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Platinenlayout- Geht das so?
Deine Schaltung hat eine Abweichung (Fehler)zur Originalschaltung. Dein BS170 bekommt keine direkte Masse. Es sollte funktionieren wenn Du den 10Ohm kurzschliesst. AUSPROBIEREN !!!
Schaltung hat eine Abweichung (Fehler)zur Originalschaltung. Ich konnte keine Abweichung feststellen. BS170 hat doch Masse. Kannst du das bitte nochmal erläutern? Grüße, Der_Bird
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Berechnung von Spannungsteiler in Transistorschaltung
Darligntontransistor würde ich einfach ein 10k Bassivorwiderstand nehmen. Besser wäre allerdings ein MOSFET (BS170 o.ä.), da braucht man keinen Gatewiderstand. Freilaufdiode 1N4007 o.ä., nicht 1N4148
Mosfets schalten mit Spannung nicht mit Strom. Und Vorsicht: der BS170 ist eine Zicke und superempfindlich gegen falsche Beschaltung oder Ströme, die von einem nicht geerdeten Lötkolben kommen. Habe mir da mal ein paar zerschossen und dann stundenlang nach der Ursache
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Nachteile Hochspannungstransistor?
wie BCV27, jFETs wie BF245, J310 oder MOSFETs wie IRLML2402, IRLML2502, IRLML2246 interessant. BS170 sieht man relativ oft in Pegelwandlern und ähnlichen Kleinsignal-Schaltanwendungen. Serge W. schrieb im Beitrag #6809980: > Also für kleine Spannungen BC548/BC558 So was Komplementäres würde
sonderlich toll. Ich habe 2N2222A da, bestens geeignet, aus einem µC heraus einen P-FET anzusteuern. > BS170 > sieht man relativ oft in Pegelwandlern und ähnlichen > Kleinsignal-Schaltanwendungen. Dessen Glanzzeit ist auch vorbei, Pegelwandler verwenden BSS138. Sind leider unhandlich, wenn man auf Lochraster
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Drahtlose 1-Bit-Übertragung
Nichts. Wobei die Funktion des AVRs reichlich merkwürdig ist. Wenn man einfach einen MOSFET ala BS170 nimmt, kann man den direkt mit den Gleichrichter ansteuern. MfG Falk
Nichts. Wobei die Funktion des AVRs reichlich merkwürdig ist. Wenn man > einfach einen MOSFET ala BS170 nimmt, kann man den direkt mit den > Gleichrichter ansteuern. http://www.b-kainka.de/bastel120.htm
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FET mit Gate am AVR-Pin schaltet nicht ab
Hi. Habe ein seltsames Problem an meinem Tiny26. Habe am AVR-Port das Gate eines BS170 N-Kanal FET dran. Anschalten klappt problemlos nur Ausschalten tut er sich nicht mehr?! Wenn ich mit dem Multimeter dran geh und Spannung messen will geht er plötlich aus sobald ich das Messkabel ansetze
Hamacher (powl) >Habe ein seltsames Problem an meinem Tiny26. Habe am AVR-Port das Gate >eines BS170 N-Kanal FET dran. Anschalten klappt problemlos nur >Ausschalten tut er sich nicht mehr?! Wenn ich mit dem Multimeter dran Kann es sein, dass der Port im AVR nicht als Ausgang geschaltet ist und
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Digitalpotentiometer, 1-10V EVG, Arduino
er am besten mal nen Messgerät zwischen klemmen um den Strom zu ermitteln sonst vielleicht auf nen BS170 oder noch stärker IRFxxx umsteigen... aber mehr als ein paar mA sollten da nicht fließen....
von Chris erweitert), bzw. nur eingeschränkt. Ohne anliegendes Signal am Gate des Transistors (BS170) beobachte ich eine maximale Dimmung der Lampe (wie gewünscht), sobald ich allerdings das PWM Signal ausgebe wird bereits bei kleiner Spannung das Steuersignal komplett durchgeschaltet und die Lampe
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Richtigen MOSFET gesucht
mit einem Microcontroller auf Maße ziehen. Ich jetzt dachte ich, dass ich das einfach mit einem BS170 mache, da ich den noch aus alten Zeit hier rumfliegen habe. Gibt es da mittlerweile was besseres? Microcontroller ist ein STM32F4 und das Board ist ein STM32 Discovery. Viele Danke im Vorraus!
