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MSPGCC
und MSP430F1612. Bei Version 2.17 kann es zu fehlerhaften binarys kommen (Fehler: test.elf has no bss section) Mit der Version 2.16.1 sollte alles funktionieren. Hinweis3: Ich versuche es mit 2.19.1, wenn ich auf Fehler stosse, dann berichte ich davon.. gcc. Achtung: MSPGCC kompiliert nicht gcc-4.1.
debuggen zu können, muss man die Option "-g" an den mspgcc-Aufruf anhängen: $ msp430-gcc -mmcu=msp430x123 -g -Os -o test.elf test.c Damit erhält man die Datei "test.elf". gdbproxy starten. Der nächste Schritt ist das Programm gdbproxy zu starten, das für die Kommunikation zwischen GDB und dem FET zuständig
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Anregungen / Fragen / Hinweise zu Wecker
leiten beide, solange > kein Eingangssignal anliegt. Habe die gegentaktendstufe nun mit Mosfets BSS123 / BSS84 aufgebaut. Die Spannungsversorgung der fürs Display wird nun mit Vorwiderständen realisiert. Wird es so funktionieren?
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Was sind das für SMD-Bauteile?
ein BC857C, ich weiß nicht wie du auf eine BC847 kommst. 2. kann eine BAV70 sein. 3. könnte ein BSS123 sein 1. keine Ahnung, es ist auf jeden Fall ein SOT23-6 Gehäuse und kein SOT23-3. Ich weiß nicht ob es einen BC857B im SOT23-6 Gehäuse gibt. Wie schon gesagt, du musst ein bisschen versuchen
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Halbbrücke an PWM Ausgang gegen Querströme schützen.
Diode, 1N4148 doer so. Ne 100mA Diode nach dem Gatetreiber? Bei 200kHz? Was für ein Fet ist das? BSS138?
ich123 schrieb im Beitrag #3726276: > Fang doch mal hier an, ein gute rEinstieg ! > http://www.mikrocontroller.net/articles/Leistungselektronik Immer diese blöden Beiträge! Das ist mir Glaube ich bewusst
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Rust oder Nimrod als neue Hobbyprogrammiersprache?
Rust geschieht das automatisch. Beispiel: [c] fn erzeuge_daten() -> Box<int> { let p = box 123; p } fn aufrufer() { let p = erzeuge_daten(); println!("{}", *p); } [/c] Hier wird der in /erzeuge_daten/ reservierte Speicher am Ende von /aufrufer/ automatisch zurückgegeben. Der
Dr. Sommer schrieb im Beitrag #3718599: > fn main() { > let mut p1 = box 123i; // zunächst ist p1 Owner > println!("{}", p1); // OK > > if (getInput () == 27) { > let p2 = p1; // dann übernimmt p2 die Ownerschaft > } > > p1 = box 456i;
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AVR: sscanf() liest keine float
stdio.h> #include <string.h> int main(void) { int i; float f; const char in[] = "100 1.123"; sscanf( in, "%d %f", &i, &f); ... f ist immer 0! PS: Der Code funktioniert auf meinem PC einwanfrei (MS Visual Studio). Ich vermute, das Problem liegt irgendwo in den Compilereinstellungen
AVR8 GCC\Native\3.4.1056\avr8-gnu-toolchain\bin\avr-size.exe" "test.elf" text data bss dec hex filename 3474 16 8 3498 daa test.elf Done executing task "RunCompilerTask". Task "RunOutputFileVerifyTask" Program Memory Usage :
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N-Fet verursacht geisterhafte Spannungserscheinung auf Drain-Seite
! Auf einer Schaltung habe ich gerade ein merkwürdiges Phänomen. Mit einem N-Fet (FDD8778 oder BSS123) bekomme ich ziemliche Spannungsspitzen beim Schalten des Spannungsteilers gegen GND. Wo die herkommen ist mir leider unerklärlich :( Habe es einmal in LT-Spice nachgebildet und hier simuliert
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I2C Relaiskarte wird gestört beim Schalten von 230V
div Relaiskarten einstecken (bestückt mit den pcfs T/AT). Diese schalten dann bis zu 8 Relais über BSS123 Mosfets. 2x2 Relais laufen im Rolladenverbund gesichert via AND und XOR Gatter das diese nich gleichzeitig schalten. Bei mir auf dem Tisch lief alles sehr gut. Habe auch div Tests gemacht mit den
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Suche SMD MOSFET mit Aufschrift 123M
BSS123
Martin schrieb im Beitrag #3602948: > BSS123 100V und 6 Ohm, das passt doch hier gar nicht.
