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Class D TL494
gehangen mit Messungen. FET192 30NQ15T Gate - 73V Drain - 15,7V Source - 77V FET 401 IRF540 Gate - 76V Drain 50mV? Source - 76V FET 191 30NQ15T Gate +19V Drain +77V Source +15,5V Ben B. schrieb im Beitrag #6100201: > Liegt an den Audio-Endtransistoren ein sauberes Rechteck
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IRFZ44 identifizieren
Stück besser sind. Ich habe eine elektronische Last mit FETs realisiert, also habe ich von einem IRF540 die Kennlinie U(GS) gegen I(DS) aufgenommen. Ich habe mehrere aus der selben Charge, und dann im realen Aufbau gesehen, dass meine zwei Kanäle erheblich streuen. Meine Schaltung beherrscht das, aber
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N-Channel MOSFET P20NM60FP
IPA80R900P7 Strommäßig etwas mager. Schau dir den WML10N80D1B an, der passt als Ersatz für den IRFS540B.
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BUZ11 geht kaputt..
Also mit MOSFET geht das allemal und wird auch häufig gemacht. IRF540,IRF840,IRFBC40.... Was die Schaltverluste angeht sind MOSFET meist besser als Bipolar. Weniger Leistung zum Schalten bei höheren Schaltgeschwindigkeiten. Deswegen werden auch in fast allen Schaltnetzteilen
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Welche PWM-Frequenz für DC-Motorsteuerung?
Ding läuft mit allen PWM Frequenzen(Hardware) die der AVR zur Verfügung stellt ruhig, habe dazu nen IRF540 oder nen BUZ11 verwendet, das Ding wird handwarm aber man braucht umbedingt ne hohe Gatespannung sonst erwärmt er sich sehr stark. Ich habe da einfach mittels Widerstand und Z-Diode gemacht und das
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Projekt Stromsenke
Schaltung? Und sind das 0R1 Shunts, wie man im Foto sehen kann? Ich habe die Schaltung mal mit einem IRF540 simuliert. Da schwingt nichts. Allerdings habe ich eine ideale Spannungsquelle am Ausgang angenommen. Gibt man der einen realen Innenwiderstand, gibt es etwas Ringing. Gib doch mal an den Ref-Eingang
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MOSFET hohe On resistance rDS
weglegen und irgendwann mal für was anderes (z.B. lineare > Andwendung) benutzen. Richtig, den IRF540 hatten wir vor Jahren in Leistungsverstärkerendstufen - die Burschen sind für Analogbetrieb.
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Variable Last zwischen 0 und 1Ah
Nano plus MCP4725 12-Bit-D/A-Wandler und einen Strom- / Spannungssensor INA219. Als FET kommt ein IRF540 zum Einsatz, der zwischen ca. 3,7 und 4,8 Volt am Gate recht zahm zu steuern ist. Der Regelkreis ist damit im µC und ziemlich langsam. Zusätzlich habe ich zwei Festwiderstände, die ich mit je einem
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Verlustleistung am MOSFET bei PWM
genauen Parameter ja doch nicht. Also nochmal, - Stabilisierte Spannung - am Gate 470 Ohm - IRF540 geht, besser ist IRF1010N, IRFP 045N oder IRFP064N - Ansteuerung PWM 100Hz...3KHz - Versuchsaufbau mit Kühlkörper (siehe oben) aufbauen und sich langsam herantasten und Temperatur im Dauertest
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Hilfe bei Transistor-Auswahl zur Relais-Ansteuerung gesucht
uns gegebenenfalls später > noch mal unterhalten. Habe gerade noch nach MOSFETs gesucht, der IRF540 macht auf mich einen geeigneten Eindruck. R2 dient als Pull-Down-Widerstand, korrekt? Welchen Zweck soll R1 erfüllen?
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Zwei MOSFETs parallel in Stromsenke - als Shunt LEM-Wandler - wie zusammenschalten?
brauche bitte mal Hilfe. Ich habe jetzt in der MOSFET-Übersicht geguckt und mir mal das Datenblatt vom IRF540 angeguckt, welcher laut Übersicht für den Linearbetrieb geeignet ist. Angehängt mal das SOA-Diagramm. Wo sehe ich denn hier jetzt, dass Linearbetrieb geht?
