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Transistoren und FETs
den falschen Werten im Datenblatt nachgesehen. Muss ich bei der Ansteuerung der Transistoren und FET's also immer berücksichtigen, was ich schalte? Ich wollte eigentliche einen Transistor verwenden, der mit der Ausgabespannung eines AVR's voll durchschaltet und ich da eine beliebige Last anhängen kann
Bipolartransistoren schalten bereits bei Ube von 0.7-0.8V durch. Diese werden eher über den Basisstrom gesteuert, also Vorwiderstand nicht vergessen. Mosfets schalten je nach Spannung am Gate unterschiedlich durch, üblich sind
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Hochohmigen Pfad zur Spannungsmessung mit P-FET schalten
selbst wenige uA sind leider auf Dauer zu viel. Daher gedachte ich den Spannungsteilerpfad mit einem P-FET zu schalten. Leider schaltet der P-FET nicht aus, ich messe, selbst wenn ich nur den Spannungsteiler, den FET, sowie den Widerstand zwischen Source und Gate in der Schaltung habe am Gate gegenüber
Lieber N. schrieb im Beitrag #6382749: > Daher gedachte ich den Spannungsteilerpfad mit > einem P-FET zu schalten. Warum nicht mit einem logic level N-Kanal-FET _IM_ Spannungsteiler? https://www.mikrocontroller.net/articles/Batteriew%C3%A4chter#Prozessorteil Gruß Anja
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Bauteil um 15A zu schalten.
>Ok, für 15 A braucht der BUZ11 ganze 5,8 V ;-) Typisch, aber nicht Worst Case. Ein SICHERS Schalten von 15A ist mit 5V am Gate NICHT möglich! http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte
Der MC ist doch gut >> geschützt oder habe ich nen Denkfehler? > > Überseh ich irgendwo den/die FET/s? Deshalb der Text in Klammern: noch mit Relais Stell Dir einfach vor die Relais seien FETs
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Fluke 85: Stromverbrauch wenn ausgeschaltet
schalten?
> sauber schalten? Ich vermute es. Am Drain liegen aktuell im Betrieb immer noch 400 mV an. Wenn der FET richtig gegen 0V durchschalten würde, müsste die Spannung nahe 0V sein. Wenn der Widerstand vergrößert wird
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MOSFET macht nicht was er soll
Schalte mit deinem N-FET die Masse statt die 12V und Steuer es direkt ohne Transistor mit dem Arduino an. Pulldown (10k aufwärts reichen) am Gate nach Masse nicht vergessen.
Kevin M. schrieb im Beitrag #7422220: > Schalte mit deinem N-FET die Masse statt die 12V und Steuer es direkt > ohne Transistor mit dem Arduino an. Pulldown (10k aufwärts reichen) am > Gate nach Masse nicht vergessen. Geiler Tipp! Danke, werde
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TIP122 als Schalter, wird trotzdem sehr heiss
Christian S. schrieb: >> Wenn die MOSFETs so toll sind, warum nimmt man die nicht immer zum >> Schalten von Lasten ab 1A? > > Als Schalter sind die in jedem Fall besser geeignet. FETs punkten durch die geringen Durchlassverluste. Die riesige Gate-Kapazität (Nanofarad!) und die Schwellspannung
schrieb im Beitrag #4218580: > Wenn die MOSFETs so toll sind, warum nimmt man die nicht immer zum > Schalten von Lasten ab 1A? Ich nehme Bipolartransistoren nur noch in Ausnahmefällen, ansonsten immer FETs. Bei 2A und 50mOhm werden nur noch 200mW verschwendet, keine Kühlung nötig. Allerdings werden
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Schalten durch sehr kurzen Impuls (Piezo)
Transistor? oder was anderes? Das ist ein N-Kanal Feld-Effekt Transistor, damit kann man GND schalten, einfach ausgedrückt, die Last muss vor dem FET liegen. Mit einem P-Kanal kann man VCC Schalten, einfach ausgedrückt, die Last muss hinter dem FET liegen. Im gegensatz zum standard Transistor
schaltet den FET (Feld Effekt Transistor) durch, je nach stärke des Impulses (Wie fest du draufhaust) nicht ganz aber ausreichend viel. Jetzt musst du nur, je nachdem welchen FET Typen du benutzt die LED an die Richtige
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Moset gesucht 3,3V Logik, 30V 10A Drain, TO220
bestimmt noch bessere gibt. Das war der 2. Google Treffer. Rohm hat z.B. mit dem RQ3E180AJ einen 18A Fet, der diesen Strom bei 1.6V macht. Aber nicht im TO220. Deren 1.0V Fet (SP8M70) kann 3A
. selektieren für eine Serie. Ein Arduino DUE arbeitet mit 3,3 V, das RADDS Shield stellt die SchaltMosFETs für div. Heizungen zur Verfügung: http://www.dr-henschke.de/RADDS_23_sch.pdf Funzt soweit eigentlich ganz gut..
