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Treiber für Mosfet IRFB7440
aber bei 25V Drain-Source-Spannung und 1MHz Messfrequenz. Zum Vergleich: Bei einem kleinen MOSFET BS170 sind es gemessen gerade mal 55pF zwischen Gate und kurzgeschlossenen Source/Drain (kaum ein Unterschied zwischen 100Hz bis 10kHz). Laut BS170-Datenblatt sind es maximal 40pF Gate-Eingangskapazität
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Display - Backlight PWM
NPN Transistoren eignen sich jetzt hierfür? Mosfets im TO-92 Gehäuse die bei 3V schalten. zb. BS170.
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Akkuwächter-Fet statt Relais für Lasten bis 150A
arg untertrieben. Mit Kanonen auf Mücken kommt eher hin. Ein Kleinleistungs-Transistor, FET (z. B. BS170) oder ein BJT (BC547 oder tausende andere) wäre angemessen. 2. Ein Spannungsteiler im Eingang (BJT: 10k:1k, FET: 10k:10K), beim FET vielleicht mit einer Schutz-Zenerdiode, könnte Schäden bei Transienten
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[V] Transistoren HF Universal Bipolar FET MOSFET
€0,30/Stück) 2 Stück BF256B, FET, n-channel, Si, TO92, 30V/10mA (€ 0,30/Stück) 47 Stück BS170, FET n-channel,Si,TO92,60V 0,5A (€ 0,07/Stück) 57 Stück 3N153, MOSFET, n-Channel, 20V/50mA (€ 4,00/Stück) Bipolare HF Transistoren 168 Stück BF324, HF Si, pnp,TO92,30V/25mA (€
BS170 sind weg. Werner
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Suche Hilfe zu Schaltung mit NE555
--|>|--+ | | | Tast 4u7 470R | | | +----+------|I BS170 | |S 10M | | | GND -------+-------+ [/pre]
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ESD Open-Collector Ausgang: Mikrocontrollerpin oder diskreter MOSFET?
enhancement mode) N-Kanal-Fet gegen einen Pull-Up-Widerstand schalten. Ich nehme für sowas immer BS170/MMBF170, da dieser eine Vds von bis zu 60 V hat. Für einen OpenCollector-Ausgang wird der 33k Widerstand zu hochohmig sein, um an der Gegenstelle den Eingang gegen den womöglich kleineren Pull-Up-Widerstand
Mikrocontrollerpin geschalten wird. Sven L. schrieb im Beitrag #4442342: > Ich nehme für sowas immer BS170/MMBF170, da dieser eine Vds von bis zu > 60 V hat. Ok, also ist die Vds hier maßgeblich. Sven L. schrieb im Beitrag #4442342: > Für einen OpenCollector-Ausgang wird der 33k Widerstand zu hochohmig
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Mehrere Relais mit 6B595 betreiben
verwenden, wie einen Jumper? 2. Danke für den Link zu dem langen Thread "Re: Skurriles Problem mit BS170 Mosfets" ...Hab ich mir durchgelesen, allerdings komme ich da nicht ganz auf den Punkt, was genau du mir damit zeigen willst. Geht es hier um die Ansteuerung der ICs mit 5v, wenn der Vcc auch 5v
IC, nicht in Reihe! >2. Danke für den Link zu dem langen Thread "Re: Skurriles Problem mit >BS170 Mosfets" ...Hab ich mir durchgelesen, allerdings komme ich da >nicht ganz auf den Punkt, was genau du mir damit zeigen willst. Das man so eine serielle Verbindung auch über lange Kabel betreiben
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WordClock mit WS2812
Gehäuse: "Leider" SO-8. Soweit die Theorie - der Versuch lehrt. Die Steuerspannung für den BS170 wurde über einen Spannungsteiler 15 kOhm/22 kOhm (nicht im Schema eingezeichnet) auf ca. 3 V vermindert. Über die H4-Lampe (Abblend- und Fernlicht in Serie) fließen 2,37 A, die 39,4 mV sind der Spannungsabfall
für die IRF9310 MOSFET und die Zusatzbeschaltung hergestellt (eher schnell als schön). Statt des BS170 wurde ein BSS123 verwendet. Mit auf der Platine ist auch eine (optionale) Schottky-Diode – geschaltet zwischen WS2812-Daten und geschalteter Versorgungsspannung. Bei den Anschlüssen dafür (1x Schraubklemme
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MosFet Schaltgeschwindigkeit
kleine MOSFETs wie etwa BS170 können schon so schnell schalten. Das gilt auch für Logic level typen, insbesondere moderne. Bei größeren bräuchte man Treiber, und auch dann wird es schwer - von Funkstörungen ganz zu schweigen.
