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LED-Steuerung mittels DC/DC-Treiber und ESP32
&is_c=N Nun würde ich gerne auf ein Externes Netzteil (12v, ca. 3-5A DC) wechseln und eine Dimm-Funktion mittels PWM-Signal des ESP realisieren. Wenn das geschafft ist, brauche ich auch keine 4 Relays mehr
gestoßen (ACPL-P343), ist das Sinnig um den ESP zu schützen? Ansonsten hätte ich sowas wie den IRF540 oder IRLZ44N gefunden, die Datenblätter verwirren mich jedoch ein wenig. Es ist mehrfach von Referenzspannungen die Rede. Hätte ich in meinen ET-Vorlesungen bloß besser aufgepasst x).. Vielen,
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BLDC Zwischenkreis Kondensator-Auswahl
Habe jetzt mal IRF540 MOSFET probiert rein zum Test. Auch da ist das Ergebnis nicht wirklich anders. Walter L. schrieb im Beitrag #6052575: > Es erfolgt eine schlagartige Entlastung, die Spg. springt von ca. 13 auf
Qgd ist 9,7 nC, Gate CHarge Total 63,9 nC. Geschaltet wird mit 50 mA. Sollte eine Steigzeit von 194 ns zur Folge haben.
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Mosfetauswahl für Linearbetrieb
N oder P Kanal?
IRF(9)540 Wenn du aber viel Energie verheizen willst, dann würde ich einen mit größerem Gehäuse wie den IRFP150 oder so verwenden.
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Experimente mit Feldeffekt-Transistoren. (Typen gesucht)
nur als SMD zu bekommen. Der BC140 ist schon eher Antik. Ich hätte da eher BD139 oder BC548 / 2N2222 vorgeschlagen. Ein TIP3055 ist je nach Netzteil ggf. nicht so leicht kaputt zu bekommen (der 2N3055 oder andere im TO3 machen sich nicht so gut beim drauf treten mit dünnen Schuhen).
optimiert sind und deshalb extrem niedrige > R_on-Widerstände und enorme Steilheiten haben. Die IRF540 sind uralt und wurden in Analoganwendungen eingesetzt. Ich habe neulich eine Last damit gebaut, im Bereich _etwa_ 3..5 Volt UGS sind die recht gerade. Bei mehreren im Vergleich kann man auch schön
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Erfahrungen mit LT1161
Hab noch ne Frage: Ich nutze zur ansteuerung der IRF540N MOSFET´s den LT1161. Doch das Fatenblatt verwirt mich ein bisschen in sachen Betriebsspannungen. Einmahl steht da -15 to 60V auf Seite 2 oben links. Jedoch auf seite 1 Steht 8 to 48V. Die
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48V 17A mit Mosfet schalten -> Schaltung so korrekt?
> Oder sehe ich da was falsch? Nein ist korrekt. Bedingt mein Fehler, ich ging noch von einem IRF540 aus deinem ersten Schaltplan aus und habe dann mit einem RDSon von 77mOhm gerechnet. So stimmt das ganze natürlich. Sorry!
schrieb im Beitrag #3700187: > Das heist, ich muss meine Schaltung mit zwei P-Chanel betreiben. > N Channel gibts es ja mit so kleinem RDSon nicht :-( ? N-Ch sind die beschten. PMOS ist normalerweise schlechter.
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Testsender/Generator für 40MHz-Band
-+-L und nochmal 100nF an R-+-Vb
anderen FET-Typ kann man da verwenden. Bin auf den IRF510 / IRF540 gestoßen, wird viel eingesetzt. Würde das statt im 80m/40m Band auch hier im 7mBand Sinn machen? Oder ein andere Typ. 3) 2 Stück 2N7000 parallel bringt eine Verschlechterung der Leistung
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Falsche Spannung - Brauche Hilfe
nicht. - Dann hab ich insg. 14V Irrtum. So geht das: http://www.g7smy.co.uk/gallery/var/albums/blog/irf540n_motor_switch1.png?m=1424691110 Als MOSFET würde ich einen IRLU024N empfehlen, falls er bedrahtet sein soll. Ansonsten den SMD Typ IRLML6344.