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Low-Side-Switch mit Stromregelung schaltet ungewollt durch
B. schrieb im Beitrag #4916241: >> Erstens sieht der untere nur zwischen 0 und 5V, > > Nein, schalte den SteuerFET, lass den LastFET geschaltet haben und dann > hoffe dass der Lasttrom schnell genug abklingt. Du meinst immer noch, dass der untere FET zwischen 5V und 12V Eingangsdifferenz sehen
schrieb im Beitrag #4916241: >>> Erstens sieht der untere nur zwischen 0 und 5V, >> >> Nein, schalte den SteuerFET, lass den LastFET geschaltet haben und dann >> hoffe dass der Lasttrom schnell genug abklingt. > > Du meinst immer noch, dass der untere FET zwischen 5V und 12V > Eingangsdifferenz
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Transistor oder MOSFET
ich benutzte die Worte 'sollte' und auf deine Aussage nur 'nicht > ganz'. Ich baue high-side Schalter generell mit einem NPN vor dem P-FET auf. Dem ist es nämlich egal, ob meine Ansteuerung 2 Volt oder 5 Volt liefert, ich muß lediglich den Basiswiderstand rechnen. Dieter R. schrieb im Beitrag #7004413
Akkubetriebenen Anwendung schalte ich meinen P-FET tatsächlich hochohmig über einen IRLML6344, da will ich den Basisstrom nicht haben - ist aber kein PWM. >>> Oder eben den NPN, wenn >>> die PWM-Frequenz sich in moderaten Werten
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Spulenstrom erst absenken und beim Abschalten schnell loswerden
> zugrundeliegenden Gedanken fehlerhaft. Das kann ich mir noch nicht ganz vorstellen, welchen FET ersetze ich durch eine Diode? Aber auch da fehlt mir noch die Idee, wie ich die FETs schalten soll, sodass sie nicht wieder eingeschaltet werden.
ich mir noch nicht ganz vorstellen, welchen FET ersetze ich > durch eine Diode? Aber auch da fehlt mir noch die Idee, wie ich die FETs > schalten soll, sodass sie nicht wieder eingeschaltet werden. Nimm eine beliebige H-Brücke: https://de.wikipedia.org
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Punktschweißgerät mit Kondensator
Schaltest du die FETs eigentlich ab, während der Kondensator noch entladen wird? Dann will der Strom durch jedwede Induktivität natürlich weiter fließen. Warum es gerade die TVS-Diode erwischt, kann ich mir
Peter N. schrieb im Beitrag #7098213: > Jörg W. schrieb: >> Schaltest du die FETs eigentlich ab, während der Kondensator noch >> entladen wird? > > Ja, das Gerät arbeitet nach dem Zeit/Strompuls-Prinzip im Gegensatz > Spannungs/Kondensator-ganz-entladen-Prinzip
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5V mosfet mit 3,3V gpio pin steuern
Die LL Fets schalten auch bei 3,3 Volt. Ab ca. 1,5 Volt schalten diese schon voll durch.
F. F. schrieb im Beitrag #5124488: > Die LL Fets schalten auch bei 3,3 Volt. > Ab ca. 1,5 Volt schalten diese schon voll durch. Das glaube ich eher nicht. Dann würden die Hersteller den Rdson auch für 1,5 Volt angeben. Welche Last mit wieviel
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Pulsbelastbarkeit von Power-MOSFET, noch in der SOA?
