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Wiedermal.BF246C/247C Equivalent?
fallen einem aber in alter Literatur ständig auf die Füße.. Von der Möglichkeit ersatzweise mehrere Fets parallel zu schalten habe ich auch schon gelesen, bei SMD geht das ja eventuell noch halbwegs kapazitätsarm ab, das der P8000 eine Parallelschaltung 2er Chips ist wußte ich bisher nicht. Das der BF247
Beitrag #4696541: > NX7002AK Ist ja wohl ein MOSFET - und weit entfernt von einem Sperrschicht FET
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Mosfet parallel schalten mit Kaltleiter in der Sourceleitung?
positiven Temperaturkoeffizienten ausgeglichen werden" Quelle: http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Vorteile_des_FET
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs
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High Side MOSFET Switch für Sensoren
wurscht, da die Logic-Level FETs da schon richtig schalten. 73
Transistoren wirst du mit 3.3V Signalen mehr Erfolg haben. > Bei 5V ists schon wurscht, da die Logic-Level FETs da schon richtig > schalten. Ich setze auch nicht für jeden Quatsch einen FET ein, weil die modern sind. In diesem Falle würde ich es befürworten, weil der untere als FET deutlich weniger Restspannung
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Rechts Linkslauf mit Relais
Harald Wilhelms schrieb im Beitrag #2308181: > Willst Du mit dem FET PWM > > machen? Dann könnte es sein, das eine 1N4004 zu langsam ist. Nein, kein PWM - ich schalte im Stundentakt. >Übrigens muss diese Diode mindestens so viel Strom vertragen, wie >der Motor
Motortreiber legt. Jop, genauso wollte ich es machen. Anton schrieb im Beitrag #2310091: > Motor per Fet abschalten, ein paar ms warten, dann erst > > Relais umschalten, Relais danken es... Also hatte ich wohl doch recht, dass ich mit dem FET zuerst denn Motor von Masse schalte bevor ich die Relais
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Darlington oder Fet?
Darlington Transistor oder einen 5V Logic Level Fet nehmen?
völliger overkill währen. Ich muss ja nur ein Relais schalten, mit vielleicht 100 mA bei 12 V.
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Fragen zu MOSFET & PWM
wenn man noch experimentiert - einen hochohmigen Widerstand (100k-1Meg) vom Gate zur Supply zu schalten (N-MOS nach VSS, P-MOS nach VDD). Das Erhöht doch stark die ESD Festigkeit. FET's sterben sehr schnell, wenn das Gate unbeschaltet ist und eine Überspannung auftritt. Ausserdem ist der FET dann
treiben, also bei weitem zu wenig! deshalb der treiber. mit dem genannten TC4427 kannst du 2x1,5A schalten. also von mit aus 2x4 FET's! für deinen aufbau, möglichst ohne kühlkörper, ist es wichtig mit steilen flanken zu schalten! denn nur dann hast du die geringste wärmeentwicklung! Du kannst dir auch
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Digitaler schalter (9 V)
[[Digitaler 9V Schalter]] Brauche dringend einen Schaltplan und Relation der genauen Komponente für einen digitalen 9V Schalter (Selbsthaltefunktion). Ursprünglich haben wir eine sehr kurzen 9V Impuls (mit eine ziemlich
einer 9V Batterie) die aber Dauerstrom benötigen. Nun gut, mein vorhaben ist einen Digitalen Schalter mit Haltefunktion dazwischen zu schalten. Die Programmierbare Schaltuhren haben ihre eigene 9v Batterie mit der man auch den Digitalen Schalter speisen könnte. Da aber das Magnetventil mehr verbrauch
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Selbstbau Picoamperemeter.