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Schneller Treiber (Mosfet)
für so ne geringe spannung...fällt mir spontan: als treiber MIC4100 und als fet IRF540Z ein... aber falk hat schon was wichtiges angedeutet: ein d-amp ist etwa 5x so "schwierig" zu bauen, wie ein A/B amp ... >Eine Lieste von Treibern und Fets mit hervoragenden Eigenschaften,
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Mosfets brennen durch
PWM-Fahrtregler ohne Mikrocontroller. Setzt man statt des angegebenen BUZ11 einen besseren FET von IR ein (IRF540/IRF1404) ein, so kann man ruhig 10A ansetzen. Ich hänge Dir auch mal diese (recht alte) Schaltung an. ...
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Suche Akkuladung via Netzteil per GPIB
#4870725 Ich habe dann einen Eigenbau gemacht, ein Arduino-Nano regelt über einen D/A-Wandler einen IRF540 als Stromlast. Dazu gibt es noch zwei Leistungswiderstände, deren Zuschaltung der µC rechnet, um die Leistung am IRF im Zaum zu halten. Jörg W. schrieb im Beitrag #7467647: >> Obwohl bei LiPo Akkus
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SNT für Audio-Symmetrierer
Gehversuche) und damit einfach mal einen Gegentaktflusswandler (SG3525) und einen Sperrwander (UC3845) mit IRF540N aufgebaut. Beides hat seltsamerweise sofort auf dem Breadboard funktioniert, wenn man ein wenig die Masseführung beachtet :). Für den Test hab ich erstmal zur Reglung sekundärseitig angeschlossen.
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Warum Brückengleichrichter aus Einzeldioden?
für Solargartenbeleuchtung realisiert, Netzteil/Relaisplatine raus, Lochraster mit Sicherung/Diode/IRF540 rein, fertig...
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Probleme mit Konstantstromquelle
bipolaren. Schön wäre aber, einen "zahmen" FET zu haben, also keinen steilen Schalter. Ich habe das mit IRF540 gemacht und mich gewundert, wie heftig zwei verschiedene mit identischem Fertigungscode streuen. Bernhard schrieb im Beitrag #7773293: >>> Dadurch gibt es einen Unterschied zwischen dem mit den
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MOSFET Linearbetrieb möglich?
bezüglich des SOA-Diagramms bedanken. Jetzt habe ich aber dann eine Frage: In der Übversicht wird der IRF540 mit "Linearbetrieb möglich" beschrieben. Im SOA-Diagramm des Bauteils ist jedoch nichts von einer DC-Kurve zu sehen. Woher weiß man das also hier? Danke!
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MOSFETs werden heiß - Brushlesscontroller
Der IR2102 ist jetzt nicht unbedingt der stärkste Treiber, aber IRF540 haben auch relativ kleine Gateladungen im vergleich zu modernen Leistungsmosfets. Eigentlich sollten 220nF ausreichen. Wie groß ist denn deine maximale Einschaltdauer des Highside Fets?
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Lade IC
gelesen zu haben. und für die geringe Energie bei Ladegeräten reichen eigentlich ein gängigen FETs(IRF540, BUZ11....) aus, also die schaffen bei 5V VGS und niedriger Frequenz locker einige Ampere, notfall versorgt man das Gate über einen Widerstand mit der Spannung die vor dem Spannungsregler anliegt(meinst
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Attiny 13 temperaturgesteuerte Servoschaltung
Marcel B. schrieb im Beitrag #4768825: > KS.png Nimm aber bitte nicht wirklich den IRF540. Die alte Kiste schaltet bei 5V nicht besonders weit durch. Ein IRLZ34 oder IRLZ44 tuts da wesentlich besser.
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MOS transistoren ausmessen und selektieren? Bzw. Welche Typen?
lieferten die 300 Watt Sinus an 100V (Beschallungstechnik). Soweit ich erinnere, wurde das mit mehreren IRF540 realisiert. Hatten die damals MOSFETs, die von diesem Problem nichts wussten?
