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Wie finde ich Ersatz für P2103H MOSFET in passender Größe?
://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/mosfets/?package%20%2F%20case=DFN-8&transistor%20polarity=N-Channel%2C%20P-Channel
C508818.html?s_z=n_3103 hmm... scheinbar ist meine Annahme falsch gewesen, dass ich einen Dual-MOSFET brauche?! Ich habe nach P2103H gegoogelt und bin so auf den P2103HVG gekommen der nun ein Dual-MOSFET ist. Der verlinkter HSBB3103 scheint aber exakt das Bauteil zu sein, was ich benötige - mit
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I2C bei verschiedenen Vcc
verwenden will, dann gibt es einerseits die beliebten diskreten Pegelwandlerschaltungen mit ein paar Mosfets, oder einen ausgesprochen zuverlässig arbeitenden Baustein von NXP, der für genau diese Aufgabe gedacht ist. Das ist der PCA9517, den es in überarbeiter Form von TI als TCA9517A gibt. https://www.nxp.com
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Schaltregler
sehr viele. Ich würde etwas wählen, was keine Diode braucht, da Schaltverluste bei dem voll auf MOSFET gebauten Regler geringer sind. Zweite Frage ist bequeme Montage: ich nehme lieber etwas in SO-8, bis 2-3 A gibt es viele davon. Ich habe gute Erfahrung mit TS3552CS und AOZ3015AI.
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Datenblatt des XC5015 Li-Ion Batterie Ladegeräts
specifications. No external sense resistor is needed, and no blocking diode is required due to the MOSFET regulate the charge. Thermal feedback regulates the charge current to limit the temperature during high power charging or high ambient temperature. The charge voltage is fixed at 4.2V, and the charge
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Schaltplan mit Optokopplern und MOSFETs
R10 100K, R161 2.2K, C8, S1, R15 220K, Q4, K3850-E, D11, S1NB60-7101, Q1, Q2, IC3, TC/013BP, Vdd, CLK2, RES2, DT2, SET2, Vss, C11, S2, C10 4700P, DT1, RES1, SET1, CLK1, R14 220K, R13 1M, IC2, TLP421GR, MAB08-M, R11 100, 0.2, 0.01, IC1, TLP421GR, 1.0, 2.2
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Picoamperemeter Elektor
auf DIL IC5 = DAC8830, Adapter-PCB SMD auf DIL IC6 = TL431C, TO-92 Q1, Q2 = 2N7000, n-kanaliger MOSFET D1, D2 = BAT42, THT IC1 = LM337, TO-92 IC2 = LM317, TO-92 ESP32 = NodeMCU ESP32, WiFi und Bluetooth M1 = MT3608, DC/DC-Step-up-Wandler
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Unerklärliches Verhalten von Spannungsfolger/Impedanzwandler (LM324)
negativen Versorgungsspannung (deswegen heisst der Pin V-). Dazu kommt, daß er keine hochohmigen Mosfet Eingänge hat. Der Eingangsstrom belastet deine hochohmige Quelle.
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KiCad Layout Probleme
µC zum 3,3V Display. Für den I2C Bus gibt es fertige Pegelwandler Schaltkreise oder man baut mit Mosfets selbst 2 Stück auf. Dafür benötigt man auch Pullups. Edit: Ich sehe bei dir keine Bohrlöcher. Ich sehe im Polygon einen Versatz zu den Pads. Aktualisiere die Polygonflächenberechnung und fertig
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Treppenlichtautomat Eltaco ER61-UC
wiederholt.) ciao gustav P.S.: Einzelteile: Ein PIC Microcontroller PIC12F675, ein Power Mosfet IRFR420, ein einspuliges "retournierbares" Relais DE1a1b-L-4.5V Das Relais soll vom Taster am Klingeltableau aus den "normalen" Treppenlichtautomaten triggern. Über die Funktion wurde hier ja schon
wieder ein, und schaue mal, was da so passiert. Die Mimik mit den vielen VDRS, Transistoren und Mosfet dient IMHO dazu, den Triggerspannungsbereich von 8-230V DC/AC hinzubiegen. ciao gustav
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High-Current Jumper
zwei verschiedenen Supply-Rails "jumpern" kann je nach Anwendung. (Der Jumper sitzt also vor der Mosfet-Halbbrücke). Ich könnte natürlich einen 5*3 Jumper-Block machen, aber das kommt mir albern vor, dass man 5 Jumper parallel setzt oder ähnliches um die Stromfestigkeit zu bekommen. Wie löst man
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Wie kommt die Schaltspannugn eines MOSFETs zustande
Fet, manchmal jenen. Und die Hersteller bauen das, was gekauft wird. Beileibe nicht immer will man Mosfets, die schon ab 1V leitend werden. Technische Probleme gibt es erst bei z.B. Logiklevel-Fets, die 100V und mehr können. Zumindest bei Si-Fets ist das so.