BTW: Reed-Relais und andere Schalter, welche möglichst hochohmig schalten, sind vermutlich das kleinere Problem, da mit einem guten alten Drehschalter aus Teflon einfach gelöst werden kann. Richtig interessant wird es am ersten FET
trockene Bedingungen gilt. In dem Fall sollten schon noch 2 weitere Schaltkontakte (ggf. auch CMOS Schalter) dazu um die Spannungsdifferenz am Relais klein zu halten: also vom OP Ausgang erst einmal ein CMOS Schalter, dann ein CMOS Schalter nach GND und erst dann weiter zum Reed Relais / Widerstand. Es
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Begrenzung des Einschaltstromes eines Wechselrichters
und den Widerstand nach ein paar 100ms per Mosfet brücken. Damit müsste der Mosfet nur "hart" schalten und hätte die Stromspitze von der Backe. Kommt also ein guter alter 555 ins Spiel. (Nein, nicht R+C am Gate!) Ich würde aber wirklich mit N-Kanal Fets arbeiten, gibt es mit phantastischen Daten.
kann von einem ersten Teilerfolg berichten: Ein 25 Ohm Widerstand, welcher mit einem einfachen Schalter kurzgeschlossen wird, bewirkt, dass der Lastausgang des Ladereglers problemlos eingeschaltet wird. Jetzt nur noch die Automatisierung mit dem MosFET. LG Martin
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+-1000V DC Quelle
MOSFETs schon in der Endstufe > eingesetzt werden sollten. > > DZDZ ... um Himmels Willen keine FETs die für Schaltanwendungen optimiert sind, die Sterben schneller als Du Pips sagen kannst (Hotspot am Die im Linearbetrieb). Solche Teile _schalten_ wundrbar und schnell aber Linear betrieben sind die
im Schalten asap durchsaust wird und nicht gleichmäßige Temperaturverteilung am Chip. iaW: FETs sind heute ebenso hochgradig spezialisiert wie anderen Werkzeuge. Wieso Infineon solche Werte ins Datenblatt
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MOS-FET-Schaltung
Ich hab mal ne (Anfänger-) Frage zum MOS-FET-Schalter: Mir ist die Möglichkeit ihn (N-Kanal) als Schalter "hinter" dem Verbraucher zu verwenden, also GND zu schalten (siehe Anhang). Aber wie muss ich ihn anschließen, um damit plus zu schalten
Mir ist die Möglichkeit ihn (N-Kanal) als Schalter "hinter" dem Verbraucher zu verwenden, also GND zu schalten (siehe Anhang) bekannt. Meinte ich
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Standard FET
FETs wie zB. den BUZ 11 kannste mit 5 V nicht einfach ansteuern. Elektor macht das immer wieder. Aber der FET steuert nicht richtig durch und sperrt auch nicht richtig. Er wird sehr warm. Der FET braucht
Hier die versprochene Schaltung, um aus einem Standard FET einen Logik FET zu machen. Schöne Grüße Josef
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MOSFET mit 5V oder 3.3V schalten
Lothar M. schrieb im Beitrag #4956286: > Da reicht doch auch simples und langsames (=flaches) Schalten .... dann geht der FET beim Schalten kaputt ..... ;-)
Fet Schalta schrieb im Beitrag #4956292: > .... dann geht der FET beim Schalten kaputt ..... ;-) Man sollte natürlich eine geeignete Schaltgeschwindigkeit zwischen "Sender" und "Rauch" auswählen. Die
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50 A 14V FET Highside schalten
Ich möchte in einem 12V Fahrzeug ein dort eingesetztes fettes Relay durch einen N-Kanal-Power-MosFET ersetzen. Der angeschlossenen Verbraucher liegt dabei fest mit einer Seite an Masse, d.h. es ist der positive Pfad zu schalten. Nennenswerte Schaltfrequenzen sind nicht dabei, das ganze soll über einen
zum Thema - Kann man im 12V Fahrzeug ein dort eingesetztes fettes Relay durch einen N-Kanal-Power-MosFET ersetzen " und ist für alle Anwender, die eine Relais durch einen Fet ersetzen wollen begann dieser Thread hilfreiche Denkanstöße zu liefern. Just my 2ct
