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Kombinierung von 2 linear reglern?
Netzteil mit einstellbarer Ausgangsspannung und Strombegrenzung zu erhalten. Da ich einen P-Channel-MOSFET verwende, bedeutet eine höhere Gate-Spannung eine niedrigere Ausgangsspannung. Theoretisch müsste also, wenn beide Regler aktiv sind, die höhere der beiden Steuerspannungen bevorzugt werden. In
beschrieben, aber der Weg von deinen beiden Schsktungen zu einem Labornetzteil ist noch lang. MOSFETs haben eine schlechte SOA, deine 100k machen es extrem langsam, das runterregeln ist viel langsamer als raufregeln. Und ja, bei den beiden über Dioden gekoppelten OpAnps ist einer nicht in der Regelschleife
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Polwendeschaltung mit Relais in besser gesucht
sein? Es gibt fertige Motorcontroller mit Vor und Rückwärtsgang und Drehzahsteuerung die mit Mosfets funktionieren. Da kann preislich kein Relais mithalten. Sowas zum Beispiel https://a.aliexpress.com/_EQXjb76 Gibt es in zahllosen Varianten.
Flyback brennen die Kontakte ab bzw fest. Wenn Du lastfrei schaltest, also den Motor mit einem MOSFET spannungsfrei machst, bevor das Relais öffnet, dann sollte es reichen.
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Relaisersatz mit IRFR5505PBF
einen digitalen DC-Ausgang (elektronischer Schalter / Relaisersatz) aufzubauen? Ich möchte den MOSFET als schaltenden Ausgang verwenden (kein mechanisches Relais), basierend auf folgenden Eckdaten: Typ: IRFR5505PBF (P-MOSFET) Max. Schaltspannung: 48 V DC Min. Schaltspannung: 2,8 V DC Max. Schaltstrom
100V Mosfet in der selben Bauform. > Ich möchte den MOSFET als schaltenden Ausgang verwenden (kein > mechanisches Relais) Sind die Massepotentiale des GPIO und der 48V verbunden oder kannst du sie verbinden
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Schaltplan einer Induktivitätsschaltung mit MOSFETs
Epcos/TDK B65541-W-Y38 Schalenkern, Reichelt, 2x20Wdg 0.2mmm, 400 Wdg 0.01mmm Q1 AO3400A PA11 L1 L3 US1M GND C49 47u C48 47u C47 47u L2 AO3400A PA7 C50 47u C76 47u C51 100u JLCPCB C294020 TBD GND +5V 10
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Schaltungs-Review: Li-Ion Laderegler & Step-Up (TP4056 / MT3608)
vermutlich nur gebraucht wenn der ESP32 nicht im Sleep ist. Daher den ganzen Stepup-Regler mit nem Mosfet davor abschalten. Das Enable ist für Stepups zum stromsparenden Abschalten meist (und auch für den MT3608) nicht ausreichend, denn dann ist nur das Hochregeln abgeschaltet, die niedrigere Eingangsspannung
vermutlich nur gebraucht wenn der ESP32 nicht im Sleep > ist. Daher den ganzen Stepup-Regler mit nem Mosfet davor abschalten. Das > Enable ist für Stepups zum stromsparenden Abschalten meist (und auch für > den MT3608) nicht ausreichend, denn dann ist nur das Hochregeln > abgeschaltet, die niedrigere
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Türklinger verstärken ohne elektrischen Eingriff in Hausanlage
folgern wenn sie als Arbeitspunkt dann zusätzlich 0V beschreiben? Am Eingang ein JFET oder depletion-MOSFET?
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Ausgangsübertrager HF Verstärker
https://de.wikipedia.org/wiki/Kaskode "Darstellung eines Dual-Gate-MOSFET BF981, der eine integrierte Kaskodenschaltung aus zwei MOSFETs ist."
