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Lade IC
Das kann ein normaler ATMEGA auch, ADC hatter, PWM hatter, Timer hatter - was willst´n noch?!
gelesen zu haben. und für die geringe Energie bei Ladegeräten reichen eigentlich ein gängigen FETs(IRF540, BUZ11....) aus, also die schaffen bei 5V VGS und niedriger Frequenz locker einige Ampere, notfall versorgt man das Gate über einen Widerstand mit der Spannung die vor dem Spannungsregler anliegt
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DC/DC Converter Flyback; Schalttransistor wird heiß
mir mal ein eigenes „Eval Board“ gebastelt, siehe DCDC24V im Anhang. Der Schalttransistor ist ein IRFS3107 (Anhang). So grundsätzlich funktioniert die Schaltung im Leerlauf und erzeugt sekundärseitig auch ca. 22V (abgesehen von der ungenauen Regelung). Nominell sollten bei 24V bis zu ca. 2A ausgeben
Hallo Forum, ich habe nun einen IRF540N in Verwendung, da sieht die Welt gleich ganz anders aus :-) Ich habe nun das Zener/Diodennetzwerk wieder entfernt (nur die RC Kombination welche noch nicht angepasst ist dient noch als Snubber
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Entladekurve für Micro AAA Batterie
. man könnte den Widerstand sogar noch etwas höher auslegen. In einem ähnlichen Aufbau habe ich IRF540 eingesetzt, der uralte Kamerad lässt sich zwischen etwa 3 und 5 Volt UGS ziemlich zahm fahren. Axel S. schrieb im Beitrag #5660915: > Wenn mich die Kapazität der Zelle > bei konstantem Strom
kleinen Spannung einen bipolaren NPN, aus meiner Sicht eher nicht. Also brauche ich einen zahmen N-FET, die IRF540 lassen sich in dem Bereich sauber regeln, mit einer UGS von etwa 3,5 bis knapp 5 Volt. Etwas kitzelig wird es, den Kameraden bei Erwärmung stabil zu halten. Da ich mir keinen ordentlichen
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Lichtsteuerung für Faschingswagen
Arduino. Ein paar dieser Module: https://de.aliexpress.com/item/Four-Channel-4-Route-MOSFET-Button-IRF540-V4-0-MOSFET-Switch-Module-For-Arduino/32326885309.html?spm=a2g0x.search0104.3.3.126d750c3SwR4J&ws_ab_test=searchweb0_0,searchweb201602_4_10065_10130_10068_10547_319_317_10548_10696_10190_453_10084
Eventuell geht auch sowas: https://www.amazon.de/dp/B00Q1N1NVK/ref=sspa_dk_detail_1?psc=1&pd_rd_i=B00Q1N1NVK&pd_rd_w=bQikP&pf_rd_p=00903874-3af0-47e0-8622-ee58087f71cf&pd_rd_wg=IocJT&pf_rd_r=0HY2BMGMEP2FTBBNMPGP&pd_rd_r=06e6e1fc-2b90-11e9-a1a1-4f2cd90424c2
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5V mosfet mit 3,3V gpio pin steuern
Beitrag #5124589: > Mal nebenbei gefragt: Habt ihr auch euren Feld-Wald und Wiesen > Fet? Ja. IRF3708 IRLIZ44N IRLZ34N Für kleine Lasten... BS108, Auslauftyp BS107 2N7000 Nicht ganz aktuell, aber immer noch hilfreich... https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht
hier alles nicht. So ein rumgezicke! > Seht euch an, wie das früher hier gesittet zuging > Beitrag "irf540ns - pull-down notwendig?" > Ich hab da einfach wahllos was rausgegriffen. Suche:"MOSFET", Seite 280 > aus dem Jahr 2005. > Ich mein ja nur > > StromTuner > edit: > Bezog sich auf die oberen
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Transistor wird sehr heiß
E Oder man wechselt den BD441 gegen einen Darlingtontransistor wie BD675 oder einen LogicLevel N-Kanal MOSFET wie IRLZ44.