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Z180-Stamp Modul
eine Frage: Bei dem S100 Panel hat er bei einige LEDs (die mit "Impulsen") durch ein MonoFlop (74LS123) die Anzeige verlängert - macht das Sinn? http://www.s100computers.com/My%20System%20Pages/SMB%20Board/S100%20Bus%20SMB.htm
als der BSS138 funktionieren, da sein Vgs(th) nochmal niedriger ist. Allerdings hat der bei Ugs = 0,00xV nicht ganz schließen wollen (2 Exemplare). Da es mit dem BSS138 funktioniert, habe ich das nicht weiter untersucht
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Takte zählen mit avrtest?
ändern, um zu steuern welcher Pfad der If-Bedingung durchlaufen wird. [c] uint8_t myControlFlag = 123; void foo(void) { uint8_t someLocalValue; ... ... someLocalValue = Adc_GetResult(CHANNEL_05); CYCLE_PORT = 0xFF; if (myControlFlag < VOLTAGE_CRITICAL) { ...
Schreibeaktionen werden dann getriggert durch den Startcode des geladenen Programms: SP setzen, .data und .bss initialisieren. Allerdings ist avrtest nicht für Programme gedacht, die I/O verwenden -- egal ob intern oder extern -- oder die Interrupts verwenden. avrtest ist ein reiner Code-Simulator für algorithmische
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Tiny-PWM-FET. Warum Problem mit Kondensator?
power LED" die kann locker 5A ab. Dann nimm einen Logik-Level FET der den Strom liefen kann. Der BSS123 kann es nicht.
schrieb im Beitrag #3473676: > Dann nimm einen Logik-Level FET der den Strom liefen kann. > Der BSS123 kann es nicht. Der BSS123 geht laut Datenblatt bis 0.17A und hat einen RDS(ON)=10Ω@UGS=4.5V
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rotary hex switch durch einen digital angesteuerten IC ersetzen
Nimm einfach N-FET mit geringen R-ON BSS123 oder besser.
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IR-Anschluss korrekt?
man ihn sicherlich nicht betreiben! Vorschlag: nimm einen kleine nMOSFET, z.B. den BS170 oder den BSS123 (SMD). Siehe http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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Inverterschaltung
Invertiertem Signal dann angesteuert wird. Gate von diesem Mosfet hängt dann an 200 Ohm. Ich hätte die BSS123 im Angebot! Sind die zu klein? Oder passen diese für den Einsatz?
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Literaturverzeichnis/ Ordnungsprinzip wanted
Datenblättern: Bauteilbezeichnung(en) Eigenschaften, Hersteller und Ausgabedatum des Datenblattes. Beispiel: BSS100_BSS123_N-Channel_LogicLevel_Fairchild_1996. Die Eigenschaften sind leider sehr willkürlich. Manchmal schreibe ich auch "Obsolet" oder die Gehäuseform, Spannung oder irgendwas dazu. Bei Applikationsberichten
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[arm-none-eabi] Wie Stack-Grösse definieren?
Stack definiert sein, sowas wie __stack_end oder ähnlich. Üblicherweise wird es irgendwo hinter dem .bss und .data Segment definiert. Der Abstand zwischen der Adresse dieses Symbols und dem Ende von .bss definiert deine Stack Größe. Das Symbol wird dann im Startup Code benutzt im den Stackpointer zu initialisieren
Klassische GCC Linker files definieren z.B. den Heap Anfang auf die erste Adresse nach dem Ende des .bss und den Stack auf die letzte RAM Adresse. Stack und Heap treffen sich dann halt irgendwo in der Mitte... ;-).
