweise auf den weit höheren Nutzen von etwas mehr Spannungsfestigkeit - und zusätzlich darauf, daß die IRF540 sogar schon mehr als genügend Stromtragfähigkeit aufweisen würden. Und *wenn* schon die IRFB7446 unbedingt bleiben sollen (wäre aber auch bei den etwas "unmoderneren" IRF540 nicht schlecht - der
auf den weit höheren Nutzen von > etwas mehr Spannungsfestigkeit - und zusätzlich darauf, daß die IRF540 > sogar schon mehr als genügend Stromtragfähigkeit aufweisen würden. Ich habe leider keine IRF540 oder vergleichbare da. Bei der nächsten Reicheltbestellung bestelle ich ein paar mit.
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description
@Joachim: der IRF hat zwar die Daten aber ne fett Eingangskapazität, und wie ich geschrieben habe, weiß ich net inwieweit diese Kapazität die vorhergehende Schaltung(u.A. Dimmer für Auto-Innenbeleuchtung) belastet, und
MOSFets parallel, je nach gewünschtem Ausgangsstrom. Der Curtis 1221b für 600A/24V z.B. benutzt 35 Stück IRF640 parallel. Gut, das ist noch alte MOSFet Technik, aber auch die neueren Controller verlassen sich nicht auf einen oder zwei MOSFets.
haben wir 48V 250A Drehstromsteller im Einsatz. Darin werkeln pro Zweig der Drehstrombrücke je 6St IRF2807 welche parallel auf einem Aluminiumträger aufgelötet sind. Armin
PD - 91437B IRF9540N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V = -100V DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.117 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID
HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. Part Marking Information TO-220AB EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010 WITH ASSEMBLY A INTERNATIONAL PART NUMBER LOT CODE 9B1M RECTIFIER IRF1010 LOGO 9246 9B 1M DATE CODE ASSEMBLY (YYWW) LOT CODE YY = YEAR WW = WEEK Data and specifications subject to change without
***V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET power MOSFETs www.irf.com 7 IRFZ44NPbF TO-220AB Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)) TO-220AB Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED
1: MAX621 H-Bridge Ausgang zum entstörten Motor (Leerlauf ca 2A). Bleigel Akku 12V aus USV. 4 x SB530 als Freilaufdioden und eien Überspannungsschutzdiode (15V), Brückeversorgung mit 3 x 4700µf gebuffert. Channel 2: 5V Versorgung Labor Netzgerät gemessen am Ausgang Mit Minus an Akku. Was mich
Danke für Tips. Die Verbindungen zwischen den IRF's so kurz wie möglich sind. Die DGND 5V und GND2 sind am Minus des Akku's. Aber ich sehe, das meine Masse noch Überarbeitungswürdig ist.
Vorwiderstand) direkt am Controller betrieben werden. Ohne großes Treiber hin und her. Ich verwende IRF530. Der is guenstig, kann 14A schalten und wird in meiner Anwendung (ca 1A -10W Halogenlampe) nicht mal lauwarm (er bleibt eiskalt) PWM erzeugt der Controller in Hardware, ist nichtmal Software dazu
geschalten werden. Gibts irgendwelche Verbesserungsvorschläge ? Eigentlich wollte ich nur mit dem irf530 mosfet schalten aber dann würde immer die Spannung an einer Elektrode Anliegen was mir nicht gefällt. Vielen Dank im Voraus für Tipps. MFG Alpha
nach dem im Beitrag veröffentlichem Layout nachgebaut. In Ermangelung eines BUZ41A, habe ich einen IRF530 genommen. Hier einmal zwei Bilder der Platine von der Bestückungsseite und Lötseite.
PD - 9.1279D IRF3205 HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.008 G l Fully Avalanche
danke vielmals für eure Antworten :-) Eine Frage habe ich noch. An dem Pin MOSI hängt ein IRF530. Kann ich da einfach einen Anschluss zwischen löten und selbst wenn der Atmega in betrieb ist kann ich ihn dann flashen? Danke
Ja, ist ein IRF4905 und der hat auch einen (evtl. zu kleinen) Kühlkörper. Ich habe die Version mit der Zenerdiode gebaut, welche die Gatespannung auf 18V begrenzen soll. Die Messung an den Shuntwiderständen ist
das es ob des Überstromes durch D2 diese gerissen hat (Schluss) und nebenbei noch evtl. D1 und den IRF. Somit ist entweder die volle Trafospannung auf den Akku gelangt oder/(und anschliessend) die Akkuspannung rückwärts über Suppressor IRF in den Trafo, falls es da ob der vorhergehenden Überlast den
HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. TO-220AB Part Marking Information EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010 A WITH ASSEMBLY LOT CODE 9B1M INTERNATIONAL PART NUMBER RECTIFIER IRF1010 LOGO 9246 9B 1M DATE CODE ASSEMBLY (YYWW) LOT CODE YY = YEAR WW = WEEK WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California
duty cycle ≤ 2%. R = 25 , I = 30A. (See Figure 12) Uses IRFZ34V data and test conditions G AS 2 www.irf.com IRFIZ34V 1000 1000 TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 6.0V ( 6.0V n 5.5V t 5.5V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u100 u100 C C e e u r o o - - - - i i 4.5V r 10 r 10 D D , 4.5V , ID ID 20µs PULSE
PD - 94963 IRF3415PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature V (kk = 150V l Fast Switching l FullyAvalancheRated R = 0402IΩ (k)on0 l Lead-Free G Description