Widerstand von 2,6mOhm sind das Irgendwie passt das Ohmsche Gesetz hier nicht. Wieso hat der FET 50V bei 120A? Das wäre mE lediglich während des Schaltens möglich - ein FET hat diese Art von Überlappung aber nicht für 3-10ms. Was verstehe ich hier nicht? Gruß,
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#SOA_Diagramm
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Welchen MOSFET als Schalter?
durchgeschaltet) zu erhalten. N-Kanal Mosfet werden verwendet, wenn du masseseitig (low side) schalten willst. Gruß DEtlef
Wenn du Plus schaltest brauchst du einen P-Kanal Fet. Um Masse zu schalten einen N-Kanal. Hier ist das recht gut erklärt: http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nkanal.html http://www.sprut.de/electronic/switch
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FET gesucht
ein N Kanal FET kann ja auch gegen Masse schalten. zB- IRL3803. Allerdings nur ca. 30V dafür aber LL-Typ.
>ein N Kanal FET kann ja auch gegen Masse schalten. >zB- IRL3803. Allerdings nur ca. 30V dafür aber LL-Typ schade... Es wird ein Highside-Schalter gesucht.
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N-Channel als Lowside-schalter?
(sog. Logic-Level-Fets). Da geben die jeweils passenden Datenblätter ausreichend Auskunft.
er, enweder wird er durch den Fet einen Avalanche Durchbruch verursachen und je nach Energie überlebt der Fet oder eben nicht. http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/9/90/Catchdiode.png MFG
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Auswahl der FETs
Hallo, ich würde gerne in der folgenden Schaltung die Schalter durch FETs ersetzen. Kann mir jemand welche empfehlen? Viele Grüße
um 180° versetzt wie bei deinen jetzigen Schaltern. Die Ansteuerung muss in der Realität auch vom Timing etwas anders aussehen (dead time), um zu verhindern, dass die FETs den Kondensator kurzschließen (shoot through). Ein FET schaltet ja nicht
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Berechnung von Widerständen
größten Verlustleistung. Dein Ansatz ist zwar machbar, aber eben weniger sinnvoll. Wenn du schnell schaltest (1A), dann macht das ein klitzekleiner FET im SOT23-Gehäuse, so bräuchtest du mindestens einen mit Kühlfahne. Klaus R. schrieb im Beitrag #6302711: > was schrieb: >> Klaus R. schrieb: >>>
wurde - die Entladung des Gates über R1; der Einschaltvorgang war idealisiert): - R1 = 1k: 94mW am FET - R1 = 10k: 96mW am FET - R1 = 100k: 125mW am FET - R1 = 1Meg: 420mW am FET Das gilt für 1:1 Tastverhältnis, die Verlustleistung im Ein-Zustand des FET spielt auch eine Rolle, hier sind das etwa
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Hochspannungsschalter mit FET
Äh wie jetzt, soll der FET die Spannung von 150V schalten oder sollen 200V den Fet schalten? Spannungsteiler am Gate? Z-Diode 12V über Widerstand 100k an´s Gate? Denke, das sollte kein Problem sein.
wenn du eine betriebsspannung von 3V hast, und ne spannung von 3-150V schalten willst, musst du dir doch nur noch irgendwie (step up oder so) ne spannung von ca 12V basteln, damit die fets auch richtig durchschalten weil du schaltest ja nicht GATE-Source sondern Drain-Source
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Kapazitive Last Schalten - Avalance des FETs?
Hier wäre meine neue Herleitung: Rahmenbedingung: alle Temperaturen bei 25°C - Zuleitung zum FET 1m (hin und zurück zusammengefasst) @ 6mm² = 0,0029Ohm - Leitung zw. FET und Last 4m (hin und zurück zusammengefasst) @ 2,5mm² = 0,02523Ohm - Quellinennwiderstand = 0,05 Ohm - FET Rdson 0,002 Ohm
Matthias S. schrieb im Beitrag #5874061: > es sei denn, du schaltest da eine Ansammlung > von Bleibatterien der groben Sorte. Naja, da sind schon einige parallele Kondensatoren vor dem FET vorgesehen, die Könnten schon kurzfristig einiges an Strom parallel zur
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Busch und müller led scheinwerfer defekt? :-(
Supressor-Diode (obwohl, die legiert eher durch, dann wär alles Dunkel) oder einer/beide der antiseriellen Schalt-FETs ganz oben.