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Taktventil per Mikrocontroller/PWM ansteuern ?
kurzgeschlossen werden um den Transistor zu schützen. Für irgendwelche Relais benutze ich da immer eine 1N4007 (in Sperrrichtung über die Relaisspule). Ob diese Diode allerdings in Deinem Fall ausreicht, kann man ohne nähere Daten nicht sagen. Innenwiderstand und Induktivität der Spule wären da interessant
Man kanns also drehen wie mans braucht. Würde da einfach einen allerwelst FET nehmen BUZ11 oder IRF540 eine Diode muss auch rein um die Induktionsspitzen zu unterbinden. Gangige Frequenzen fürs Ladedruckventil liegen bis ca. 100Hz je nach Schnelligkeit des Ventils
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BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Experimentierschaltung Gesperrt
meiner Meinung nach ausreichend schnell. Je höher die Spannung, desto langsamer die Dioden (siehe z.B. IRF540-IRF840)
EIngangsspannung werd ich wohl 55V MAX beschränken müssen, es sei > denn, jemand nennt mir einen geeigneten N-Kanal TO220 für die Bremse mit > Uds>55V. IRF3415. Der ist fast so abartig wie der IRFP2907. Mit zwei von denen habe ich schonmal ein 1kW Schaltnetzteil betrieben. > Eine Verringerung der Eingangsspannung
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AC SSR mit 2 MOSFETs (Spannungsfestigkeit ?)
Driver" (https://www.silabs.com/documents/public/data-sheets/Si8751-2.pdf) um ein AC SSR mit 2 N-FETs aufzubauen. ("antiseriell" / source to source) Funktioniert auch so weit sehr gut mit FETs welche ich noch in der Schublade liegen hatte (IRF540N) (erster Test mit 24V AC Trafo). Die Frage an euch ist, wie hoch muss die Spannungsfestigkeit UDS max der N-FETs sein für die 3 unten angehängten Anwendungsfälle (bzw. generell) ? (siehe Bilder im Anhang) [ohmsche Last] Ich war bisher der Meinung, dass man hierzu einfach den maximalen Scheitelwert der
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
geringer Qualität, es kann was bringen paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Die geringe Spannung die Du misst kommt von der Gegenspannung des Motors in den Schaltpausen. Wenn Du die Schaltung mal statisch oder sehr langsamer
geringer Qualität, es kann was bringen >paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war >sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Das mag zwar stimmen, aber nach den Oszillogrammen zu urteilen haben wir wohl keine negativen Spikes, die die interne Diode überfordern könnten. Insofern
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Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen
gedacht die AvalancheCurrent wäre der maximal zulässige Strom für die Diode. Datenblatt siehe Anhang (IRF540N)
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Elektronische Last schwingt
Referenzspannung mit dem Istwert vom Stromsensor. U1A schließlich treibt den FET selbst. Hier wird ein IRF540 verwendet. Den Tiefpass dahinter habe ich schoneinmal eingebaut, da die Schaltung ohne diesen richtig massiv am schwingen war. C1 ist übrigens die parasitäre Kapazität im FET. Der Grund, wieso erst
ich würd noch einige 10 - 100nF Stützkondensatoren an die OP Eingänge basteln
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Plasmalautsprecher die 2.
www.datasheetcatalog.org/datasheet/SGSThomsonMicroelectronics/mXutxqt.pdf zum bessern ansteuern des irf 540 transistors in meiner schaltung gebrauchen kann und wenn ja wie?
ich werde mich in Threads die älter als 5 Jahre sind umsehen und kommentieren wenn diese m.M.n geschlossen werden können :D
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Warum Brückengleichrichter aus Einzeldioden?
Stefan U. schrieb im Beitrag #4898167: > Ein Gleichrichter aus 1N4007 Dioden würde übrigens einem B250C2000 (für > 2A!) entsprechen. Nein. Hast du dich nicht auch schon mal gewundert, wie das kleine DO41 einer 1N4007 die immerhin 1A * 0.93V = 0.93 Watt loswerden
für Solargartenbeleuchtung realisiert, Netzteil/Relaisplatine raus, Lochraster mit Sicherung/Diode/IRF540 rein, fertig...