Jörg W. schrieb im Beitrag #7991397: > "Darstellung eines Dual-Gate-MOSFET BF981, der eine integrierte > Kaskodenschaltung aus zwei MOSFETs ist." Der Transistor mag als Kaskode bezeichnet werden, wird es aber erst durch eine besondere diesbezügliche Beschaltung, welche
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5V in 100V out
bei nem Strom von 40mA auf der Hochspannungsseite. Sperrwandler oder einfacher Trafo? Externer MOSFET? Welches Trafo? Welcher Schaltregler? Vielen Dank für die Hinweise. THX Cheers Detlef
? Für meinen Mosfet-Gegentaktwandler von 5V auf 24V habe ich einen Ferritschalenkern mit einem Durchmesser von 30 mm genommen, der macht 10 Watt bei 20kHz. Die Kühlkörper werden überhaupt nicht warm. 2x15 Wdg. 0,5mm
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Schaltplan mit MOSFET-Treiber und Induktivität
+12V, 10K, S1, L1, D1, T1, IRLZ44N, R1, 10K
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Neue Bauteile: MCX W72, RF-Absicherungsbauteile und intelligentes Hühnerfutter
high-precision stacking technology, the new 1.25kV MLCC addresses these needs, supporting the latest SiC MOSFET technologies. The inherent advantages of C0G in accordance with EIA standards - low loss and stable capacitance over an operating temperature range from -55°C to +125°C - make the new product ideal
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Anran Q3 Max Akku - Spannung zu niedrig
Danke für Tipps. franc -- Auf den ICs steht: [8205A](https://www.shotech.de/de/dual-n-kanal-mosfet-8205a.html) 2223 Das sind Dual N-Kanal MOSFET laut Internet [DW01A 2](https://www.shotech.de/de/battery-protection-ic-dw01a-g.html) Das ist ein "18650 Batteries Protection" IC. Auf dem Akkupack
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit Leistungshalbleitern
075N03L HA0052 Q1 LED 075N03L HAF141 Q2 R2 R1 R3 104 101
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MOSFET Trigger Switch Drive Module mit Spezifikationen
MOSFET Trigger Switch Drive Module 16.5mm/0.65in 36.5mm/1.4in R1 R3 PWM TRIG Q2 IO LED1 GND Working Voltage DC 5V-36V Continuous Current 15A Maximum Current and Power 30A,400W The Trigger Source Digital high-low
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[V] SMD-Bauteile auf Tape & Reel (Restmengen / Rollenreste)
Bidir Vltg-Level Translator A 595-TXS A 595-TXS0108EPWRG4 1000 Toshiba TPC8120(TE12L,V,M) Trans MOSFET P-CH Si 30V 18A 8-Pin SOP T/R 340 Texas Instruments LP38692MP-5.0/NOPB LDO Voltage Regulators 1A LDO W/Enable Pin A 926-LP38692MPX50NO A 926-LP38692MPX50NOPB 1400 Texas Instruments TRS3221EIPWR
LDO Voltage Regulators 3.3V 0.8A Positive 1600 Vishay SI4776DY-T1-GE3 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode (Notebook System Power and Memory) 1600 JST BM02B-SRSS-TB(LF)(SN) Headers & Wire Housings SR HEADER (SMT TOP) 1400 Molex 503398-1892 Memory Card Connectors MICRO SD PUSH
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Verständnisfrage zum Wirkungsgrad eines Abwärtswandlers
9.6W raus. Oder ~10.5W rein und 10W raus. Die 0.5W sind Wandlerverluste und bleiben als Wärme im MOSFET und in der Spule.
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Pullup-Widerstand Stromverbrauch zu hoch
Den Sensor wechseln oder ihn anders montieren, wie schon jemand gesagt hat - Mit dem Sensor einen MOSFET schalten, der dann das Signal für den µP liefert - Den Pullup vergrößern - Die Taktfrequenz senken -
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Tankanzeige eines E36 mit Mikrocontroller Steuern
Ansonsten: Da die Sensoren nach Masse geschaltet sind kann man statt Reedrelais auch einfache MOSFETs nehmen, Preislage wenige Cent pro Stück.
Vadim schrieb im Beitrag #7988257: > Eventuell mit einem MOSFET und > 12V anstelle des direkten PWM Nicht 12V sondern Masse - die Sensoren liegen einseitig auf Masse.
