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FET SF51234 - schon mal gehört?
/fets/jfets/J109.html Oder aber du probierst mal den guten alten BF245, der aber wohl auch schon abgekündigt scheint (Onsemi, NXP, etc). Ich habe ihn öfter in Gitarrenverstärkern gesehen. Kann aber sein, dass
Ansonsten schaust du dich mal hier um: https://www.fairchildsemi.com/products/discretes/fets/jfets http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=2SK2394 http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=MPF102 Wäre interessant, was dabei herausgekommen ist. PdG
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3 Band Equalizer
invertierender Schaltung und mit ausreichender Versorgungsspannung betrieben wird. >Dann ist er als JFET recht hochohmig, was das Rauschminimum nicht in die >üblichen Audioimpedanzen legt, sondern er wäre bei hochohmigeren >Schaltungen passender. An dieser Stelle der Signalkette ist der Signalpegel
hat nichts mehr mit Ruhestrom oder Ausgangsstrom oder so zu tun, die TL072 brennen einfach durch. JFet Eingänge an XLR Buchsen mit schaltbarer +48 Volt Phantomspeisung macht man eben nicht. Ist kein Unsinn, sondern erlebte Praxis. Du kennst dich ja vllt. mit HiFi aus, aber offensichtlich hast du keine
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FET-Audion Bastelei
sauber demoduliert wurde. Mit 4.7k geht es aber recht gut. >Die beiden RC-Glieder an den Gates der JFets hab ich in der Simulation >rausgenommen Guter Punkt, fast schon eine blöde Angewohnheit die immer einzubauen^^.
auch noch recht rauscharm. Ein Bipolar-Transistor erreicht eine deutlich höhere Verstärkung, als der JFet. Außerdem können Störungen durch drehen der Antenne augeblendet werden.
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Konstantstromquelle 5mA von 5 - 100 Vdc
Da liegt das Problem: Welcher (JFET-) Transistor kommt mit 100Vdc klar?
Hallo, L. Ogik schrieb: > Da liegt das Problem: Welcher (JFET-) Transistor kommt mit 100Vdc klar? Wo hast Du jetzt den JFET her? Jeder Videoendstufentransistor kann das. BF458 als wahllos rausgegriffenes Beispiel. Gruß aus Berlin Michael
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Grundlagen - JFET Biasing
Hallo, ich habe folgende JFET-Schaltung (siehe Anhang). Dabei geht es eigentlich nur um das Biasing. Ich verstehe nicht ganz den Sinn von RG. Mein Lehrer sagt, die Aufgabe von RG ist "das AC-Signal von GND zu trennen". Das verstehe
tom schrieb im Beitrag #2416182: > ich habe folgende JFET-Schaltung (siehe Anhang). Hättst du bischen schneller gezeichnet, hättst du am 11.11.11 um 11:11 posten können. Ist mir gerade aufgefallen
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Merkwuerdige Bauteile von Pollin
auch gut an der leichten Schwefelwasserstoffnote beim Verlöten, auch nach dem Abschmirgeln :) Und JFETs will man ganz bestimmt nicht wegschmeissen, die sind so ein typisches Mangelware-Bauteil.
> > -Mit Aufdruck: NPN mit hFE 170 - 300 > -Ohne Aufdruck, Bauteile Tester sage es waere ein JFET Da könnte er Recht haben, ich habe VN10KM die so aussehen. Gruß, Holm
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BSS83 Ersatztyp
Du kannst ja mal mit der BF998 Familie und dem BF862 dein Glück versuchen. Für JFET muß man die Logikschaltung vielleicht irgendwie ummoddeln. BF862 gilt momentan am ehesten am physikalischen Limit. In Zukunft bitte gleich mitteilen, daß du was exotisches damit machen willst. Unsere
Beitrag #6180151: > Du kannst ja mal mit der BF998 Familie und dem BF862 dein Glück > versuchen. Für JFET muß man die Logikschaltung vielleicht irgendwie > ummoddeln. BF862 gilt momentan am ehesten am physikalischen Limit. Ja, JFETs sind in der Tat auch eine interessante Option, da man damit echte transmission
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Suche HV n-JFET!?