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Schutzbeschaltung Ein- und Ausgänge Schaltnetzteil
sehr viel Zeitaufwand verbunden. Eingang 0-25V Ausgang 0V +/-5V Am Eingang befindet sich ein N-Mosfet (IRF540N) mit Widerstand und Z-Diode als Verpolungsschutz. http://www.mikrocontroller.net/attachment/14047/Verpolungsschutz.pdf Prinzipskizze auf S.2 Wie schaffe ich es den Eingang gegen
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MC 34063 Schaltregler
Frage: Kann ich dann aus der Schaltung soviel Strom ziehen wie der MOS-FET verträgt? Also z.B.: IRF540N 33 A ? Macht das der MC 34063 mit ? Entstehen Stromspitzen die den Schaltregler zerstören? Hat jemand Erfahrungen mit diesen Schaltregler. gibt es bessere? P.S.: Die Spulen und anderen externen
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Shunt Problem MOSFET Strommessung ohne Shunt ?
! Warum eigentlich ? Kann ich nicht den innenwiderstant des MOSFET´s nutzen ? Also z.B.: IRF540N RDS(on) = 44mOhm = 0,044 Ohm U = R * I U = 0,044 * 6A U = 0,254V Da meine Schaltung eine H Brücke ist liegen zwei Mosfet´s in Reihe. Also: RDS(on) = 0,088 Ohm * 6 A = 0,528V Mit OP
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Mosfet Anschluss mit Bohrung
mir immer noch eine Schraube samt Glimmerscheibe und Isolierbuchse. Natürlich nur hochfeste Schraube(n) und richtig festgeknallt, bis sich die Fahne verbiegt und der Transistor hohl liegt. Was mir nicht ganz klar ist, ob TO-220 mit isolierter Fahne thermisch besser ist als unisoliert plus Glimmerscheibe
nicht kenne. Bei den IRLZ44 ist es mir aber egal, die sitzen da nur aus mechanischen Gründen, nur der IRF540 liefert Abwärme.
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Teardown Ikea Tradfri
RGBW-Lightstripcontroller natürlich kein Problem: - Zigbee-Modul aus Jiawen RGBW E27 (15,50€) - 4-fach IRF540N-Modul (ca. 3,50€) - Stepdownwandler auf 3,3V Die 4 Eingangsbuchsen des MosFET-Moduls entfernen, Zigbee-Modul und Spannungswandler per Epoxydharz an das MosFET-Modul angeklebt, R G B und W mit
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OK als LED Treiber? Elektors Ambilight Projekt.
Widerstand zum IC müsste wohl deutlich erhöht werden) BS170 (Widerstand müsste auch erhöht werden) oder IRF540N (etwas überdimensioniert)? Wie berechnet man die Größe des Widerstands zw. Pin und Transistor? Gruß Sirko
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Eigenbau Frequenzumformer 50->60 Hz
Endstufenzüge an. Über jeweils ein 4bit 2R2 Netzwerk mit anschliessendem Tiefpass. Leistungsmosfets: IRF540N Als Versorgungsspannung habe ich 24 V DC Ich habe einen Ringkerntrafo, 2x115V, 50 Hz, 80 W Leistung mit 2 getrennten 18 V Wicklungen die Wechselseitig angesteuert werden. Zuerst habe ich mit
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Mit Kamera-Blitzanschluss per MOSFET Verbraucher (LEDs) abschalten
sofort aus und erst mit Verzögerung wieder an? Im ersten Fall könntest du einfach einen (ca. 4-10A) N-Channel Mosfet nehmen (z.B. IRF540 - Source an GND, Leuchte an Drain, Gate mit ca. 4.7K zu den 7.4V pullen und mit dem Blitz-Schalter das Gate auf GND ziehen -> Leuchte geht aus).
