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Schaltplan und Kennlinien eines MOSFETs
D1 Q2 DN 2540 R1 GND Typical Performance Curves Output Characteristics VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V ID (amperes) VDS (Volts) Saturation Characteristics ID (miliamps) VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V VDS (volts)
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Schaltplan und Simulationskurven eines MOSFETs
MOSFET_langsam.asc MOSFET_langsam.raw V(gate) 15V 13V 11V 9V 7V 5V 3V 1V -1V V(drain) V(ds) V(esw) I(d(M1)) 3.3kW 300V 270V 240V 210V 180V 150V 120V 90V 60V 30V 0.3kW -30V 50A 45A 40A 35A 30A 25A 20A 15A
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, C7, 100n, Q1, HIN, VB, VS, SD, VCC, COM, LO, LIN, VSS, IR2110, Source1, M1, irfbsl3206pbf, R3, 100k, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, low1, M2, R4, 100k, COM1, irfbsl3206pbf, low1, IR1, D1, C2, 10n, D2, D, trig1, R1, 100k, U1, GND, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, TLC555, C3, 100n, D4, D, R2, 22k, C1, 1n
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, Q1, HIN, VB, VS, C8, Source1, VCC, COM1, low1, IR2110, Q2, LIN, COM, LO, VSS, R3, 100k, irfbsl3206pbf, M1, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, irfbsl3206pbf, M2, low1, R4, 100k, COM1, trig1, R1, 100k, C2, 10n, D1, D2, D, D, D4, D, R2, 22k, C3, 100n, TLC558, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, C1, 1n
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
Vcc V1 V2 D3 C6 U2 high1 IR2110 VD D C7 100k Q1 VB VS VCC 100n COM1 low1 M1 irfbsl3206pbf 30V R3 100k Source1 R_mot1 L_mot1 0.6 1.5m SD LIN COM VSS LO Q2 M2 irfbsl3206pbf low1 R4 100k D1 1N4148 C2 10n D2 1N4148 COM1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 TDZV15 R2 3k V6 V7 5 0
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
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Schaltplan mit MOSFET und Messpunkten
I: -77.2 nA I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(dc): -77.2 nA I(freq): -- Q1 IRLML2244TRPBF V: 5.00 V V(SS): 0 V V(eff): 0 V V(dc): 5.00 V V(freq): -- TK1 TK2 TK3 LIPO 4.2V S1 Taste ichen 10 kOhm [4108R-1-103] R1A Netzteil 5V R2A 100 Ohm [4108R-1-101]
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Schaltplan und Kennlinien eines MOSFETs
D1 Q2 DN 2540 R1 GND Typical Performance Curves Output Characteristics VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V ID (amperes) VDS (Volts) Saturation Characteristics ID (miliamps) VDS (volts)
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Schaltplan einer MOSFET-Leistungstreiberstufe
PWM 8, X2-1, D9, 1N4148, D1, D8, D11, 1N4148, X2-2, PWM 7, X2-3, PWM 6, X2-4, PWM 5, X2-5, PWM 4, X2-6, X1-5, PWM 4, X2-7, PWM 2, X2-8, PWM 1, X1-6, PWM 3, X1-7, PWM 2, X1-2, PWM 6, X1-4, PWM 5, X1-1, PWM 8, Q1 IRF540, Q2 IRF540, Q3 IRF540, Q4 IRF540, Q5 IRF540, Q6 IRF540, Q7 IRF540, Q8 IRF540, Q9 BD645, Q10 BD645, Eingänge, Ausgang Schalter 2, Ausgang Schalter 1, Eingang Schalter 2, Eingang Schalter 1, Eingangs PWM, +12V, V+, GND, Masse 12V
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Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+3.3V R3 10kΩ Q2 IRLML2244 3 1 2 Last Eingang 3,3V R1 10kΩ R2 10kΩ Eingang 3,3V Q1 BC337-40 1 2 3 GND
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Diagramm der Transferkennlinie eines MOSFETs
Transfer Characteristics 10 8 6 4 2 0 0 -1 -2 -3 ID DRAIN CURRENT (mA) VGS - GATE-SOURCE VOLTAGE (V) VDS = 15V VGS(OFF) = -2.6V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C VGS(OFF) = -1.8V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C
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Schaltplan einer Röhrenansteuerung mit MOSFETs