www.it-wns.de/themes/kategorie/detail.php?artikelid=569&kategorieid=94&source=2 http://www.ebay.de/itm/IRL540N-PBF-N-Channel-Hexfet-Power-MOSFET-/200590040388?pt=UK_BOI_Electrical_Components_Supplies_ET&hash=item2eb4191d44 http://www.ebay.de/itm/IRF7313-Transistor-2x-N-MOSFET-30V-6-5A-2W-0-029R-SO8-/310256501507
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Treiber FET Schaltnetzteil
geregelt werden, der Code dazu wird schon. Die Wahl des FETs fiel auf einen NMOS, genauer gesagt den IRF540N, der für meine Zwecke ausreichend scheint. Nun brauche ich ja zum vollständigen durchschalten eine positive GS-Spannung, die ich aber nur durch einen High side driver realisieren kann, richtig?
betreiben möchte) oder eine kleine Heizung in Kauf nehmen. Die zweite Alternative wäre für mich n einfacher Transistor der den Kondensator über einen genügend kleinen Widerstand entladen würde. Das würde die Regelung komplizierter machen, immerhin muss ich definieren wann ich denn den Kondensator
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überdimensionierter Mosfet
noch natürlich noch die Verlustleistung durch die Schaltvorgänge. Jetzt wurde ein Mosfet gewählt (IRF540NS) welcher ein RthJA von 40K/W (PCB mount) hat. Die Umgebungstemperatur nehme ich zu 40°C an, die maximale Junction-Temperatur beträgt 175°C. Daraus folgt für mich eine maximale Verlustleistung von
Mein FET (FDC6305N) kann bei 60°C Umgebungstemperatur 0,7W.
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Schaltungen von früher - ungewöhnlich da PNP
lohnt es > sich, das Rad neu zu erfinden. Genau, Internetsuche nach Arduino und man findet z.B. IRF540 mit Schraubklemmen "for Arduino", was elektrisch nicht passt. Dann kommt man im µC-net an "Hilfe, mein Transistor wird heiß und der Motor läuft nicht los". Schöne Welt. Franko P. schrieb im Beitrag
(Obwohl Uropi vermutl. nur wenig jünger ist als ich). Manfred schrieb im Beitrag #6696232: > IRF540 mit > Schraubklemmen "for Arduino", was elektrisch nicht passt Paßt doch, darf man nur nicht als "directly for IO Pins of Arduino, without Level Shifter and 8...12V auxiliary voltage from e.g
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Modellbau empfängersignal Problem
ausgelöst wurde wenn sich der steuerknüppel in einer extrem position befand dann war die spannung n bischen höher was wohl fürn n high signal ausgereicht hat, aber das traf auch nur sporadisch zu.... das der Empfänger zu wenig spannung abbekommen hat kann auch nich sein, konnte dabei noch n servo
weitermachen. Btw. für die Steuerung der 2 hauptmotoren wollte ich ein erzeugtes PWM signal auf einen 2n2222 legen der mir dann die logigspannung(5V) direkt auf nen IRF540N Fet schaltet (sollte dann entsprechend genug strom sein um den Fet zu schalten, Spannunsmäßig schaltet der wohl schon ob 3V) welcher
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negative GS Spannung an N Kanal Mosfet
Hallo, wird ein N-Kanal Mosefet (selbstsperrend) zerstört wenn man anstelle einer positiven GS-Spannung ausversehen eine negative GS Spannung anlegt? Grüße Jojo
Nö, nicht wenn du unterhalb der Absolute Maximum Ratings bleibst. Beim IRF540 ist Ugs z.B. +/- 20V maximal.
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Suche Germanium SOT-23 Transistor
Spannung von z.B. 0,6V ab, der > Transistor steuert durch und nimmt dem darüber liegenden > Leistungs-N-Mosfet die Gate-Spannung weg. Der Shunt-Widerstand ist R1, der Leistungs-N-Mosfet V1 und der Transistor, der dem Mosfet die Gate-Spannung wegnimmt, V2. Weil du schriebst, dass die Schaltung keinen
maximal die 12V - 0,6V = 11,4V für das Gate. Die Regelung (BC546) macht dann 3,55V am Gate des Mosfets (IRF540N). Die LEDs muss ich ausmessen, ansonsten passt das natürlich nicht. Weiße LEDs haben eine relative breite Streuung von Uf.