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Schaltungsentwurf
Ich frage mich eher, warum Du das eine Mal mittels BSS123 über einen 100k ziehst, das andere Mal direkt mit einem Taster. Die Lösung für die Erkennung ist, beim Reed-Schalter und dem Taster jeweils zwei Dioden (oder jeweils eine (Schottky-)Doppeldiode
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Mini Wanderkiste " Runde I " Gesperrt
123 schrieb im Beitrag #3365554: > Ich könnte ein paar 20Mhz quarze, dioden bat54, und LEDs beisteuern Wäre toll aber sei so nett und meld dich doch bitte an sonst kann man dich ja leider nicht erreichen
16 Mhz - 4x SMD Quarz 30 Mhz - 2x SMD Quarz 40 Mhz - n Stück SMD Diode Rot (SOT323) - n Stück BSS92 (TO-92 P-Ch MOSFET) - 3x SN7544 (THT) - 4x CD40106 (THT) - THT-ICs: Logic (TTL und CMOS) EEPROM RS232 Wandler ----------------------------------------------------------- Die Kiste
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Möglichkeit zur resistiven Messung an uC-ADC - Verfahren geeignet?
stimmen. Oder würde es sich anbieten, einen kleinen FET anstelle der Pins direkt zu nehmen? Ein BSS123 oder so. Was meint ihr?
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TFT Monitor kaputt - Fehlersuche?
Netzteils hat sich aber etwas geändert, es pfeift jetzt nicht mehr sondern macht nur noch im Sekundentakt:"bss, bss, bss ...". Was könnte ich noch tun um den Fehler zu finden? Ich vermute immer noch einen Fehler am Netzteil, da die Power-LED beim betätigen des Einschalters nicht leuchtet. Grüße
Manfred123 schrieb im Beitrag #3354564: > Das Geräusch des Netzteils hat sich aber etwas geändert, es pfeift jetzt > nicht mehr sondern macht nur noch im Sekundentakt:"bss, bss, bss ...". Ein taktendes Netzteil
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WS2812B mit 3.3V ansteuern
du genutzt? Ich versuche das gerade (Ausgangssignal muss invertiert werden) an WS2812B mit einem BSS123 und bei 1k werden die Pulse erkennbar (durch 10k wird viel zu langsam entladen), aber es funktioniert immer noch nicht. Besser klappt es, wenn ich das 3.3 V Signal direkt anlege. Sobald die Versorgungsspannung
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Hackbarer(?) 21 EUR Quadcopter
http://www.electronics123.com/s.nl/it.A/id.2905/.f?sc=8&category=241 Sowas in der art nur günstiger
Editor funktionieren könnte. Man kann damit functionen definieren, die Befehle wie _WWORD (0x20000, 123); beinhalten, mit denen man den Speicher des Targets beschreiben kann. Oder verstehe ich hier etwas falsch?
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RS232 Kommunikation
Hallo, du kannst für die Relaisansteuerungen einen BSS123 nehmen. Pulldown von 10K am Gate nicht vergessen. Als Freilaufdiode kannst Du eine SM4007 nutzen. Du musst Dein Netzteil noch mal prüfen. Die Kondensatoren sind zu klein. Du musst mal messen oder
verbunden. Florian schrieb im Beitrag #3330495: > du kannst für die Relaisansteuerungen einen BSS123 nehmen. Dafür verwende ich jetzt einen BC817. Florian schrieb im Beitrag #3330495: > Pulldown von > 10K am Gate nicht vergessen. Gute Idee habe ich jetzt hinzugefügt. Florian schrieb im
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Globale Variable wird im ISR nicht hochgezählt??
foo(); test++; }' >> cfile2.c $ cc -O -fno-common -o foo cfile1.c cfile2.c /var/tmp//ccZrWvH3.o(.bss+0x0): multiple definition of `test' /var/tmp//cczRicUe.o(.bss+0x0): first defined here [/pre]
behandelt, d.h. es gibt kein einziges Byte > Unterschied im Compilat. -fno-zero-initialized-in-bss Damit kann man das frühere (bis GCC 2.95 meiner Erinnerung nach) Verhalten noch aktivieren. Einer Applikation sollte das natürlich eigentlich egal sein.