> leuchtet Weil der zweite FET, bzw seine Substrat-Diode, jetzt eine Einweg-Gleichrichtung fährt. Test: Ändert (verdoppelt) sich die Flacker-Frequenz bei gleicher Rad-Umdrehungszahl, wenn du den Schalter zwischen ON und OFF umschaltest
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Geringe Spannung mit P-Channel Mosfet schalten
Zustands im Reset hast du natürlich recht. Der R2 ist so niederohmig gewählt, weil ich schnell schalten wollte. Ein PU direkt am Portpin kann trotzdem deutlich hochohmiger sein, da ist ja keine schnelles Schalten gefordert und er muss ja nur auf Kollektorseite 25mA schalten fließen lassen können.
ist das V_CE was du meintest? Also dass im > Sättigungsbereich, in dem ich den Transistor ja als Schalter betreiben > will diese 0,7V über die C-E-Strecke abfallen und deswegen nur 12 - 0,7V > = 11,3V über R1 abfallen können? Du hast ja 12V als Versorgung der Treiberstufe. Für den zu schaltenden FET
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Mosfet Schaltung Raspberry Pi
eine Spannung schalte(Sekundärspannung). Ich habs auch ohne Raspberry mit einer 12V Spannungsversorgung direkt auf die GPIO Ausgänge versucht und da hats dann auch geklappt(mit Sekundärspannung). Das MosFET hab ich verwendet
Drain-Source im FET am niedrigsten ist wenn man den FET als Schalter verwenden will ( Daumenwert: maximale Gatespannung/2 )
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Elektronischer Schalter (wie Relais) gesucht
und einen Schalter ein... :-) Wozu brauchst du den Kondensator? nitraM
Hallo Tobias, Deine 2. Lösung mit den antiseriellen N-Fets war schon richtig. Du brauchst aber nicht unbedingt eine galvanische Trennung. Einfach 0V für beide FETs AUS und ca. 10V für beide EIN. pq
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OP mit FET Eingang geht kaputt
Praxis zu Hause funktioniert es. In der rauen Praxis geht der OP kaputt. Vermutlich weil ein FET Eingang des OP's negative oder zu hohe Spannung abbekommt. Jetzt ist die Frage ob es da eine Schutzbeschaltung gibt oder ob besser ein OP ohne FET Eingänge genommen werden soll. Oder beides. OPA347
Ein OP ist auch mit Überspannung am FET Eingang kaputtzukriegen! Das selbe gilt für einen OP ohne FET Eingänge. Darauf würde ich (als meinetwegen Schlauberger) sogar Wetten.
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BUZ11 als Schalter
Hallo, ich möchte mit einem BUZ11 10V schalten. Allerdings habe ich nur die 5V aus einem Mikrocontroller zur verfügung. Wie sieht so eine Schaltung aus?
leider kaum gute Vorlagen dafür, abgesehen von den Grundlagen in denen der Transistor durch einen Schalter ersetzt ist.
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IRLZ34N in Motorsteuerung brennt durch?
drin. 2 Stück in einem TO220. Davon 2, so dass jeder der 4 FETs seine eigene hat. Warte jetzt noch auf den Treiber für die FETs, der kann 9A, sollte dann 4Stück schnell genug schalten, sind ja auch nur 120 Hz
sollte dann 4Stück schnell genug > schalten, sind ja auch nur 120 Hz Der hohe Strom des FET-Treibers schadet natürlich nie, und schon gar nicht bei parallel geschalteten FETs. Wirklich wäre er aber vor allem bei hochfrequenter PWM (also
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Mosfets parallel: Vernünftig?
klar ist -- zumal er > davon nur 25A ausnutzen will. Soweit die Theorie. Jetzt muss aber jeder Fet gleich schalten und die Sröme müssen sich gleich aufteilen. Dann schlägt die Impedanz der Elkos und der Zuleitungen zu. Wir haben damals unseren 20KV Impulsprüfplatz komplett mit Koaxialkabeln verdrahtet
auf 3 FETs auf und beweise Dir selbst durch genaue Messung, daß die FETS mit +/- 5µs gleichzeitig schalten. Such mal in den Artikeln hier nach dem Artikel "Leistungselektronik" und lies Dir zusätzlich die
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LED Strips an Treppe mit PWM der Reihe nach Ein/Aus
Versorgungs-GND nimmst, sondern ein schaltbares, kannst du alle LEDs mit einem MOSFET insgesamt schalten. [code] GND ---N-FET---+---N-FET---LED---+---VCC | | +---N-FET---LED---+ | | +---N-FET---LED--
" einfach mal ab, dass ich nur N-Kanal-Fets zu schalten habe: [pre] | N MOSFET (PWM R) -- LED | - N MOSFET (Stufe)-o N MOSFET (PWM G) -- LED o-- + | N MOSFET (PWM B) -- LED | |
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IRLZ34N Anschlussproblem
So empfindlich sind die nicht. Mögliche Fehler sind, sehr lange Leitungen an den FET. Zu langsames schalten. Fehlende Freilaufdiode bei induktiver Last (und bei langer Zuleitung). Zu wenig Spannung am Gate um voll durchzuschalten. Mach doch mal ein Foto von dem Aufbau.