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Ferrariszähler auslesen mit Reflexlichtschranke und LM393
hochohmig im Verhältnis zu R7, da muss man eher tauschen ;-) Oder man nimmt gleich einen MOSFET als BS170, dann entfällt R7. R3 und R4 sind ungüngstig. Ersetze sie durch EINEN Widerstand (100k oder so), so wie beim klassischen [[Schmitt-Trigger]]. Die Schaltschwelle wird dann normal mit dem Poti RV1
hochohmig im Verhältnis zu R7, da muss man eher tauschen ;-) > Oder man nimmt gleich einen MOSFET als BS170, dann entfällt R7. Okay, das ist dann was zur Nachbesserung des Schalters. > R3 und R4 sind ungüngstig. Ersetze sie durch EINEN Widerstand (10k oder > so), so wie beim klassischen Schmitt-Trigger
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NE555 als astabile Kippstufe + IC 4017 in Reihenschaltung
Ich habe ein Herz für kleine 9V-Blocks und plädiere daher für 0mA und Verwendung von FETs (zB BS170) statt NPNs.
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sot323 Mosfet äquivalent für lochraster
2N7000 oder BS170 sollten ähnlich sein. KOmmt auf den Verwendungszweck an.
@ Hubert G. (hubertg) >2N7000 oder BS170 sollten ähnlich sein. >KOmmt auf den Verwendungszweck an. Der OP sucht einen Ersatz für den 2N7002PW. Der hat max. 2 Ohm bei U_GS =5V. Der BS170 eher 10Ohm bei 10V.
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Dimensionierung Source-Schaltung
sollte nur ein Beispiel sein. Eigentlich will ich die Schaltung mit einer Verstärkung von 10 für den bs170 auslegen. Das klappt aber auch mit euren Tipps nicht. Zu meiner Vorgehensweise. 1) Betriebsspannung Uds von 10 Volt auswählen 2) Eingangswiderstände R1 und R2 ziemlich groß wählen, damit kein
ich eher als Schalter eingesetzt. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44685/SIEMENS/BS170.html http://www.darc.de/distrikte/g/38/selbstbau-und-technik/jfet-arbeitspunkteinstellung/ ----------------------------------------------------------------------- Hat man den Arbeitspunkt eines
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N-Channel Mosfet über NPN/PNP Schaltung
Hi Arno, danke für den Tip mit dem BS170. Versteh ich das richtig das ich den BC847 "einfach" mit dem BS170 ersetzen kann wenn ich die Widerstände weg lasse? Also: 3,3V Logik -> BS170 Gate / Last -> Drain / Source->GND Hab es mal neu
Steuerspannung geeignet ist (Dim+ an Drain, Dim- an Source und GND)? Hierfür kann ich mir aber den BS170 im To-92 holen und testen... Danke!
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Step-Up-Wandler 5 auf 12 V
hat wie im Dokument, leicht abgeändert: Statt IRF540 einen BUZ355 Statt 1N5822 eine SB130 Statt BS170 einen BSS124 Statt 10p Kerko einen 12p-Kerko Statt 1µ-Kerko einen 300n-Foko Statt 2kΩ einen Widerstand mit 2,2kΩ Die 12V damit zu erzeugen macht genau so lange kein Problem, wie ich keinen Lüfter
wie schon erwähnt, Probleme mit dem FET. Hier würde sich ein Logic-Level-FET anbieten. Auch der BS170 wird eine sehr weiche Regelung erzeugen - aber das hat ja nichts mit dem Prinzip zu tun. Allerdings würde ich den Spannungsteiler davor nochmal überdenken. Der BS170 ist kein Bipolartransistor!
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MOSFETs nach (manueller) Bestückung defekt - ESD?
gilt. Bei wenigen Pikofarad Gate-Kapazität, lädt sich das leicht übe 20V auf. Habe mir einige BS170 zerschossen bevor ich das merkte - als einzige Halbleiter bisher überhaupt.
