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bs170.pdf
Transconductance gm – 200 – mS at V = 10 V, I = 0.2 A, f = 1 MHz DS D Input Capacitance C iss – 30 – pF at DS= 10 V, GS = 0, f = 1 MHz Switching Times at GS = 10 V,DS = 10 V,DR = 100 Turn-On Time ton – 5 – ns Turn-Off Time t – 15 – ns off 1Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance
in „Integrator resetten, bzw. ersatz für SD211“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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günstiger Temp-Sensor
AB 50 Stueck bekommt man den DS10S20 fuer unter 2 EURO je Stueck bei Digikey.
Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Patrick · ·39 Antworten
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74f595.pdf
with output latches (3-State) 74F595 LOGIC SYMBOL IEC/IEEE SYMBOL (IEEE/IEC) 13 EN3 14 12 C2 SRG8 Ds 10 13 OE R 11 C1/ ▯ 12 STCP Qs 14 11 SHCP 9 1D 2D 3 15 1 10 SHR Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 2 3 4 15 1 2 3 4 5 6 7 5 VCC = Pin 16 6 GND = Pin 8 SF01097 7 2D 3 9 SF01098 MODE SELECT – FUNCTION TABLE INTERNAL
in „Schnelleres IC als STPIC6C595“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX846AEVKIT.pdf
______________________________ MAX846A Evaluation Kit E v Q1 a R6 FZT749 l 0.4 C6 D1 u 0.01 F EC10DS10 a R1 t J1-1 0.4 e VIN R2 680 s C1 : 235V 14 CS- M 13 CS+ 16 J1-2 DRV VL A GND 1 DCIN X 0.1 F 6 JU4 1 VSET 2 VSET 8 VL U1 R5 4 825k 3 VL 2 MAX846A 1% 6 VL A 4.7 F 16V 12 J2-1 BATT BAT+ C4 C7 0.01 F 4.7
in „Kompatibles Bauteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RequiresAcrobat6.pdf
140 RG= 6Ω Fall Time f – 22 60 Input Capacitance Ciss VGS = 0V – 1240 – Output Capacitance Coss V DS= 10V – 200 – pF Reverse Transfer Capacitance Crss f = 1.0MZ – 120 – Source-Drain Diode Diode Forward Voltage) VSD IS= 1.7A, GS = 0V – 0.7 1.3 V Source-Drain Reverse Recovery Time rr IF= 1.7A, di/dt = 100A
in „Ersatz-MosFet für GF9926“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Seriell.txt
DATA RSEG bit_seg received: DBIT 1 RSEG data_seg st_received: DS 1 st_send: DS 1 RSEG stack_seg tos: DS 10 CSEG AT 0 entry_point: JMP start ORG 023h ;Einsprungstelle Seriellinterrupt JMP isr_ser RSEG code_seg start: MOV SP,#tos call init_ss cycle: MOV R0,#255d ;Dummyprog. schleifi: DEC R0 JB received,data_received
in „Problem mit MOV A,SBUF“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BS170_2N7000.pdf
VSD S = 0.3 A,GS = 0 V 0.87 1.3 V b Dynamic Total Gate Charge Q g 0.4 0.6 Gate-Source Charge Qgs V DS= 10 V, GS = 4.5 V 0.11 nC ID^ 0.25 A Gate-Drain Charge Q 0.15 gd Gate Resistance R 173 W g t 3.8 10 d(on) Turn-On Time t V = 30 V, R = 150 W 4.8 15 r DD L ID^ 0.2 A, GEN = 10V ns td(off) R g 10 W 12.8
in „(Mosfet-) Alternative zu ULN2003“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NDM3000.pdf
Fall Time Q1, Q3, Q5 5 50 ns f Q2, Q4, Q6 8 50 Q TotalGateCharge Q1, Q3, Q5 Q1, Q3, Q5 10 25 nC g V DS-10 V, I = -3.0 A, V = -10 V Q2, Q4, Q6 9.5 25 D GS Q gs Gate-SourceCharge Q1, Q3, Q5 1.6 nC Q2, Q4, Q6 Q2, Q4, Q6 1.5 V DS10 V, Q gd Gate-DrainCharge I = 3.0 A, V = 10 V Q1, Q3, Q5 3 nC D GS Q2, Q4, Q6
in „L298 Nachfolger???“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF7314_P-Channel_Dual_20V_5.3A_0.058Ohm.pdf
Threshold Voltage -0.70 ––– ––– V V DS= VGS, D = -250µA gfs Forward Transconductance ––– 5.9 ––– S V DS= -10V, D = -1.5A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 µA V DS= -16V, VGS= 0V DSS ––– ––– -25 V DS= -16V, GS = 0V, TJ= 55°C IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V GS= -12V Gate-to-Source
in „mit 2,7V schalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Tmess_disp.a51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „7 Segmentanzeige mit Max7219“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AA_Stim_neu3.A51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „Microansteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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aaaaa_2.a51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „AT89S8252 ext interrupt 0 und Serielle Schnittstelle“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2sk955.pdf
1.0 mA Gate–Source Leakage Current IGSS V DS= 0, GS = ±30V – – ±100 nA Cutoff Voltage V GS(off) DS= 10V, D = 1mA 2 – 3 V Static Drain–Source On ResistancR DS(on)V GS= 10V, D = 4A – 1.2 1.6 Ω Forward Transconductance g V = 20V, I = 4A 2.5 5.0 – mho fs DS D Electrical Characteristics (Cont’d): (A = +25
in „N-MOSFET defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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freq.txt
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ; Reserviere Speicherplatz fuer Variablen im int. direkt adressierbaren RAM ;----
in „Frequenzüberprüfung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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freq.txt
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ; Reserviere Speicherplatz fuer Variablen im int. direkt adressierbaren RAM ;----
in „Frequenzüberprüfung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BUZ71.pdf
Specified (Continued) 102 15 ) PULSE DURATION = 80µs ID= 18A ( DUTY CYCLE = 0.5% MAX V T ( N G R A V DS= 10V R L U 101 V 10 C o E VDS= 40V I TJ= 150 C TJ= 25 C C R U D O O S T 0 O C 10 E 5 R T O G S S D G I V 10-1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 VSD, SOURCETO DRAINVOLTAGE (V) Q g, GATE CHARGE (nC)
in „BUZ 71 Wie anschliessen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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led-anzeige
könnte passen: http://www.liteon.com.tw/OPTO/SPEC/DATABOOK.NSF/PASN/DS-10-96-030/$file/C637D1P.pdf
Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Andreas · ·2 Antworten
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Mosfet für PWM Motorsteuerung
sollte folgenden Anforderungen gerecht werden: mit 5 Volt steuerbar sein (logic level FET) Auf DS 10 Volt und ca. 30A "aushalten". Scheint vielleicht so, als wollte ich mir keine Arbeit machen...aber da ich sowas noch nie gemacht habe, und die Auswahl ja doch recht groß ist, dachte ich mir, ich
Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Markus Müller · ·4 Antworten