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Entwicklung HV-Netzteil, Strom-Messung High-Side?
bessere Symmetrierung unterschiedlicher Leckströme der Elkos. - Der Brückengleichrichter muss aus 1N4007 bestehen, nicht 1N4004 (stehen beide Werte da). - Die Diode über Drain-Source kannst Du Dir sparen, die ist bereits im MOSFET drin. - Du brauchst den ADuM5242, der kann zwei Bit von der High-Side
bestätigen. Was ich schon FETs diverser Endstufen ausgetauscht habe kann ich nicht mehr zählen. Egal ob es IRF540, IRFP140 oder japanische 2SJ Typen waren… Gruß 7up
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Frage zur Stromsenke
Erfahrungswerte? In den Schaltungen die ich gefunden habe gibt es hier werte zwischen 100pF und 22nF, es sollte ja nicht sinn der Sache sein die alle auszuprobieren...
Ja danke hab auch vorhin gemerkt das der fehlt ;) Da sollten in meiner Schaltung 10k rein. Der IRF540 hat ca 2nF Gatekapazität. Hmm die Ausregelzeit ist ne gute Frage ich denke 10ms auf Sollwert ist realistisch.
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Welche Kondensatoren für "hohe Frequenz "
LT1227 Dreieck geht an Komparator wider LT1016 und für die H-Brücke nehme ich nen HIP4081A und 4 IRF540N. Das ist mein jetziger Aufbau.
Leitungsinduktivität dämpft dieser bei mehreren MHz nicht mehr. Hab jetzt neue Spulen gewickelt. Der 470nF sind jetzt 7 parallele 68nF Kunststofffolienkondensatoren. Die 33nF sind 3 X7R SMD Kondensatoren in Reihe mit 100nF und 50V. Die 100nF in Reihe mit 22 ohm hab ich noch nicht eingebaut. Ist jetzt
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Leistung verbrutzeln: 4V, >10A
Praktikabel ist hier der Glühbirnenvorschlag und die Leistung an 2-3 2n3055 auf einem PC CPU Kühler zu verbraten.
Nee, Darlington MJ3001 oder FETs. Ich gucke gerade mal Daten an: Der Wärmeübergang beim TO-220 IRF540 ist sogar geringer als bei den genannten TO-3.
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Spannung für MOSFET-Treiber aus Motorspannung?
Ich möchte einen Servoregler bauen und benutze dafür einen MOSFET-Treiber IR2104 und die MOSFET´s IRF540N. Dieser Treiber benötigt 12V zum Ansteuern der MOSFET´s. Nun dachte ich mir die Stromversorgung zu vereinfachen und die 12V für den Treiber aus der Motorspannung zu erzeugen welche bis zu 70V betragen
Über Widerstand auf einen Elko gehen. Parallel zum Elko Z-Diode 12V umnd 220nF. Sollte genügen.
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ADC Spannung genauer messen
Referenzspannungsquelle, an diesem Punkt ARef abgreifen. Bei einem LM4040Dxx haben sich 2k2 bewährt. Die AVcc mit 10nF und 100nF und die ARef mit 1nF und 100nF jeweils so dicht wie möglich am AVR GNDA entkoppeln. Ich kenne den MCP1541 nicht, aber bezweifle, dass er einen internen Vorwiderstand hat. Die Massefläche
schon mehrfach gearbeitet habe. An sich hatte ich vor zur Beschaltung an sich von 5V auf 12V den IRF540 zu nehmen. Dieser kann direkt mittels TTL-Pegel angsteuert werden und bedarf somit keinen Vorwiderstand. >Die Benennung der Stecker deutet möglicherweise darauf hin, dass hier >Kontakte der
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Transistoren parallel schalten für Leistungstransistor??
Gateladung. Das ist als ob du direkt an den Controller-Pin einen Kondensator von beispielsweise 5nF hängst. Es dauert. Und während der MOSFET dann gemächlich schaltet, geht massiv Leistung darin drauf.
Kaiser Ja hab ich aber Du noch nicht :) schalte in einer Tauchlampe 12V 120W mit 1kHZ mit eimem IRL540 ohne Kühlung!
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große Last mit PIC schalten
Schau mal bei ww.irf.com rein. Die mesiten Typen hat auch Reichelt im Programm.