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Selbstlösende Schaltung bei Dauerspannung
| | | ZD12 | | | | Klingeltrafo | | +-|<|-+ +-----|I BS170 | Klingel | | | ` | | |S | | +--|>|--(--+ 100uF | 22uF | | | | | | | | | | |
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Bs170 Verlustleistung berechnen
Hallo Community, ich würde gern die Verlustleistung des BS170 berechnen. Dazu ist folgende Schaltung geplant: http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern Der BS170 hat Vgs= 5v und schaltet U=24v. Als Relais soll das HF3FA verwendet
Jan R. schrieb im Beitrag #4265435: > Der BS170 hat Vgs= 5v Ein BS170 schaltet bei 5V nicht zuverlässig durch und kann nicht seinen Maximalstrom laut Datenblatt schalten. Nimm einen LogicLevel MOSFET. Würdest du den BS170 mit datenblattkonformen
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Problem mit Übersprechen auf OPV-Schaltung
mehr getriggert wird. Die simple Methode wäre, mit dem High aus deinem Monoflop mittels eines BS170 o.ä. R24 in der Schaltung aus dem ersten Posting zu brücken. Du könntest das High auch auf den + Eingang des 2ten Opamp legen (über eine Diode), um ihn für die Zeit zu sperren.
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Mosfet/Treiber für den 4044 gesucht?
mit einem eigenem Mosfet als Treiber ist bestimmt sinnvoll. ich hatte ürsprünglich den Mosfet BS170 geplant und dann hier im Forum gelesen das er bei 5V noch nicht so richtig durchgeschalten ist. Könnt Ihr mir vielleicht einen anderen empfehlen? Wieviel Strom (bei 5V am Eingang) benötigt eigentlich
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TransistorTester: Frage
In der Simulation (BS170, VCC 5 V, Vgate 2 V, Rgate 470 KOhm) dauert es 12 µs bis Vth erreicht wird. Das ist ziemlich schnell und verträgt sich nicht mit dem *langsam* aus dem obigen Zitat. Der µC muss in dieser Zeit permanent
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Analog Steuerbare PWM Stromquelle für 1.3mH Solenoid
Den BS170 an eine beliebig niederimpedante Quelle zu hängen ist gegenüber der Praxis eine kleine Mogelei, sollte aber nicht viel ausmachen. Da ein JFet doch nicht immer gerade zu Hand ist, währe ein kleinerer
S. K. schrieb im Beitrag #4232951: > Den BS170 an eine beliebig niederimpedante Quelle zu hängen ist > gegenüber der Praxis eine kleine Mogelei Der LTC6992 hat bei Vcc=5V Ausgangswiderstände unter 25 Ohm. DB Seite 11. S. K. schrieb im Beitrag
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[V] Transistoren HF Universal FET Bipolar sortiert Gesperrt
10mA (€ 0,30/Stück) 11 Stück BF246A, FET n-channel,Si,TO92,25V/80mA (€ 0,30/Stück) 189 Stück BS170, FET n-channel,Si,TO92,60V 0,5A (€ 0,07/Stück) Power MOSFET 50 Stück IRF1010N, Power Mosfet,n-ch,Si,TO220,55V/85A(€ 0,25/Stück) 21 Stück IRF9530, Power Mosfet,n-chm Si,TO220,100V/10A(€ 0,25
Moin, ich hätte gerne 100x BS 170 und alle IRF1010N. Viele Grüße Philipp
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0,6V auf 21V
dann konzentriere Dich auf diesen Wandler Der baut nun die Versorgung für den Inverter (der den BS170 unten Mitte ansteuert) auf. Der "mittlere" Inverter legt los und macht mit ein bischen mehr rumms die Versorgung für den Leistungsteil. Der Leistungsteil ist eine ganz normale Brücke, die vor
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Frage ESD-Schutz
. Die einzig wirklich kritischen Bauteile sind winzige MOSFETs ohne Eingangsschutzdioden, also BS170 und 2N7002 und ähnliche, da lohnt es sich, vor dem Herausnehmen einen Draht drumzuwickeln, den man erst nach dem Einlöten wieder entfernt (Kurzschlussbrücke), geht natürlich nicht mehr bei SOT23.
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Mosfet per Optokoppler
nächste idee gewesen, das ich einen fet nehme dessen gate durch den Optokoppler angesteuert wird (bs170 oder so) und der dann halt den Power MOSFET Ansteuert...