Der STM32 wir maximal nur mit 3.3 V betrieben. Damit schaltet ein BS170 nut bedingt durch: VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 1mA All 0.8 2.1 3 V Falls das nur eine Leitung mit relativ hochohmigen Pullup ist, könnte es trotzdem reichen. Schau Dir mal
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Transistor auswählen....
mir schon klar, wie die Schaltungen ausgelegt werden. Neulich zum Bsp. habe ich etwas mit einem BS170 gelöst. Problem war einfach, ich brauchte quasi den BS170 in SMD SOT-23Geh. Meine Bücher sind offensichtlich zu alt, um da in angemessener Zeit was zu finden. Gibst da irgendwelche schlauen Webseiten
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Alter Hut mit der Spannungsregelung
Warum nicht die IR LEDs hintereinanderschalten plus Vorwiderstand, und zB mit einem BS170 aus der ungeregelten Spannung antreiben?
#2509585: > Warum nicht die IR LEDs hintereinanderschalten plus Vorwiderstand, und > zB mit einem BS170 aus der ungeregelten Spannung antreiben? Mmmmmhhh, das wäre auch eine tolle Möglichkeit. Bisher war ich mir nicht klar ob ich die IR-LEDs noch über das Pulsen hinaus über den uC ansteuern will/muss
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[Projekt] MEGA Lamp
/Zubehoer/Strom_und_Spannung/Universal-Schaltnetzgeraet_800mA_12V.html verwenden Kann ich die BS170 problemlos so(wie in der PDF) per PWM ansteuern? Und reichen die auch noch wenn ich die Module verdoppel? Jeweils ohne extra Kühlung... Oder solllte man lieber andere FETs nehmen Quellcodes
@Jan-h. B. (docean) >Kann ich die BS170 problemlos so(wie in der PDF) per PWM ansteuern? >Und reichen die auch noch wenn ich die Module verdoppel? >Jeweils ohne extra Kühlung... Eher nicht. Nimm andere FETs, siehe [[Mosfet-Übersicht
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Peak Detection eines Audiosignals
, daß der Speichercap beim "Umschalten" der Bandfrequenz eventuell zu lang aufgeladen bleibt. Der BS170 gestattet deshalb das rasche Entladen. Wegen der unvermeidlichen Leckströme an den Eingängen von µC-Ports kann auf einen zusätzlichen Buffer wohl nicht verzichtet werden. Ebenso wenig kann der BS170
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Symmetrische Spannungsversorgung schalten
kein Scherz. >Ich wollte die MOSFETs ja auch nicht linear betreiben. >Die beiden Transistoren BS170 und BS250 (T4 und T5) sollen das Gate der >dickeren MOSFETs auch so schnell wie möglich umladen. Die Widerstände sind viel viel viel zu hochohmig, bis das Gate geladen bzw. entladen ist ist der
Scherz. > >>Ich wollte die MOSFETs ja auch nicht linear betreiben. >>Die beiden Transistoren BS170 und BS250 (T4 und T5) sollen das Gate der >>dickeren MOSFETs auch so schnell wie möglich umladen. > > Die Widerstände sind viel viel viel zu hochohmig, bis das Gate geladen > bzw. entladen ist
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Lauflichtschlatung als Basis für Multiplexer mit MOSFETs
immer deswegen habe ich die genommen. Anstatt den LEDs habe ich die Signale an MOSFETs (2N7000 und BS170 probiert) angeschlossen, um 9 Tempertursignale des MCP9700 zu "multiplexen". Das 1 Sigal habe ich auf Masse gezogen damit ich weiß wo der Anfang meiner Signale ist. Nun, es funktioniert leider nicht
weit auseinder liegen spinnt das "multigeplexte" Signal rum. Dann leitet die Substratdiode des BS170, die hast Du sogar eingezeichnet. Warum nimmst Du keinen richtigen Multiplexer, z.B. den 4051.