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12V schalten - FET oder bipolar
kann! Ich habe nicht die Möglichkeit meine Last gegen 0V zu schalten, ich MUSS gegen +12V schalten. Da führt kein Weg dran vorbei. Sonst wär ja alles kein Problem! @ALL: Meine Frage nochmal: Wäre ein P-Kanal FET dazu in der Lage, eine 12V-Spannung bei einem Strom von 150mA mit einer Frequenz von etwa 100KHz zu schalten, wenn man ihn wie im Schaltplan (nochmal angehängt, FET jetzt richtig herum) anschließt? Oder macht mir die Gatekapazität dabei das Leben schwer, so daß ich lieber nen bipolaren PNP Transistor nehmen
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vorwiderstand berechnen für transistor
bei 10A. Takte z.Z mit 549Hz daws sollte nicht zu hoch sein:-) etwas anders: ich habe nun zwei fets also 2 PWM ausgänge. Mit jeweils einem schalter zwischen source und GND, kann ich die kanäle aus und einschalten. als kontrolle habe ich eine LED angebracht welche über den selben schalter also über
@pflanze (Gast) >etwas anders: ich habe nun zwei fets also 2 PWM ausgänge. Mit jeweils >einem schalter zwischen source und GND, kann ich die kanäle aus und Diesen Unsinn würde ich lassen. Dann hängt nämlich den Source in der Luft und zwischen Gate
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Kurzschluß oder Fehler in der Platine
Wenn der Schalter die Wurzel in der Mitte hat, ist alles klar...
> zeichnen, wird es nur sehr schwer sein den Fehler zu finden. Ein Kurzschluss trotz offenem Schalter halte ich für überschaubar ... Da der Fehler auch auftritt, wenn der Hauptschalter (P5?) auf aus steht, sollte sich doch die Fehlersuche erstmal auf den Schalter und die Leiterbahnen bei Schalter
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Schalten von 24V/20A
Hallo, ich bin auf der Suche nach einer Möglichkeit, mit mehreren Schaltern einen Modellbaumotor zu schalten. Grundsätzlich hätte ich gerne 4 Schalter: - 1 mal am Eingang des Brushless-Reglers - 3 mal nach dem Regler, vor dem Motor Versorgungsspannung vom Netzteil
Datenblatt Seite 4 Figure 5 zeigt bei 24VDC knapp über 10A. Erschreckend wenig. Also für den DC-Schalter zwei in Reihe schalten.
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12V auf 54V/2kW mit höchster Leistungsdichte und Wirkungrad
du also keine speziellen Tricks in der Regelung benötigst (wie zb das erwähnte Quasi Resonante Schalten) würde ich dir eine Analoge Lösung empfehlen. Sieh dir den ISL78220 an, benötigt allerdings exterene Synchron Treiber, was bei den recht niederohmigen Fets auch zu empfehlen ist. Oder eine Kaskade
kein Problem, kannst du bestimmt einen Nennen, der bei 5V voll durchsteuert, also ein richtiger LL-Fet für 75V Sperrspannung. MFG
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H-Bridge Current Spikes
Low-Side schon öffnet. Nur weil die Spannung am Gate 0V ist, bedeutet das noch lange nicht dass der FET schon sperrt. Mosfets in ns Schalten zu wollen, bedarf heftiger Ströme. Da sind die Gatewiderstände schon viel zu groß. Totzeit vergrößern. Treiberleistung der Gates vergrößern.
Ich habe die Datenblätter der FETs nicht gelesen, es geht hier gerade um Grundsätzliche Dinge, wo es nicht auf die paar nC und Ugsth der einzelnen Typen ankommt. Ja, was du schaltst ist eine Sache, was deine FETs machen die wichtigere
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PWM für Ströme > 120A
Schalter brauchst (parallel zum Motor) durch einen aktiv > angesteuerten FET zu ersetzen - eine Vollständige Halbbrücke eben, nicht > nur einen einzelnen Schalter + Freilaufdiode. > > anstatt: > http
Der MosFet wird halt > etwas warm. Es geht um einen Tiefsetzsteller mit Highside-Schalter? Wie kann der Mosfet da eine integrierte Freilaufdiode haben?