Hallo ihr, kennt jemand von euch einen n-JFET der ca. 300V Uds kann? Lg Fabi
Als was neues gibt es da auch enhancement mode JFETs, also normally off als JFET.
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Suche Power JFET weiß jemand ne Typ
Hi hat jemand gerade eine Bezeichung zur Hand: Eckdaten : Power JFET 0-30 V 0-10 A n-channel restliche Parameter eigentlich unwichtig Danke !
Dicke JFET gibts bei LOVOLTECH, wenn du nur einen Verarmungstyp suchst, bei IXYS. Arno
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Einstellbare Konstantstromquelle - Welcher OP Amp?
L. schrieb im Beitrag #7813366: > Bei der Umstellung auf 300mm-Wafer hat TI bei den TL0xx die > JFET-Eingänge und die BJT-Innereien durch CMOS ersetzt. Die neuen Chips > wurden zum Testen erst als "TL0xxH" eingeführt, aber inzwischen werden > sie auch als "TL0xx" verkauft. Aber noch immer steht da JFET-input op amp. https://www.ti.com/product/TL072
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Spannungsschwankung / LDO nötig?
Komponenten denn konkret? ATMega808, HD44780 (bzw. halt einen der tausend Klone), Wald-und-Wiesen-JFET-OpAmp (wobei für den eine PSRR höchstwahrscheinlich im DB steht), VOM1271, eventuell noch eine externe Referenz falls ein NTC zur CJC rein kommt. Das war es auch schon an aktiven Komponenten.
Für das Display brauchst du stabile 5V (nicht 3,3V) sonst flackert es. Und ein "Wald-und-Wiesen-JFET-OpAmp" wird wohl auch eher mehr als 3V sehen wollen.
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Spannungsverstärkung JFET-Sourceschaltung ermitteln
Transimpedanzverstärkers kann ich die Verstärkung aufgrund der sich ergebenen virtuellen Masse am Gate des JFET nicht bestimmen. Deshalb bin ich wie folgt vorgegangen: Zuersteinmal habe ich die Kennlinien des verwendeten BF862 in LTspice aufgenommen (bild2), aus denen sich im Arbeitspunkt für VDS = 1 V und
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Warum haben (Bipo-) "Transistorenfamilien" unterschiedliche Sperrspannungen?
Vorgehensweise zumindest indirekt zugibt, sind die "Process designations" von Fairchild für deren JFETs: http://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-6609.pdf.pdf Da sieht man, daß z.B. aus Process 51 ein ganzer Haufen verschieden benannter JFETs rausfällt. Aber dieser P51 ist halt letztlich nur ein einziger
#5130030: > Da sieht man, daß z.B. aus Process 51 ein ganzer Haufen verschieden > benannter JFETs Die "51-iger" werden ja auch von Ausserirdischen gebaut. https://de.wikipedia.org/wiki/Area_51
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Konstantstromquelle weniger als 0,5V Spannungsabfall
und vom Widerstand am Gate abhängt. So einfach ist die Formel dann wohl doch nicht. Ich habe den JFET gegen 2mA Konstantstrom ersetzt. Nach deiner Rechnung sollten also 720mA raus kommen. Je nach MOSFET und Widerstand am Gate kommen aber ~300mA bis 3A raus :-P
man diese Symmetrie verletzt, indem man: Marius S. schrieb im Beitrag #3234385: > Ich habe den JFET gegen 2mA Konstantstrom ersetzt. Nach deiner Rechnung > sollten also 720mA raus kommen. Je nach MOSFET und Widerstand am Gate > kommen aber ~300mA bis 3A raus :-P ist es vollkommen klar, dass
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Wann sperrt ein selbstleit. N-Kanal MOSFET?