https://pan.baidu.com/s/1XozbSJw p7hQpwZpr6m2vTQ#list=path=%2F D1 5400 D2 5400 C1 2200V 400V C3 2200V 400V D5 LED C2 1K 2W R2 D10 1N4007 Q2 MJE13009 Q1 A04 R3 20K 2W D6 1N4764A (100V) R1 300K 2W D7 1N4764A (100V) C4 0.1U 400V D8 1N4747A (20V) C5 100U 400V C6 0.1U 400V D12 LED R4 300K 2W 1T 2T 3T EL84 Pls note : 6P14 tube stabilivolt is 300V,when the low high gate voltage is 300V Pls dont solder the D8 voltage-regulator diode(20V)
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
Vss, AO3400, Out Pin, DO, 1kΩ, 70kΩ, GND
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRLML2502PbF Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 20 — — V VGS = 0V, ID = 250uA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.01 — V/°C Reference to 25°C, IB = 1.0mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — 0.035 0.045 Ω VGS = 4.5V, ID = 4.2A — — 0.050 0.080 VGS = 2.5V, ID = 3.6A VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.60 — 1.2 V VDS = VGS, ID = 250µA ΔVGS(th) Gate Threshold Voltage Coefficient -3.2 — — mV/°C
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Querschnittschema einer MOSFET-Struktur
Gate, Emitter, N+, P+, N-, Kollektor
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Schaltplan einer Gleichrichterbeschaltung mit MOSFETs
a 1 2 3 Q2 BF245B C1 1µ R1 0R 2k7 R2 Q1 BF245B 3 2 Rectifier1 4x 1N4148 + - LED1 b
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Schaltplan mit MOSFETs und Spannungsquellen
R3 10k V1 5 S G D Q2 NMOS S V_ADC V2 30 S G Q1 PMOS D 10k R5 V3 VPULSE =10 td=2u tr=2u tf=2u tw=500m per=1000m
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
U1 LT3014B IN OUT ADJ GND V2 55V R1 43k C1 4u7 V-trafo 50V Rser 2.0 R2 1k21 Rbias 10k I1 0 M1 Si7461DP Vin R3 1k D1 BZX84C12L Vout .dc I1 0A 8A 0.01
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolartransistoren
12V 2k2 IRF4905 RbPi 3,3V 3k3 RbPi Input Device 1N5819 BC547 4k7 oder mehr 10k BC547 47K RbPi Output GND
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Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
V1 5 VCC 12 U1 LTC6078 VCC Vset R5 10k R6 100 M2 IRLML6402 Rsense 50 Vset C1 100n R1 100 PULSE(0 3 0 50m 50m 0.1 0.3) .tran 0 1 0 10u
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Schaltplan eines MOSFET-Moduls
S1 1 8 D1 2 G1 7 D1 3 S2 6 D2 4 G2 5 D2 Top View
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V, 10k, 100n, BC547B
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Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFETs
R1 1.6kohm Q1 BS170 R2 62kohm Q2 BS170 R3 5100kohm Q3 BS170 V1 3V BPW21 AD8571 1 2 3 4 5
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
VCCSYS/2.8C, R4 232K, Q2 IRF9333, R6 100K, X1/5.5B, X2/5.5B, S1, R5 100K, C1 10uF, Q1 BSS123, R1 30K, R3 10K, GND
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Schaltplan einer Schaltung mit MOSFET
R5 100k R_Schutz 10k Q1 BSS123 D1 1N4148 R1 30k R2 100k R3 10k C1 100n
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Diagramme aus einem MOSFET-Datenblatt
IRFB812 Datasheet, PDF; Fig 12. Maximum Safe Operating Area; Fig 13. Maximum Avalanche vs. Drain Current; ID, Drain-to-Source Current (A); VDS, Drain-to-Source Voltage (V); EAS, Single Pulse Avalanche Energy (mJ); Tc = 25°C; Tj = 150°C; Single Pulse; 100µsec; 1msec; 10msec; DC; TOP; BOTTM
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Schaltplan mit MOSFET und Transistoren
HS1 Heatsink IRF Q3 V-PMOS 55V/74A 200W ca. 20mOhm (38A) GDS IRF4905 3 2 R4 120k G R7 10k LN8 680R R3 LN2 Q4 8 2 BC547C R9 120k C2 4,7uF R10 120k Q5 Ugs(th) 0,6-1,2V 3 1 IRLML 2502/6244 8 6- Q6 8 2 BC547C 3 GND GND GND
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Leistungs-MOSFET auf Leiterplatte
IRFP45N50N Y92K AB RF18 R11 200 R38 208 029 8 1007
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Schaltplan mit MOSFET und Magnetventil
GND D6 R1=10k IRLZ34N G D S + - Selenoid
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Schaltplan einer Motorsteuerung mit MOSFETs