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einfacher 20m-CW-Sender mit AD9850 und MOSFET
parallel zum XTAL sind es erstaunlicherweise nur noch 14.001MHz Mit 1µH parallel sind es plötzlich 14.123MHz, wobei die letzte Stelle ordentlich schwankt (Serien-C muss aber auf ca. 30p gestellt werden, damit der O. überhaupt anschwingt).
selbstleitend. Er sperrt je nach Typ (ABC) erst bei <-5 Volt. IMO wäre ein kleiner MOS-Fet wie der BSS123, BSS138 oder 2N7000 bzw. 2N7002 besser geeignet. Durch Verwendung eines PNP-Transistors oder eines P-Kanal MOS-Fets kann die Funktion invertiert werden. Dann müssen die Dioden umgedreht und der
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Spannungsmessung an LowPower-Eingang
sagen, da ich keine Unterlagen mehr darüber habe (Vorgängerfirma), aber es dürfte etwas in Richtung BSS138 gewesen sein (bzw. der P-Channel Typ dazu).
zu belasten? Ist doch schon mehrfach gesagt worden. Durch einen MOSFET mit geringem Leckstrom. BSS123, der hat bei 60V U_DS typisch 10nA Leckstrom. Real hat der bei deinen 3V Batteriespannung vielleicht 1-2nA, also nix. Drain an Batterie, Source an ADC-Eingang. Gate an ein Steuerpin, dazu ein
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Herz und Nierencheck Fernbedienung
Plan verwendete Schaltzeichen falsch. Das Gehäuse stimmt jedoch > mit dem des IRLML2402 überein. BSS138 oder BSS123 sollte jedes E-CAD in der Lib haben. So gesehen würde bei deinen Anforderungen ein BSS138 (= 2N7002 - findet man massig auf alten Platinen) auch reichen. Bedrahtete Variante wäre BSS98, BSS100, 2N7000. Notfalls sogar BS170. > Wie nennt man die Spannung, die mindestens am Gate anliegen muss, damit > er aufhört zu sperren und überhaupt leitend wird? Ist das die "Gate > Threshold Voltage
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Flipflop für Zähler
haben. Du musst stattdessen geeignete Mosfets aus der Bibliothek auswählen. Ich habe die Mosfets in BSS123 (N-Kanal) und BSS84 (P-Kanal) geändert. Problem 3: Deine beiden NOR-Gatter sollten wohl so eine Art RTL-Gatter werden. Dabei fehlt aber jeweils eine Diode und der Pulldown-Widerstand. Ich
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Arduino Uno und ProFet BTS50085 mit 24V - Welcher PullDown?
MOSFET zu treiben ist ungewöhnlich. Meistens wird dafür ein Kleinsignal-Transistor verwendet (z.B. BSS123 von Infineon). Bei MOSFETS wie dem IRLB kann der Leckstrom so hoch werden, dass der BTS50085 das Signal am Pin 3 ("IN") nicht als Abschaltsignal versteht, womit am Ausgang zumindest ein erhöhter
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Power on/off
hat keiner ne Idee? Ich könnte mir noch vorstellen das eventuell der Spannungsteiler für den BSS123 falsch dimensioniert ist und er dadurch nicht richtig schaltet... Wie sollte der optimale Schaltpunkt beim Gate sein?
da vorschlagen? 220R + Schottky in Reihen und dazu 1 Meg parallel? Ist der Spannungsteiler für den BSS123 kritisch ? rechnerisch müsste die Gatespannung je nach Eingangsspannung zwischen 1,5 - 2,1 V am Gate sein laut Datenblatt wäre es ok. Hab gerade noch ermitteln können das wenn ich es ausschalte
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Timer1 und UART - Atmega resettet sich
Zahl nicht ausgeht. Bei einer Fieldwidth von zb 5 und 2 Nachkommastellen, passt nun mal die Zahl -123.45 nicht mehr in ein Feld der Breite 5 und dtostrf erweitert das eigenmächtig zu 7, wodurch der von dir bereitgestellte Buffer auf jeden Fall viel zu klein ist und du irgendwas am Stack überbügelst.
bytes (61.0% Full) (.text + .data + .bootloader) Data: 194 bytes (18.9% Full) (.data + .bss + .noinit)[/code] Grüße
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Festo-Akkus defekt / Zellen austauschen?
Allerdings gibt es als Alternative auch LiIon oder vor allem die hochstromfähigen LiFePo4 von A123. Mit der passenden Schutzschaltung im Akku kann man das bisherige Ladegerät verwenden. (+)--+---+---------------+----------------+ | | | | | 820k
(-)--+ (Widerstandswerte auf 3 Zellen umrechnen) Aber ich habe keine Langzeiterfahrungen mit A123 Zellen, und die Firma ist auch schon pleite, vielleicht sind die auch in 5 Jahren defekt.