wenn man sie auf das Breadboard integrieren will... https://www.ebay.de/itm/SST310-LF-N-CHANNEL-JFET-SOT-23-SURFACE-MOUNT-SST310-CALOGIC-25-PCS-J310-SMD/301174904154?hash=item461f6c555a:g:uScAAMXQNo5TZzpS
dem Aufputz steht nur hier, (2.von unten) https://www.ebay.de/sch/i.html?_from=R40&_sacat=0&_nkw=jfet+j310&_sop=15
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Konstantstromdiode
Hallo Paul, Konstantstromdioden sind JFETs (G und S verbunden), die auf einen bestimmten Sättigungsstrom IDSS selektiert worden sind. Du kannst als Ersatz einen JFET aussuchen, der ca. 5mA IDSS hat oder eine JFET-Konstantsromquelle aufbauen
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Rauschfilterung mit dem Instrumentationsverstärker
hast du damit an der Backe. Was hilft? Möglichst geringer rauschstrom In der Eingangsstufe. Also jfet. Möglichst kleine Bandbreite. Möglichst geringes Noise-gain der Verstärkertopologie.
schrieb im Beitrag #4959501: > Was hilft? Möglichst geringer rauschstrom > In der Eingangsstufe. Also jfet. Möglichst kleine Bandbreite. Möglichst > geringes Noise-gain der Verstärkertopologie. Danke. Das heißt, als Eingangsstufe einen Instrumentationsverstärker, der aber mit OPVs mit JFETs betrieben
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Streuung JFET-Parameter und Datenblatt BF545
Hallo Gemeinde, Idss und Vgs,off unterliegen beim Jfet Produktionsschwankungen. Die Frage ist wie man das Kennfeld bezogen auf diese Schwankungen aus den Datenblattwerten heraus schätzt um die Auswirkungen der Streuung auf den AP zu bewerten. Beispiel
Temperaturabweichung, damit ein A immer noch A bleibt. Wenn man den niedrigst möglich fliessenden Strom im JFET haben will, muss man eine ausreichende Gate-Spannung vorlegen. Dann bleibt nur noch der Gate-Leckstrom.
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LT-Spice Signallaufzeit über Frequenz auftragen.
Die BJT sind das Problem. Du brauchst ja einen R-Modulator. Ersetze sie durch JFETs mit entsprechender Gate-Vorspannung. MOSFET müßte es auch tun. Selbst ein halber PowerMOSFET wie der 2N7000 sollte gehen. Ja, die haben mehr Toleranzen.
mechanisch gesteuert werden darf in deiner Sachlage, GROSSES Problem. Hier hat einer versucht aus JFETs das letzte rauszuholen: https://www.ee.iitb.ac.in/~spilab/papers/2014/paper_rani_indicon2014.pdf
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Verstärker Fotodiode mit sehr großer Kapazität
/N, auch über einen bessern OP (OPA4192) kann ich kaum etwas rausholen. N.B: Mit einem BF862 JFET als Buffer erreiche ich bisher nur 20kHz Bandbreite.
simulierten RMS Rauschen von 6mV. Dort sind aber 100pF (PICOFarad drin) >N.B: Mit einem BF862 JFET als Buffer erreiche ich bisher nur 20kHz >Bandbreite. Worin soll der Vorteil zum "einfachen" TIA liegen?
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Strombegrenzungsdiode CL05M6F verhält sich wie Standarddiode – Schutzschaltung Digitaleingang 3-24V
Stromregeldioden eh erst ab 5V sinnvoll arbeiten und daher in deiner Schaltung genau so ungünstig sind wie JFETs, sollten sie schon den Strom begrenzten und keine 40mA zulassen. https://www.mouser.de/datasheet/2/362/P22-23-CRD-1729293.pdf Dem schlechten Lasermarkierung nach zu urteilen hat Conrad dir normale
erwartet Kein Wunder, du hast sie ja auch verpolt. Technisch ist das keine *Diode* sondern ein JFET [1], dessen Gate mit Source verbunden ist. Was du siehst ist also die parasitäre Diode, die bei einen JFET in Sperrichtung betrieben wird. Und deren Sperrschicht dann die Gate-"Isolation" bildet.