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Kleiner Rechteckgenerator
gegen GND? Dann brauchst Du einen P-FET - willst Du GND schalten mit Last gegen Vcc? Dann brauchst Du einen N-FET Gruß Dietrich
Zu der Frage ich will Vcc schalten mit Last gegen GND. Also mit einem P-FET
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MOSFET Verlust Leistung berechnen
Wenn du wirklich so schnell schalten willst dann such dir ein FET mit bedeutent weniger Gatekapazität... Infineon hat da einige im Angebot die geringe Kapazität und RDSon haben.
> Du benutzt einen FET mit 140nC (oder mehr, je nach Spannung). > > Wenn du also wissen willst, ob dein Treiber geeignet ist um den FET zu > schalten: aus Sicht des Herstellers Maxim ist er das offensichtlich > nicht
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Spannungspeaks / Ripple durch Schaltregler. Abhilfe?
batteriebetrieben? Ansonsten: Warum muss du das GPS Modul ausschalten können? Lass es doch laufen, und schalte im Zweifel die Datenleitung ab (1k in Serie, Transistor gegen GND). Dann hat es auch schneller wieder einen GPS-Fix. Das Backlight kannst du natürlich auch weiterhin per Low-Side FET ausschalten
Es handelt sich bei dem IC um zwei getrennte FETs in einem 8-Pin SOIC Gehäuse, ich kann also GPS und LEDs einzeln schalten. Eine Überbrückung des FETs für die LEDs brachte tatsächlich einen Erfolg: Die SD-Karte scheint so auch bei laufender Ladungspumpe
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Entwicklung HV-Netzteil, Strom-Messung High-Side?
verlustarm über die 6,3V Wicklung deines Trafo umsetzen. Die Endstufe würde ich keinesfalls mit einem FET realisieren; Einen FET kann man sich vorstellen wie viele kleine FETs die parallel geschaltet sind. Jeder FET leitet bei einer etwas anderen Ugs. Die FETs die als erstes zu leiten beginnen müssen dann
Gatekapazität. Schaltungstechnisch würde ich das dann so umsetzen: Dicken NPN als Endstufe, FET als Treiber. Das Gate des FET mit einem hochohmigen R an V+. An GND einen kleinen NPN mit dessen Emitter. Dessen Kollektor auch ans Gate des FET. Über den Basisstrom des kleinen NPN mittels eines OP
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MOSFET als Lastschalter
Schütz damit die Kontakte nicht sofort verkleben. Robuster ist da sicher ein BTS555 als high side Schalter mit kleinem Transistor oder FET als open collector / open drain zur Ansteuerung. Gruß Anja
Wenn euch das zu knapp ist, nimm halt einen GAN-FET.
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Power LED (37V , 700 mA) mit PWM des Arduino Uno : MOSFET Verstärkung verzerrt PWM Signal
Kopf ganz boese vermischt ^^ ------------------------------ Mal die Fakten: 24V mit 500mA pro FET FQP50N06L oder wahlweise IRF520 schalten Gatespannung von PWM Arduino (5V) Wenn ich einen Treiber benutze, reicht dann ein Low Side Treiber oder muss es ein Dual Treiber sein? Ich habe naemlich
ähnliches du musst ja nur einen Ansteuern. Ja ich steuere fuer jedes geschaltete Element einen FET an. Sind aber insgesamt 3 Leitungen die ich schalten moechte ... deshalb hab ich mir nen Triple Driver rausgesucht, dass man den jetzt nur fuer Bruecken benutzen kann hab ich nich verstanden? Woran
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MOSFET 24V schalten nicht invertierend.
