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Schaltplan mit Bipolartransistor und MOSFET
+3V3 R1 10k J1 GPIO 1 J2 GND 1 R2 10k +5V R3 10k Q1 BC547 1 2 3 Q2 IRLZ44N 1 2 3 +12V R4 Last GND
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Schaltplan mit MOSFET und Signalkurven
VG HIGH LOW VPOW HIGH LOW S D G VPOW 1M
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= J1 Eingang 19~ R1 22 kOhm 1 2 4 1 U2 LTV-814, PC814 2 3 R2 47 kOhm C1 10 uF R3 2,2 kOhm D2 LED rot Q1 2N2700 R4 2,2 kOhm D3 LED grün Q2 2N2700 GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit MOSFET und Relais
+12V Q6 BSS84 R17 1k R18 10k Trigger 8 10 5 3 G6S-2-DC12 K1 D15 MMSD4148 9 4 12 1 GND
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Schaltplan mit Transistoren und MOSFETs
R2 680 R4 200 Q4 PNP R3 200 Q3 PNP R1 680 Q2 NPN Q1 NPN Q6 BUZ11 R6 1k R8 470m Q5 BUZ11 R5 1k R7 470m
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Schaltplan mit MOSFET und Widerständen
R3 4k7 +12V G Q1 IRF5305 R2 100 D
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Schaltplan mit MOSFET und Batterien
R? R 1 2 Q? IRF540N 3 BT? Battery BT? Battery R? R
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Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFET
V4 U=1 mV V1 U=15 V V3 U=3 V SUB1 VCC VEE R1 R=1 kOhm T_BSS84_1 Vt0=-1.6 R2 R=1000 kOhm SUB2 VCC VEE V2 U=15 V
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Schaltplan mit Zenerdiode und MOSFET
+ IN, 10k, Z-Di, MC, G, S, 1k, R1, 2k2, P-Kanal, D, BC547, +OUT, GND
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFET
VUART Q10 AO3401 3 2 5V Q11 MMBT3906 1 Q12 MMBT3906 1 R67 100K R68 470K GND GND
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Schaltplan mit MOSFETs und Diode
+15V R1 10k V1 BSS138 VCC /uC-OUT +15V V2 GSFC0601 V3 TS4148 VCC Load
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
+12V Q1 IRF4905 R1 10k S E A 5k R3 IC1 CLIP D1 5V6 R4 330R R2 10k LOAD Q2 BC337 S1 ON 1 2 GND
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L D3 CD4030B U4 V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L R1 100 D3 D V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Produktdetailseite eines Infineon MOSFETs
Active and preferred RoHS Compliant BUP06CP038F-01 Radiation tolerant, -60V, -35A, P-channel MOSFET, PG-TO252, 30krad(Si) TID Data Sheet Package
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Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
VCC R3 10k ESP32_EN S1 C8 1uF Q1 BSS138 FTDL_NDTR R1 10k FTDL_NRTS R2 10k BSS138 Q2 S2 R4 10k VCC ESP32_IO0
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsregler
+5V, VBAT, 3, Q1, BSS84, 1, D1, 2, VIN, R3, 100K, C1, 10uF, GND, 3, 100K, TP1, U3, ME6211, 1, VIN, VOUT, 5, +3V3, EN, 2, GND, C2, 10uF, GND
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Nahaufnahme eines MOSFETs auf einem Kühlkörper
MOTOROLA 713 SJE950
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
VIN VOUT Q1 R1 SENSOR R2 Q2 D1 RESET R3 GND
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET
J1 JST_PH_B2B 1 VBUS R1 3M3 +3.3VP R2 3M3 +3.3VP R3 3M3 GND1 R4 10k GND1 J2 JST_PH_B2B 1 GND1 C5 1u GND1 C1 100n +3.3VP IC1 AMC1411QDWLRQ1 8 VDD2 7 IN1P C2 100n 6 OUTP 5 IN1N 4 GND2 3 SHTDN 2 OUTN 1 IN 1 VDD1 +3.3V U1 NXE1S0303MC 8 +VIN 3 C4 100n 7 +VOUT 4 GND 1 -VIN -VOUT L1 15u 744773115 GND1 C3 10u GND1 H1 MountingHole M2.5 H2 MountingHole M2.5 GND
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
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Schaltplan einer Gleichrichterbeschaltung mit MOSFET
R1 47R/5W, T1 IPW60R041C6, R5 220k/1W, X1-2 +250V, X1-4 GND, R3 22k/1,5W, D4 12V, R2 33k/2W, D3 *, D2 100V, D1 150V, C1 47µF/350V, C2 100n/500V, C3 100n/500V, R4 220k/1W, X1-1 +300V, X1-3 GND
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Schaltplan mit MOSFET und MCU
3,3 V MCU 2N7002/BSS138
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V 10k 100n BC547B
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+17V,22k,100n,220k
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MOSFET und Dioden auf Holzuntergrund
IRFPC50 IVR 4F7G 9934
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Schaltplan mit MOSFETs und Motorsteuerung
OC Licht (grün) DC/DC + 1 kΩ OC Motor (gelb) + 24 V IRF4905 + 24 V (braun) 0 V Motor + (rot) MBR010100 0 V (blau) DC/DC -
