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Abschaltbare Operationsverstärker
deiner Schaltung... du könntest mit dem uC Ausgang einen Transistor bzw. am besten einen MiniMos (BS170?!?) schalten der (-) auf Masse legt. Dann kommen 0V raus.. aber wirklich 0V und kein Hochohmiger Ausgang. Bitte auch das Datenblatt beachten, manche OPV reagieren unterschiedlich bzw. komisch bei
byte schrieb im Beitrag #2067353: > (BS170?!?) schalten der (-) auf Masse legt Wenn ich das richtig verstanden habe, geht es leider nicht. Da die Spannung am MOS-Anschluss negativer ist als die am Gain -> Der MOS ist immer durchgeschaltet
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Regulierbare Versorgungsspannung fuer Klasse E Verstaerker
Forenten, ich gruebele gerade wie ich effizient die Ausgangsleistung meines 5W Class E Verstaerkers (mit BS170 MOSFETS) regeln kann. Da ich die Leistung nicht einfach in Waerme umsetzen will, laeuft es wohl auf ein Schaltnetzteil hinaus. Grob schwebt mir folgendes vor: V_drain zwischen 0V und 12V - V_drop
in real sind anstelle der 2N7002 natuerlich BS170 drin
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Welchen Transistor? Anfänger bittet um Hilfe
und richtig, was dir geraten wurde. Leider hat niemand die einfache Lösung mit n-Mosfet erwähnt. BS170 oder 2N7000 wären diese Kandidaten. Da brauchste noch nichteinmal einen Basisvorwiderstand. Einfach mit dem Gate auf den Portpin und mit Source auf Masse. Fertisch ist der Fisch. Ob du statt
lisson schrieb im Beitrag #2144243: > Leider hat niemand die einfache Lösung mit n-Mosfet erwähnt. > BS170 oder 2N7000 wären diese Kandidaten. Nur ging es oben mal um den Preis, auch bezüglich der Lösung mit ULNs. Und N-Kanal MFEts sind normalerweise etwas teurer als Transis
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VAG 1552 K Leitung Defekt
Fehlermeldung. Ich habe das auf der Platine schon etwas verfolgt. Die K-Leitung geht an zwei Mosfet IRF630 und BS170. Hat jemand irgendeinen Schaltplan der Eingangsstufe. Dies würde es sehr erleichtern. Man braucht ja nicht alles doppelt zu machen.
habe das auf der > Platine schon etwas verfolgt. Die K-Leitung geht an zwei Mosfet IRF630 > und BS170. > > Hat jemand irgendeinen Schaltplan der Eingangsstufe. Dies würde es sehr > erleichtern. Man braucht ja nicht alles doppelt zu machen. Gabs eine Lösung?
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N-Mosfet arbeitet scheinbar nicht
Sub-Logik-Level (3,3V) > anzubieten. Nee, er schaltet ja durch, immer. Diese kleinen MOSFETs, wie auch BS170, sind oft kaputt weil beim Einbau statische Ladung das Gate zerstört. Die Gate-Kapazität ist einfach so niedrig, daß schon beim angucken die Spannung hochschnellt.