an gehen? Ja, genau so ist es gemeint. > Im ersten Fall könntest du einfach einen (ca. 4-10A) N-Channel Mosfet > nehmen (Source an GND, Leuchte an Drain, Gate mit ca. 4.7K zu den 7.4V > pullen und mit dem Blitz-Schalter das Gate auf GND ziehen -> Leuchte > geht aus). Nun habe ich im Datenblatt
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WS2811 LED-Treiber flackert
den 3 RGB-LEDs sind schon auf den Stip vorhanden. Alle 3 Ausgänge des LED-Strips sind an den MOSFET IRF 540 n angeschlossen und diese jeweils an 3 Transistoren BC557 die dann an die einzelnen Anschlüsse des WS2811 angeschlossen sind. Das ganze wird durch ein Arduino Mega gesteuert. Mein Problem ist
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7805 zerstört - nachfolgende Schaltung
: würde eine 1N4007 (mit einer höheren Sperrspannung) von Nachteil sein? Ich habe eben genügend 1N4007 in der Bastelkiste - so als Allzweckwaffe. Daß die 1N4002 von den Daten ausreicht ist mir klar. Und die 1N4148
funktionieren; so oder so ist aber die 1N4007 Diode überdimensioniert - ich kenne die Schaltung nur mit 1N4002. Ja, sollte auch mit 1N4007 funktionieren.
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Halogenlampe sanft hochdimmen
dimmen. Ein TL494 und ein MOSFET bischen Hühnerfutter und gut. Suche mal nach TL494 + BUZ11 oder IRF540 gibt da einiges im Netz.
aufbauen, als ich dachte. Habe zwei gleiche MOSFETs in der Bastelkiste gefunden - es sind IPP16CN10N (n-ch/100V/53A/100W/16mOhm/TO220). Als Lampe habe ich eine Autolampe 12/18W verwendet. Stromquelle ist ein regelbares Wechselspannungsnetzgerät (eingestellt auf 12V). Also das Hochdimmer der Lampe
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Attiny 13 temperaturgesteuerte Servoschaltung
C3 muss 100nF sein. Elko hat keinen Wert.
Marcel B. schrieb im Beitrag #4768825: > KS.png Nimm aber bitte nicht wirklich den IRF540. Die alte Kiste schaltet bei 5V nicht besonders weit durch. Ein IRLZ34 oder IRLZ44 tuts da wesentlich besser.
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IRL 540, wer hat Erfahrungen...
ich schalten möchte liegen an 12V. Danke schon mal im voraus. hier das datenblatt. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540.pdf und günstig isser auch noch .....
Hi, den n-Kanal Mosfet solltest Du nur in Source Schaltung verwenden. d.H. Dein Verbraucher liegt zwischen +12V und Drain des Mosfets. Wenn Du Drain Schaltung (Drain an +12V) und das Gate mit max. +5V steuerst
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Auswahl Versorgungsspannung
Pegelwandlern etc nur erhöhen. Ich betreibe mit dem Controller unteranderem einen Motor an einem IRF540N. Dieser läuft mit 3V3 nicht ausreichend.
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Wie einen Klasse A Amp auf eine bestimmte Impedanz auslegen? Gesperrt
an Source liegen? Hänge doch mal bitte die asc zum Mitspielen an. PS: Ich würde noch je eine 1N4148 über R3 und R4 legen um das Gate vor Überspannungen zu schützen. LG old.
Den IRF540 habe ich nicht in der lib, deshalb der andere typ, sorry. Ist jetzt ein Split-Load, klassisches Katodyn. Bringt Dir die doppelte Leistung gegenüber dem Folger. LG old.
