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Festplatte abschalten
Rich schrieb im Beitrag #6448405: > Cause i smell bs. -> Physischer Schaden an der SSD durch abschalten? Die Hardware geht eher nicht kaputt aber du kannst dir die Dateien und das Filesystem zerschießen. Mach dich vielleicht erst mal schlau wie eine
erwischt, dann kann's sein, dass die SSD überhaupt nicht mehr funktioniert. Die erkennt beim Start dann BS und macht gleich wieder Schluss.
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Lauflichtschlatung als Basis für Multiplexer mit MOSFETs
immer deswegen habe ich die genommen. Anstatt den LEDs habe ich die Signale an MOSFETs (2N7000 und BS170 probiert) angeschlossen, um 9 Tempertursignale des MCP9700 zu "multiplexen". Das 1 Sigal habe ich auf Masse gezogen damit ich weiß wo der Anfang meiner Signale ist. Nun, es funktioniert leider nicht
weit auseinder liegen spinnt das "multigeplexte" Signal rum. Dann leitet die Substratdiode des BS170, die hast Du sogar eingezeichnet. Warum nimmst Du keinen richtigen Multiplexer, z.B. den 4051.
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Gate Spannung begrenzen, aber wie?
Anregungen wie ich das Problem lösen könnte? Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Stromsenke ginge am einfachsten mit einem NPN-Transistor und einem passenden Emitterwiderstand
Possetitjel schrieb im Beitrag #5357933: > Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den > BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende > Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Bei klar definiertem High-Pegel der Eingangsspannung und richtiger Dimensionierung kann man
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Monostabiler Elektromagnet mit nur einem uC Pin ansteuern
IO-Pins verfügt. An 18 dieser 32 Pins habe ich einen monostabilen Elektromagneten der über einen MOSFET (BS170) ein- und ausgeschaltet werden kann. Wenn ich den Pin auf HIGH ziehe so schaltet der MOSFET durch und der Elektromagnet wird von einer externen Spannungsquelle (12V) gespiesen. Die Haltekraft ergibt
wissen ob das so in etwa funktionieren würde...? Anmerkung: Q1 und Q3 wären z.B normale N-MOSFET (BS170). Q2,Q4,Q5 und Q6 sollen die gleiche Funktion wie ein N-MOSFET haben, nur lassen sich an diesen Positionen wohl keine MOSFET verwenden, da Source nicht auf Masse ist... IC1 ist ein logischer Inverter
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Nachtleuchte mit Solarlampe realisieren
| 100k 100R | | +----------------|I BS170 | |S +----|<|----------+-- GND Photodiode [/pre] Die Umgebungshelligkeit, ab der die LED (sanft) abgeschaltet werden, hängt von den Kenndaten der Photodiode ab, bei 100k bei ca. 100uA Durchlassstrom. Geschaltet wird mit einem N-Kanal MOSFET, hier BS170, es gehen aber fast alle normalen. Die 100R bestimmen die Helligkeit der LEDs im Dunklen, hier 20mA.
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Bild
Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFETs
R1 1.6kohm Q1 BS170 R2 62kohm Q2 BS170 R3 5100kohm Q3 BS170 V1 3V BPW21 AD8571 1 2 3 4 5
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Spannungsinverter
Wenn du es in Form einzelner bebeinter Transistoren aufbauen willst: BS170 (N-Kanal) und BS250 (P-Kanal) beispielsweise. Obacht: gibt bischen ordentlich Querstrom während des Pegelwechsels. Wenn der zu lange dauert oder deren Input floatet, dann sind sie hinüber. Weshalb
Leerlauf doch nur ein paar mA. Für Bastelzwecke ist das absolut ausreichend. Bei 100mA fällt über dem BS250 deutlich mehr ab als über einem PNP.