MaWin schrieb im Beitrag #2466236: > Diese kleinen MOSFETs, wie auch BS170, sind oft kaputt weil beim Einbau > statische Ladung das Gate zerstört. Die Gate-Kapazität ist einfach so > niedrig, daß schon beim angucken die Spannung hochschnellt. Oft kaputt? Das ist doch
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Delta zu Spannung addieren
Bäumen nicht. Ich werde MaWin's Vorschlag dahingehend abwandeln, dass mir die ankommende Spannung eine BS170 ansteuert mit dem ich im oberen Teil des Variabel Spannungsteilers die Spannung steuere. Danke an alle Rolli Sollte jemand so aus dem Ärmel einen geeigneten Gatevorwiderstand nennen können
> Ich werde MaWin's > Vorschlag dahingehend abwandeln, dass mir die ankommende Spannung eine > BS170 ansteuert mit dem ich im oberen Teil des Variabel Spannungsteilers > die Spannung steuere. entweder ich verstehe nicht richtig, wie du das schalten willst, oder es wird eine ziemlich nichtlineare
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WS2812b Ansteuerung ESP32 nicht möglich
einem ESP32 256 WS2812 in einer Matrix anzusteuern, kein Problem für die Ansteuerung, helfen tut ein BS170 und 1 R 1k auf der 5V Seite, den auf der ESP Portseite habe ich "eingespart" der Port ist entweder aktiv low oder aktiv high. https://www.mikrocontroller.net/topic/88866#756291 Mir fehlt nur noch
ESP32 256 WS2812 in einer Matrix > anzusteuern, kein Problem für die Ansteuerung, helfen tut ein BS170 und > 1 R 1k auf der 5V Seite, den auf der ESP Portseite habe ich "eingespart" > der Port ist entweder aktiv low oder aktiv high. > https://www.mikrocontroller.net/topic/88866#756291 > > Mir
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Transistorbelegung
aber irgendwie ist die Belegung des Transistor nicht eindeutig: http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BS170.pdf#search=%22bs170%22 Ist das mittlere Bein nun Gate oder Source? Ich würde sagen Gate, da sich die Beine aber überlagern könnte es genauso gut Source sein... Ich mein die Frage ernst,
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min 7V max 35V an die Basis eines Transistors
Bauteile, die am Steuereingang 35V aushalten, eher selten sind. Allerdings kannst du einen MOSFET wie den BS170 mit einem ziemlich hochohmigen Teiler (7V=>3V) und einem ebenfalls hochohmigen Drainwiderstand verwenden. Nur solltest du dann nicht erwarten, dass der in Nanosekunden reagiert.
ähnlichem Spannungsteiler vorneweg. Der verdaut bis 15V am Eingang und es entfällt der Drainstrom der BS170-Lösung.
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IRLML2402 in "normal" (nicht SMD)
Im /TO92/ Gehäuse gibt es nicht allzuviele moderne Mosfets. Da fällt mir auf Anhieb nur der alte BS170 ein... http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET
danke für die schnellen Antworten! Es muss nicht TO92 sein, aber hauptsache handlich und kein SMD. BS170 klingt schon mal ganz gut.
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Transistor Gate Vorwiderstand
ich möchte 2 normale (20mA/Seg) 7 Segment Anzeigen multiplexen. Als Transistor habe ich noch den BS170 hier liegen. http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BS170.pdf Im Datenblatt steht etwas von 1200mA "Pulsed". Das sollte ausreichen. Ich frage mich nun nur, benötige ich bei einem FET in der Konstellation
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saubere Rechtecksignalpegelwandlung 0/5V auf +12/-12V
man die einfach komplementär auf und schon sind deine Bedingungen erfüllt. Siehe Anhang. Mosfets: BS170/BS250, o.ä..
Arno R. schrieb im Beitrag #8079888: > Mosfets: BS170/BS250, o.ä.. Bipolare Transistoren sollten an der Stelle auch gehen, da kann man mit entsprechend dimensioniertem Strom durch die 2n390x auch gleich einen gewissen Kurzschlußschutz am Ausgang machen
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Automatischer Ausschalter
ganze auch mit einem P-Kanal und einem N-Kanal Mosfet >aufbauen. (Bild) Ja, genau, ein IRF5305 und BS170 sollten konvenieren. Eventuell ist noch ein Halteglied am Gate des BS170 nötig, welches garantiert, daß der IRF5305 wirklich vollständig ausgeschaltet wird.
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Relais mit PIC ansteuern
channel not simultaneously: 400 mJ Für normale Relais reicht aber schon ein Treibertransistor (BS170) und ne Rückschlagdiode (1N4007). Peter
@ Peter Dannegger (peda) >Für normale Relais reicht aber schon ein Treibertransistor (BS170) und >ne Rückschlagdiode (1N4007). NEIN!!! Nicht solche lahmen Dioden! Das läuft zwar mehr oder weniger, aber auf Dauer ist irgendwann mal die Spule schneller und baut ordentlich Induktionsspannung
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120V Potential auf Loetkolben?