Beitrag #3640445: > So empfindlich sind die nicht. > Mögliche Fehler sind, sehr lange Leitungen an den FET. Zu langsames > schalten. Fehlende Freilaufdiode bei induktiver Last (und bei langer > Zuleitung). Zu wenig Spannung am Gate um voll durchzuschalten. > > Mach doch mal ein Foto von dem Aufbau
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PIC, wird der Ausgang beschädigt?
war. Wir benutzen viele I/Os. Da es noch keine Software gab sind zu den Ausgängen parallel DIP-Schalter. Die Ausgänge sollen per "1" FETs durchschalten (Vcc=3,3V). Da, wie gesagt, die Software Anfangs noch nicht da war, habe ich das mit den DIP-Schalter simuliert (Dip-Schalter offen -> FET über Pulldown
haben wir weggelassen, damit der Spannungsteiler nicht die die Gate-Spannung zu niedrig macht. Der Fet soll richtig schalten.
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ESP32 mit 3,3V PWM einen 3,7V Motor betreiben
hat, nimmt er halt 80% PWM zum anlaufen. Aber war eh nur ein Beispiel. Da muss man halt nicht mit Fets kommen, die 160A schalten können und hat definitiv ein sicheres Schalten am ESP.
Diese, selbst generierten Spannung kann man dann dem Mosfet-Treiber-Transistor als VCC dienen und den FET sicher schalten, ohne dass man sich Gedanbken um irgendwelche Bauteiltoleranzen machen muss. Aber nun hat der TO kleine Fets gefunden, die wohl auch so funktionieren. Den 1K in Reihe zum Gate würde
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Optimierung und Schutz eines mehrkanaligen Phasenabschnittdimmers
nicht zu hoch ist. Ansonsten ist der hin. Einen Fet langsamer zu machen ist ein Kunstgriff. Man tauscht EMI Probleme gegen erhöhte Verluste. Das kann man bei so schnarchlangsamen Schaltern am 50Hz Netz tun. Ob das sinnvoll ist, ob ein Schaltvorgang
fraglich. Ein großer Gate Vorwiderstand, bzw. der Gate Cap macht den kompletten Vorgang des Schaltes langsam. Ein DG Cap wirkt erst in dem Moment wenn der Fet dabei ist zu schalten. Auf dem Miller Plateau.
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13Volt Wechselspannung schalten
Bei 13V würden eigentlich nur FETs in Frage kommen. Die 0,7V sind da doch schon nicht so wenig. Aber die Ansteuerung ist halt nicht ganz so einfach, und dann kommen noch so nette Umstände ins Spiel das FETs für gewöhnlich unterschiedlich
ist schon schwer genug. Wenn du das mit Halbleitern machen willst, würde ich mich mal nach SiC-FETs umsehen. Die haben für gewöhnlich sehr geringe Gatekapazitäten und laßen sich auch mit wenig Strom verhältnismäßig schnell schalten. Die kosten dann zwar keine 10Cent mehr, sind aber auch nicht unbezahlbar
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Schalten mit FET, normally on
Hallo Leute! Ich möchte mit einem Mosfet über einen Mikrocontroller einen kleinen Strom schalten (max. 1mA). Problem an der Sache ist, dass der Transistor, wenn der µC noch nicht läuft, leitend sein soll und mit dem 5V Signal dann deaktiviert werden soll. Probiert habe ich schon in der Simulation
Inverter in CMOS-Technik? (2FETs) Funktioniert, wenn du darauf vertraust, dass der µC einen niedrigen Pegel hat, wenn er aus ist. (gleiches muss natürlich auch beim Einschalten gelten) Wie stehen die 1mA, welche geschaltet werden
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FET an uC als Schalter
noch immer dabei eine Zündbox für Silvester zu bauen. Ich möchte von einem uC aus einen BUZ11 schalten um meine E-Zünder zu aktivieren. Jetzt habe ich eine Testschaltung aufgebaut wie im Anhang. Wenn ich den Schalter S einschalte brennt die LED. Soll auch so sein. Wenn ich den Schalter abschalte
Das Gate von einem FET wird nahezu leistungslos gesteuert. Du solltest noch einen Pull-Down nach GND einbauen.