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20mA konst. Stromquelle als Schaltregler für LED gesucht
Michael B. schrieb im Beitrag #5404491: > JFETs (und Konstantstromdioden) brauchen eine deutliche Spannung bevor > sie den vorgesehenen Strom fliessen lassen, sie funktionieren erst so ab > 3V (und höchstens bei 25V weil sonst die Verlustleistung
mit einem > einzigen Feldeffekttransistor vom Typ BF245C realisieren. Auch für Stefanus gilt: JFET limitieren den Strom erst ab ca. 3V verbleibender Restspannung an ihnen auf den gewünschten Wert. http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/csink/csink.htm
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pH-Messung mit Elektrometerverstärker
pH-Wertes. Zu dem Thema gibt es zwar (gerade auch aus der Aquaristik-Ecke) schon einige Schaltungen mit JFET-OPVs, aber a) soll ich mir ja selbst Gedanken machen und nicht nur irgendwas Fertiges nachbauen, und b) ist bei diesen "Standardschaltungen" der Abgleich meist umständlich, da sich die Einstellungen
klar ist, wo der Unterschied zwischen 0.5pA Bias-Strom bei einem INA oder einem "normalen" CMOS-/JFET-OPV ist oder ob das Phänomen nur bei herkömmlichen bipolaren OPV aufgetreten und mit der FET-Technologie obsolet ist. Viele Grüße, Thomas
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Piezo Film Sensor OPV
1 MΩ, > recommended: 10 MΩ Das bezieht sich wohl auf den Eingang des OPV. Also wäre z.B. ein JFet - Eingang erforderlich, die sind sehr hochohmig. Der TL071 wäre ein klassischer Kandidat, kostest nur ein paar Cent. Müßte für die ersten Tests genügen. https://www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=
einwirken, gut unterdrückt. Allerdings baut man so etwas nicht mit dem LM1458, sondern einem JFet Chip, wie z.B. dem o.a. TL071-074, oder auch dem LF355/356. Die sind alle etwas älter, aber es gibt natürlich auch moderne OpAmps mit FET Eingängen.
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Frage zu einer DCF77-Empfängerschaltung
Nachbau? Ansonsten ist es natürlich eine gute Referenz! Sandy, du tust dich leichter mit einem JFET in der Eingangsstufe oder noch einfacher OpAmps - wie ich schonmal schrieb.
schrieb obiger, zweiter Link (in der Threaderöffnung). Hab ich was übersehen? Beide Links zeigen einen JFet als 1. Stufe.
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MeSFET durch JFET ersetzen?
kann ich einen MeSFET durch einen JFET ersetzen oder gibt das Probleme?
Ein MeSFET *ist* ein JFET! Aber ob Du ihn in Deiner geheimen Schaltung (HF?) durch einen n-Kanal-JFET (den Du wahrscheinlich meinst) ersetzen kannst...? Vielleicht. Höchstwahrscheinlich, wenn der Strom und die Frequenz passt
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Wie Bauteile rund um FET dimensionieren?
in Spannnug, die dann vom JFETals Impedanzwandler ausgekoppelt wird. Ohne R4 würde (bei idealem JFET) gar kein Strom durch den Kondensator fliessen können. Und R2/R3 wäre, wenn am Knotenpunkt ein Elko nach Masse geht, eine gute Versorgungsspannungsentkopplung damit Störungen der Versorgung nicht
ich >>> jetzt nicht nachgeschaut. >> Wie/wo findet man das Rauschminimum? >Prinzipiell rauschen JFETs bei höchstem Strom am wenigsten. Der höchste >Strom entsteht bei Ugs = 0, also mit Rs = 0. Nur kann man dann am >Emitter kein Signal mehr auskoppeln - also sind wie wieder bei der >Auskoppplung
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fest abgestimmte 80m-Loopantenne
Verstärkerstufe "verwertet". Dadurch ist hier der Rauschabstand am geringsten. Die Drossel am Ausgang des JFet ist nochmals in Resonanz, was die Verstärkung erhöht. Der Durchlassbereich ist breiter und die Flanken weitab sind steiler. Die zweite Stufe bedämpft den Schwingkreis mit einem Widerstand, die
zu sehr Verstärken, 6-10dB sollten reichen. Nur die Rückwärtsdämpfung muß gut sein. Dafür wäre ein JFet gut. Ein NPN Transistor in Basisschaltung hätte einen niedrigen Eingangswiderstand, aber keine gute Rückwärtsdämpfung. Also zweistufig: Einen NPN Transistor am Eingang und einen JFet als Buffer.