Gefahr: ja, das ist es. Ich habe mal 30 von den kleinen BS170 MOSFETs verlötet, mit einem ungeerdeten Lötkolben und es waren nachher 8-10 davon kaputt. Nach Erörterung hier im Forum wurde klar, dass meine billige Lötkolben daran schuld war, weil 12 oder 24V
nächstes kommen... Nach dem Löten den Draht entfernen. Hab ich damals so gemacht um meine defekten BS170 auszutauschen, bevor die neue Lötstation kam. Hat prima funktioniert ist aber ein ziemliches Gefummel diesen Draht drumzuwickeln und noch viel fummeliger ihn zu entfernen. Also nichts für viele Mosfets
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Hilfe bei FET-Ansteuerung durch µC
Hast Du den BS170 nach Messung oder nach Datenblatt korrekt beschaltet? Die Dinger haben je nach Hersteller unterschiedliche Anschlussbelegungen!
Stefan Huebner wrote: > Hast Du den BS170 nach Messung oder nach Datenblatt korrekt beschaltet? > Die Dinger haben je nach Hersteller unterschiedliche > Anschlussbelegungen! Nach Datenblatt! Hab auch mehrere auf dem Board davon und da
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Bipolare Stromquelle 0.1-4mA, 50V
Transistor, wenn man Ströme um 4 mA handhaben will?!? An der Stelle sollte es doch auch ein 2N7002 oder BS170 tun, da ist die Ladungsinjektion beim Umschalten auch um Größenordnungen kleiner.
wenn man Ströme um 4 mA > handhaben will?!? An der Stelle sollte es doch auch ein 2N7002 oder > BS170 tun, da ist die Ladungsinjektion beim Umschalten auch um > Größenordnungen kleiner. Ich habe das bereits mit anderen getestet, die Spikes sind dann einfach kürzer, aber trotzdem vorhanden.
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Schaltungbeschreibung für Laderegler
Q1 ist BS170 N kanal JFET Q2 ist IRF4905 P kanal MOS-FET
ein N-Kanal gezeichnet und mit dem könnte es auch klappen. Bei P-Kanal musst du D/S tauschen. Der BS170 macht ab typ. 1V auf, könnte gehen. Ist aber recht steil und bei 5 V PWM verschenkst du Stellbereich. Viel Erfolg, Uwe
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WS2812B mit 3.3V ansteuern
Irgendwie scheint mir aber die Basisschaltung fuer diesen Zweck > suboptimal zu sein. nimm einen FET BS138/BS170 und gut ist!
beim BC550). Beides zusammen geht nicht. Joachim B. schrieb im Beitrag #7023249: > nimm einen FET BS138/BS170 und gut ist! Da dachte ich auch schon dran, aber da ich jetzt scheinbar doch Teile bestellen muß, mache ich es gleich richtig und bestelle einen Satz 74LVC1G17. Das ist mir dann doch etwas
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Chapeau Mega328PB: Du bist ein Überlebenskünstler!
ca. 10V am Pin anliegend. Mist. Oder auch nicht: Der AVR arbeitet nach Fehlerbeseitigung (hab nen BS170 zwischengeklemmt) fröhlich weiter und selbst der Pin D3 funktioniert tadellos. Das nenn ich robuste Technik!
Rainer schrieb im Beitrag #4936585: > (...) Der AVR arbeitet nach Fehlerbeseitigung (hab nen BS170 > zwischengeklemmt) fröhlich weiter und selbst der Pin D3 funktioniert > tadellos. Das nenn ich robuste Technik! Solange Du den spezifizierten Injection Current durch die ESD-Diode nicht überschreitest
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Anfängerfrage LED Strombegrenzung
" und die rote LED erlischt. Gleichzeitig schaltet der BS170 durch und erlaubt einen Stromfluß durch die grüne LED, der bei 100mV Fahr-Spannung aber noch sehr klein ist. Der Strom durch die grüne LED ist jetzt rund 100mV / 180R = 0,5mA, wenn man mal den 1k5 Widerstand außer Acht läßt. Der ON-Widerstand des BS170 sei hier vernachlässigt. Der obere OPamp ist als aktive Zenerdiode geschaltet, der die Eingangsspannung des rechten OPamp nicht über 2V ansteigen läßt. Diese Schaltung ist wesentlich steiler als
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+5V und -5V mit mikrocontroller erzeugen
Hallo Bernd, mein Vorschlag: PMOSFET (z.B. BS170) mit Source ann +5V, Drain über einen Widerstand an -5V, Signal vom µC an Gate. Ganz symmetrisch wird es aber natürlich nicht sein, weil du die -5V wegen der Durchlassspannung der Diode nicht
Hauptsache pos. und neg. Pulse Detlev T. schrieb im Beitrag #1713343: > mein Vorschlag: PMOSFET (z.B. BS170) mit Source ann +5V, Drain über > einen Widerstand an -5V, Signal vom µC an Gate. verstehe ich noch nicht, wo ist dann mein Signalausgang? zwischen Widerstand und Drain?