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Betragsbildung von DC
Polarität umgeschaltet wird, wird auch das Monitor Signal negativ. Werd das mit dem "Umschalter", einen BS170 mal testen. Danke auf jeden Fall für eure Hilfe!! FreeMan
Man O Man! Hab mit dem BS170 die Schaltung aufgebaut. Und was sehe ich da... bei -10V Eingang kommt max. +9,5V am Ende raus. Schlußendlich bin ich mit dem Oszi draufgekommen, dass es Störungen sind und ich mit dem Fluke den
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Arduino - Lüfter mit PN2222 oder Tip120
Manfred schrieb im Beitrag #6237482: > 500mA mit einem TO-92 ist schon mutig. mit einem BS170 wäre das vielleicht möglich und man nicht den Schlechtesten erwischt und wenn der Arduino mit 5V läuft (es gibt ja auch welche mit 3,3V) https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BS170-D.PDF
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Selbstleitender FET mit positiver Sperrspannung?
kurzzeitig trennen >koennen. Nimm ein paar CMOS-Gatter, die brauchen ein paar nA. Dahinter ein BS170 oder was auch immer, fertig. MFG Falk
Daher ein niederohmiger FET. Aus diesem Grund muss ich davon ausgehen, dass ich, bevor ich den z.B. BS170 ueber ein Gatter schliessen kann (Gate auf high mit mind. Schwellwertspannung), eine minimale Spannung und Ladungsmenge bereits fuer die Gatter und den FET aufbringen kann. Diese Grundladung muss
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40MHz Class-E Schalttransistor
Class-E Endstufe mit ca. 1W @ 12V für 40MHz. Bis zu 27MHz findet man oft den Vorschlag, 1-3 MMBF170 (BS170) parallel zu verwenden. Für noch niedrigere Frequenzen kommt dann der IRF510 auch noch ins Spiel. Ich habe testweise mal etwas mit dem 2N7000 aufgebaut, der ist ja nicht so weit vom MMBF170
auch einigermaßen im fliegenden Aufbau. Für weitere Tests wollte ich eine Platine mit bis zu 4 MMBF170 parallel machen, um möglichst viel Schmutzeffekte auszuschalten. Ich frage mich natürlich immer noch, ob es nicht bessere Schalttransistoren gibt. Was ist mit dem RD06HVF1 (im TO220)? Dazu habe
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Einbau-Vorverstärker für E-Gitarre, Ub = 3V
Ob man statt dem 2N7000 auch einen BS170 nehmen kann (den hätte ich nämlich in der Bastelkiste)? Sind ja beides N-ch enhancement-Typen mit sehr ähnlichen Werten, so weit ich das sehe. 2N7000: https://www.mouser.de/datasheet/2/308/1/NDS7002A_D-2317584.pdf BS170: https://www.mouser.de/datasheet/2/308/1/MMBF170_D-2315979.pdf
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Wald-und-Wiesen-FET in TO92
oder noch besser sogar ein Pärchen), den man in seine Grabbelkiste neben BC547 und BC557 legt. Die BS170/250 kenne ich, die sind aber ziemlich alt. Zugegeben, TO92 ist auch nicht mehr ganz aktuell, aber macht sich eben gut zum Prototypen und basteln. Entsprechend wenig anspruchsvoll wären die Anforderungen
Sven P. schrieb im Beitrag #2478505: > Die BS170/250 kenne ich, die sind aber ziemlich alt. Das macht nichts, die verderben nicht. Und sie sind gut zu beschaffen. Für SMD nehme ich BSS138, BSS84. Peter
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Suche PMOS im TO-92
Zu THT-Zeiten die Klassiker: BS250 (PFET) und BS170 (NFET). Gibt es z.B. bei Reichelt. Jetzt sind die Klassiker die BSS74 und BSS138. BS kann ich mir leichter merken, als 2N Werner schrieb im Beitrag #6916177: > RDS < 200
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Logic-Level-FET
bei mir hat sich bewährt: N-Fet: 2N7002 60V 300mA 2V Threshold, 6 cent bei Reichelt ebenso BS107, BS108, BS170, BTS141 P-Fet: BSS84 50V 130mA 10 cent bei Reichelt, BS250 45V 250mA
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MOSFET // Selbsthaltung Gesperrt
seine Kapazität wesentlich größer als die des IRF1010 sein. Also setzt an Stelle des IRF1010 einen BS170 o.ä. ein.
ArnoR schrieb im Beitrag #3551495: > Also setzt an Stelle des IRF1010 einen BS170 o.ä. Leider muss ich beim Prototyp mit dem zurecht kommen, was in meinen Schubladen lagert. Ausser dem IRF1010, BF247C und handelsübliche Transistoren habe ich aktuell nichts zur Verfügung.
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FET mit AVR schalten - Wie schnell?
