ohne Stromkabel. Technische Daten: IDE-Port Betriebsspannung: 5 V- Stromaufnahme: max. 20 mA 128 MB NAND Flash Schreib-/Lesegeschwindigkeit: 5,4/6,7 MB/s Betriebstemperatur: 0...+70 °C
Hier ist C-H-S = 980-15-17, da müsste doch eine alte 504 MB oder weniger funktioneren. C-H-S konnte max. 504 MB addressieren, deswegen geht vermutlich die 2-GB-Platte nicht mehr, die will per LBA addressiert werden.
-------------------------------- # Id Hash-Function Insert/Search-Cycles Coll-Rate Max-Coll Total-Coll Used-RAM # ------------------------------------------------------------------------------------------------ 1 Paul Larson 57 77 1.79
table_size; /* Table size */ UINT64 used_entries; /* Used entries */ UINT64 max_dib; /* Max DIB (Distance to Initial Bucket) */ UINT64 collisions; /* Sum of the DIB of all entries */ } HT_STAT; BOOL HT_GetStat(HASH_TABLE *ht, HT_STAT *sp, HT_HASH
aber für meine 12V Anwendungen sinnlos. Und: ich habe gar nicht vor höhere Spannungen als 12V (oder max. 24V) zu verwenden. Das mit dem nebeneinander layouten hatte ich auch vor. Und: Der Vorteil ggü. den chinesischen ist dass ich die einfach in jedes beliebige Projekt einfügen kann (also dann alles auf
/www.conrad.de/de/platine-epoxyd-l-x-b-160-mm-x-100-mm-35-m-rastermass-254-mm-wr-rademacher-wr-typ-811-5-inhalt-1-st-529605.html Und wenn es funktioniert, kann man für die Massenproduktion ein Layout machen.
noch seltener ist und wertvoll wie Goldstaub. Außerdem passt der Übertrager. Da die Röhre ja nur max. 5W kann. Mit 5,6K stammt er sicher von einer EL84. Geht von den Werten. Die erste Kritik bezog sich auf 10W.
temperature range unless otherwise noted.) LIMITS SYMBOL PARAMETER TEST CONDITIONS 1 UNIT MIN TYP 2 MAX 〉 10%V CC 2.5 V VOH High-level output voltage VCC = MIN, VIL MAX, V IH= MIN IOH = MAX 〉 5%VCC 2.7 3.4 V 〉 10%V CC 0.30 0.50 V VOL Low-level output voltage VCC = MIN, VIL MAX, V IH= MIN IOL= MAX 〉 5%
auch nur bis 100MBit/s CSMA/CD, da sich danach die Leitungslänge extrem verkürtzen würde, glaube so max. 10m, ist aber auch schon etwas her, seit ich das zuletzt ausrechnen musste ;-) USB 3.0 sollte wirklich komplett kompatibel sein, zu allen USB 2.0 und 1.1 Devices. Wie bereits vorgeschlagen würde
hatte die berühmt- berüchtigte Kombi mit Firewire, hat schleichend die Daten geshreddert. Genesys GL811E oder deren Kombichip war auch so ein Shredderchip, auch oft zu finden in Gehäusen. Cypress galt auch als problemlos später kam dann doch ein Fehler zu Tage, weiss nicht mehr genau, spielte praktisch
500 Watt Verlusten entwickelt, das ist leicht zu erreichen. Der Gleichrichter braucht noch einmal max. die Hälfte der Inverterverluste.
LiPos? Tesla verwendet NCA, ansonsten ist NMC622 weit verbreitet. In Zukunft geht es in Richtung NMC811. NMC811 und NCA sind in ihren Eigenschaften (und auch Kobaltanteil) sehr ähnlich. Chinesische Hersteller verwenden häufig noch LiFePo (BYD ist da ganz groß im Geschäft), müssen aber wohl auch umstellen
CL istür den CL = 5pF Quarz auf der Platine. f = 144Hz CListäßtsichgrobmitfolgenderFormelab- fCL1 811Hz schätzen: fCL2= 667Hz [5] Ergebnis :C1=9,39fFausderMessungbe- rechnet (C1 = 9,3fF mit einem Beispielsweise beträgt Quarzmeßgerät gemessen ) Messung der Schwingsicherheit SF Die Schwingsicherheit SF
den Schalterzustand noch einmal an. Erst dann kannst du irgendetwas auswerten. Bis zum Ablauf von max_"geöffnet und wieder geschlossen" geht den µC überhaupt nichts an, was am Schalter passiert. Interrupt ist daher nicht unbedingt das das Mittel der Wahl. Man könnte ihn einfach abdrehen, solange die
Max S. schrieb im Beitrag #4790508: > Was bringen Standards wenn aber nicht jeder Compiler sie nutzt?!? Umgekehrt: Was nutzt ein Compiler, der keinem Standard folgt?