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A3986 Rgate berechnen
fellow does not have the driving capacity for short turn on and off times needed to control FETs like IRF540 at high currents, for example the total gate charge for a gate voltage of 15 volt is about 70nC. Cgate= Qtotal / Vgate = 4.6666 nF= 4666.6 pf using Qtotal = Icharge * T charge you can calculate the current necessary to get the Switching time desired, lets say you want a Tcharge of 80nS then you need an Icharge= 70 nC / 80 nS = 875 mA this is an average current, the charging current is not constant but this is the calculation necessary to find the right driver for a Mosfet. Try
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Welche PWM-Frequenz für DC-Motorsteuerung?
der benutzen Bürste." Richtig, Die 5A Variante gibt das höhere Drehmoment. (Drehmoment = Pe*9550/n, Pe in KW, n in U/min) "Weiters ist es manchmal Praktisch wenn man schneller fahren kann und manchmal auch praktisch langsam zu fahren." Auch richtig, aber deshalb macht man ja die PWM um das zu
Ding läuft mit allen PWM Frequenzen(Hardware) die der AVR zur Verfügung stellt ruhig, habe dazu nen IRF540 oder nen BUZ11 verwendet, das Ding wird handwarm aber man braucht umbedingt ne hohe Gatespannung sonst erwärmt er sich sehr stark. Ich habe da einfach mittels Widerstand und Z-Diode gemacht und das
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Spannungswandler 12 Vdc auf 350 Vdc (max. 50mA)
12v-dc-to-120230v-ac-inverter-circuit-with-ic-555/ http://wireless-schematic.blogspot.de/2011/07/irf44-mosfet-based-on-100-watt-inverter.html http://www.ampdesign.de/Datenblatt%20N-KHV%2088.htm http://www.hifi-forum.de/bild/el34-pp_442057.html http://static.elitesecurity.org/uploads/2/8/2844786
Elektorschaltung habe ich nebenbei bemerkt schon mehrfach auf Lochraster aufgebaut(kleine Änderungen:IRF540 anstelle BUZ11, 100 - 330 Ohm zwischen Pin7 und C4/Pin5, R6-4,7K, der in Reihe liegende P1-47K)- funktioniert! Achso: Trafo nie selbst gewickelt - immer aus altem PC-Netzteil geschlachtet. Die
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Variable Last zwischen 0 und 1Ah
Logic-Level-FET doch > einen unangenehm engen Steuerbreich haben dürfte? Ich glaube es ist ein IRLZ34N, den ich verwendet habe. Meiner Recherche nach sind beide für Linearbetrieb geeignet. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET Ansonsten ist ein "enger Steuerbereich
Nano plus MCP4725 12-Bit-D/A-Wandler und einen Strom- / Spannungssensor INA219. Als FET kommt ein IRF540 zum Einsatz, der zwischen ca. 3,7 und 4,8 Volt am Gate recht zahm zu steuern ist. Der Regelkreis ist damit im µC und ziemlich langsam. Zusätzlich habe ich zwei Festwiderstände, die ich mit je
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mit BUZ 11a eine Batterie laden
abnehmen. Habe letztens erst eine Linearregler für einen Lüfter gebaut war auch ein BUZ11 oder ein IRF540. Zeichen doch mal auf wie du was angeschlossen hast.
schalten du zum Messgerät einen Widerstand in Reihe und einen Kondensator parallel. 1 kOhm und 100nF könnten schon reichen ansonsten eine Hälfte eines Potis statt den Widerstand benutzen z.B. 10 kOhm Poti.