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JFet oder Mosfet welcher ist im Widerstandsverlauf linearer?
man diesen Verlauf besser darstellen könnte? Oder wären Mosfet - Typen wie zB.: der 2N7000TA oder BS170 (beide N Kanal) bessere (linearere) Typen? Was den Widerstandsverlauf angeht. Vom Prinzip war der Schaltungsaufbau ähnlich wie im Bild (links unten), nur ohne OPV. Leider bekommt man so einige Transistoren
P-Kanal-Fet vorgesehen ist? >[...] Oder wären Mosfet - Typen wie zB.: der 2N7000TA > oder BS170 (beide N Kanal) bessere (linearere) Typen? *Wieso verwendest Du N-Kanal-FETs, wenn in der Schaltung* *P-Kanal-FETS vorgesehen sind* ? > Vom Prinzip war der Schaltungsaufbau ähnlich wie
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Gate Spannung begrenzen, aber wie?
Anregungen wie ich das Problem lösen könnte? Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Stromsenke ginge am einfachsten mit einem NPN-Transistor und einem passenden Emitterwiderstand
Possetitjel schrieb im Beitrag #5357933: > Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den > BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende > Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Bei klar definiertem High-Pegel der Eingangsspannung und richtiger Dimensionierung kann man
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Monostabiler Elektromagnet mit nur einem uC Pin ansteuern
verfügt. An 18 dieser 32 Pins habe ich einen monostabilen Elektromagneten der über einen MOSFET (BS170) ein- und ausgeschaltet werden kann. Wenn ich den Pin auf HIGH ziehe so schaltet der MOSFET durch und der Elektromagnet wird von einer externen Spannungsquelle (12V) gespiesen. Die Haltekraft ergibt
wissen ob das so in etwa funktionieren würde...? Anmerkung: Q1 und Q3 wären z.B normale N-MOSFET (BS170). Q2,Q4,Q5 und Q6 sollen die gleiche Funktion wie ein N-MOSFET haben, nur lassen sich an diesen Positionen wohl keine MOSFET verwenden, da Source nicht auf Masse ist... IC1 ist ein logischer Inverter
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FET gegenstück BS245
recht schön wenn man im sortiment auch den positiven "gegenpart" hat wie: bsp bs250 und bs170 ich ahbe mal gelesen das der bf245 schon fast zu den alten eisen gehört, jedoch scheint er noch beschaffbar zu sein, oder gibts es etwas aktuelleres im to92 gehäuse? gruß, m.
selbstleitend bedingt durch ihren aufbau - ich hoffe das kann man so stehen lassen. ...die transistoren bs170 und bs250 sind bei mir schon in einigen kleinen projekten verbaut worden, und jetzt kommt durch das thema konstantstromquelle auch der jfet einfach mit ins spiel. gruß, m.
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Nachtleuchte mit Solarlampe realisieren
| 100k 100R | | +----------------|I BS170 | |S +----|<|----------+-- GND Photodiode [/pre] Die Umgebungshelligkeit, ab der die LED (sanft) abgeschaltet werden, hängt von den Kenndaten der Photodiode ab, bei 100k bei ca. 100uA Durchlassstrom. Geschaltet wird mit einem N-Kanal MOSFET, hier BS170, es gehen aber fast alle normalen. Die 100R bestimmen die Helligkeit der LEDs im Dunklen, hier 20mA.
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CMOS-RAM Puffer-Batt
seh schon, du hast dich so auf MOSFets fixiert, das du nicht zu überzeugen bist. Dann nimm einen BS170 oder BS250, die haben keine Bodydioden.