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Wie mit 5V 9V LED-Array Schalten
einfacher Transistor ala BC337 und ein [[Basiswiderstand]] von vielleicht 1kOhm. Oder ein MOSFET ala BS170, da braucht man nicht mal einen Basiswiderstand. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten.3F
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I2C Stromlosschalten?
symmetrisch sein (keine Diode) und eine geringe Schwellspannung haben. Vielleicht tut es schon ein BS170 oder ein BF862. Bei TI gibt es in der CBT-Reihe ganze Arrays solcher Transistoren als Level Translator. Der SN74CBTLV1G125 ist so ein IC für nur eine Leitung. Bei dem muss VCC geschaltet sein und
symmetrisch sein > (keine Diode) und eine geringe Schwellspannung haben. Vielleicht tut es > schon ein BS170 oder ein BF862. Das mit den I2C Leitung macht Sinn. Ich schließe dann wohl über einen Widerstand an der Basis 2 Transistoren in die I2C Leitungen. Dann kann ich die schon mal sauber trennen. Bleiben
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Selbstsperrender FET
Danke für die guten Ratschläge :) Ich habe mich für den BS170g entschieden und steuer ihn dann mit einem nichtinventierdenden Verstärker an. Mit hilfe von einem spannungsteiler bin ich direkt im Bereich der Ugd Spannung von 4...10 V Lg danke nochmal Ludwig
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Transistorschaltung / Steuerung eines Netzteils
-----+----------+ [/pre] würde funktionieren, oder ein Analogmultiplexer CD4053 oder ein MOSFET BS170.
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IRLML2244 mit einem µC-Ausgang schalten - wie?
musst, kannst du von PB1 ein 10kOhm Poti nach Masse schalten und den Schleifer auf ein Gate eines BS170 legen (der den BC547 ersetzt). Dann kannst du die Poti-Stellung so zurecht trimmen, dass der BS170 bei 5V an PB1 genügend leitet, und bei 2,4V an PB1 sicher sperrt. Den Temperaturgang der Schwellspannung
abkriegt, sollte sich eine sicher funktionierende Einstellung finden lassen (die für jeden individuellen BS170 unterschiedlich aussehen kann). Relais geht natürlich auch ;-)
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D/A Ausgang mit Rechteckpuls modulieren
Fet: BS170 ...zu simpel..?
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SPI Winkelsensor Novotechnik RFC4800 will nicht
wie in der angehängten Applikation-Note(Anhang) des Herstellers beschrieben. Als FET habe ich den BS170 verwendet(Anhang). MISO --> Drain MOSI --> Gate GNG --> Source Die Wiederstände habe ich wie in Zeile 4 (Atmel AVR) der Tabelle beschrieben gewählt. Sicherheitshalber hab ich die Schaltung nochmal
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Ledstrip VU Meter mit LM3915
evtl. ein schneller Test eines Ledstripsegments realisierbar sein. P-Mosfet BS250 N-Mosfet BS170 NPN-Transistor BC635 PNP-Transistor BC636 Wobei ich lieber auf Mosfets zurückgreifen würde wegen Leistungsloser ansteuerung. Schont den LM3915 und steuert sicher durch
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Schmitt-Trigger mit Mosfet realisieren?
#3576723 eines ST für bipolare Transistoren nehmen und die Transistoren durch n-Kanal MOSFET wie BS170, 2N7000 o.ä. ersetzen.
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120V Potential auf Loetkolben?
Gefahr: ja, das ist es. Ich habe mal 30 von den kleinen BS170 MOSFETs verlötet, mit einem ungeerdeten Lötkolben und es waren nachher 8-10 davon kaputt. Nach Erörterung hier im Forum wurde klar, dass meine billige Lötkolben daran schuld war, weil 12 oder 24V
nächstes kommen... Nach dem Löten den Draht entfernen. Hab ich damals so gemacht um meine defekten BS170 auszutauschen, bevor die neue Lötstation kam. Hat prima funktioniert ist aber ein ziemliches Gefummel diesen Draht drumzuwickeln und noch viel fummeliger ihn zu entfernen. Also nichts für viele Mosfets
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Magnetventil schneller abschalten
einen dicken Elko an der falschen Stelle > eingebaut von dem du uns nichts sagst. Oder schon der BS170 wird nicht korrekt angesteuert... wendelsberg
4/4f/Relais_npn.png ... und falsches Schaltzeichen. http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BS170-D.PDF
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Mosfet + Temperatursensor + Magnetventil -> Arduino Leonardo Projekt
Relais zu schlaten oder? Kann ich dann dieses Mosfet benutzen? http://www.mikrocontroller.net/part/BS170
Beitrag #4038684: > Kann ich dann dieses Mosfet benutzen? > http://www.mikrocontroller.net/part/BS170 keine gute Idee: der BS170 kann (bei ausreichender Gateansteuerung, die du nicht hast) 500mA schalten. Dein Relais braucht 1A.