@Andre schau dir mal den BS170 an. Der hat sehr niedrige Kapazitäten. Ich habe 2 von denen an einem Tiny15 mit 500kHz parallel und direkt am Pin. Die Schaltung läuft gut zwischen 3,3V und 5,2V. Und für deine Stöme taugt er alle
@Robert Danke für den Tipp, aber die Bauteile hab ich schon alle hier... Die Kapazitäten des BS170 sind aber wirklich sehr gut (max 40pf). Bei meinen geht es vergleichsweise bis 700pF :-( @pet Die Frequenz ist das Problem - ich weiß es nicht :-) Das wird ne 11x11 LED-Matrix (Zeilenweise Ansteuerung
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AT89C4051-Schalten eines Relais mit 24V/200mA
schalten kann? Einfach einen Inverter dazwischen schalten. Entweder 74HC04 oder dikret per Transistor. BS170 z.B. http://www.mikrocontroller.net/articles/Bild:Relais_mosfet.png Im Prinzip wie im Bild, nur einfach R2 weglassen und Q3 durch einen BS170 ersetzen. MfG Falk
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Warum aktive Region zum Verstärken?
Spannungsverstärker. Obendrein ist die Linearität schlecht und sehr exemplarabhängig. Zeichne einfach mal beim BS170 in der "On Region": https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/BS170_ON.pdf (Seite 3) die Arbeitsgerade ein und schau was da rauskommt .. Gruß, Christian
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Win7 seit heut morgen plötzlich superlangsam
wesentliches IO oder CPU), weil das vorrangig innerhalb der Platte > abläuft. Wenn ein Programm (BS gehört auch dazu) auf Daten wartet oder loswerden will, glaube ich nicht an quälende Langeweile der CPU.
schießt von 40% auf 100% und innerhalb von 3 Minuten geht die Anzahl der defekten Sektoren von 0 auf 170 hoch. Ich weiß es nicht anders zu erklären als von mir geschrieben. (Ich bin kein Programmierer und kenne mich in diesen Tiefen zu wenig aus.) Außer dem BS und everest läuft keine andere Software
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Pulsweitenmodulation!
definitv nicht! Aber du könntest den Transistor durch einen kleinen pMOSFET ersetzten, z.B. durch einen BS170. Der kann +/- 20V am Gate und wäre ohne andere Dimensionierung austauschbar.
nicht! > Aber du könntest den Transistor durch einen kleinen pMOSFET ersetzten, > z.B. durch einen BS170. Der kann +/- 20V am Gate und wäre ohne andere > Dimensionierung austauschbar. Das ist bisher die Lösung die mir am besten gefällt! Den könnte ich vor allem einfach mit dem Transitor austauschen
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Pegelwandler 5V <-> 1.8V, passender MOSFET?
brauche einen bidirektionalen Pegelwandler zwischen 5V und 1.8V. Ich hab bereits erfolgreich mit einen BS170 die folgende Schaltung mit 5V <-> 3.3V im Betrieb: https://i.stack.imgur.com/qDDi9.png Der BS170 funktioniert allerdings nicht mit 1.8V. Ich weiß, dass es mit dem BSS138 funktioniert, aber ich
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IR-LEDs an Transistor, Uce = (RPi-Nistkasten-Webcam)
Hast du dir auch schonmal einen MosFET angeschaut, Namensfetter :) Z.B der alte BS170
ich mir vorhin mal angeschaut, bin aber noch nicht überzeugt. Wenn ich das richtig verstehe, sind am BS170 nochmal U_DS = 5 Ω zu überwinden, die fehlen mir dann wieder am Widerstand. Ich denke, ich starte mal mit den Bipolartransistor.