Matthias Sch. schrieb im Beitrag #3185938: > Dann nimm einen BS170 oder BS250, die haben keine Bodydioden. WTF?! Natürlich haben sie.
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Bild
Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFETs
R1 1.6kohm Q1 BS170 R2 62kohm Q2 BS170 R3 5100kohm Q3 BS170 V1 3V BPW21 AD8571 1 2 3 4 5
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MOSFET vs BJT
mit großer gatekapazität, an schwachen treibern hat, wie zb. ein cmosgater an einem 50A TYP. der bs170 im to92 gehäuse hat glaube ich 5ohm und kostet im grosshandel so ca. 5euro per hundert. eine z-diode ist ideal als schutz (zB.8-15v), ein varistor wäre viel zu träge, der kann auch relativ viel
nehme auch lieber FETs, das spart Strom und Bauteile. Meine Standard-FETs in 5V-Schaltungen sind BS170/BS250. Bei 3,3V muß man andere nehmen. Peter
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Frage zu MOSFETs
keine allzu großen Ströme zu fließen scheinen, genügt für die MOSFETs etwas einfaches, wie bspw. der BS170 (N) und der BS250 (P). Der BS170 steuert auch bei kleinem Ugs schon gut durch, der BS250 ist da nicht ganz so gut. Allerdings ist das P-MOSFET-Paar wohl ein Relikt aus Axels erster Schaltung,
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Betragsbildung von DC
umgeschaltet wird, wird auch das Monitor Signal negativ. Werd das mit dem "Umschalter", einen BS170 mal testen. Danke auf jeden Fall für eure Hilfe!! FreeMan
Man O Man! Hab mit dem BS170 die Schaltung aufgebaut. Und was sehe ich da... bei -10V Eingang kommt max. +9,5V am Ende raus. Schlußendlich bin ich mit dem Oszi draufgekommen, dass es Störungen sind und ich mit dem Fluke den
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Arduino - Lüfter mit PN2222 oder Tip120
Manfred schrieb im Beitrag #6237482: > 500mA mit einem TO-92 ist schon mutig. mit einem BS170 wäre das vielleicht möglich und man nicht den Schlechtesten erwischt und wenn der Arduino mit 5V läuft (es gibt ja auch welche mit 3,3V) https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BS170-D.PDF
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Selbstleitender FET mit positiver Sperrspannung?
kurzzeitig trennen >koennen. Nimm ein paar CMOS-Gatter, die brauchen ein paar nA. Dahinter ein BS170 oder was auch immer, fertig. MFG Falk
ein niederohmiger FET. Aus diesem Grund muss ich davon ausgehen, dass ich, bevor ich den z.B. BS170 ueber ein Gatter schliessen kann (Gate auf high mit mind. Schwellwertspannung), eine minimale Spannung und Ladungsmenge bereits fuer die Gatter und den FET aufbringen kann. Diese Grundladung muss also
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Wald-und-Wiesen-FET in TO92
noch besser sogar ein Pärchen), den man in seine Grabbelkiste neben BC547 und BC557 legt. Die BS170/250 kenne ich, die sind aber ziemlich alt. Zugegeben, TO92 ist auch nicht mehr ganz aktuell, aber macht sich eben gut zum Prototypen und basteln. Entsprechend wenig anspruchsvoll wären die Anforderungen
Sven P. schrieb im Beitrag #2478505: > Die BS170/250 kenne ich, die sind aber ziemlich alt. Das macht nichts, die verderben nicht. Und sie sind gut zu beschaffen. Für SMD nehme ich BSS138, BSS84. Peter
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Suche Multivibratorschaltung unter 0,6v Betriebsspannung?
hab ich die falschen Bauteile hier rumliegen:-( Ich hätte noch folgende Typen hier: 2SK170GR BS170 BSS138 Ich hab mit JFETs noch nie was gebaut, die Datenblätter sagen mir wenig
funktionieren? Ich habe diese Typen alle und da will keiner davon gehen BF245c MPF102 2SK170GR BS170 BSS138 Ich kenn mich mit JFET nicht aus, bei MOSFets schaue ich immer auf Gate Threshold, was muß man bei JFETs beachten?