High-Side -> PNP über der Last -> mit NPN als ansteuerung für den PNP-Schalter Low-Side -> NPN oder N-Channel-MOSFET unter der Last gegen GND In manchen Anwendungen spielt das eben eine Rolle ...
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2N2222A wird sehr heiß bei 12v Steuerung?
Leistung des Potis (150mW) geht dies leider nicht. Deshal habe ich mir überlegt, einen Transistor (2N2222A H331) zu benutzen, und nur 6v am Poti anzulegen. (Batterie hat 3 Pins). Funktioniert auch, aber der Transistor raucht leicht und wird nach einer Sekunde so heiß, dass man sich die Finger verbrennt
Stellbereich des Drehpotis eingrenzen. Aufgrund Erfahrung an anderer Stelle wäre auch ein FET wie IRF540 brauchbar, der ist in einem gewissen Bereich recht gut steuerbar - hat aber erhebliche Toleranzen, so dass man damit nur ein Einzelstück stricken könnte.
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Konstantstromquelle und µC
schrieb im Beitrag #6145175: > Gegeben ist ein µC mit DAC. Für meinen Akkutester habe ich einen N-FET IRF540 verwendet. Abhängig von dessen Exemplarstreuung lässt der sich zwischen 3,5 und 4 Volt UGS gutmütig steuern. In meinem Aufbau ist es ein ein AT328 mit nachgeschaltetem MCP4725, einem 12Bit-A
Joachim B. schrieb im Beitrag #6145520: > oder 2N3055 ... Den Basisstrom dafür wird der DAC nicht liefern können ;-)
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Benötige Hilfe bei Fehlersuche Voltcraft VSP 2405 Labornetzteil
keinen Treffer zu der Bezeichnung von Q1 finde. In der Stückliste des Schaltplans ist dort ein IRFP460N angegeben. Verbaut ist aber einer mit der Bezeichnung "540C" "HFA20N50U" Kann mir jemand sagen, unter welcher Bezeichnung ich einen Ersatz finden kann, bzw. was für einen Vergleichstyp ich nehmen
. ONSemi stellt den FDPF20N50 her - du erkennst das System.
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el Last - Bauteilauswahl
zur Baustelle fahren will. Es gibt FETs, die einen gut handhabbaren Linearbetrieb aufweisen, z.B. IRF540. Bipolare werden lästig, weil sie bei der Auslegung recht viel Ansteuerleistung benötigen. Paul schrieb im Beitrag #6687632: >> Welche Mindestspannung? > 6S ist das kleinste was dran muss, also
Eine Stunde überlebt das Ding, aber für Dauerbetrieb ??? Als FET soll Paul dann gerne 30 Stück IRF540 / IRF840 oder ähnlich verbauen :-)
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Class D sehr leise
nutze ich eine Komplementärendstufe aus bc337 und bc327. Die Ausgangsstufe ist eine Halbbrücke aus irf540n die auf eine schwimmende Masse schalten(wird später durch eine Vollbrücke ersetzt). Ich bekomme zwar ein relativ ordentliches Audiosignal heraus, aber es ist nicht viel lauter als das Eingangssignal
252Fviewcontent.cgi%253Farticle%253D1056%2526context%253Deesp%26ei%3DuwuVT8a6NIn5sgbu3_jTBA%26usg%3DAFQjCNEC_Uzk7dB9-nI8zTNF7c_9bur1dA#search=%22class%20d%20triangle%20wave%22
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MOSFET leitet teilweise bei offenem Drain
Bipolartransistoren einigermaßen auskenne, aber mit MOSFET noch nichts gemacht habe, habe ich mir heute mal einen N-Kanal-MOSFET (IRF540N) gekauft. Den habe ich 'normal' verschaltet, also LED mit Widerstand an Drain und Source an Masse. Wenn ich jetzt Drain mit einem Draht auf Masse ziehe, ist die LED aus, wenn ich
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Sender mit Schaltregler
wird dann gefiltert so das immer die halbe Betriebsspannung Ausgang anliegt also Mosfet habe ich den IRF4905 benutz und im Sender den IRF510N mit 1,3 nF Einen Schaltplan habe ich vom ganzen noch nicht nur kleine Schnipsel auf Klebezetteln Auf den Bildern kann man das Gate Signal sehen und das andere
da mit SSB oder CW unterwegs. Als Experiment mag das ja ganz lustig sein, aber dann gehe lieber auf 540-1600kHz, um echte Mittelwelle zu produzieren. Das machts dem TL494 auch einfacher. Nur das NDB Band und 160m lässt du lieber in Ruhe. Auch Navtex ist tabu.