Hallo zusammen, nach x Tagen rumprobieren und "experimenteller Problembehebungsversuchen", wende ich mich nun an die mikrocontroller-Gemeinde in der Hoffnung etwas schlauer zu werden. Folgendes Poblem: Ich will das PWM-Signal eines Arduino mit MOSFET's auf 24V verstärken. die Last soll über einen p-Channel MOSFET geschaltet werden. Da ich allerdings kein invertiertes Signal gebrauchen kann will ich den p-Channel MOSFET mit einem n-Channel MOSFET auf Ground ziehen, um so die Invertierung aufzuheben. Nun zum großen Problem: An sich funktioniert die Schaltung. Jedoch nur, wenn ich an der Versorgungsspannung
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MosFet Schaltgeschwindigkeit
Hallo, ich würde gern einen Mosfet mit Fast PWM verwenden und habe eine Frage zur Schaltgeschwindigkeit. Ich würde gern Led's mit 16 Bit Fast Pwm mit einem atmega1284P mit 8 Mhz schalten. Bei 16 Bit kann man ja den output compare bis 65536 einstellen, wenn man aber z.B. die kürzeste Zeit einstellt (1/8Mhz = 125 ns) indem ein High Signal am Ausgang ist, würde es der Mosfet schaffen in dieser Zeit voll durchzuschalten? Werden die Treiberströme dann sehr hoch, wenn man im ns Bereich schalten möchte? Sind Logic Level Mosfets genau so schnell wie Standard Mosfet's? Ist es auch mit mehr als
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Wie ist dieser blinkgeber realisiert
dahinter ein Tantal zur Versorgung, der über die Diode geladen wird und der SOT-23 wird der Leistungs-FET zum Schalten sein. Für den 7555 sprechen auch die 5..18V. Peter
Einen Leistungs-FET im SOT23 hätte ich allerdings nicht vermutet, deshalb meine Spekulation, dass der 8-Beiner der FET sein könnte... ...
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pwm für elektroauto
[[FET]]. >Liegt es am ne555? An deiner Ignoranz. MfG Falk
Also gut, dann helfe ich dir mal Du willst 400Ampere schalten. Legen wir den FET auf mind. 80V aus. Nehmen wir mal IPB025N10N3G von Infineon. Sind nicht schlecht und gehen bis 100V. Da nimmst du jetzt 4 Stück. davon parallel und verpasst diesen einen ordentlichen
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Schalten einer Rechteckspannung mit einem MOSFET
deaktivieren. Da Du ja nun schonmal die Schaltung gepostet hast: Wo genau willst Du denn den Schalter/FET einbauen? Vor der Kaskade - also direkt das Signal an Pin 10 (SW1)? Weshalb schaltest Du nicht die Ausgangsspannung der Kaskade - hinter deinem Filter (L700, C711).
#2877639: > Da Du ja nun schonmal die Schaltung gepostet hast: Wo genau willst Du > denn den Schalter/FET einbauen? Vor der Kaskade - also direkt das Signal > an Pin 10 (SW1)? Genau, er ist mit "Problem" bezeichnet. In "OK" habe ich auch schon einen Schalter drin, welcher funktioniert. > Weshalb
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Schaltnetzteil und Heizdraht
Freilaufdiode schlicht für überflüssig. Stattdessen würde ich einen Snubber aus 10 Ω + 600 nF parallel zum FET schalten. -> http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.25.1
sind 12 V und der FET hält 55 V aus. Das sollte also passen.
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Elektronische Last Spannungsmodus in Hardware
mit N-FETs*), weißt Du eigentlich, was Du willst? Weshalb ein FET im Schaltbetrieb schwingen soll, bräuchte ich auch mal erklärt. Sei mir bitte nicht böse: Je länger ich diesen Thread beobachte, kommt mir
> schalten will. Für eine analoge Anwendung schaut man eher nach einen Typ > mit geringer Steilheit. Auch ein anderer Fet wird sich nicht grundsätzlich anders verhalten, das Prinzip ist das gleiche. Ein bipolarer
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mosfet LED treiber
Flusspannung der LED (xx V ?). Würde man den R52 direkt an die 24V hängen dann liegen 24V am Gate, was der FET nicht so lustig findet (Datenblatt!). Bei leitendem NPN liegt am Gate die Ucesat des NPN was zum Sperren den FET niedrig genug sein sollte.
wird, oder hat es andere vorteile / nachteile? mit einen Treiber kann man den Mofet schneller schalten, der verringert die Umschaltverluste. Aber dann nimmt man einen richtiger Treiber und nicht nur einen Transistor. Nimm einen LogicLevel-Fet dann hast du es einfacher.