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MOSFET // Selbsthaltung Gesperrt
seine Kapazität wesentlich größer als die des IRF1010 sein. Also setzt an Stelle des IRF1010 einen BS170 o.ä. ein.
ArnoR schrieb im Beitrag #3551495: > Also setzt an Stelle des IRF1010 einen BS170 o.ä. Leider muss ich beim Prototyp mit dem zurecht kommen, was in meinen Schubladen lagert. Ausser dem IRF1010, BF247C und handelsübliche Transistoren habe ich aktuell nichts zur Verfügung. Hast
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FET mit AVR schalten - Wie schnell?
@Andre schau dir mal den BS170 an. Der hat sehr niedrige Kapazitäten. Ich habe 2 von denen an einem Tiny15 mit 500kHz parallel und direkt am Pin. Die Schaltung läuft gut zwischen 3,3V und 5,2V. Und für deine Stöme taugt er alle
@Robert Danke für den Tipp, aber die Bauteile hab ich schon alle hier... Die Kapazitäten des BS170 sind aber wirklich sehr gut (max 40pf). Bei meinen geht es vergleichsweise bis 700pF :-( @pet Die Frequenz ist das Problem - ich weiß es nicht :-) Das wird ne 11x11 LED-Matrix (Zeilenweise Ansteuerung
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AT89C4051-Schalten eines Relais mit 24V/200mA
kann? Einfach einen Inverter dazwischen schalten. Entweder 74HC04 oder dikret per Transistor. BS170 z.B. http://www.mikrocontroller.net/articles/Bild:Relais_mosfet.png Im Prinzip wie im Bild, nur einfach R2 weglassen und Q3 durch einen BS170 ersetzen. MfG Falk
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Warum aktive Region zum Verstärken?
. Obendrein ist die Linearität schlecht und sehr exemplarabhängig. Zeichne einfach mal beim BS170 in der "On Region": https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/BS170_ON.pdf (Seite 3) die Arbeitsgerade ein und schau was da rauskommt .. Gruß, Christian
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Pulsweitenmodulation!
definitv nicht! Aber du könntest den Transistor durch einen kleinen pMOSFET ersetzten, z.B. durch einen BS170. Der kann +/- 20V am Gate und wäre ohne andere Dimensionierung austauschbar.
nicht! > Aber du könntest den Transistor durch einen kleinen pMOSFET ersetzten, > z.B. durch einen BS170. Der kann +/- 20V am Gate und wäre ohne andere > Dimensionierung austauschbar. Das ist bisher die Lösung die mir am besten gefällt! Den könnte ich vor allem einfach mit dem Transitor austauschen
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Pegelwandler 5V <-> 1.8V, passender MOSFET?
brauche einen bidirektionalen Pegelwandler zwischen 5V und 1.8V. Ich hab bereits erfolgreich mit einen BS170 die folgende Schaltung mit 5V <-> 3.3V im Betrieb: https://i.stack.imgur.com/qDDi9.png Der BS170 funktioniert allerdings nicht mit 1.8V. Ich weiß, dass es mit dem BSS138 funktioniert, aber ich hätte
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IR-LEDs an Transistor, Uce = (RPi-Nistkasten-Webcam)
Hast du dir auch schonmal einen MosFET angeschaut, Namensfetter :) Z.B der alte BS170
mir vorhin mal angeschaut, bin aber noch nicht überzeugt. Wenn ich das richtig verstehe, sind am BS170 nochmal U_DS = 5 Ω zu überwinden, die fehlen mir dann wieder am Widerstand. Ich denke, ich starte mal mit den Bipolartransistor.