4V bis 8V gelten, hangt von den anderen Prozessparametern wie Oxiddicke ab. Und spannungsfeste MOSFETs wollen dickeres Oxid, daher gibt es kaum LogicLevelMOSFETs über 100V und 3.3V MOSFETs über 30V.
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Kress/AMB Fräsmotor 1050-FME-1 Regelelektronik tauschen
Durchlaßspannung der internen P-N Dioden in Verbindung mit Pass-Gates zu analoger Peripherie (ADC). Der P-MOSFET der internen Pass-Gates beginnt bereits ab VDD+0,4 V zu leiten, was zu Sekundäreffekten führt (sieh TB3013). Eine Möglichkeit, dem vorzugreifen, besteht darin, die analoge Peripherie abzuschalten oder
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Bauteil raten und Datenblatt suche.
Ich rate mal "aus Delhi" https://www.indiamart.com/proddetail/sop-8-external-mosfet-based-50w-ic-lc8680b-2854058030455.html SOP-8 External Mosfet Based 50W IC LC8680B LED driver IC
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Wohnmobil Elektroblock EBL 119 defekt keine Ladung der Barrerie
an vielen anderen Controllern) verliert oft Kapazität und hat dann nicht mehr die Reserve, um den MOSFet zu starten.
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Schaltplan mit MOSFETs und Leistungsberechnungen
P(avg): 6.00 W TK2 R1 50Ω C1 1uF Q1 BSS138P TK3 P(avg): 125 mW V2 50Vpk 10MHz 0° V1 8V Q2 BSS138P C2 1uF R2 50Ω TK1 P(avg): 6.00 W
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Selbsthaltung mit ESP32-S3 & SIT1043 schaltet nicht ab
Den Mosfet falsch herum eingebaut!?
Du verwendest einen 8V-MOSFET, um 12V zu schalten!
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Darlington Transistoren mit internen Widerständen
Rechts sind die 6 Dioden zur Gleichrichtung des Drehstromes aufgebracht und links die 6 N-Channal Mosfets zur Generierung des neuen Drehstromes mit je einer Leistungsdiode im Anhang. Mittig ist der verbrannte Mosfet zur Abbremsung des Motors und unten links ein 1KOhm Thermistor zur Temperaturmessung.
Widerstandswerte bei Leistungstransistoren verringern bis die nötigen Ströme erreicht werden). Bei einem Mosfet das Poti als Spannungsteiler zwischen + und - schalten um den Schwellwert des Transistors zu ermitteln + die Spannung am Gate messen. Da die meisten Mosfets am Gate +,- 20V verkraften ist bei 12V kein
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Sonos Play:5 Reparatur Bauteile gesucht
https://de.farnell.com/diodes-inc/dmn3404l-7/mosfet-n-kanal-30v-5-8a-sot-23/dp/1858601 https://de.farnell.com/diodes-inc/dmp3056l-7/mosfet-p-kanal-30v-4-3a-sot23/dp/3127362 MOSFET N-Kanal >30V: https://de.farnell.com/w/c/gleichrichter-transistoren-thyristoren-dioden/fets/einfache-mosfet?bauform-transistor=sot-23%7Csot-23f&drain-source-spannung-vds=40v%7C50v%7C55v&kanaltyp=n-channel%7Cn-kanal MOSFET P-Kanal >30V: selbst suchen, n-kanal im Link durch p-Kanal ersetzen doer die parametrische
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Technik der HF SPST-Schalter
wie ein Gate-Vorwiderstand mit der Gatekapazität eine Zeitkonstante bildet. Bei integrierten MOSFETs legt man daher die Steuerspannung zwischen Gate und Bulk an. Es gab mal eine homöopathiche Menge an diskreten MOSFETs mit herausgeführtem Bulk, z.B. BSS83, 3N170/171, 3N128, 3N143, 3N163, 3N164.