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Galvanische Trennung FET
Optokoppler schalten und damit galvanisch getrennt über den FET die 80V schalten. Warum macht es in so einem Fall Sinn uC und FET galvanisch zu trennen, wo doch eh Beide an der selben Stromversorgung hängen? Vielen
über einen Optokoppler >schalten und damit galvanisch getrennt über den FET die 80V schalten. Man braucht auch hier nicht zwingend eine galvanische Trennung, wohl aber einen [[Pegelwandler]] zur Ansteuerung des FETs auf 80V Potential
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IRLZ34N versagt Stück für Stück
FETs können zwar viel, sind aber empfindlich wenn man sie nicht richtig behandelt. Wieviel Gatespannung liegt an? Sind sie irgendwie warm? Wie schnell schaltest du?
an den FETs.
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Gatetreiber LM5104 Halbbrücke MOSFET
2V. Aber das ist bei dir gegeben (20V am Gate des oberen FET ergeben ~8V U_GS, 12V für den unteren ergeben 12V U_GS). Das Schalten der FETs sollte, die an HO liegen, sollte also funktionieren (sofern das Gate des unteren FET nich schon zerstört ist). J. K.
Datenblatt wird auch noch erwähnt, dass man einen LOW ESR Kondensator von Drain auf Masse des oberen FET schalten muss. Da ich keinen Low ESR Elko gerade hier habe, habe ich heute Elkos mit verschiedenen Werten eingebaut und das Ausgangssignal gemessen -> Fazit: Das Ausgangssignal nimmt schon mehr die
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BLDC Sinuskommutierung Ansteuerung H-Brücke
Ok, das habe ich. (mit dead time) Also schalte ich bei werten über 32768 den high side durch und bei werten darunter den low side Fet. Somit habe ich bei Speed 0 auf high side 50% und low side ebenfalls 50% und der Motor steht. Sollte ich irgendwie
Domi --- schrieb im Beitrag #3085902: > Ok, das habe ich. (mit dead time) > Also schalte ich bei werten über 32768 den high side durch und bei > werten darunter den low side Fet. Nee, die 32768 gibste dem Compare register der PWM einheit für die jeweilige phase. und die schaltet dann
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12V/10A ohne große Verluste schalten
. Die Transistoren aus der Grabbelkiste haben für den FET (240nc) und Schaltzeit zu wenig Leistung, okay. Aber auch ohne angeschlossenen FET ist die Schaltung zu langsam. Ich habe diverse Widerstandskombinationen von R1/R4 getestet, jedoch bekomme ich
Unterschied zu machen (siehe Anhang). Kann mir bitte jemand helfen, was ich an dem Treiber für diesen FET ändern muss. Ist es möglich die 20ns vom uC ans FET-Gate (mit Leistung) weiterzugeben? Im Datenblatt des FET sind 16ns risetime und 57ns falltime angegeben. Kann mir jemand helfen zumindest in die
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JFETs wofür? Anwendung? JFET vs MosFET
Sven S. schrieb im Beitrag #6307427: > P-Kanal J-FETs Ich ging von selbstleitenden P-MOSFETs aus.