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Solarpulsschaltung/ FLED solar engine
ein, die der Kondensator nicht unterschreitet. Mein aktuell bestes Ergebnis ist mit dem N-Mos (bs170): [c] .---------o------------o------. | | | | | | | .-. | | LED V | | |
| | --- ### 1mF | ||-+ photo - --- .-||-o---o|<- bs170 | - | | -||-+ ~7V | | | 22nF | '-----------------o-----------' [/c] Wenn die Sonne scheint, dann stellt sich je nach LED eine
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Dimensionierung Source-Schaltung
sollte nur ein Beispiel sein. Eigentlich will ich die Schaltung mit einer Verstärkung von 10 für den bs170 auslegen. Das klappt aber auch mit euren Tipps nicht. Zu meiner Vorgehensweise. 1) Betriebsspannung Uds von 10 Volt auswählen 2) Eingangswiderstände R1 und R2 ziemlich groß wählen, damit kein
ich eher als Schalter eingesetzt. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44685/SIEMENS/BS170.html http://www.darc.de/distrikte/g/38/selbstbau-und-technik/jfet-arbeitspunkteinstellung/ ----------------------------------------------------------------------- Hat man den Arbeitspunkt eines
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Mosfets als Klein-(wechsel)-spannung-Schalter
Simulationsmäßig ebenfalls funktioniert - aber auf dem Bredboard nicht. Ich hab mehreremale die Belegungen der BS170 gecheckt - (und sogar mal spasseshalber beide an gleicher Position um 180° gedreht..). Immer der gleiche Effekt. Die Endstufe schaltet durch. Selbst dann wenn die Gates offen, oder über 10k an GND oder 10k an VCC gelegt wurden (GND,VCC aus der obigen Schaltung). Die BS170 sind alle okay . Denn ich habe eine "Gleichspannung-Schaltstufe" zur Ansteuerung einer LED in die obige Schaltung eingebaut. Dort funzen sie. (Gleichspannung hab ich wohl im Griff ...)
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El-Kabel mit PIR Sensor steuern?
wird der Stromkreis geschlossen. Was ich nicht verstehe: Warum wird bei dieser Schaltung der Mosfet BS 170 verwendet wird da dieser doch erst bei 2-3 Volt anfängt durchzuschalten und somit nur ein geringer Strom fließen kann. Nun zu meiner gedachten Schaltung. Ich möchte mit dem High-Signal (3V) den
der Stromkreis geschlossen. > Was ich nicht verstehe: Warum wird bei dieser Schaltung der Mosfet BS > 170 verwendet wird da dieser doch erst bei 2-3 Volt anfängt > durchzuschalten und somit nur ein geringer Strom fließen kann. Für 20mA reichts... (scheint zuminderst so bei 3 LEDs, 3V Vf angenommen
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Welcher FET steuert bei 3,3 V voll durch?
Durchschaltspannung. Ist das der Parameter V_GS(th)? Dort finde ich meistens nämlich die Angabe max. 3V (z. B. beim BS170) oder gar 1,2 V (IRLML2502). Könnt Ihr mir einen geeigneten FET für mein Vorhaben nennen? Am liebsten erstmal nicht in SMD-Bauweise. Würde der BS170 passen? Oder ist die Idee, FETs dafür einzusetzen
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Transistor-Relais Schaltung Bauteilbestückung
Basisstrom. Wenn du den B337-40 nimmst (-40 steht für die Stromverstärkungsklasse), dann hat der minimal 170 Verstärkung, das sind dann als Mindestbasisstrom 240mA/170 ≈ 1.5mA. Dann sieht die Rechnung so aus: (3V-0,7V)/0,0015 = 1.5kΩ. Mit 1k - 1.5k liegt man auf der sicheren Seite. Beim -16 oder -25 muss
jemand mit der hFE des linearen Betriebs gerechnet. Wenn im DB bei 1V UCE und 300mA Ic ein hFE von 170 steht, dann bin ich durchaus auf der sicheren Seite, wenn ich mit 100-150 rechne. Bei dem Datenblattwert von min. 170 kommen man zu den 1.5k. Es ist ja nicht zwingend, dass die CE-Restspannung so nahe
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Fet oder Mosfet oder egal?
sie ein bischen dunkler), ich glaube, meine 3 waren alle ungeeignet, oder?: HUF76419D3 IRFZ34 BS250
> ich glaube, meine 3 waren alle ungeeignet, oder?: > BS250 BS250 ist ein P-Kanal MOSFET und passt mit Kainka's Schaltung ueberhaupt nicht zusammen. Du brauchst einen N-Kanal -Typ (BS170, 2N7000,..), aber das kriegst du auch ueber Google 'raus..