Preise z.B. bei Mouser ansieht. Die CMOS-RF-Schalter sind dagegen günstiger als ein einfacher MOSFET vor ein paar Jahren. Von PIN-Dioden oder gar Relais ganz zu schweigen. Und brauchen dabei kaum Strom, < 0,1mA.
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Bauteil identifizieren beim Roborock
LBSS139WT1G, MOSFET von LRC.
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Hat noch irgendwer die elektronische Last EL7000 von ELV aufgebaut? (aus etwa 1/94)
70er Jahren. Nach ganz ohne uC und so. Vor Jahren wollte ich mir eigentlich ein TTI Gerät mit IXIS MOSFETs nachbauen, war mir aber dann wegen der Spezialkomponenten doch zu teuer und hielt anstatt Ausschau in der Bucht. Mir ist früher mal aufgefallen, daß jedes ELV Design irgendein Spezialbauteil verwendet
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BLDC-Motor-Controller ansteuern
zuckt - läuft aber nicht mehr. Schnellabschaltung wegen Überstrom/Kurzschluss. Prüfe die 6 MOSFET-Gruppen auf D-S Kurzschluss.
zuckt - läuft aber nicht mehr. Eventuell kann man auch mit einem Oszilloskop nachmessen, ob die MOSFETs richtig schalten.
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Garagentorantrieb benötigt neuen Steller IC
Das sieht stark nach MosFET aus. Ist dieser durchlegiert? Am Gate mit Oszi gemessen?
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Powerstaion ohne Funktion - Akkus tiefenentladen?
den Akku gehen. Dort messe ich noch zwischen grau und lila 2,7V. Ansonsten 0V. Kurzschlüsse am Mosfet sind keine vorhanden. Zudem habe ich auf der Platine noch einen komplett verbrannten Shunt gefunden. Es handelt sich dabei um den Shunt eines SW3517S. Der für die Versorgung der USB Ports zuständig
Akku > gehen. Dort messe ich noch zwischen grau und lila 2,7V. Ansonsten 0V. > Kurzschlüsse am Mosfet sind keine vorhanden. Ich bin hier keine Experte, aber ich würde daraus denken, dass die Batterien vielleicht einen Schutz haben was die Batterien getrennt hat. Alternative ist die Batterien sind
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Opulo s Lumen PnP
TMC Treiber haben. I2C haben die alle. Brauchts für die Vakuumsensoren. Dann brauchst es noch 4 Mosfet für die Magnetventile und Vakuumpumpe. Und einen Anschluss für die adressierbaren LEDs hat heute auch jedes Druckerboard. Brauchts für die LEDs an der Kamera. Dann ein kleines breakout Board für
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SO8 Marking 4950 (BAC)
doch sein, wenn unten drunter noch weitere Bauteile sitzen und es sich um einen Buck mit externen MOSFETs handelt.
Wenn der Boost-C ne Macke hat, sollte das Wandler-IC, bzw dessen externe MOSFETs heiß werden, weil dann keine vernünftige Gatespannung da ist, um den MOSFET richtig zu öffnen.
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To220 aus Vehicle Information Center
InfoCenter seinen Geist aufgegeben. Auf der Platine befindet sich ein T0220 Bauteil welches ich als MosFET vermute... Evtl hat jemand eine Idee was es sein könnte. Online konnte ich nichts finden. Bin über alle Vorschläge und Ideen froh.
Dennis K. schrieb im Beitrag #8017767: > welches ich als MosFET vermute... Dennis K. schrieb im Beitrag #8017783: > Hmm keine Chance das irgendwas alternativ einzusetzen? Nach Vermutungen Teile tauschen, klingt nicht so recht nach systematischer Fehlersuche
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Tauchlampe Hartenberger mini compact LCD?
funktionieren.Auf der Akku Platine hatte ich die anderen Bauteile schon nachgeschaut, ich meine das waren MOSFETs.