Ich verwendet JFETs gerne zum Schalten von analogen Audio-Signalen. Dazu schalte ich den JFET über einen Widerstand gegen Masse. Solange am Gate keine Spannung anliegt, schließt er das Signal praktisch kurz. Wenn ich -10V anlege, dann
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Spannung Effiziet erhöhen, Trafo Magnetverluste
anders, aber das Prinzip bleibt immer das gleiche. Alle verrichten Ihre Arbeit im Sperrmoment des Fets. Für alle brauche ich einen Fet, eine Diode, eine Induktivität (Spule, Trafo etc.) Der Rest sind Spitzfindigkeiten ob etwas das statt einer Drossel, zwei gekoppelte verwendet sich Sperrwandler
Michael K. schrieb im Beitrag #5526638: > Fet Ansteuerung ohne Treiber bedeutet langsame Fets = hohe > Schaltverluste. > HV Kaskade bedeutet einen Sack voll Dioden Verluste + Kondensator ESRs. Laut Datenblatt haben die Fets die ich benutzen
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Anfänger: FET als Schalter
hi, bestimmt eine langweilige frage für profis, aber als anfänger aufgrund der riesigen auswahl an mosfet ist es schon ein problem. folgender anwendungsfall: mit einem 8V-15V akku (4S LiFePo4) möchte ich u.a. auch eine hochleistungs led (ca. 10W) betreiben. der schaltkontakt ist ein mechanischer microtaster mit 30cm kabellänge. ich habe mir einige beschaltungen eines fet (N-typ) angeschaut und denke es müßte so funktionieren: - last zwischen Uges und D - taster zwischen Uges und G - S an masse - pull down widerstand zwischen G und masse (wegen dem taster) meine frage ist welcher
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PWM über Mosfet schalten, passt das so?
finalen Schaltplanes in Eagle ist mir die Frage gekommen, bezüglich meiner AN/Aus Schaltung via Schalter... unzwar ist die Idee, den Basis-Schaltkreis für die MosFET's zusätzlich über einen Schalter händisch an und aus schalten zukönnen. Anbei sind hierzu 1) eine Skizze wie das ganze eingebaut
Mathias R. schrieb im Beitrag #4823386: > unzwar ist die Idee, den Basis-Schaltkreis für die MosFET's zusätzlich > über einen Schalter händisch an und aus schalten zukönnen. > > Anbei sind hierzu > 1) eine Skizze wie das ganze eingebaut wird > 2) eine Skizze für die 2 Schalter-Varianten, welche
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Suche eine alternative zu diesen 2 Schaltungen.
Hallo Uwe. Also mit nem Fet kann man ohne Probleme mit 5V, 24V schalten? Das wäre super... Ist ein Standart Transistor zum ansteuern zwingend notwendig? Ach ja, ich weiß nicht, ob das was ausmacht... aber wegen der Geschwindigkeit
Paschedag wrote: > Ähem... vielleicht habe ich die falsche Grafik aber ich sehe oben einen > N-Kanal FET. Und das Datenblatt sagt auch es ist einer??? Ja klar, die sind natürlich falsch. So wie die Ansteuerung der oberen und unteren FETs... FETs werden hier als Schalter betrieben. Darum muß die Umschaltung
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MOSFETs parallel schalten
Hallo, ich möchte 3 (gleiche) MOSFETs parallel mit TTL Logik schalten. (Passende MOSFETs habe ich schon rausgesucht) Kann ich dazu die MOSFETs einfach parallel schalten; sprich einfach alle 3 Gates an den uc pin hängen? Ich habe bei meinen Recherchen immer wieder
allgemeinen so 10-100 Ohm gross. Die Mosfet kann man, sofern sie im Schaltbetrieb arbeiten, parallel schalten. Wenn es MosFET mit Logic Level Gates ist und die Schaltfrequenz niedrig ist kann es mit TTl Ausgängen funktionieren, aber dann je ein Gatter für jeden FET. Bei FETs höherer Leistung oder solche
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Gekauften Brushless-Regler "pimpen"?
fertigen Regler um zu bauen ist nicht so einfach. Es dürfte nicht reichen einfach nur mal eben ein paar FETs parallel zu schalten. Denn die dadurch erhöhte Gatekapazität belastet auch die FET-Treiber so daß diese nicht mehr den nötigen Strom liefern können um die FETs schnell genug durch zu schalten oder zu
müssten wahrscheinlich (bei den Chinabilligreglern mit Sicherheit) auch die Treiberstufen für die FETs ersetzt werden und mit Sicherheit auch die Spannungsversorgung für diese Treiberstufen damit genug Strom zur verfügung steht die FETs schnell genug durch zu schalten. Frank
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Suche einen Logic FET / Transistor zur Schaltung von Last nach FET
Ich habe aktuell folgende Situation: - Ich möchte Verbraucher über einen Transistor / FET schalten. - Die Schaltspannung (Aktivierung) des Transistors / FETs soll mit 3v3 funktionieren. - Es soll Plus geschaltet werden. Die Verbraucher arbeiten mit 12V. - Der Verbraucher befindet sich
Genau. Entweder mit NPN-BJT oder FET GND an das Gate Schalten.