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FET bewusst langsam schalten
> > Beitrag "MOSFET für eine Stromgesteuerte Stromquelle" In diesem Thread benutzt er den IRF540. Genau die habe ich in meinem Akkutester verwendet, weil sie sich in einem gewissen Bereich U(GS) relativ zahm steuern lassen. Ich steuere die über 12bit-D/A MCP4725 direkt an. Ich musste allerdings
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Drehzahlregler für höheren Strom umbauen
angepasst werden. Wenn 20A ausreichen, dann würde ich wie Achsel vorgeschlagen hat einen weiteren IRF540 (für jeden Fet ein Gatewiderstand, den Stromfühleranschluss nur von einem Fet anschliesen) parallel schalten. Dann kann die Schaltung so bleiben wie sie ist. Der Strom teilt sich dann auf die beiden
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A3986 Rgate berechnen
fellow does not have the driving capacity for short turn on and off times needed to control FETs like IRF540 at high currents, for example the total gate charge for a gate voltage of 15 volt is about 70nC. Cgate= Qtotal / Vgate = 4.6666 nF= 4666.6 pf using Qtotal = Icharge * T charge you can calculate
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Schaltplan mit MOSFET und Batterien
R? R 1 2 Q? IRF540N 3 BT? Battery BT? Battery R? R
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Schaltplan einer Pumpensteuerung
VCC PUMP DB301V-3.5-2P-GN D3 1 1 2 2 1N4001W_C18199085 pump1_PWM Q1 IRF540NSTRLPBF GND VERIFIED Pump
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Wie einen Klasse A Amp auf eine bestimmte Impedanz auslegen? Gesperrt
Den IRF540 habe ich nicht in der lib, deshalb der andere typ, sorry. Ist jetzt ein Split-Load, klassisches Katodyn. Bringt Dir die doppelte Leistung gegenüber dem Folger. LG old.
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
3V3, 24V, R4 1k, R1 10k, D1 1N4007F, 1, 1, 2, 2, PWM_3V3, R3 1k, Q2 BC847 1G, R2 10k, Q1 IRF540S, GND
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Schaltplan und Diagramme von Transistorschaltungen
1k, PNP, IRF540, 1k, 4, Sourcefolger Kurve AM1, Sourceschaltung mit Lastwiderstand in Drainleitung Kurve AM2, Sourceschaltung mit Lastwiderstand in Sourceleitung Kurve AM3, 25, 300m, 150m, 0, AM1, 6.00, 3.00, 0.00
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Projet um die Kapazität von Akkus zu messen
im Beitrag #6060356: > Mein Problem war die Prüfung von 1,2V NC-NM-Akkus Ich betreibe einen IRF540 als Stromsenke und steuere diesen aus einen D/A-Wandler an, UGS ab etwa 3,5 Volt. Bis 0,8V herunter kann ich den Strom zuverlässig halten. Ich hätte den gerne stärker gegengekoppelt, aber dann wird
dimensioniert werden muß: Ich habe zwei niederohmige LL-FETs samt Leistungswiderstand eingesetzt, der IRF540 im Analogbetrieb übernimmt nur noch die Feinregelung bzw. wenig Leistung. Wann welcher Widerstand zugeschaltet wird, kann der µC rechnen.
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Frage zu Transistoren
ILD74 funktionieren die wie ein Relay ? Könnte man die nicht vor die durch andere Transistoren (IRF540 zb.) ersetzten Triacs schalten. Ich kann mir beim besten willen nicht vorstellen das es nichts einfaches gibt womit man bei einem 5V Impuls (vom MC14514 kommend) einen Transistor ein und auch wieder
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Stromsenke für 10A bei 24V
meisten Strom genehmigen und daduch noch wärmer werden...and so on Als Beispiel soll hier mal ein IRF540 dienen, in dessen Datenblatt ist es die Abb. 3(Typical Transfer Characteristics): Niedriger geforderter Strom durch die MOSFET -> niedrige notwendige V_GS ->der wärmste MOSFET bekommt am meisten
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Schaltplan mit Optokopplern, MOSFETs und Spannungsreglern
OK4 TLP 250 R5 GND R6 TLP 250 OK5 R16 R18 Q9 Q10 IRF540 R15 VDD GND IC3 78L12Z C7 C8 C5 C6 VI VO GND D2 D4 IC4 78L12Z C9 C10 C11 C12 D3 D5 IC6 VI VO GND PRI
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HC SR-501 + shematic + funktion + Bauteile spec
ich da verschiede Schaltbilder gefunden, und mir ist nicht ganz klar auf was zu achten ist. 3. IRF540 hatte ich leider nicht zur Hand und hab's mal mit 2n7000 probiert, jedoch ohne Erfolg. Könnte sowohl an der Beschaltung wie aber auch an der Dimensionierung der Wiederstände liegen. Bin einfach
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Schutz von MOSFET in 24 V Umgebung mit Lichtmaschine
Vergiss es. Es sind auch 'Arduino-kompatible' MOSFet Schalter im Verkauf, auf denen ein simpler IRF540 sitzt - völlig ungeeignet zur direkten Ansteuerung durch 5V.