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Solarpulsschaltung/ FLED solar engine
ein, die der Kondensator nicht unterschreitet. Mein aktuell bestes Ergebnis ist mit dem N-Mos (bs170): [c] .---------o------------o------. | | | | | | | .-. | | LED V | | |
| | --- ### 1mF | ||-+ photo - --- .-||-o---o|<- bs170 | - | | -||-+ ~7V | | | 22nF | '-----------------o-----------' [/c] Wenn die Sonne scheint, dann stellt sich je nach LED eine
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MOSFET Wahl Step-Up mit sehr niedriger Eingangssp.
Ich habe den Step-Up testweise in Ltspice simuliert. Habe hier zwei MOSFETs liegfen, einmal den BS170 und den IRLZ24N. Eine Gatesourcespannung von 2,4V reicht für den BS170 nicht aus um den entsprechenden Drainstrom fließen zu lassen, würde nicht niederohmig genug. Bleibt der MOSFET (IRLZ24N)
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Dimensionierung Source-Schaltung
sollte nur ein Beispiel sein. Eigentlich will ich die Schaltung mit einer Verstärkung von 10 für den bs170 auslegen. Das klappt aber auch mit euren Tipps nicht. Zu meiner Vorgehensweise. 1) Betriebsspannung Uds von 10 Volt auswählen 2) Eingangswiderstände R1 und R2 ziemlich groß wählen, damit kein
ich eher als Schalter eingesetzt. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44685/SIEMENS/BS170.html http://www.darc.de/distrikte/g/38/selbstbau-und-technik/jfet-arbeitspunkteinstellung/ ----------------------------------------------------------------------- Hat man den Arbeitspunkt eines
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Mosfets als Klein-(wechsel)-spannung-Schalter
Simulationsmäßig ebenfalls funktioniert - aber auf dem Bredboard nicht. Ich hab mehreremale die Belegungen der BS170 gecheckt - (und sogar mal spasseshalber beide an gleicher Position um 180° gedreht..). Immer der gleiche Effekt. Die Endstufe schaltet durch. Selbst dann wenn die Gates offen, oder über 10k an GND oder 10k an VCC gelegt wurden (GND,VCC aus der obigen Schaltung). Die BS170 sind alle okay . Denn ich habe eine "Gleichspannung-Schaltstufe" zur Ansteuerung einer LED in die obige Schaltung eingebaut. Dort funzen sie. (Gleichspannung hab ich wohl im Griff ...)
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Welcher FET steuert bei 3,3 V voll durch?
Durchschaltspannung. Ist das der Parameter V_GS(th)? Dort finde ich meistens nämlich die Angabe max. 3V (z. B. beim BS170) oder gar 1,2 V (IRLML2502). Könnt Ihr mir einen geeigneten FET für mein Vorhaben nennen? Am liebsten erstmal nicht in SMD-Bauweise. Würde der BS170 passen? Oder ist die Idee, FETs dafür einzusetzen
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Langzeittimer-Logik invertieren - möglich?
umpolen müßte. Einfacher wäre wohl, einen einzelnen Transistor (z.B. BC547) oder MOSFET (z.B. BS170) zur Invertierung zwischen Pin 14 des IC und R14 einzuschleifen. Dazu müßte man nur ein Bein von R14 auslöten und die neuen Bauteile fliegend dazwischen verdrahten. Besonders einfach wird das mit
Hallo Axel, danke für deine rasche Antwort auf mein Problem. Mit dem MOSFET BS170 werde ich das so verändern; das sollte gehen. Minus der 12V werde ich vom Pin 7/8 mit einer kleinen THT-Drahtbrücke zum MOSFET führen. Die zwei kleinen Platinenlöcher sind schnell gebohrt. Vielleicht
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Spannungen mit einem Operationsverstärker erzeugen
Synk-signale sind und die Schaltung wird verdammt heiß. Ich werde die Transistoren also durch BS170 Fets ersetzen.
schnellere bekomme. http://www.cip.physik.uni-muenchen.de/~faustt/Logic+Level+FETs+bei+Reichelt.gif Den BS170 werde ich mir wohl holen. Nach dieser Liste, welche TZA mir gegeben hat sind die, wenn ich die Liste richtig lese, 10x schneller. Wenn das noch nicht reicht, dann kann ich vielleicht noch etwas mit
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Eingangsimpedanz BC847BPN
Nimm lieber einen BS170 o.ä., dann sparts du auch noch mehr Strom.