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Poweroff timer im Batteriebetrieb
Kondensator, denn ein solcher sei beim MOSFET ja schon eingebaut. Bei einer Eingangskapazität von zB. 1nF brauche man einen Entladewiderstand von ca. 10 GOhm. Da solche Widerstände teuer sind, hat er stattdessen eine 1N4448 in Sperrichtung genommen. Er hat es aufgebaut mit einem IRF540. Die LED leuchtet 12 sec. Bei einer Tumg von 24°C. Die 1N4448 muß vor Licht geschützt werden. Luftverdrahtung ist angesagt. Der Sperrstrom einer 1N4448 verdoppelt sich alle 10°C. Bei einer Tumg von 34°C leuchtet die LED dann also nur noch 6 sec. Taster,
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Elektronische Last - Anfängerschaltung
Achja, da fällt mir noch was ein. Der IRF540 ist nicht ganz so toll für linearen Betrieb meine ich in Erinnerung zu haben. Wenn es geht nehme ich zum Leistung verbraten immer NPN-Transistoren (2N3055 z.B.) oder Darlingtons (z.B. TIP120, der
Überschwinger gibt, ist C2 zu klein. Wenn die Flanken rund sind, ist C2 zu groß. Irgendwas zwischen 10pF und 1nF sollte passen.
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Warum brennen mir die Mosfets durch?
nicht so stark einbrechen. Probier es mal mit kleineren PWM werten. Ich hatte mal das Problem das ein IRF540 oder war es ein BUZ11 zu heiß geworden ist bei kelinen Frequenzen erst ab dem kHz Bereich funktionierte es.
Hallo, bei meinem Taktventil ca. 1 Ampere Stromverbrauch hatten 470nF gerreicht. Würde dir aber eher 1-2µF empfehlen da die ja 3mal soviel ziehen. Kannst ja die Diode in der Plusleitung ziemlich nah vor die Lampe setzten damit deine Leitung nicht als Antenne fungiert,
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FET oder MOSFET als Heizung
2N3055 im TO3-Gehäuse? mfg mf
allgemeinen nach, das sie einen negative Temperaturkoeffizienten hätten. Die MOSFET Transistoren z.B. IRF540 im TO220 Gehäuse oder der IRFP150 im TO247 Gehäuse scheinen mir also sehr geeignet zu sein. Mach doch einfach mal ein Experiment und schließe so einen zwischen Source und Drain an ein strombegrenztes
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12V LED Spot über MOSFET mit 24V ansteuern
hatte ich vor über einen hochohmigen Spannungsteiler herunterzuteilen und damit auf das Gate eines N-MOSFETs zu gehen. Der gewählte MOSFET ist erstmal nur ein Platzhalter. Ich hatte an einen IRLZ44 gedacht? Ist der grundsätzliche Ansatz in Ordnung? Gäbe es alternative Vorschläge? Danke und Grüße
ziemlich jeder FET. Es gibt beim Chinesen diese schwachsinnigen FET-Module "for Arduino", wo ein IRF530 oder 540 drauf ist, was "for Arduino" unbrauchbar ist. Das wäre für seine 24V-Steuerspannung genau passend, ggfs. muß er den Teiler am Gate nachrüsten. Jörg R. schrieb im Beitrag #7535245: >
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Sperrwandler ok?
1000uF für den Snubber ist etwas sehr groß. Meist liegen die Werte bei ein paar nF.
Bei 800V ist ein IRF540 schon lange kaputt.