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3Ph Sinus Generator
allerdings über ein Dreifachpoti einstellen. Alternativ könnte man das Ganze auch spannungsgesteuert mit JFETs als zeitbestimmende Widerstände aufbauen. Die Amplitude sollte dann aber nicht deutlich über 100 mV liegen. Bei schlechtem Gleichlauf der Potis bzw. JFETs würden dann allerdings die Phasenwinkel nicht
Vermutlich brauchst Du einen LM324, ein paar passive Bauteile und eben das 3-fach-Poti bzw. 3 JFETs. In der digitalen Variante brauchst Du selbst in der einfachsten Bauweise mit einem µ-Controller mit 3 PWM-Ausgängen zusätzlich noch die 3 Tiefpässe mit Pufferverstärker, also auch einen LM324 mit
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MOSFET vs. Bipolar Audio Verstärker?
Lurchi schrieb im Beitrag #4963215: > Heute könnte man einen Verstärker auch mit Leistungs-JFETs aufbauen, > wenn man will. Das wäre doch unsportlich, die echten Chaoten bauen sowas aus Kleinleistungs-JFETs: http://www.firstwatt.com/pdf/art_beast.pdf
Nach meinem Kenntnisstand sind Leistungs-JFET leider wieder ausgestorben. Schade.
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Auswahl Transitor
allgemeinen Auswahlkriterien für Transistoren. Wann benützt Ihr zum Beispiel einen > Bipolaren > JFET > MOSFET > IGBT ... Im Bezug auf zu schaltende Spannung, Strom, Schaltfrequenz, Verlustleistung... Gibgt es sowas wie eine "Faustregel" wann welcher Typ verwendet werden sollte?
u.a. auch UKW Radios. MOSFETs nutze ich für PWM Endstufen, um Motoren oder Lampen zu steuern. JFETs und IGBTs nutze ich nicht, da IGBTs für hohe Ströme bei hoher Spannung z.B. Wechselrichter gedacht sind. JFETs kann man höchsten für HIFI Esoterik nutzen, ansonsten sind die aus meiner Sicht nicht
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Höchstohmwiderstände?
merkliches Spannungsrauschen erzeugen? Ich könnte mir auch vorstellen den Koppelkondensator mittels JFET oder Reedrelais einmal aufzuladen und dann stundenlang Freude haben. Wegen der Kriechströme kannst du solche Widerstände sowieso nicht auf der Platine montieren, sondern brauchst Freiluftverdrahtung
> Spannungsrauschen erzeugen? > > Ich könnte mir auch vorstellen den Koppelkondensator mittels JFET oder > Reedrelais einmal aufzuladen und dann stundenlang Freude haben. > Wegen der Kriechströme kannst du solche Widerstände sowieso nicht auf > der Platine montieren, sondern brauchst Freiluftverdrahtung
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1 mV Spannungsreferenz (floating) benötigt
weggelassen, geht dann fast besser (0,996 mV). Super. Das ist die Stromquellenvariante mit einer JFET-Stromquelle die Vout als sich aus Vout selber speist. Sehr sehr clever muß ich schon sagen. Ja der JFET Strom ist nicht absolut bekannt und so muß man für jedes Bauteil abgleichen, aber ich habe
versuch ich mich mal an der Stromquellenvariante mit Spannungsreferenz und OPV als Stromquelle statt JFET. Mit dem Trick von Jens geht das ev. auch ohne Optokoppler.
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Mosfet-IGBT Cascode -geht das?