Schaltplanausschnitt auf. Ansonsten Zustimmung zur Empfehlung, einen FET einzusetzen, wenngleich der BS170 von der Schwellspannung her beim Betrieb mit 3 V schon knapp sein kann (vor allem, wenn die 3 V nur die Nennspannung sind, die im Betrieb noch unterschritten werden kann).
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Umbau eines Bewegungsmelders für 24VDC
laut Datenblatt bis zu 15VDC vertragen, also kein Problem. Der Ausgang des BWM schaltet über den BS170 einen P-Kannal Mosfet (High Side Switch). Die Diode D1 ist dabei um mehrere BWM Ausgänge parallel schalten zu können und damit es nicht zu Ausgleichsströmen kommen kann. Ich habe einen Mosfet gewählt
um kein klackern beim Schalten des BWM zu haben. Mann könnte hier aber auch ohne Probleme mit dem BS170 ein Relais ansteuern. Der Mosfet dient aber auch gleichzeitg als Ersatz für den Triac der vorher auf dem Netzteil drinnen war. Durch die Montage des TO-220 Gehäuse ma Rahmen wird die Platine im Gehäuse
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PWM-Leistungsregelung NICHT LINEAR!
=== ___ pwm-signal --- Diode SB560 ___ 120µF| von BS170 | |240µF | | | | | | O-----------------
=== --- pwm-signal --- Diode SB560 --- 120µF| von BS170 | |240µF | | | | | | O-----------------
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Umschalter für Phono-pre: Ralais oder Halbleiter?
Ich habe da Bedenken wegen der Ausgangskapazität der BS170 (und ähnlichen): Lt. Datenblatt (Vishay 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170) ist die Coss bei 0 V Uds ca. 50 pF, bei mehreren parallel schaltbaren Kapazitäten wird es viel zu viel. Mit einer Art Kaskade
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"Standard"-Mosfet gesucht
empfehlen IRLML2402 (n-Ch) IRLML2502 (n-Ch) IRLML2246 (p-Ch) IRLZ34 (n-Ch) BS170 (n-Ch)
Was ist mit dem anderen Klassiker neben dem BS170, dem 2N7000?
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Transistor/Widerstand Wahl atmega2560 LEDs
nach GND verbunden. Wenn man den Widerstand an der Basis sparen will, kommen auch BS107 oder BS170 (MOS-N-Channel-Typ), und BS250 (MOS-P-Channel-Typ) in Frage. Bei diesen Transistortypen heisst der Steuereingang Gate. Statt Emitter gibts Source und statt Collector heisst es Drain. Der N-Channel-Typ
P-Channel wie ein PNP. Wenn du wirklich 500mA brauchst, dann geht von den erwähnten Typen nur der BS170. Es gibt aber natürlich noch viele andere Typen.
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Welcher Schalter passt hierher, BF 245 ?
Ein BS170 o. ä. aus der Grabbelkiste mit eine 47 K Gatewiderstand sollte es machen.
Seht es mir bitte nach. &Peter :"Der MC wird direkt vom Schalter gesteuert..." &Heinz :"Ein BS170 o. ä. aus der Grabbelkiste mit eine 47 K Gatewiderstand..." Nun ist es aber so, das der MC Tod ist, wenn sich das Gerät (Kamera) im Ruhezustand befindet. Meine Darstellung oben ist da einfach mangelhaft