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12 V Max 1 Ampere am Stm32 3,3V
p-Kanal zu sein Danke fürs Datenblatt - eigentlich die Aufgabe des TO. Komisch, meine Suchmaschinen(n) habe nichts dergleichen gefunden ?. Das hatte ich aus dem angehängten P schon entnommen, es gibt wohl auch den TSM650N als n-Kanal. Der Typ hat nichts spezielles, ich hätte bei z.B. Reichelt einen
der Laststrom durch eine angeschlossene Spule im eingeschalteten Zustand fließen kann. Mit einer 1N540x bist du auf der sicheren Seite. Wie schon gesagt wurde, der PDTC114 ist ein Digitaltransistor, da kannst du auf R1 und R2 verzichten (sie sind schon eingebaut); wenn nein wie bei einem BC 547 z.B
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rc-servo motor wechsel
Hi Stas. Ja die MOS-Fets kannst du beibehalten, wobei die BUZ11 billiger sind als die IRF540N. Hier mal ein Link der dir sicherlich helfen kann, mir hat er vor kurzer Zeit geholfen: http://s-huehn.de/elektronik/fahrtregler/fahrtregler.htm Du kanns die Schaltung noch weiter entwickeln
| | | | | | | +---------)-----------------(--+ | 1N4148| | 1N4148 | +-|>|---(-+-------)---------|<|-----+ | | | | |BC338 | |BC338 | >|-220R-+ >|-220R-+ E| E| 0.033 Ohm/9W | | |
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AVR + transistor
Halloooo - wir waren hier zuletzt bei einem BUZ11 angekommen, das ist ein n-Kanal FET, da gibt´s nix mit Sättigung. 5V für an oder 0V für aus an´s Gate geschaltet und gut... Nicht immer auf Posts antworten, die schon um Wochen zurückligen... Manno....
ich habe ähnliche Erfahrungen mit eine IRF540 und einen BUZ11 gemacht. Wenn die Frequenz zu hoch ist wird das Ding heiß und geht über den Jordan. Eine Ansteuerung mit einer höheren Spannung(>5V) bzw. eine niedrigere Frequenz hat hier Abhilfe
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LED-Steuerung mittels DC/DC-Treiber und ESP32
&is_c=N Nun würde ich gerne auf ein Externes Netzteil (12v, ca. 3-5A DC) wechseln und eine Dimm-Funktion mittels PWM-Signal des ESP realisieren. Wenn das geschafft ist, brauche ich auch keine 4 Relays mehr
gestoßen (ACPL-P343), ist das Sinnig um den ESP zu schützen? Ansonsten hätte ich sowas wie den IRF540 oder IRLZ44N gefunden, die Datenblätter verwirren mich jedoch ein wenig. Es ist mehrfach von Referenzspannungen die Rede. Hätte ich in meinen ET-Vorlesungen bloß besser aufgepasst x).. Vielen,
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BLDC Zwischenkreis Kondensator-Auswahl
Habe jetzt mal IRF540 MOSFET probiert rein zum Test. Auch da ist das Ergebnis nicht wirklich anders. Walter L. schrieb im Beitrag #6052575: > Es erfolgt eine schlagartige Entlastung, die Spg. springt von ca. 13 auf
Qgd ist 9,7 nC, Gate CHarge Total 63,9 nC. Geschaltet wird mit 50 mA. Sollte eine Steigzeit von 194 ns zur Folge haben.
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Mosfetauswahl für Linearbetrieb
N oder P Kanal?
IRF(9)540 Wenn du aber viel Energie verheizen willst, dann würde ich einen mit größerem Gehäuse wie den IRFP150 oder so verwenden.
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Experimente mit Feldeffekt-Transistoren. (Typen gesucht)
nur als SMD zu bekommen. Der BC140 ist schon eher Antik. Ich hätte da eher BD139 oder BC548 / 2N2222 vorgeschlagen. Ein TIP3055 ist je nach Netzteil ggf. nicht so leicht kaputt zu bekommen (der 2N3055 oder andere im TO3 machen sich nicht so gut beim drauf treten mit dünnen Schuhen).
optimiert sind und deshalb extrem niedrige > R_on-Widerstände und enorme Steilheiten haben. Die IRF540 sind uralt und wurden in Analoganwendungen eingesetzt. Ich habe neulich eine Last damit gebaut, im Bereich _etwa_ 3..5 Volt UGS sind die recht gerade. Bei mehreren im Vergleich kann man auch schön
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Erfahrungen mit LT1161
Hab noch ne Frage: Ich nutze zur ansteuerung der IRF540N MOSFET´s den LT1161. Doch das Fatenblatt verwirt mich ein bisschen in sachen Betriebsspannungen. Einmahl steht da -15 to 60V auf Seite 2 oben links. Jedoch auf seite 1 Steht 8 to 48V. Die
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48V 17A mit Mosfet schalten -> Schaltung so korrekt?