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MC34063 Frequenzänderung bei Änderung der Ansteuerung
Hast Du den Abblockkondensator 100nF zwischen den Pins 6 und 4 angeschlossen? Im Bild oben rechts ist er an Pin7 dran. Im linken Bild fehlt er ganz. Mach doch den C1 besser zum Pin4 hin und nicht zu Source des FETs. Das bringt den Oszillator
@ArnoR Ich gebe gerne alle Details: Ct oder im Schaltplan C1 = 470pF R1 = 0,1Ohm FET = IRF540 Drossel = 100µH ist aus einem alten PC-Netzteil und die 2. Wicklung ist nicht verbunden sondern isoliert. (Ist ja nur ein Test) Ansonsten wie im Schaltplan, fehlt noch was? Ohne D2 + T2 alles
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HC SR-501 + shematic + funktion + Bauteile spec
in meinen Elektronik Überlegung ist falsch, brauche eure hilfe zu folgende Punkten: 1. Ist der 4N35 Eingangseitig richtig beschaltet und R8 --> 330Ohm richtig dimensioniert. 2. Wie sieht der ausgang vom 4N35 um einen Transistor / Mosfet anzusteuern. In verschiedenen Foren habe ich da verschiede Schaltbilder gefunden, und mir ist nicht ganz klar auf was zu achten ist. 3. IRF540 hatte ich leider nicht zur Hand und hab's mal mit 2n7000 probiert, jedoch ohne Erfolg. Könnte sowohl an der Beschaltung wie aber auch an der Dimensionierung der Wiederstände liegen. Bin einfach
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12V Tiefentladeschutz ohne Eigenverbrauch
C1 N009 0 1nF D1 N001 N002 B530C D3 N005 N006 B530C D4 N005 N006 1N4148 V1 N001 0 17 Rser=1 D5 N006 N002 B530C D2 N006 N006 B530C .model D D .lib C:\Program Files (x86)\LTC\LTspiceIV\lib\cmp\standard.dio
IRF9640 : 166n IRF7404 : 10n Si446DY : 0.1n IRF7210 : ??? kann mir die Werte nich ganz erklären, vermute es spielt eine Rolle die Summe aus Gate_C + C1... wahrscheinlich noch dividiert durch Rdson
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Schaltplankontrolle - Tomatenbewässerung
zu verwirklichen. http://www.fachdokumente.lubw.baden-wuerttemberg.de/servlet/is/92349/U24-U61-N02.pdf?command=downloadContent&filename=U24-U61-N02.pdf Ein Tensiometer läßt sich relativ leicht selber bauen. Die dazugehörigen Materialien sind leicht im Handel erhältlich und man erzielt sehr gute
daher gibts da ja > nicht zu vergleichen. damit wir vom gleichen dAtenblatt reden: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlr024n.pdf Und da ist ein - recht brauchbares - Schaltplansymbol, das auch im Rest der Welt als N-Fet verstanden wird. > - V_DDS mit 55V sollte ausreichend
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Step Up 30VDC - 48VDC
MC34063 recht gut denke ich. Die Frage ist nur welchen Leistungs-FET nehme ich. Laut Datenblatt wäre der IRF540 gut geeignet, da dieser eine D-S Spannung von 100V hat. Den IRLZ34N kann ich glaube ich nicht einsetzen, da die D-S Spannung nur bei 55V liegt. Da der Ausgang ja schon 48 Volt hergeben soll weiß
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Projekt Stromsenke
immerhin, dass es ein > Schwingungsproblem gibt. Ich werde heute noch versuchen den Kondensator von 1nF auf 2nF zu erhöhen. Dann regelt er noch langsamer. <u>FRAGE</u>: Wie kann ich dann das Schwingen noch brauchbar messen mit dem Oszi wenn die Grundspannung schon so hoch ist? Bei der zweiten Messung
Schaltung? Und sind das 0R1 Shunts, wie man im Foto sehen kann? Ich habe die Schaltung mal mit einem IRF540 simuliert. Da schwingt nichts. Allerdings habe ich eine ideale Spannungsquelle am Ausgang angenommen. Gibt man der einen realen Innenwiderstand, gibt es etwas Ringing. Gib doch mal an den Ref-Eingang
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schalten von 12V/0V
ZV zugesperrt ist. Mittels einem CD4011BE speichere ich den Zustand der ZV, und schalte damit ein N-Mosfet wie zB IRF540N. Am Gate liegen im zugeschlossenem Zustand 0V an, im geöffneten Zustand 12V. Mit diesen 12V lasse ich Masse zum Sensor durchschalten. Das Problem hierbei, sobald ich die Masse
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Zwei MOSFETs parallel in Stromsenke - als Shunt LEM-Wandler - wie zusammenschalten?