: > Miss mal das PWM Signal und den Schalttransistor. Das dürfte der Si4425B sein (P-Channel MOSFET) oder des FDS6975 (Dual P-Channel logic level MOSFET), wenn die Leuchte nach dem Einschalten kurz aufleutet, müsste sich am Gate der MOSFETs etwas tun. Also diese Signale zugleich mit dem 1-wire des
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China DC-DC Wandler reengineering
Hier mal die Korrektur. Bei 2 N-channel MOSFets macht das wieder Sinn. Da stand ich etwas auf den Schlauch. Alle Bauteile waren abgeschliffen. Den 12V Buckregler auf dem PCB habe ich mir gespart. Zwar immer noch eine ungewöhnliche Schaltung,
Hier mal die Korrektur. Bei 2 N-channel MOSFets macht das wieder Sinn. Da stand ich etwas auf den Schlauch. Alle Bauteile waren abgeschliffen. Den 12V Buckregler auf dem PCB habe ich mir gespart. Zwar immer noch eine etwas ungewöhnliche Schaltung
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Überspannungsdetektor 8s-LiFePO4
aber weiss dann nicht mehr, wohin mit dem Strom. Das BMS muss also entweder eines sein, das per MOSFet den Ladestrom abschalten kann (als Notbehelf), oder man verwendet besser ein Ladegerät, das die Ladeschlussspannung einhält. Dabei sind 30V schon zuviel. Eine LiFePO4 Zelle sollte bis max. 3,6V geladen
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3.3 Volt vs 5 Volt
dennoch ist der für dein Problem eine mögliche Lösung: https://koblents.com/Ches/Original-Work/72-Mosfet-Bidirectional-Level-Shifter/
ist der für dein Problem eine mögliche Lösung: > > https://koblents.com/Ches/Original-Work/72-Mosfet-Bidirectional-Level-Shifter/ Vielen Dank Markus, werde ich mir ansehen. Grüße, Stefan
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Welches Bauteil in SOT23 hat die Markierung p9K3D ?
H. schrieb im Beitrag #8013493: > Si2318CDS Danke für den Tipp! Ich denke auch, dass es ein MOSFET ist und kein NPN-Transistor, der Basis- (Gate) Widerstand hat 100kOhm. Ich habe auf der Vishay-seite nach "top marking" gesucht und zahlreiche Dokumente zu deren Beschriftungsschemata gefunden, auch
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Bauteilbestimmung Asus Zenbook 15
Hallo, ich habe hier einen P-Channel Mosfet, den ich austauschen muss aber anhand der aufgedruckten Bezeichnung finde ich keinen Ersatz. Dokumente zum Board sind nicht verfügbar. Hat jemand eine Idee?
Das ist kein MOSFET, sondern eine Doppeldiode von Panjit: BAV99W.
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Supercap Balancing funktioniert nicht wie erwartet
Klemm mal den MOSFET ab und miss nur den unbelasteten OPV-Ausgang
eingelötet. Die Schaltung verhält sich damit wie vorhergesehen, es lag also tatsächlich an den China-Mosfets
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit AZ431 und MOSFET
R101 2k2 R102 100k IC101 AZ431LANTR-G1 4 3 2 R103 100k IC102 NCS2001SN1T1G 1 V+ V- 5 R104 4R7 Q101 IRLML6344 C101 Cap+ Cap- R105 1k
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Suche: Toellner Anzeigeinstrument
geben, > sich hier zu beteiligen. Dann einen fernen Willkommensgruss aus Kanada! Mögen Deine MOSFETS nicht Deinem Nick nacheifern... ...
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PLL mit Standard-Bauteilen
Vertiefung angebracht. Drinnen befand sich die Telemetrie Elektronik mit HC11 und ein 100W "Sender" mit MOSFET Endstufe der die auf 10kHz abgestimmte Spule aussen erregte. Versorgt wurde diese Elektronik von zahlreichen 20Ah Lithium Zellen zusammen mit 48V im Bohrstrang eingebettet. Mit einer abgestimmten
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Schaltplan PWM-Dimmen mit externem MOSFET und Tabelle
VIN AL5809 IN 1 OUT 2 PWM_DIM (ZXMN6A11Z) a) PWM Dimming by External MOSFET Recommended PWM Frequency and Dimming Range PWM Frequency (Hz) Duty Cycle (%) Min Max 100 5 95 200 10 90
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Schaltplan einer Gleichrichter- und Schaltung mit MOSFETs
J1 D2 UF4007 C1 330µ R1 10k Q1 IRF820 2 3 1 D3 D6 10V Q2 BS108 2 3 R2 470k R3 10k R5 270k D5 UF4007 J2 C5 330µ C2 10µ D4 5.6V R4 18k C3 10µ C4 100n
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
VS C100 22u GND C101 22u GND C102 22u GND D100 MBR0530 PWM_AD R100 220 Q100 2SK365 VS R101 10k GND J100 Screw_Terminal_01x04 VS D105 MBR0530 PWM_BD R105 220 Q105 2SK365 R106 10k GND
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CD4001 wird 100°C heiß
Maximilian schrieb im Beitrag #8008835: > Doppelspulenweiche Fehlt da nicht die Freilaufdiode an den Mosfets?