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Hoher Spannungsabfall an MOSFET trotz ausreichender Gate-Spannung
Außerdem frage ich mich, wie der high side fet angesteuert wird. Er braucht am Gate 5V mehr als am Source. Wo ist das Bezugspotential für den arduino? Verwendet man nicht normalerweise einen pmos als high side Schalter oder alternativ eine
Verzögerung ist hier nur die Gatekapazität zusammen mit R5. Der Eingangsteiler R1/R2 sorgt für korrektes Schalten, falls LOW größer als 0,7 V ist. Masse ist ist unten, Emitter von Q1. Die Schaltung von Thomas Elger hat bei 10 V Eingangsspannung nur ca. 5,5 V Gatespannung, der FET muss also dazu passen.
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CMOS-Gleichstromschalters schalten??
FET?schalters schalten?
bewältigen.Wie gehe ich das am >besten an?? Am besten so: 1. Lies Deine Notizen zu den CMOS-FETs. 2. Lies Deine Notizen zu den Grundschaltungen mit FETs. 3. Formuliere aufgrund des gelesenen ein paar Fragen nur für Dich. (z.B. wie verhält sich der S-D-Widerstand eines xxx-FET bei einer gewissen
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Wie großen FET (Qg = 180nC) Highside statisch ansteuern?
Hallo Leute, ich muss bei 48V rund 25A highsidig statisch schalten - sprich ähnlich wie ein Relais nur wenige male am Tag zu oder abschalten. Jetzt stellt sich mir aber die Frage, wie ich den FET (N-FET mit Qg von 180nC [STH315N10F7]) schnell genug schalte, ohne
kommen (V_GS(th)) als Spannungsabfall über dem FET und die beträgt laut Datenblatt typischerweise 3,5V. Macht bei deinen 15A Dauerstrom über 50W Verluste und wird schön warm. Mit einem P-Kanal FET als Highside-Schalter hast du da deutlich weniger
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80 Meter Empfänger ( Selbstbau )
Hallo Mir ist aufgefallen das die HF-Transistorstufe nach dem Fet-Impedanzwandler am Eingang in der realen Welt nicht verstärkt :-( Hat der Fet keine Ausganzimpedanz von 2,2 kOhm ? Ich habe jetzt die Transistorstufe auch schon am Eingan viel Hochohmiger gemacht
den Ladderfilter ruhig ein Eingansignal gönnen können :-) ) Ich bin noch am überlegen ob der J-Fet passiv Mischer eine gute wahl ist. Denn wenn ich das richtig verstehe verhält er sich wie ein Schalter der im takte des Oszillatorsignal praktisch nach Masse (50 Ohm ) voll Durchsteuert. ? Sehe
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Heizplatte steuern
Jens R. schrieb im Beitrag #6508295: > @jar: Ziel ist nur die Heizfolien zu schalten. und warum dann nicht einfach einen logic level n-FET der deine Heizfolie von D nach + schaltet? https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht N-Kanal MOSFET muss denn deine
kann man auch die langsame Abschaltung des FET verkraften.
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LED mit MOSFET dimmen/schalten
aber leider funktioniert es nicht. Im Schaltplan sollen die beiden 5V Spannungsquellen und der Schalter den Arduino darstellen. Q1 soll zum dimmen, Q2 zum schalten dienen. Danke für eure Hilfe!
hallo Warum verwndest du 2 FET's? Wenn du 0% PWM gibst ist das doch ausschaltet und 100% ist doch eingeschaltet.... Versuch deine Schaltung nur mit einem FET, und dann das Schalten im Programm zu lösen... Viel Erfolg.
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IRF3202 laufend zerschossen
Ratestunde ist eroeffnet. Vielleicht hat er ja einen LM358 verbaut. Da stirbt auch ein "fetter" FET wegen zu langsamen schaltens.
Schalter (FET) und eine Glühbirne (Schaltreglermodul) in Serie zu schalten, braucht ihr einen Schaltplan? Abschließend vielen Dank an Lothar M. (den Sehenden unter den Blinden) für den EINZIGEN zielführenden
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MOSFET als Stromregler
Wenn du Mal nach buz11 parallel hier suchst, findest du ebenfalls die Diskussion über parallel schalten.
sein, aber niemals am Mosfet selbst Johannes: Was du geschrieben hast, gilt für den Betrieb als Schalter. Er wollte aber nicht schalten, sondern linear regeln.