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mp3 player mit PIC ansteuern
mit einem BS170 hab ich es auch probiert....
Source ist oder wie?" Habe einen existierende Schaltung mit einem PIC, die einen MosFet steuert (BS170). Habe an Drain den einen Kontakt der Schaltung angeschlossen, den anderen auf Masse gelegt. Source vom MosFet geht auch auf Masse, Gate an den Pic Ausgang (der Schaltvorgang funktioniert auf jeden
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Funktioniert diese MOSFET-Schaltung, so wie ich mir das Vorstelle?
meiner Schaltung, der das Gate-Signal vom anderen auf GND zieht, als Kleinsignaltransistor wie z.B. BS170 ausführen. Das spart Platz, ist schneller, und noch dazu billiger. EDIT: Klaus Dieter schrieb im Beitrag #3400651: > Wenn du die PWM auf GNG ziehst, geht aber keiner der 4 LED-Streifen > mehr
||--- | ||--- Enable -----||<-. |---||<-. ||--| ||--| BS170 | | IRFU024N | | | | --- --- [/code] Gruß Jonathan
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NPN Transistor als Schalter
Bei 1,2V ist der Transistor schon fast aus er Sättigung. Nimm doch ein BS170, der schafft das mit weniger Spannung, falls es dir auf wenig Drop ankommt.
Danke für die Tipps. Ich werde mal den BS170 bestellen. Dessen Datenblatt sieht für meine Anwendung sehr vielversprechend aus. Aus Interesse hab ich nochmal neue Testwerte erstellt Ich hab mal alles in einem sehr simplen Testaufbau durchgemessen
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Mosfet wird nicht hochohmig genug - soll Atmega Eingang schalten
Ich kann mir gerade nicht erklären, warum mein BS170 Mosfet es nicht schafft an dem Eingang eines Atmega8 zu wackeln. Interner Pullup am PD2, der INT0 zählt die Flanken und zeigt sie auf dem Display an. Gehe ich direkt mit einem Ausgangs-Pin darauf, zählt er einwandfrei. Jetzt habe ich einen BS170 mit 220k am Gate, Drain an den PD2-Eingangs-Pin und Source natürlich an Masse. Ein Durchgangsprüfer an Drain piepst im Rythmus des Signales an Gate. Der Atmega zählt jedoch nicht. Eine Led zwischen
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Platinenlayout- Geht das so?
Deine Schaltung hat eine Abweichung (Fehler)zur Originalschaltung. Dein BS170 bekommt keine direkte Masse. Es sollte funktionieren wenn Du den 10Ohm kurzschliesst. AUSPROBIEREN !!!
Schaltung hat eine Abweichung (Fehler)zur Originalschaltung. Ich konnte keine Abweichung feststellen. BS170 hat doch Masse. Kannst du das bitte nochmal erläutern? Grüße, Der_Bird
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Weihnachten- wieder mal Audion und Detektor
Dazu waren Schalter mit mehreren Ebenen erforderlich. http://edi.bplaced.net/?2025_-_Edi%26%23039%3Bs_letzte_Projekte___2025-_Edi%26%23039%3Bs_letzte_Projekte%3A_Eine_deutsche_Version_eines_Detektorempfaenger_der_US-_Navy_von_1918___Edi-SE_-_Die_Schaltung-_Analyse http://edi.bplaced.net/?2025_-_Edi%26%23039%3Bs_letzte_Projekte___2025-_Edi%26%23039%3Bs_letzte_Projekte%3A_Eine_deutsche_Version_eines_Detektorempfaenger_der_US-_Navy_von_1918___Edi-SE_-_Die_Spulensaetze Und der Aufwand für Spulen war teils enorm
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Berechnung von Spannungsteiler in Transistorschaltung
Darligntontransistor würde ich einfach ein 10k Bassivorwiderstand nehmen. Besser wäre allerdings ein MOSFET (BS170 o.ä.), da braucht man keinen Gatewiderstand. Freilaufdiode 1N4007 o.ä., nicht 1N4148
Mosfets schalten mit Spannung nicht mit Strom. Und Vorsicht: der BS170 ist eine Zicke und superempfindlich gegen falsche Beschaltung oder Ströme, die von einem nicht geerdeten Lötkolben kommen. Habe mir da mal ein paar zerschossen und dann stundenlang nach der Ursache
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Nachteile Hochspannungstransistor?