> Oder sehe ich da was falsch? Nein ist korrekt. Bedingt mein Fehler, ich ging noch von einem IRF540 aus deinem ersten Schaltplan aus und habe dann mit einem RDSon von 77mOhm gerechnet. So stimmt das ganze natürlich. Sorry!
schrieb im Beitrag #3700187: > Das heist, ich muss meine Schaltung mit zwei P-Chanel betreiben. > N Channel gibts es ja mit so kleinem RDSon nicht :-( ? N-Ch sind die beschten. PMOS ist normalerweise schlechter.
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Testsender/Generator für 40MHz-Band
-+-L und nochmal 100nF an R-+-Vb
anderen FET-Typ kann man da verwenden. Bin auf den IRF510 / IRF540 gestoßen, wird viel eingesetzt. Würde das statt im 80m/40m Band auch hier im 7mBand Sinn machen? Oder ein andere Typ. 3) 2 Stück 2N7000 parallel bringt eine Verschlechterung der Leistung
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Falsche Spannung - Brauche Hilfe
nicht. - Dann hab ich insg. 14V Irrtum. So geht das: http://www.g7smy.co.uk/gallery/var/albums/blog/irf540n_motor_switch1.png?m=1424691110 Als MOSFET würde ich einen IRLU024N empfehlen, falls er bedrahtet sein soll. Ansonsten den SMD Typ IRLML6344.
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Taktventil per Mikrocontroller/PWM ansteuern ?
kurzgeschlossen werden um den Transistor zu schützen. Für irgendwelche Relais benutze ich da immer eine 1N4007 (in Sperrrichtung über die Relaisspule). Ob diese Diode allerdings in Deinem Fall ausreicht, kann man ohne nähere Daten nicht sagen. Innenwiderstand und Induktivität der Spule wären da interessant
Man kanns also drehen wie mans braucht. Würde da einfach einen allerwelst FET nehmen BUZ11 oder IRF540 eine Diode muss auch rein um die Induktionsspitzen zu unterbinden. Gangige Frequenzen fürs Ladedruckventil liegen bis ca. 100Hz je nach Schnelligkeit des Ventils
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BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Experimentierschaltung Gesperrt
meiner Meinung nach ausreichend schnell. Je höher die Spannung, desto langsamer die Dioden (siehe z.B. IRF540-IRF840)
EIngangsspannung werd ich wohl 55V MAX beschränken müssen, es sei > denn, jemand nennt mir einen geeigneten N-Kanal TO220 für die Bremse mit > Uds>55V. IRF3415. Der ist fast so abartig wie der IRFP2907. Mit zwei von denen habe ich schonmal ein 1kW Schaltnetzteil betrieben. > Eine Verringerung der Eingangsspannung
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AC SSR mit 2 MOSFETs (Spannungsfestigkeit ?)
Driver" (https://www.silabs.com/documents/public/data-sheets/Si8751-2.pdf) um ein AC SSR mit 2 N-FETs aufzubauen. ("antiseriell" / source to source) Funktioniert auch so weit sehr gut mit FETs welche ich noch in der Schublade liegen hatte (IRF540N) (erster Test mit 24V AC Trafo). Die Frage an euch ist, wie hoch muss die Spannungsfestigkeit UDS max der N-FETs sein für die 3 unten angehängten Anwendungsfälle (bzw. generell) ? (siehe Bilder im Anhang) [ohmsche Last] Ich war bisher der Meinung, dass man hierzu einfach den maximalen Scheitelwert der
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
geringer Qualität, es kann was bringen paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Die geringe Spannung die Du misst kommt von der Gegenspannung des Motors in den Schaltpausen. Wenn Du die Schaltung mal statisch oder sehr langsamer
geringer Qualität, es kann was bringen >paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war >sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Das mag zwar stimmen, aber nach den Oszillogrammen zu urteilen haben wir wohl keine negativen Spikes, die die interne Diode überfordern könnten. Insofern
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Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen
gedacht die AvalancheCurrent wäre der maximal zulässige Strom für die Diode. Datenblatt siehe Anhang (IRF540N)