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Langzeittimer-Logik invertieren - möglich?
umpolen müßte. Einfacher wäre wohl, einen einzelnen Transistor (z.B. BC547) oder MOSFET (z.B. BS170) zur Invertierung zwischen Pin 14 des IC und R14 einzuschleifen. Dazu müßte man nur ein Bein von R14 auslöten und die neuen Bauteile fliegend dazwischen verdrahten. Besonders einfach wird das mit
Hallo Axel, danke für deine rasche Antwort auf mein Problem. Mit dem MOSFET BS170 werde ich das so verändern; das sollte gehen. Minus der 12V werde ich vom Pin 7/8 mit einer kleinen THT-Drahtbrücke zum MOSFET führen. Die zwei kleinen Platinenlöcher sind schnell gebohrt. Vielleicht
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Laserdiode schnell 50mA klauen
BF256 verwendet, welcher aber viel zu wenig Strom durchläßt. Die beiden Arbeitspunkte sind ca. 170mA 1,93V und 120mA 1,89V, die "Schaltzeit" sollte unter 1µs sein und das Steuersignal aus dem RedPitaya ist max. +/-1V, könnte aber auch noch auf bis zu +/-10V verstärkt werden. Bei der Suche nach
Einfach ein Mosfet, z.B. BS170 und einen 33Ohm Widerstand parallel schalten. Dann wird mit dem Ri vom Mosfet und ca. 1.9V ein Strom von 50mA parallel geschaltet.
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Eingangsimpedanz BC847BPN
Nimm lieber einen BS170 o.ä., dann sparts du auch noch mehr Strom.
Schaltplanausschnitt auf. Ansonsten Zustimmung zur Empfehlung, einen FET einzusetzen, wenngleich der BS170 von der Schwellspannung her beim Betrieb mit 3 V schon knapp sein kann (vor allem, wenn die 3 V nur die Nennspannung sind, die im Betrieb noch unterschritten werden kann).
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PIR-Bewegungssensor
Betriebsspannung, 3,3V oder 5V? https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht z.B. BS107, BS108, 2N7000, BS170 alle mit Bastlerfreundlichen TO-92 Gehäuse
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Umbau eines Bewegungsmelders für 24VDC
laut Datenblatt bis zu 15VDC vertragen, also kein Problem. Der Ausgang des BWM schaltet über den BS170 einen P-Kannal Mosfet (High Side Switch). Die Diode D1 ist dabei um mehrere BWM Ausgänge parallel schalten zu können und damit es nicht zu Ausgleichsströmen kommen kann. Ich habe einen Mosfet gewählt
um kein klackern beim Schalten des BWM zu haben. Mann könnte hier aber auch ohne Probleme mit dem BS170 ein Relais ansteuern. Der Mosfet dient aber auch gleichzeitg als Ersatz für den Triac der vorher auf dem Netzteil drinnen war. Durch die Montage des TO-220 Gehäuse ma Rahmen wird die Platine im Gehäuse
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PWM-Leistungsregelung NICHT LINEAR!
=== ___ pwm-signal --- Diode SB560 ___ 120µF| von BS170 | |240µF | | | | | | O----------------
=== --- pwm-signal --- Diode SB560 --- 120µF| von BS170 | |240µF | | | | | | O----------------
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Umschalter für Phono-pre: Ralais oder Halbleiter?
Ich habe da Bedenken wegen der Ausgangskapazität der BS170 (und ähnlichen): Lt. Datenblatt (Vishay 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170) ist die Coss bei 0 V Uds ca. 50 pF, bei mehreren parallel schaltbaren Kapazitäten wird es viel zu viel. Mit einer Art Kaskade
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MOSFET-Schaltung von 3V auf 5V anpassen
Sourcefolger nicht besonders genau sein, die Abweichung also selbst bei 5V (liefert 1.7V mehr) mit BS107 (frisst auch 1.7V mehr) genau aufgehoben werden. > BS107 Wir wissen nicht, wozu die Schaltung dient, man kann nicht sagen, ob dieser 5 Generationen ältere MOSFET der dramatisch schlechtere Werte
Aja, ich hätte noch einen BS170 hier. Wäre der besser geeignet?
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Welcher Schalter passt hierher, BF 245 ?
Ein BS170 o. ä. aus der Grabbelkiste mit eine 47 K Gatewiderstand sollte es machen.
Seht es mir bitte nach. &Peter :"Der MC wird direkt vom Schalter gesteuert..." &Heinz :"Ein BS170 o. ä. aus der Grabbelkiste mit eine 47 K Gatewiderstand..." Nun ist es aber so, das der MC Tod ist, wenn sich das Gerät (Kamera) im Ruhezustand befindet. Meine Darstellung oben ist da einfach
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Nostalgie: Transistoren und Dioden
an > selben Tag zum Elektronik-Bassenberg geschleppt Bassenberg in der Nußbergstr/Rosenstr in BS oder der in Rendsburg?