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24V LED mit ESP8266 und IRLZ44N schalten
Bei > solch geringen Strömen ist es immer günstiger, statt einer zusätzlichen > Kühlung lieber den FET geeignet auszuwählen. Welcher FET würde sich denn hier anbieten um bei einem ESP8266 mit 3.3V große Ströme schalten zu können? Oder sollte ich vielleicht meinen Plan abändern und einen ESP8266
mit den 3.3V am Gate die Auswahl recht schwierig wird wurde erkannt. Aber man kann auch mit UB den FET schalten ! Hierzu sind nur 1-2 Bipolare Transistoren nötig. Mit 12 oder 24V am Gate ist die Auswahl riesig und man kann einen leicht bekömmlichen FET einsetzen z. IR 520 etc. Der Widerstand am Gate
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12V mit 5V über Mosfet schalten
übrigens auch für Bipos. Auch dort braucht man beim P-Typ als Highsideschalter einen Pegelwandler. Bei Fets kommt noch ein zusätzliches Problem dazu. P-Kanal-FETs haben typisch schlechtere Daten als der entsprechende N-Kanal-FET.
Hans-Dieter N. schrieb im Beitrag #4358902: > Aha, das hatte ich mir einfacher vorgestellt. Also schalten die auf der > Platine bereits verbauten Mosfets dann durch, wenn der MC den Pegel am > Ausgang auf low setzt. Nein, du musst das so sehen: Der P-FET ist offen, egal ob dein MC jetzt 0V oder
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suche bedrahteten FET
Hi ich bin auf der Suche nach einem bedrahteten FET mit folgenden Eigenschaften: - möglichst klein (zB TO-92) - zu schaltender Strom <= 100mA - sollte bei UGS 3V gut durchschalten - gute verfügbarkeit FETs sollen es sein, weil ich keinen
am BC327 z.B.? Juckt dich wirklich ein Uce von z.B. 100 mV? Oder anders gefragt: Was willst du schalten?
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CMOS Analog Schalter
Hm, ich glaube ich muss einsehen, dass hier das Ende der Fahnenstange erreicht ist. Die Schalter mit <10pA haben einen für mich zu hohen Innenwiderstand. Bzw. passt der Aussteuerungsbereich nicht. Auf anderen EDA Boards wird geraten bei unter 10pA auf diskrete FETs zu setzen.
umschaltbar sein. > 100k und 10M. Wer zwingt Dich, an der absolut ungeeignetsten Stelle zu schalten? Nimm nen 2. OPV und schalte dahinter um. Da geht der billigste Analogschalter.
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Möglichst verlustarmer AC-Schalter
Können FET's überhaupt als AC-Schalter eingesetzt werden? Wenn ja, gibt es dort bei diesen Spannungen nicht auch Typen mit einem RDSon von wenigen mOhm? Damit wäre das Problem doch lösbar, oder nicht?
Wie schon gesagt wurde, zwei Mosfets anti-seriell schalten. Wenn es keine Mosfets mit ausreichend kleinem RDS_on gibt, kann man auch einige Mosfets parallel schalten. Dann aber doppelt und dreifach auf ordentliche Ansteuerung achten, da die Gate-Kapazitäten
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uC-Eingang potentialgetrennt schalten
Klinkenstecker angeschlossen. Um keine Probleme zu bekommen, habe ich vor eine Kombination aus Optokoppler und FET zu verwenden. Ist dass so wie ich es in der Skizze gezeichnet habe in Ordnung?
, es sollte ein 10K Widerstand zwischen Gate und Source? Was sollte sonst falsch sein? Ich schalte mit meinem uC über den Vorwiderstand die LED im Optokoppler und der Fototransistor schaltet den FET durch. Damit wird dann über den Klinkenstecker ein Tastendruck simuliert. Dass habe ich doch so