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Sehr hoher Stromverbrauch bei NE555-Schaltung
555er verbraucht die Schaltung laut Anzeige auf dem Labornetzteil 11mA. Wenn ich jetzt aber einen BSS123 dranhänge (Gate mit dem Ausgang des NE555 verbunden, Source auf Masse, Drain offen), dann verbraucht die Schaltung plötzlich 170mA und der BSS123 wird heiß. Ist das normal? Woher kommt der hohe
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Stromsparendes Schalten von 5V mit 3,3V
Ein einfacher N-KanaL MOSFET (BSS123) + 10k Pull-Up als [[Pegelwandler]] ist alles was man braucht. Damit kann man den P-Kanal MOSFET an 5V sauber schalten. Die 0,5mA für den Pull-Up im eingeschalteten Zustand kann man bei bis zu 1A
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Lithium-Akkus in Reihe laden?
| | | | | |S Akkuzelle3 +---+---+--|SET1 HYST1|--+---)--|I BS250/BSS84 | | | | | GND | | | | Akkuzelle4 82k 10M 10M +----------+ 120k | | - | | | | | | | | | | | +-------(--------+ | |
Daher kann in vielen Anwendungsfällen tatsächlich auf einen Balancer verzichtet werden. Aber selbst A123 Systems rüstet seine Akkupacks mir einem Ballancer aus. Außerdem ist zu bedenken, daß die Wärme die Akkus stärker altern läßt. Man sollte also sowohl die Akkus als auch das Einsatzszenario kennen, wenn
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BSS100 vergleichstyp
Vielleicht ist er als SMD leichter zu bekommen --> BSS123
ist kein Problem. Von den Technischen Daten her passt er ja bis auf den Id. In dem Datenblatt vom BSS100 was ich habe, steht der Wert von 220mA. Bei Conrad vom BSS123 steht der Wert 170mA. Ist das problematisch, wenn nein würde ich mich über eine Erklärung freuen. Unter den Maximum Ratings des BSS123
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_delay_ms(500) funktioniert nur sporadisch
Programmen... if (eingabe == 1) ist also das gleiche wie if (eingabe != 0) oder if (eingabe == 123) Aber man lernt ja nie aus...
bytes (93.0% Full) (.text + .data + .bootloader) Data: 12 bytes (9.4% Full) (.data + .bss + .noinit) [/c]
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Neuer Akkuschrauber - nur welcher?
Ich habe einen 18-V-billig-Schrauber, bei dem ich nach 1 Jahr von NiCd-Akkus auf A123-LiFePO4-Akkus umgestellt habe (geladen wird mit strombegrenzter Festspannung von 3.5 Volt). Die Akkus haben einmalig 60 Euros gekostet (Akkus von Marken-Schraubern sind deutlich teurer), einfach super
Hallo, mine Bitte: kannst Du mir nähere Informationen geben wie Du das mit den A123 LiFe Akkus hinbekommen hast - insbesondere das Laden? Danke Walter PS: ich habe einen MILWAUKEE Schrauber, und ein neues Akkupack kostet ca. € 240 !!!!!!!!! Und das will ich mir nicht antun
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Kleiner SMD FET gesucht
kannst du doch meist direkt mit einem Portpin treiben. Ansonsten einfach einen SOT-23. z.B. 2N7002, BSS123 oder sonstiges. Gibts auch bei reichtelt
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News aus der Atmel Gerüchteküche
Megabytegröße. Soso. [pre] j@uriah 198% size /usr/obj/usr/src/sys/URIAH/*psm* text data bss dec hex filename 32599 1424 40 34063 850f /usr/obj/usr/src/sys/URIAH/psm.o [/pre] Einen Maustreiber mit vergleichbarer Funktionalität in nur 10 KiB Assembler würde ich gern
Spitzenwert vom 3,3-fachen, also rund 1,3mVs. Und das sind dann nur noch 9,5bit, statt 12bit. Auf Seite 123 finde ich das Rauschen der "analog comparator hysteresis" von rund 30mVeff, also rund 100mVs. Ist das nicht ein wenig viel? Auf Seite 124 findet man sogar noch größere Werte. Auf Seite 126 finde