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Heizmatte mit MOSFET schalten -> Mosfet heiß :(
Wenn das wirklich IRL540 sind und nicht etwa IRF540, sollte es bei 5V zwischen Gate und Source wenig Verluste im MOSFet geben, wir müssen aber was über die Ströme im Heizdings erfahren.
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Ausschnitt eines Schaltplans
OK5, R6, 2, 3, 8, 6, 5, TLP 250, VDD, Q9, IRF540, S, R16, R18, Q10, GND, IC3, 78L12Z, 3, VI, + VO, 1, C5, C7, C6, 2, GND, C8, TR2, 10, D2, IC4, 5, D4, 2, VI, VO, 3, D3, C9, IC5, 78L12Z, 3, VI, + VO, 1, C11, C10, 2, GND, C12, D5, 2, VI, VO, 3, IC6
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Elektrofahrzeug, Leicht-KFZ, Klasse L6E 45km/h- Selbstbau - PWM, Raspberry und was dazugehoert.
Zwischen RasPi und "Riesenmosfet" haengt eine diskrete Emiterfolger-Treiberstufe, die einen (irf 540n wars glaube ich) weiteren Mosfet ansteuert, der dann auf das Gate geht. Die Anregung dazu kam von hier: http://www.mikrocontroller.net/topic/84802 Das Gaspedal wird auf ein Poti gelegt,
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Schltnetzteil Spule auslegen
hier mal den Schaltplan rein. Das IC eist ein TL 494 und der Transistor ein BUZ 21 bzw. jetzt ein IRF 540N (habe ich im Zuge der Reparatur getauscht) Der Defekt der Spule äußert sch folgendermaßen der Kern in der Spule scheint mechanisch zu schwingen (die Vergussmasse hat auch Risse) und das ergibt
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el Last - Bauteilauswahl
zur Baustelle fahren will. Es gibt FETs, die einen gut handhabbaren Linearbetrieb aufweisen, z.B. IRF540. Bipolare werden lästig, weil sie bei der Auslegung recht viel Ansteuerleistung benötigen. Paul schrieb im Beitrag #6687632: >> Welche Mindestspannung? > 6S ist das kleinste was dran muss, also
Eine Stunde überlebt das Ding, aber für Dauerbetrieb ??? Als FET soll Paul dann gerne 30 Stück IRF540 / IRF840 oder ähnlich verbauen :-)
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Stromrichtung FET
Hifi-Lautsprecher. Und "International Rectifier" entwickelte sich zum Top-Player mit seiner Reihe um den IRF 540, auch IRF 640 herum. Dort war auch exakt beschrieben, wie man die (hauseigenen) Power-Mosfets in einer H-Brücke anzusteuern hat, damit man eben keine externen Dioden mehr braucht. Der englische Lehrsatz
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Datenblatt URL ändern?
das nicht durch den Nutzer editieren. Falscher Link: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Richtiger Link: https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/irl540n/ https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRL540N-DataSheet-v01
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5V mosfet mit 3,3V gpio pin steuern
alles nicht. So ein rumgezicke! > Seht euch an, wie das früher hier gesittet zuging > Beitrag "irf540ns - pull-down notwendig?" > Ich hab da einfach wahllos was rausgegriffen. Suche:"MOSFET", Seite 280 > aus dem Jahr 2005. > Ich mein ja nur > > StromTuner > edit: > Bezog sich auf die oberen
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Phtovoltaik-dumme Frage der Woche
ich Halbleitern zumute. Ich hab ein Spielzeug Testversion zusammen gebastelt. Dabei kam raus das Irf540 an einem 8cm Zylinder zerdrückt zu werden :-( Das sollte bei Boilern mit 30 oder mehr Durchmesser nicht passieren. Dann empfiehlt es sich je einen Widerstand Gnd (PV-) zu Source zu hängen damit nicht
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H-Bruecke .....
EXPLODIERTEN" die Fet's. Also keine Überhitzung sondern die wurden regelrecht gesprengt ! Ein IRF540 müsste doch 100V und 27A vertragen. Bitte um Eure Tipps um das in den Griff zu bekommen. Gruss Gerhard