#8009454: > Maximilian schrieb: >> Doppelspulenweiche > Fehlt da nicht die Freilaufdiode an den Mosfets? Bei einem Relais als Last sollten echte IRF3205 den Lawinendurchbruch bei fehlenden Freilaufdioden problemlos verkrafen.
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Schaltplan mit Logikgattern und MOSFETs
SW1 W1 VSSwhite_LED D1 BZX85C6V2 VSS H2 33k turning light 2mA R6 1.8k 1N4488 D8 J5 Weiche ge1 R9 33k VPP gn1 C7 10n GND Q1 IRF3205 U3A 4001 1 U3B 4001 5 6 debouncing and pulse extension 1x D4 1N4488 R4 100n 40106 U2A 2 continuous SW1 C6 100n 100ms 40106 U2B R5 820k VSS D5 1N4488 latch lock D7 1N4488 latch lock U3C 4001 9 12 R8 470k VPP JP2 SB130 D9 R11 1.8k VSS wetting current C8 10n JP4 IRF3205 straight R10 33k GND U3D 4001 13 1 R9/R10 >= 5k
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Schirmgitter-Spannungsversorgung stabilisieren
. Unter der Verwendung eines IR2184 wäre die Möglichkeit einer Synchronsteuerung mittels Lowside-MOSFET anstatt der Diode möglich. Lohnt das? Mir ist durch das Lesen anderer Threads zu Röhren bewusst, dass einige der Ansicht sind "ein Röhrenverstärker ist ohnehin ineffizient, da macht es das Verbraten
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SMP/2N/PN4117A - Wahrscheinlichkeit „Fake“
Solche Reinfälle hatte ich z.B. mit einem DS2480B (1Wire), da waren dann in Wirklichkeit billige MOSFET drunter. Es gab 2x Magic Smoke, bevor ich den Fehler nicht mehr bei mir suchte…
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Samsung BN44-01100C Netzteil prüfen
Beitrag #8008193: > Anbei die Rückseite der Platine. Und da fehlt ein Stück vom Transi oder Mosfet...
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Schaltplan einer Widerstandskette mit MOSFET und LM385
20 LM385 1k 6,2 1,96 2,74 4,64 7,5 11 18 27,4 46,4 75 110 180 274 464 750 1,1k 1,8k 2,7k 4,64k 7,5 11k 18k 27k 46,4k 2N3819 470 IRF9510 560
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Anschluss eines 500W DC-ATX Netzteils
dann tun sie das auch im Ernstfall. Ich habe einen derartigen Test auch schon mal mit einem 200A MOSFET im TO247 Gehäuse und einer 20A Sicherung an einem Bleiakku gemacht, weil ich sicher gehen wollte, das mir auch bei einem Kurzschluss der Dieselglühkerze der MOSFET keine Kernschmelze bekommt und die
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Text über verfügbare Gehäuseoptionen von OptiMOS 3 MOSFETs
Available packages The OptiMOS™ 3 power MOSFET family is available in a wide portfolio of package options to meet all of your design requirements. Packages include PQFN 3.3x3.3, SO-8, SuperSO8 5x6, DPAK, D²PAK, D²PAK-7 pin, TOLL, TOLG, TO-220,
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Bauteilsuche Mosfet
Hallo Schwarmintelligenz, ich suche ein Datenblatt oder die Daten von diesem Mosfet. Kann jemand helfen? Torsten
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Wie baut man eine Endstufe für einen Mittelwellensender (160m Band)?
ausreichend, solange man die Antennenspule ausreichend lose ankoppelte. Natürlich würde eine DG-MOSFET Pufferstufe helfen den Oszillator lastunabhängig zu machen.
Ich würde direkt vom 4060 auf einen 4013 gehen, 50/50 Tastverhältnis > machen und zwei kleine Mosfets im Gegentakt mitm Doppellochkern > betreiben. Man könnte auch einfach irgendeinen modernen IC nehmen, statt sich mit Digitalteilern herumzuärgern. Wurde aber schon vorgeschlagen.