@ Elektronerd (Gast) >200W. >IRFP260N Bei weilcher Spannung? Egal, denn deine MOSFETS sind nicht für DC-Betrieb geeignet. Nimm andere. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs Siehe auch die Links unter
brauche bitte mal Hilfe. Ich habe jetzt in der MOSFET-Übersicht geguckt und mir mal das Datenblatt vom IRF540 angeguckt, welcher laut Übersicht für den Linearbetrieb geeignet ist. Angehängt mal das SOA-Diagramm. Wo sehe ich denn hier jetzt, dass Linearbetrieb geht?
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Dynamische Verluste einer Halbbrücke in LtSpice simulieren
angesteuert, die vereinfachte Berechnung der Schaltverluste ergibt: Vz=100V Cr=105pF Il=30A f=20kHz Ig=540mA PV = (Cr*Vz^2*f*Il) / Ig = 1,2 W Um mein Ergebnis zu überprüfen habe ich mit LtSpice versucht die Schaltung nachzubilden, dabei wird das MOSFET-Modell des Herstellers verwendet (IRFS4115).
Leitungsinduktivitäten Deiner Schaltung simuliert? Füge mal in die source- drain- oder gate Leitung 10-100nH ein und Du wirst feststellen, dass die Stromraten schonmal deutlich zurück gehen, und damit auch die Peakleistungen.
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Heizelement einer Akkunebelmaschine mit 48v schalten
Komme ich mit einem aus? Wenn du das Heizelelement in der LowSide schalten kannst, wird es z.B. ein IRF3710 tun. Etwas knapper wirds mit einem IRL540, der bei etwa 20A am Ende ist. Beide MOSFets schön durchschalten mit genügend Ugs, also z.B. 12V. Und Kühlung kann nicht schaden.
nicht mal 4 Milliohm (14*14*0,004= ...): https://www.reichelt.at/at/de/mosfet-n-kanal-100-v-180-a-rds-on-0-0037-ohm-to-220ab-irfb-4110-p90303.html? Als Diode ginge eigentlich vieles, auch Netzgleichrichter - von der geringen Schaltfrequenz her. Aber die hier wäre halbwegs günstig
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Iteadstudio.com Overload V1.1 Doku gesucht (Elektronische Last)
last geschenkt bekommen, enthält einen Atmega328P DC 1044, SD card slot, ein nokia-display und einen IRF540N mit shunt, operationsverstärker etc. Kommt also ca. aus 2011. Das teil kommt von Iteadstudio.com und nennt sich Overload V1.1 Mir fällt gerade auf es hat zusätzlich noch einen unabhängigen
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Induktives Erwämen von Metall
erreiche ich das denn am besten, und wie stark muss der Draht sein bzw. auch welcher Mosfet (zur Zeit: IRF3205, 8mOhm RDson) ? Danke für die Hilfe Andreas
Kühlung des Transistors reicht. Die Abstimmung der Spule sollte so erfolgen, daß man mit etwa 5x10nF in Resonanz liegt.
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Class D TL494
sollte es ebendies sein: Seine freie Wahl.) Also, Pablo, was _genau_ soll irgendwann an Deine(n) TL494 Verstärker?
dran gehangen mit Messungen. FET192 30NQ15T Gate - 73V Drain - 15,7V Source - 77V FET 401 IRF540 Gate - 76V Drain 50mV? Source - 76V FET 191 30NQ15T Gate +19V Drain +77V Source +15,5V Ben B. schrieb im Beitrag #6100201: > Liegt an den Audio-Endtransistoren ein sauberes Rechteck
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FET Berechnung
daher um diese Schwellspannung höher sein als die gewünschte Ausgangsspannung (Lüfterspannung). (am N-Kanal-FET betrachtet) Deine Steuerspannung muss also etwa 4V höher sein, als die 12V vom Computernetzteil... Da der FET dabei linear arbeitet, musst du ihn gut kühlen... Guten Rutsch... ...
Hitze umgewandelt, da brauchte ich dann schon nen kleinen Kühlkörper am BUZ11 evtl. war es auch ein IRF540. Aber das wäre für eine PC-Kühlung ja nun wirklich nichts wenn ich den Reststrom der nicht benötigt wird in Wärme umwandle die ich ja umbedingt vermeiden bzw abführen muss. Hatte ich zwar erst