+12V TP15 Trennung T3 BC817-40,215 Drain D4 BZX84C51LT1G T4 TPH2R608NH,L1Q +12V R15 1k R16 390R TP19 R17 33R T6 IRLML0040TRPBF TP20 T8 IRLML0040TRPBF MOTOR PWM R19 10R R25 10k TP25 GND T7 BC807-40,215 GND TP21 GND
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 250nF 75K 10V 24V_OUT 75K GND GND
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
24V_IN 2R 24V_OUT 75K 10V 75K ENABLE GND GND
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRF3708/S/LPbF International IOR Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 — — V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.028 — V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — 9.5 13.5 mΩ VGS = 10V, ID = 15A — 14.5 29 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A — — — mΩ VGS = 2.8V, ID = 7.5A VG(th) Gate Threshold Voltage 0.6 — 2.0 V VDS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current — — 20 µA VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C — — 100 µA IGSS
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Schaltplan eines MOSFET-Verstärkers
VDD R1 Vout rin M1 M2
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Schaltplan einer Spannungssteuerung mit MOSFETs
Power J1 3 +5V 2 3.3V 1 GND Q1 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R1 2k1 +5P 1 D1 Powersv GNDD GNDD Q2 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R2 1k8 +3.3VP 1 D2 Power3.3V GNDD
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Schaltplan mit Mikrocontroller und MOSFETs
IC1 LM385Z-1.2, MEGA835-P, U8 IRML64, U7 IRML64, U6 AT30TSE752A, U5 IRML64, U4 IRML250, U3 IRML250, U2 IRML250, U1 IRML250, BAT_UC_MEAS, BAT_FUNC_MEAS, LED1, LED2, S21, S11, JP5, JP6
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Schaltplan mit MOSFET-Schaltern
Poly_direct X OUT1 7,8 Q3A BUK9K25-40E P7-SPI MOSI R8 1k00 GND Poly_direct X OUT2 5,6 Q3B BUK9K25-40E P6-SPI CSB R7 1k00 3 GND Poly_direct X OUT3 7,8 Q2A BUK9K25-40E P5-SPI CLK R5 1k00 GND Poly_direct X OUT4 5,6 Q2B BUK9K25-40E P4 R3 1k00 3 GND
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MOSFET mit Kühlkörper auf Lochrasterplatine
IRL540N IQR H2380 B9P0
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Schaltplan mit MOSFET und Widerstand
+12v 80NF70 N Cl Mc Pin1 Gate Drain Pin2 Pin3 Source 10k
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
+5V Q1 VBUS R2 VREG 100R D1 R1 100k GND
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Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
1 2 U1A 3 1 Eingang (ca. 4...7,5V + Weitere Beschaltung R1 100k R2 100 3 Q1 2N7000 2 1 R3 100k GND
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Schaltplan mit MOSFET-Schalter
+5V, S1, 1, 2, R1, 10k, C1, 100nF, +12V, R3, D, Q1, RLB3813PBF, G, S, R2, GND
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
R1 4k3 V1 5 2N3906 Q3 R4 4k3 R2 15k V2 -5 M1 AO6408 -Vsw R_DummyLoad 120 .tran 50ms
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
V1 5 R1 1k Q3 2N3906 R3 10k R4 10k R2 15k M1 AO6408 LAST 100 V2 2 .tran 50ms
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Schaltplan einer Konstantstromquelle mit MOSFET
35 Volt 1 2 C1 10000uF Nr. R1 100 Tsd. Nr. R2 100 Tsd. R3 10 Tsd. D1 D2 D3 IRFZ44
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET
5V V1 5 R5 10k R6 100 IRLML6402 M2 VCC U1 Y VCC V2 12 C1 1n R1 100k R2 1k Soll Vset PULSE(0 3 0 50m 50m 0.1 0.3) .tran 0 1 0.00001 Rsense 50
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Schaltplan mit MOSFET und LDR
Q1 IRLZ24 2 3 1 R1 220k R2 LDR LOAD1 2 1 + - VCC1 PWR_FLAG
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Schaltplan einer Batterietrennung mit MOSFET
Wohnbereich 140 Ah Fahrzeug-Steuergerät T1 PWM-Signal S1 Freigabeschalter Wohnraum-Elektrik Schließer Q1 MOSFET IRF5305PbF E1 Licht Wohnraum (noch nicht vorhanden, vermutlich LED) Steuereingang Wohnraum-Elektrik Q2 Batterie-Trennschalter MOSFET im Victron Battery Protect