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Drahtlose Energieübertragung - Schaltung macht Probleme
kommt nur eine sehr mikrige Sinusschwingung an. Nur etwa 200mV. Im Original werden als FETs der BS170 https://www.fairchildsemi.com/datasheets/bs/bs170.pdf und der BS250 http://www.vishay.com/docs/70209/70209.pdf verwendet. Der 4069 ist von Reichelt http://www.reichelt.de/ICs-C-MOS-DIL
Deine FETs sind viel stärker als die Originalen. Die Treiber werden zu > stark belastet. Aber BS170 und BS250 machen die selben Probleme? Abdul K. schrieb im Beitrag #4020711: > Die Schaltung hat noch diverse andere Macken. Welche meinst du?
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[S] Simples Netzteil gesucht!
Bei der Stromregelung wird es so eher nicht gehen: die beiden 100 K Widerstände am Drain des BS170 geben eine recht hohe und langsame (vor allem auf dem Steckbrett) Verstärkung. Dazu kommt der OP1C so noch ohne Rückkopplung. Eine Kompensation am OP macht die Sache nicht viel besser, weil man dann
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MOSFET Modell in LTSPICE einbinden
Typ von Zusatzlibrary es geht. Hier ist es eine SUBCKT (im Gegensatz zu MODEL Libaries) .SUBCKT BS170/PLP 1 2 3 * 1=drain 2=gate 3=source 5. Spice Directive zum Einbinden der Zusatzlibrary vom Typ SUBCKT einfügen .include bs170.lib 5. Controltaste halten und mit Klick mit rechter Maustaste
unbekanntes/ externes Bauteil Bei Value den Namen des Zusatzbauteils eintragen also statt NMOS BS170/PLP 6. Rest der Schaltung aufbauen. Schaltplan speichern. Simulieren. [/code]
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Verwendung MOSFETs für "digitalen Poti"
(schaltet nicht mehr). Damit habe ich gestern 7 BS170er zerschossen. By-the-way: Ich habe hier BS170er, weil die am Steckbrett leicht zu verwenden sind. Später möchte ich dann BSS123 und BSS84 verwenden. Die sind zwar SMDs aber damit kann man ja gut Platz sparen, sie sind sehr billig und den BS250 welchen man als Komplementär zum BS170 ansehen könnte bekomme ich nirgends. Deshalb habe ich auch nur mal die "high"-Strecke gebaut. Nun bitte ich euch um Hilfe: Versteht wer, warum da überhaupt ein Strom geflossen ist? Der rechte BS170
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P-MosFet langsamer Ausgangsspannungsanstieg
und am mittleren Abgriff verbindest du den unteren Kontakt von R5, der momentan zu ... Source des BS170 geht. Der BS170 ist ein N-Kanal FET, also vertausche dort Drain und Source, denn so arbeitet er nicht.
Das Symbol deiner beiden MosFETs ist falsch, der Gate-Strich muss über > Source sein. ja der BS 170 war falsch gepolt (geändert ) aber der IRF ist ein P-Mos und damit muss doch Source an UB und Drain ist der Ausgang ähnlich PNP-Transistor ? Ich probiers es mal auf dem Steckbrett aus mit den vorgeschlagenen
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Open-Collector 5 zu 24V
denn ein MOSFET sein soll (obwohl der in dieser Anwendung keinen Vorteil bringt) dann doch eher ein BS170, 2N7000, BSS100 o.ä. Oder im SMD Gehäuse ein BSS138 oder 2N7002. Bei Ansteuerung mit 5V und einem Arbeitswiderstand von vielleicht 10K [1] muß der MOSFET auch nicht *soo* Logic-Level sein. Standardtypen
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einen 1-fachen Inverter am besten wie aufbauen
Einfachster Weg: Kleinsignal-FET (z.B. BS170) mit 10k-Pull-Up. (relativiert auf praktische Umsetzung im unteren MHz-Bereich für die Faulen, die keine Lust haben, den Vorwiderstand an der Basis einzulöten). (Ich weiß, ist Perlen vor die Säue
. Der NPN Transistor hat etwa 0,7 Volt, der BS170 hat (stark Temperaturabhängig) um 1 Volt.