überwiegenden Mehrheit der für den PC benutzten Pascaldialekte diesen speziellen Schalter. Das von Max genannte AVRco-Pascal ist da eine Ausnahme. Zeno
Philips Semiconductors Product specification NPN power transistor BD329 FEATURES PINNING • High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounting surface 3 base • Especially for battery equipped applications. DESCRIPTION handbook
Hallo zusammen, mein Siemens Kochfeld EH811TL11 / 2 möchte seit ein paar Tagen SPORADISCH nicht mehr. Vor ca. 2 Wochen habe ich es eingeschaltet, Topf aufgestellt, eine der beiden rechten Kochfelder auf max. gestellt, dann ist 3 Sekunden nichts
nicht sicher ob es sich wirklich um 15 Ohm handelt. Bei dem Ø der Widerstände würde ich mal auf 2 bis max. 5 Watt tippen. Ich hänge mal ein paar Bilder mit an. Vielleicht kann mir jemand helfen?! Gruß Torsten
Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD330 FEATURES PINNING • High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounting surface 3 base • Powerswitchingandamplification,especiallyinportable equipment
100 A I CC I I High-level input current V = MAX, V = 2.7V 20 A IH CC I I Low-level input current V = MAX, V = 0.5V –20 mA IL CC I Off-state output current, Q0–Q7 OZH High level of voltage appliedonly VCC = MAX, VO= 2.7V 50 A Off-state output current, Q0–Q7 OZL VCC = MAX, VO= 0.5V –50 A Low level of voltage applied only NO TAG OS Short-circuit output current VCC = MAX –60 –150 mA CCH 55 80 mA CC Supply current (total) ICCL VCC = MAX 70 100 mA CCZ 65 95 mA NOTES: 1.
s Fig.1 Simplified outline and symbol. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VDS drain-source voltage (DC) − − 200 V V gate-source voltage (DC) open drain − − ±20 V GSO D drain current (DC) − − 300 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − − 1 W RDSon drain-source
Semiconductors Product specification NPN power transistors BD135; BD137; BD139 FEATURES PINNING • High current (max. 1.5 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounting surface 3 base • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
Semiconductors Product specification NPN power transistors BD135; BD137; BD139 FEATURES PINNING • High current (max. 1.5 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounting surface 3 base • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
Deutschland in den Grenzen von eben noch. Als Franke muss ich darauf bestehen: FRANKEN IN DEN GRENZEN VON 811!!!!!!!!!!!!!! Deitschland, halb Italien, Frankreich, Polen, -tschechei, Deutschland, Österreich, Bayern: alles unsers! Und die letzten Sachsen endlich wieder versklaven. Und überhaupt müssen die
damit ich auch mit 60 noch schaffen darf. Apropos Rente aus D. Lebensarbeitszeit -67 und Jobs bis max 45. wovon soll ein Ossi da ne Rente sehen? In meinem Jahrgang(1960) sehe ich da schwarz. Beschissen von allen Seiten. Egal ob Ost oder West, oder der eigenen Elterngeneration. Und von der Generation
Product specification NPN medium power transistors BC635; BC637; BC639 FEATURES PINNING • High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 80 V). 1 base 2 collector APPLICATIONS 3 emitter • Driver stages of audio/video amplifiers. DESCRIPTION handbook, halfpage 2 2 NPN transistor in a TO-92; SOT54
- gültig ab 1. Mai 2010 - Zwischen dem Verband der Bayerischen Metall- und Elektro-Industrie e.V., Max-Joseph-Str. 5, 80333 München und der Industriegewerkschaft Metall, Bezirk Bayern, Bezirksleitung Bayern, Elisenstraße 3a, 80335 München, wird folgender Entgelttarifvertrag vereinbart: § 1 Geltungsbereich
specification Silicon diffused power transistors BUW84; BUW85 MGB938 handbook, full pagewidth 10 I ICM max δ = 0.01 C (A) IC max p = 20 s (1) 1 II 50 s 100 s 200 s 500 s (2) 10−1 1 ms 2 ms I 5 ms 10 ms DC 10−2 III IV 10−3 10 102 103 104 VCE (V) BUW84. Tmb ≤ 25 °C. I - Region of permissible DC operation.