wie BCV27, jFETs wie BF245, J310 oder MOSFETs wie IRLML2402, IRLML2502, IRLML2246 interessant. BS170 sieht man relativ oft in Pegelwandlern und ähnlichen Kleinsignal-Schaltanwendungen. Serge W. schrieb im Beitrag #6809980: > Also für kleine Spannungen BC548/BC558 So was Komplementäres
sonderlich toll. Ich habe 2N2222A da, bestens geeignet, aus einem µC heraus einen P-FET anzusteuern. > BS170 > sieht man relativ oft in Pegelwandlern und ähnlichen > Kleinsignal-Schaltanwendungen. Dessen Glanzzeit ist auch vorbei, Pegelwandler verwenden BSS138. Sind leider unhandlich, wenn man auf Lochraster
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Drahtlose 1-Bit-Übertragung
Nichts. Wobei die Funktion des AVRs reichlich merkwürdig ist. Wenn man einfach einen MOSFET ala BS170 nimmt, kann man den direkt mit den Gleichrichter ansteuern. MfG Falk
Nichts. Wobei die Funktion des AVRs reichlich merkwürdig ist. Wenn man > einfach einen MOSFET ala BS170 nimmt, kann man den direkt mit den > Gleichrichter ansteuern. http://www.b-kainka.de/bastel120.htm
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FET mit Gate am AVR-Pin schaltet nicht ab
Hi. Habe ein seltsames Problem an meinem Tiny26. Habe am AVR-Port das Gate eines BS170 N-Kanal FET dran. Anschalten klappt problemlos nur Ausschalten tut er sich nicht mehr?! Wenn ich mit dem Multimeter dran geh und Spannung messen will geht er plötlich aus sobald ich das Messkabel
Hamacher (powl) >Habe ein seltsames Problem an meinem Tiny26. Habe am AVR-Port das Gate >eines BS170 N-Kanal FET dran. Anschalten klappt problemlos nur >Ausschalten tut er sich nicht mehr?! Wenn ich mit dem Multimeter dran Kann es sein, dass der Port im AVR nicht als Ausgang geschaltet ist und
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Digitalpotentiometer, 1-10V EVG, Arduino
er am besten mal nen Messgerät zwischen klemmen um den Strom zu ermitteln sonst vielleicht auf nen BS170 oder noch stärker IRFxxx umsteigen... aber mehr als ein paar mA sollten da nicht fließen....
von Chris erweitert), bzw. nur eingeschränkt. Ohne anliegendes Signal am Gate des Transistors (BS170) beobachte ich eine maximale Dimmung der Lampe (wie gewünscht), sobald ich allerdings das PWM Signal ausgebe wird bereits bei kleiner Spannung das Steuersignal komplett durchgeschaltet und die Lampe
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Richtigen MOSFET gesucht
mit einem Microcontroller auf Maße ziehen. Ich jetzt dachte ich, dass ich das einfach mit einem BS170 mache, da ich den noch aus alten Zeit hier rumfliegen habe. Gibt es da mittlerweile was besseres? Microcontroller ist ein STM32F4 und das Board ist ein STM32 Discovery. Viele Danke im Vorraus!
Der STM32 wir maximal nur mit 3.3 V betrieben. Damit schaltet ein BS170 nut bedingt durch: VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 1mA All 0.8 2.1 3 V Falls das nur eine Leitung mit relativ hochohmigen Pullup ist, könnte es trotzdem reichen. Schau Dir mal
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Transistor auswählen....
ist mir schon klar, wie die Schaltungen ausgelegt werden. Neulich zum Bsp. habe ich etwas mit einem BS170 gelöst. Problem war einfach, ich brauchte quasi den BS170 in SMD SOT-23Geh. Meine Bücher sind offensichtlich zu alt, um da in angemessener Zeit was zu finden. Gibst da irgendwelche schlauen Webseiten
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Alter Hut mit der Spannungsregelung
Warum nicht die IR LEDs hintereinanderschalten plus Vorwiderstand, und zB mit einem BS170 aus der ungeregelten Spannung antreiben?