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Wer kennt dieses Bauteil (A2747)
UPA2724 Mosfet https://www.renesas.com/en/document/dst/upa2724ut1a-data-sheet
Thomas W. schrieb im Beitrag #7987725: > UPA2724 Mosfet > https://www.renesas.com/en/document/dst/upa2724ut1a-data-sheet Danke für die schelle Antwort :-)
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Summen am Netzteil mit PWM
lineare Strombegrenzung für die LED > gebaut, bei halbem Dimmeffekt wird die Hälfte der Leistung im MOSFET > verbraten, der wird ggf. heiss. Warum sollte der MOSFET bei einer U_GS von 1,65V ausgerechnet die Hälfte der Leistung aufnehmen, wo doch U_GS(th) schon irgendwo zwischen 1.0 und 2.0V liegt. Wenn
Rainer W. schrieb im Beitrag #7987538: > Warum sollte der MOSFET bei einer U_GS von 1,65V ausgerechnet die Hälfte > der Leistung aufnehmen Soll er nicht. Halber Dimmeffekt = halber LED Strom und wegen auch von dir erkannter Unlinearität eben nicht halbe
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MOSFET, NCh IRLML6244 Alternative (größere Bauform)
18650 Li-Ion 3.7 V 3400 mAh versorgt wird. Der Atmega schaltet über einen Digitalen-Außgang den MOSFET IRLML 6244. Der MOSFET schalten die GND für ein SIM-800l Modul. Jetzt meine Frage: Da der MOSFET IRLML 6244 eine SMD Bauform hat und ich meine Schaltung auf einer Lochraster-Platine aufgebaut
(9600) gestartet. Meine Annahme war, dass ich den Mosfet davor anschalte und die Schaltung so funktionieren kann. Code-Ausschnitt: digitalWrite(mosfet1, HIGH); // Mosfet-Schalter auf High setzen delay(13000); // Give time to your GSM shield log
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Gleichstrom Generator - Leistung regeln
Nun zur Frage: Sollte es möglich sein, die Last am Motor/Generator über einen PNP-Transistor / Mosfet / IGBT mit PWM Signal eines mC zu regeln, sodass die 300 RPM beibehalten werden?
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Fehler "E6" bei Laufband (Maxxus TX7.3)
Oder zwei MOSFETs aus der gleichen Charge. Die teilen sich den Strom evtl. besser als zwei IGBTs.
Ben B. schrieb im Beitrag #7988298: > Oder zwei MOSFETs aus der gleichen Charge. Die teilen sich den > Strom > evtl. besser als zwei IGBTs. Sind halt üblicherweise deutlich teurer.
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Leistungs-MOSFET auf Kühlkörper auf Leiterplatte
1F33AJ FGH40N60 SFD Q8 R48
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[V] K37-3070 und MRF154
Hallo zusammen, verkaufe wie im Anhang zu sehen K37-3070 Transistoren und MRF154 N-Channel Mosfet. Ich weiß das diese Bauteile extrem rar sind und sehr teuer gehandelt werden. Nun biete ich für wirkliche Interessenten ein Schnapper an... MRF154 neu liegt bei Mouser 774,71 € !!! Der K37-3070
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HF Transistoren
https://www.minikits.com.au/RD70HVF1C Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz 70W , 520MHz 50W Original-Datenblatt des Herstellers Mitsubishi: https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/hf/products/datasheet/rd70hvf1c.pdf Zur Beständigkeit
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China Master-Slave-Switch - was geht kaputt?
auftreten. In dem Zerlegevideo ist auch zu erkennen, dass in der Kiste der Ausgang mit nur zwei MOSFETs, aber ohne Schutzbeschaltung realisiert wurde. Also Schrott.
würde es Sinn machen hier zusätzlich was zur Entstörung einzufügen? Was mich wundert - die Mosfets scheinen ja noch zu funktionieren, es schaltet halt bei Last ca. jede halbe sec kurz an
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Vorstellung & Frage über sehr außergewöhlichen Element "9203C" Hersteller JD angeblich
Mini Transistortester zeigt auf Grund seiner geringen Prüfspannungen gern mal falsche Bauteile an, Mosfet werden den Darlington oder so.
Wird einfach ein defekter MOSFET sein.
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Quelle für Reprofilme Leiterplattenbelichtung
Ätzmittel und Entwickler verbrauche und die Platine mehr gekühlt wird.Mal sehen was mein 8 mOhm Mosfet an Wärme abgeben wird (Sepicwandler mit LT3757)Die Fotoplatinen werden wohl morgen geliefert...dann kommt erstmal eine PIC-Testplatine ran, die hat nur wenig SMD-Zeug.
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Messung der Sekundärspannung an einem Diode Split Trafo mit galvanischer Trennung
kein Problem, solange man hochohmig bleibt. Bau` einfach einen starken Sperrwandler mit z.B. 400V-Mosfet auf, da erreichst du selbst 70KV problemlos. Natürlich ist das dann nichts für den Dauerbetrieb... Mit nem großen DST kannst du locker 5cm und mehr selbständig durchschlagen lassen, was weit über
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VIN am Konstantstromtreiber?