voltage 4 V supply voltage Fig.1 Simplified outline. CC QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT VCC bridge supply voltage − 5 − V Tbridge bridge operating temperature −40 − +150 °C Hy magnetic field strength −0.5 − +0.5 kA/m Hx auxiliary field − 0.5 − kA/m S sensitivity − 16 − -V V kA m Rbridge
Semiconductors Product specification NPN power transistors BD135; BD137; BD139 FEATURES PINNING • High current (max. 1.5 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounting surface 3 base • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
= DIN_CNT_MAX-1) then ROMADDR <= ADDRESS; -- clocked address --> BRAM end if; end if; end process; -- 1 clock cycle latency caused by BROM process begin wait until rising_edge(CLK); if BCK = '1' then if (DIN_CNT = DIN_CNT_MAX-1) then SIGN <= ACCUM(ACCUM'left); end if; end if; end process; QUADRANT <= ACCUM(ACCUM'left-1); RESULT <= signed(sine_LUT(ROMADDR)); ADDRESS <= to_integer(ACCUM(ACCUM'high-2 downto ACCUM'high-11))
Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BC337 FEATURES PINNING • High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. handbook
Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BC337 FEATURES PINNING • High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. handbook
Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BC337 FEATURES PINNING • High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. handbook
Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING • High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector, connected to case • Linear amplification and switching. DESCRIPTION handbook,1halfpage 3 2 NPN switching
Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING • High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector, connected to case • Linear amplification and switching. DESCRIPTION handbook,1halfpage 3 2 NPN switching
Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING • High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector, connected to case • Linear amplification and switching. DESCRIPTION handbook,1halfpage 3 2 NPN switching
www.velleman.co.uk/contents/en-uk/p371_hpg1.html http://www.velleman.co.uk/manuals/hpg1d.pdf output voltage: max. 8Vpp 1Hz to 1.000.000Hz sine, square and triangle output impedance: 50 ohms Nach gründlicherer Suche auch ein Schaltplan: https://cdn.velleman.eu/images/tmp/HPG1%20technical%20doc%20V1.pdf
Spule, keine 50W. Geeignete OpAmps sind OpAmp für Ausgang Funktionsgenerator: LT1206/1207 (LT) AD811 (100mA 2500V/us) LM6181 (100mA 2000V/us) EL400 (50mA +/-6V 430-1600V/us) BUF634 (250mA 2000V/us) SGM8301/2/4 (105mA 155V/us +/-6V). Aber auch Gegentakt-Transistorendstufen, die müssen aber schnellere
PIN DESCRIPTION 1 source 2 gate 3 drain QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VDS drain-source voltage (DC) − − −200 V VGSO gate-source voltage (DC) open drain − − ±20 V Y forward transfer admittance I = −200 mA; V = −25 V 100 200 − mS fs D DS D drain current (DC) −
Product specification NPN general purpose transistors BC546; BC547 FEATURES PINNING • Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 65 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector • General purpose switching and amplification. DESCRIPTION handbook, 2alfpage 3 3 NPN transistor in a TO
5.0V±10%) (Temperature at 0°C to 40°C & VDD = 5.0V±10%) Items Symbols Test Conditions Min. Typical Max. Items Symbols Minimum Maximum High Level Input Voltage V 0.7 V V IH DD DD Clock Operation Frequency fSCP 6.0MHz Low Level Input Voltage VIL 0 0.3 VDD Latch Pulse Frequency fLP 50kHz High Level Input
Max D. schrieb im Beitrag #4090991: > die Grenze von dem AVR kann allenfalls erreicht sein wenn - der Steuerung intensive Berechnungen zugrunde liegen - grosse Datenmassen (z.B. Multimedia) bewegt
gefragt Drei Klicks weiter: http://www.nxp.com/products/microcontrollers/product_series/lpc800/LPC811M001JDH16.html 3,3 x 2,6 Millimeter, 16 Pins, 0,5 mm dick. Klein genug? Mannomann, sind die Leute in diesem Forum kleinkariert.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Per transistor VCBO collector-base voltage open emitter − 50 V VCEO collector-emitter voltage open base − 45 V VEBO emitter-base voltage open collector − 5 V C collector current (DC) − 100 mA
Nach dem Reparaturbericht gestern (https://www.richis-lab.de/beka-max.htm) konnte man es sich fast denken, dass ich einen Blick in einen solchen SMART-MOSFET geworfen habe. :) Somit habe ich heute einen VN02H für euch: https://richis-lab.de/FET02.htm Wie üblich
Hier hätten wir den ersten Flächentransistor der DDR, den OC811: https://www.richis-lab.de/Bipolar53.htm
Dinge achten: - In einem ersten Versuch habe ich einen günstigen Gas-Sensor genommen (einen CJMCU-811). Dumm nur dass der einen eCo2 ausgibt, also nur ein äquivalenter Wert der angibt wie gut die Luft ist. Die Ergebnisse sind aus meiner Sicht für ein Wohnzimmer oder Büro schlicht unbrauchbar. Der Sensor
INI-File: "/opt/Co2Meter/Co2MeterSettings.ini" Opacity: 0.8 Port: "/dev/ttyUSB0" T-Offset: 0 Min: 400 Max: 800 -------------------------------------------------------------------------- Date & Time Co2 Concentration[ppm Temperature[°C] 2023-01-08 05:10:22 688 19.3 2023-01-08 05:10:25 688 19.3 2023-01-08
D-MOS transistors FEATURES QUICK REFERENCE DATA • Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT etc. VDS drain-source voltage 50 V • High-speed switching I DC drain current 175 mA • No secondary breakdown. D RDS(on) drain-source on-resistance 15 VGS(th) gate-source threshold voltage 1.8
Slave address: — READ A3 — WRITE A2. 3 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VDD supply voltage operating mode I C-bus active 2.5 − 6.0 V IC-bus inactive 1.0 − 6.0 V I supply current operating mode f = 100 kHz − − 200 A DD scl DD supply current clock mode scl= 0 Hz; VDD