Mit dem OC170/1 verbinden mich auch noch Erinnerungen. Als 15 jähriger baute ich damals meine ersten UKW Sender mit einem OC171 in Basis Schaltung. Die Freude war dann groß wenn man den Sender mit einem alten Horniphontonband
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16 x BPW34 mit Transistor schalten so möglich
den Dioden. Und wenn Transistor, dann ein Typ der das Ergebnis nicht verfälscht, also z.B. MOSFET BS170. Beim bipolaren BC337 stört die CE-Spannung. Die 3 Ohm vom BS170 hingegen spielen keine Rolle.
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Experimente mit Feldeffekt-Transistoren. (Typen gesucht)
denke hier > besonders gerne an „Schüler freundliche“ Typen. Z.B. https://www.pollin.de/p/mosfet-bs170-130268 Mit moderneren MOSFETs wirst du vermutlich nicht viel Freude haben, weil die meisten als Schalter optimiert sind und deshalb extrem niedrige R_on-Widerstände und enorme Steilheiten haben.
>> besonders gerne an „Schüler freundliche“ Typen. > > Z.B. > https://www.pollin.de/p/mosfet-bs170-130268 > Mit moderneren MOSFETs wirst du vermutlich nicht viel Freude haben, weil > die meisten als Schalter optimiert sind und deshalb extrem niedrige > R_on-Widerstände und enorme Steilheiten
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DCF77 Problem mit Ausgangspegel
der Ports, mit ihren impliziten Pullups. Gegen die kann das Modul nicht anstinken. Ein einfacher BS170 als Treiber in Sourceschaltung hätte aber gereicht. BC547 mit 1MOhm Basiswiderstand auch, wenn nur der Port dranhängt, keine LED oder so. Kein Pullup, den hat der Controller selbst. So wird zwar invertiert
Zirkus weil ohne jeden Pullup. Wenn es mit Strom egal wie wenig nicht gehen sollte, dann ist eben der BS170 gefragt, der zieht als MOSFET auch keinen.
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I2C Stromlosschalten?
symmetrisch sein (keine Diode) und eine geringe Schwellspannung haben. Vielleicht tut es schon ein BS170 oder ein BF862. Bei TI gibt es in der CBT-Reihe ganze Arrays solcher Transistoren als Level Translator. Der SN74CBTLV1G125 ist so ein IC für nur eine Leitung. Bei dem muss VCC geschaltet sein und
symmetrisch sein > (keine Diode) und eine geringe Schwellspannung haben. Vielleicht tut es > schon ein BS170 oder ein BF862. Das mit den I2C Leitung macht Sinn. Ich schließe dann wohl über einen Widerstand an der Basis 2 Transistoren in die I2C Leitungen. Dann kann ich die schon mal sauber trennen. Bleiben
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Treiber für Mosfet IRFB7440
aber bei 25V Drain-Source-Spannung und 1MHz Messfrequenz. Zum Vergleich: Bei einem kleinen MOSFET BS170 sind es gemessen gerade mal 55pF zwischen Gate und kurzgeschlossenen Source/Drain (kaum ein Unterschied zwischen 100Hz bis 10kHz). Laut BS170-Datenblatt sind es maximal 40pF Gate-Eingangskapazität
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Nulldurchgangsschalter als "Euro-Zwischenstecker"?
Falls das nicht offensichtlich ist: Der 100k Widerstand und der 10µF Kondensator zum Gate des N-FET BS170 dienen dazu, dass der Photo-TRIAC erst ca. 0.5 Sekunden nach dem Einstecken einschaltet - damit soll die "Kontaktaufnahme" beim Einstecken entprellt werden. Die Diode parallel zum 100k Widerstand
den Simulator diesbezüglich Verwirrung stiftet. > Ob ein OptoTriac es toll findet, wenn durch den BS170 mit RC-Glied der > LED-Strom langsam ansteigt? Ich bin mir nicht sicher, normale Triacs > begehen öfter Selbstmord, wenn der Gatestrom zu gering ist. Aber der Photo-TRIAC schaltet doch keine