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
3V3, 24V, R4 1k, R1 10k, D1 1N4007F, 1, 1, 2, 2, PWM_3V3, R3 1k, Q2 BC847 1G, R2 10k, Q1 IRF540S, GND
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Schaltplan mit Mikrocontrollern und MOSFETs
IC3 13 16 VCC R6 300k R5 300k C4 10n C5 100 VEE GND T3 T4 2xSi2302 IC1 12 X0 X 13 R1 300k IC2 PB5 5P C3 100n PB3 PB2 T1 Si2301 PB4 PB1 4 5 PB0 00 R2 100k 14 X1 15 X2 11 X3 1 10 INH 10 9 A B 3 Y0 Y1 Y2 Y3 3P6-7N2 10.8V 4052 7N2 3N6 00 3P6 X7 X6 X4 X1 R3 1M T2 Henrik Haftmann b6s-abschalt 31.08.2023 14:35:18
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Schaltplan mit MOSFETs und Last
2N7002 LOAD
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Schaltplanausschnitt mit MOSFET und Widerstand
MW-DIM, R6 300Ω, IO6, U7 SI2302DS-T1-GE3-ES, GND, U8 PWM, GND
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Schaltplan mit zwei MOSFETs
+5VUSB 3 1 Q? SI2371EDS 2 GATE 1 2 Q? SI2371EDS 3 +5VLM +5V
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
SPB20N60S5 Q2 47K R6 100R R7 100R C6 Q3 2N7002 D4 BZV55 R9 0R33 R10 0R33 GND Infineon SPB20N60S5 VDS 600 V RDS(on typ.) 0.16 Ohm ID 20 A 47K R12 100R R14 100R R15 C8 Q4 2N7002 Q5 D7 BZV55 GND
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
+5V R26 2k2 Scope: GRÜN R32 0R3 Q12B DMT3020LSD +12V R30 10R C15 330n R28 100k GND Scope: BLAU R31 2k7 Q12A DMT3020LSD Rechteck Signal R29 100k GND
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRFZ44NPbF Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise Parameter Min. Typ. Max. Units V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 — — V ΔV(BR)DSS/TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.058 — V/°C RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — — 17.5 mΩ VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 — 4.0 V Gfs Forward Transconductance 19 — — S
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRLZ44NPbF Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise Parameter Min. Typ. Max. Units V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 — — V ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.070 — V/°C — — 0.022 RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — — 0.025 Ω — — 0.035 VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.0 — 2.0 V Gfs Forward Transconductance 21 — — S
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Blockschaltbild eines MOSFETs mit Schutzfunktionen
Drain Overvoltage Protection Gate Input ESD Protection Temperature Limit Current Limit Current Sense Source Figure 1. Block Diagram
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Schaltplan mit MOSFET und Operationsverstärker
+5V R_ShuntBig ADC_IN RLOAD GND Q3 NCH_Mosfet 1 3 R_ShuntSmall 2 +5V R_PU +5V U3 5 4 3 + V+ 1 2 GND R_ShuntSmall R_CompLoad GND ADC_IN
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Schaltplan eines MOSFET-Schaltkreises
R1 100k C1 100n V1 12 irf5305 M1 W1 CSW L1 L
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Schaltplan eines MOSFET-Schaltkreises
3.3 V Vccb 200 kΩ Vref_B Vref_A 1.8 V EN 0.1 µF B1 A1
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Datenblattabschnitt eines Toshiba MOSFETs
TOSHIBA TK72E12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS III-H) 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current: IDSS
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Schaltplan einer MOSFET-Leistungstreiberstufe
Eingänge PWM 8 bis PWM 1, X2-1 bis X2-10, Ausgang PWM 8 bis PWM 1, X1-1 bis X1-7, Eingang Schalter 2, Eingang Schalter 1, Ausgang Schalter 2, Ausgang Schalter 1, X3-1 bis X3-4, +12V, Masse 12V, GND, V+, Q1 IRF540, Q2 IRF540, Q3 IRF540, Q4 IRF540, Q5 IRF540, Q6 IRF540, Q7 IRF540, Q8 IRF540, Q9 BD645, Q10 BD645, 1N4148, BC517, 2K, 4,7, R1 bis R35, D1 bis D12
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET
Sollwert Strom 0...0.4V, IC20A +12V, TL072, -12V, 1K5, R140, Q6, BC846B, R137, 330R, Q7, BC856, B, E, C, +5V, 5, 3, +24V, K4B, 4, TIP120, T6, 1, 2, Prüflast, R141, 0R2, R139, 2K, R138, 1K, GNDA, GNDA
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Schaltplan mit MOSFETs und Kondensatoren
X2-1+ R2 47k PMOSFET IRF4905 R3 10k Q2 C10 2200uF C6 2200uF NMOSFET BS170 Q1 R1 6,6k GND R4 10k X2-2+ R5 10k GND AGND
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