Reihe betreiben, die mittels 2 Taster am µC heller oder dunkler einstellbar sind. Bevor ich dafür Mosfets einzeln ansteuere, dachte ich mir kannst einen Konstantstromtreiber verwenden. So der Gedanke. Bleiben die 5V Versorgungsspannung im grünen Bereich trotz der Spule?
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Mosfet Modul mit PWM ansteuern MKS GEN_L V2.1
erinnere 1MOhm auf 10K und 10K auf 1K Was für Widerstände sind auf dem gekauften Modul am Mosfet?
An dem Gate des mosfet der mit Pin 8 geschaltet wird
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EMS Fertigung: 95% Ausfallquote
besonderen Maßnahmen getroffen habe (ok, habe keinen PVC Boden). Am ehesten werden noch diskrete Mosfets am gate beschädigt. In einer bestückten Schaltung müsste wohl direkt der Blitz einschlagen daß da was kaputt wird.
besonderen Maßnahmen getroffen habe > (ok, habe keinen PVC Boden). Am ehesten werden noch diskrete Mosfets am > gate beschädigt. In einer bestückten Schaltung müsste wohl direkt der > Blitz einschlagen daß da was kaputt wird. Na, da weiß ich schon mal wem ich ganz sicher nie im Leben ESD-empfindliche
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Transistoren
12V 10k BC337 1N418 100 IRF5305 4,7k Pin 5 BC337 2200uH 1N418 1000uF GND
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Hilfe mit MOSFET Datenblatt
https://electronics.stackexchange.com/questions/552932/mosfet-on-state-characteristics
H. H. schrieb im Beitrag #7980531: > https://electronics.stackexchange.com/questions/552932/mosfet-on-state-characteristics Danke für die Antwort. In dem von dir verlinkten Beitrag passen die numerischen Angaben recht gut mit den Kurven zusammen. In meinem Datenblatt eben nicht.
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E-Paper Schaltplan
jetzt mit dem ESP + SD-karte + E-Paper von max 500 mA ausgegangen) - Verpolungsschutz mit P-Kanal-Mosfet - Batteriemessung auch zuschaltbar. - 2 Buttons mit Hardwareentprellung Beim schreiben fällt mir gerade noch ein, dass ich die Spannungsversorgung des E-Paper-Displays wie bei der abschaltbar
Das verstehe ich aber nicht ganz. Nach meinem Verständnis schaltet der Mosfet durch, wenn die Spannung am Gate niedrieger ist, als an Source. Da die Batterie bei mir ans Source angeschlossen ist, ist ja der Fall, wenn die Batterie richtig herum ist. Ist sie Falsch herum eingelegt
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Toniebox T1 komplett verschmort - aber worum handelt es sich?
69788/KEC/KTC3121.html 720 würde ich für 72? 2N7002 FormosaMS SOT23=SC59 N-Channel SMD MOSFET https://www.formosams.com/upload/product/Mosfets/2N7002_REV_L.PDF 72? 2N7002 Makosemi SOT23=SC59 Small Signal MOSFET Transistor https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/648895/MAKOSEMI
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Handgezeichneter Schaltplan zur Steuerung eines Lüfters mit MOSFET
12V Arduino Pin Lüfter
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Kennlinie eines MOSFETs
10^2 TOF 15V 10.0V 7.0V 5.5V 3.0V 4.5V ID, Drain Current (Amps) BOTTOM 10^1 10^0 20us PULSE WIDTH TC = 25°C 10^-1 1 10^1 VDS, Drain-to-Source Voltage (volts) Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
MCPORT R2 220 Q1 IRLZ24 T1 BC547 LEDB +12V C1 47μ GND 1R4 R1
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Betrieb einer HighPower IR LED an einem Arduino
das Roulette. Bestenfalls ist es ein Nachbau, wenn es blöd läuft, ein x-beliebiger umgelabelter Mosfet
S. schrieb im Beitrag #7979156: > 4kHz Der TE wird eher 40kHz brauchen, da ist ein kleinerer MOSFET sinnvoll.
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Schaltplan einer Konstantstromquelle mit LM385 und MOSFET
10µ 20µ 50µ 20m 50m + 9 - K LM385 A 124k 124k 30k 62 27 2N2907A 3,3k
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Problemlösung bei einer Schaltung auf dem Breadboard
Der Verdacht liegt nahe, dass auf einer der Platinen die Body-Diode eines Mosfet für das Wunder verantwortlich sein müsse.