#2509585: > Warum nicht die IR LEDs hintereinanderschalten plus Vorwiderstand, und > zB mit einem BS170 aus der ungeregelten Spannung antreiben? Mmmmmhhh, das wäre auch eine tolle Möglichkeit. Bisher war ich mir nicht klar ob ich die IR-LEDs noch über das Pulsen hinaus über den uC ansteuern will/
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[Projekt] MEGA Lamp
p154/Zubehoer/Strom_und_Spannung/Universal-Schaltnetzgeraet_800mA_12V.html verwenden Kann ich die BS170 problemlos so(wie in der PDF) per PWM ansteuern? Und reichen die auch noch wenn ich die Module verdoppel? Jeweils ohne extra Kühlung... Oder solllte man lieber andere FETs nehmen Quellcodes
@Jan-h. B. (docean) >Kann ich die BS170 problemlos so(wie in der PDF) per PWM ansteuern? >Und reichen die auch noch wenn ich die Module verdoppel? >Jeweils ohne extra Kühlung... Eher nicht. Nimm andere FETs, siehe [[Mosfet-Übersicht
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Verlust beim Schalten von Lasten mit Transitor?
LL-FETs bei Reichelt: N-FET: BS107 BS108 (eventuell BS170) P-FET: eventuell BS250 sind aber alles kleinleistungs FET. Ich selbst benutze lieber N-FET: 2N7002, wenn mehr Saft gefragt ist in kleinen Gehäusen: IRF 7389,
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Peak Detection eines Audiosignals
Nachteil, daß der Speichercap beim "Umschalten" der Bandfrequenz eventuell zu lang aufgeladen bleibt. Der BS170 gestattet deshalb das rasche Entladen. Wegen der unvermeidlichen Leckströme an den Eingängen von µC-Ports kann auf einen zusätzlichen Buffer wohl nicht verzichtet werden. Ebenso wenig kann der BS170 durch einen freien Ausgangsport ersezt werden.
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Festplatte abschalten
Rich schrieb im Beitrag #6448405: > Cause i smell bs. -> Physischer Schaden an der SSD durch abschalten? Die Hardware geht eher nicht kaputt aber du kannst dir die Dateien und das Filesystem zerschießen. Mach dich vielleicht erst mal schlau wie eine
erwischt, dann kann's sein, dass die SSD überhaupt nicht mehr funktioniert. Die erkennt beim Start dann BS und macht gleich wieder Schluss.
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Lauflichtschlatung als Basis für Multiplexer mit MOSFETs
immer deswegen habe ich die genommen. Anstatt den LEDs habe ich die Signale an MOSFETs (2N7000 und BS170 probiert) angeschlossen, um 9 Tempertursignale des MCP9700 zu "multiplexen". Das 1 Sigal habe ich auf Masse gezogen damit ich weiß wo der Anfang meiner Signale ist. Nun, es funktioniert leider nicht
weit auseinder liegen spinnt das "multigeplexte" Signal rum. Dann leitet die Substratdiode des BS170, die hast Du sogar eingezeichnet. Warum nimmst Du keinen richtigen Multiplexer, z.B. den 4051.
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Gate Spannung begrenzen, aber wie?
Anregungen wie ich das Problem lösen könnte? Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Stromsenke ginge am einfachsten mit einem NPN-Transistor und einem passenden Emitterwiderstand
Possetitjel schrieb im Beitrag #5357933: > Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den > BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende > Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Bei klar definiertem High-Pegel der Eingangsspannung und richtiger Dimensionierung kann man
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Monostabiler Elektromagnet mit nur einem uC Pin ansteuern
IO-Pins verfügt. An 18 dieser 32 Pins habe ich einen monostabilen Elektromagneten der über einen MOSFET (BS170) ein- und ausgeschaltet werden kann. Wenn ich den Pin auf HIGH ziehe so schaltet der MOSFET durch und der Elektromagnet wird von einer externen Spannungsquelle (12V) gespiesen. Die Haltekraft ergibt
wissen ob das so in etwa funktionieren würde...? Anmerkung: Q1 und Q3 wären z.B normale N-MOSFET (BS170). Q2,Q4,Q5 und Q6 sollen die gleiche Funktion wie ein N-MOSFET haben, nur lassen sich an diesen Positionen wohl keine MOSFET verwenden, da Source nicht auf Masse ist... IC1 ist ein logischer Inverter
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Nachtleuchte mit Solarlampe realisieren
| 100k 100R | | +----------------|I BS170 | |S +----|<|----------+-- GND Photodiode [/pre] Die Umgebungshelligkeit, ab der die LED (sanft) abgeschaltet werden, hängt von den Kenndaten der Photodiode ab, bei 100k bei ca. 100uA Durchlassstrom. Geschaltet wird mit einem N-Kanal MOSFET, hier BS170, es gehen aber fast alle normalen. Die 100R bestimmen die Helligkeit der LEDs im Dunklen, hier 20mA.