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LED Tester Nachbau
ein LM358 direkt, der braucht keinen BS170 dafür, zudem wurde die zusätzliche Verstärkung die der MOSFET bringt nicht kompensiert, deine abweichenden Messwerte könnten also durch Schwingung der Regelung verursacht werden, miss den Strom per Oszilloskop. Zudem stellt sich die Frage, warum man LED mit
LM358 direkt, der braucht keinen BS170 dafür, zudem > wurde die zusätzliche Verstärkung die der MOSFET bringt nicht > kompensiert, deine abweichenden Messwerte könnten also durch Schwingung > der Regelung verursacht werden, miss den Strom per Oszilloskop. > > Zudem stellt sich die Frage, warum
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Motorstartvorgang zieht die Spannung zu sehr runter "CarPC" startet neu.
Antworten. Den Trennschalter habe ich da... https://www.microcharge.de/img/cms/workshop_trenn_mosfet.pdf?srsltid=AfmBOoqOYDJSKF-PgnrBT7tlgoBrPzNsHzBCE0ignIynonQHwNdWOmx6 dann müsste ich den CarPC ja nur an die Zweitbatterie anschließen, richtig? Das mit der Schottky-Diode wäre natürlich am "einfachsten
Dazu muss aber der Spannungsfall groß genug sein, und darum gibt es O-Ring Controller, die den Mosfet so ansteuern, das irgendwie 0,1-0,15V entstehen, um das sicher messen zu können. Das ist leider mehr als ein gut durchgesteuerter Mosfet haben kann. Wenn es andere Kriterien gibt, nach denen
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Hilfe bei CMOS Testschaltung
Ausgänge Q0 bis Q23 nacheinander für je eine Sekunde High werden. Diese steuern dann kleine N-Kanal MOSFETS 2N7000, aber das ist nebensächlich. Funktioniert die Logik, so dass das System jeweils mit Q0 startet? Stimmt der ein Sekunden Takt? Werden alle Ausgänge Low wenn der Schalter offen ist? Ja der
Vorderseite enthält nur die Taster, den DIP-Switch und ein Voltmeter. Die Rückseite die Elektronik mit den Mosfets zur Simulierung der Taster. Die 12V kommen von Außen und hier sind nur eine Drossel und zwei Cs.
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Pspice lib in LTspice
= 27 temp = 27 method = trap Instance "u2:M12": Length shorter than recommended for a level 1 MOSFET. Instance "u2:M14": Length shorter than recommended for a level 1 MOSFET. Direct Newton iteration failed to find .op point. (Use ".option noopiter" to skip.) Starting Gmin stepping Increasing
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Back-to-Back PMOS & Diodenplatzierung
liegen kann. Was bedeuten "kurzzeitig" und "etwas" in Zahlen? Brauchst du deshalb einen so dicken MOSFET?
APV_Series.pdf Ja. > Was genau soll ich damit bzgl. der Ansteuerung machen? Die treiben deine Mosfets. Und das können dann auch n-MOSFET sein, wg galvanischer Trennung.
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Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
+30V_1 PWR_FLAG Q501 DOD4185 1 2 3 R501 47k D503 18V Q502 DOD4185 1 2 3 R502 47k Q521 AO3400A 1 2 3 R522 100 R521 10k GND
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Artnet-DMX-Node mit 2× DMX Out + 1× DMX In, komplett galvanisch getrennt - gibt es ähnliche Projekte
& Schutzkonzept Eingangsseitig: - Barrel-Jack + Schraubklemme - PTC-Fuse - TVS-Diode - P-MOSFET Reverse-Polarity-Schutz - LC-Filter - Step-Down-Modul (R-78B-5.0 oder TSR-1-2450) → +5V_A - Drei isolierte DC/DC-Module → +5V_B / +5V_C1 / +5V_C2 RS485: jeweils PTC, TVS, CMC, Snubber. Optokoppler-Trennung
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Kleinteilemagazine aus Polypropylen und deren Elektrostatik
Bauteilen nicht geeignet. Widerstände etc und komplette Platinen kann man so rein tun, aber einzelne MOSFETs und MOS-Chips sollten in Leitschaumstoff oder Antistatiktüten. Sie sind aber nicht ganz so schlimm wie Polystyrolschubladen.