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Spannungsinverter
Wenn du es in Form einzelner bebeinter Transistoren aufbauen willst: BS170 (N-Kanal) und BS250 (P-Kanal) beispielsweise. Obacht: gibt bischen ordentlich Querstrom während des Pegelwechsels. Wenn der zu lange dauert oder deren Input floatet, dann sind sie hinüber. Weshalb
Leerlauf doch nur ein paar mA. Für Bastelzwecke ist das absolut ausreichend. Bei 100mA fällt über dem BS250 deutlich mehr ab als über einem PNP.
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Betragsbildung von DC
Polarität umgeschaltet wird, wird auch das Monitor Signal negativ. Werd das mit dem "Umschalter", einen BS170 mal testen. Danke auf jeden Fall für eure Hilfe!! FreeMan
Man O Man! Hab mit dem BS170 die Schaltung aufgebaut. Und was sehe ich da... bei -10V Eingang kommt max. +9,5V am Ende raus. Schlußendlich bin ich mit dem Oszi draufgekommen, dass es Störungen sind und ich mit dem Fluke den
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Arduino - Lüfter mit PN2222 oder Tip120
Manfred schrieb im Beitrag #6237482: > 500mA mit einem TO-92 ist schon mutig. mit einem BS170 wäre das vielleicht möglich und man nicht den Schlechtesten erwischt und wenn der Arduino mit 5V läuft (es gibt ja auch welche mit 3,3V) https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BS170-D.PDF
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Selbstleitender FET mit positiver Sperrspannung?
kurzzeitig trennen >koennen. Nimm ein paar CMOS-Gatter, die brauchen ein paar nA. Dahinter ein BS170 oder was auch immer, fertig. MFG Falk
Daher ein niederohmiger FET. Aus diesem Grund muss ich davon ausgehen, dass ich, bevor ich den z.B. BS170 ueber ein Gatter schliessen kann (Gate auf high mit mind. Schwellwertspannung), eine minimale Spannung und Ladungsmenge bereits fuer die Gatter und den FET aufbringen kann. Diese Grundladung muss
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40MHz Class-E Schalttransistor
Class-E Endstufe mit ca. 1W @ 12V für 40MHz. Bis zu 27MHz findet man oft den Vorschlag, 1-3 MMBF170 (BS170) parallel zu verwenden. Für noch niedrigere Frequenzen kommt dann der IRF510 auch noch ins Spiel. Ich habe testweise mal etwas mit dem 2N7000 aufgebaut, der ist ja nicht so weit vom MMBF170
auch einigermaßen im fliegenden Aufbau. Für weitere Tests wollte ich eine Platine mit bis zu 4 MMBF170 parallel machen, um möglichst viel Schmutzeffekte auszuschalten. Ich frage mich natürlich immer noch, ob es nicht bessere Schalttransistoren gibt. Was ist mit dem RD06HVF1 (im TO220)? Dazu habe
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Einbau-Vorverstärker für E-Gitarre, Ub = 3V
Ob man statt dem 2N7000 auch einen BS170 nehmen kann (den hätte ich nämlich in der Bastelkiste)? Sind ja beides N-ch enhancement-Typen mit sehr ähnlichen Werten, so weit ich das sehe. 2N7000: https://www.mouser.de/datasheet/2/308/1/NDS7002A_D-2317584.pdf BS170: https://www.mouser.de/datasheet/2/308/1/MMBF170_D-2315979.pdf