Schlussfolgerungen sind ansonsten gleich. Mark, ja. Mann findet interessanterweise Cascode mit BJT, JFET, SIC, GTO aber nirgends mit normalen SI IGBTs. nachtmix, zulässige Gatespannung IGBT kann nicht überschritten werden, da fest auf 18V. D.h. 18V bei an, bei Aus fast 0 zwischen Sorce-Gate IGBT. Klar
scheitert: Wie sieht die Anbindung an den Gates aus? Infineon hatte damals mit dem normally on SiC JFET eine Kaskode präsentiert. Der cascode Mosfet war einzig und allein ein Schutz, um dem normally on vom IGBT entgegen zu wirken. Da war die "Logik" in der Ansteuerung zwischen JFET und Mosfet relativ
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Induktiver Positionssensor - Fragen dazu
dann halt gestern darin mal X/Y-Darstelung oder so angesehen. Weil ich in "osci_7.asc" einen jFET als einstellbaren Widerstand zur Amplitudenregelung eingesetzt habe; so geht/tut/macht ein mit jFET realisierter Widerstand in "X/Y-Darstellung". mfG fE
regelbaren Widerstand erfunden :-) Ich hoffe, das erklärt die Sache mit dem "JFET als Widerstand" verwenden etwas. Als nächstest käme dann das Thema: "wie kann ich mit diesem JFET als regelbaren Widerstand" das Überschwingen meines Oszillators verhindern? Wenn Dich das interessiert
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Schaltungen gesucht
(Vactrols). Man braucht aber noch etwas Elektronik drum herum. Eine andere Möglichkeit ist, einen JFet als gesteuerten Widerstand zu nehmen. Willst du einen amplitudenstabilen Oszillator bauen?
so mit beifügen können. Vactrols, höre ich zum ersten mal Vactrols = Optokoppler, kenne ich JFet`s habe ich versucht in Circuit Simulator Applet zu nutzen kam aber nur nutzloses heraus amplitudenstabilen Oszillator = Sinusgenerator
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Verständnisfrage: Quarzoszillator mit JFET
Design for the Radio Amateur" ist die im Anhang befindliche Schaltung zu einem Quarzoszillator mit JFET zu finden. Der zugehörige Text lautet: [pre]Shown in Fig. 4 is a simple crystal oscillator using a junction field-effect transistor (JFET). This circuit will operate on crystal overtones as well as
D-G Kapazität des JFet.
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MOS-Theorie: Akkumulation, Verarmung, Inversion?
Da stellt sich erst die Frage, ob der JFET bereits verstanden wurde. Das Verstaendnis des Mosfet baut darauf auf.
Dieter D. schrieb im Beitrag #7581241: > Da stellt sich erst die Frage, ob der JFET bereits verstanden > wurde. Das > Verstaendnis des Mosfet baut darauf auf. JFET und MOSFET haben sicherlich einiges gemeinsam, was die Verdrängungsprinizipien und Grenzzone angeht aber meine Frage
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Eingangsstufe für Frequenzzähler DC-50MHz, +5V
Abschwächer mit 1 – 3 – 10 Stufung 3. symmetrischer Überspannungsschutz 440k || 500pF und 2 x 3 1N4148 4. JFET-Differenzstufe zur Impedanzwandlung, Anhebung der DC-Pegel, Tiefpassfilter und Offset-Regler 5. Differenzkomparator mit Hysterese, Trigger-LED und Signalausgang Als Bauteile werden weitgehend SMD-Typen
ich für möglich aber nicht sehr geschickt. Als Impedanzwandler dient hier der PMBF J620 (2 x JFET). Er ist ein entscheidenes Bauteil, da er den Eingangspegel von GND-Potential auf ca. 1,5V anhebt. Nur dadurch ist es möglich mit einer Spannungsversorgung von 5VDC auszukommen. Da zwei JFETs in einem
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Kanallängenmodulation
Moin! Hier mal eine theoretische Frage: Im JFET (selbstleitend) tritt ja analog zum Earlyeffekt im BJT ein Effekt auf, der den Strom weiter ansteigen lässt, wenn die Source-Drain-Spannung steigt, auch nach erreichen der Abschnürspannung. In meinem
bleibt der Drainstrom (fast) konstant. Das ist der ganze Witz. Hatte mal ein schönes Bild davon beim JFET in WP reingemacht. Weiss wer wo man HP Bauteil codes auf Industrie Teile entschlüsseln kann? Ich suche den Transistor, der sich hinter 5086-4218 verbirgt.
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Texas Instruments "fälscht" die eigenen IC
gefallen ist und mir die Baugruppen reihenweise beim Endtest ausfallen. *) Gerade der Wechsel von JFET auf CMOS wäre beim Rauschen nicht akzeptabel. Beim TL07x hat es sich jetzt z.B. um 6 dB verschlechtert!
Marek N. schrieb im Beitrag #8077282: > ) Gerade der Wechsel von JFET auf CMOS wäre beim Rauschen nicht > akzeptabel. > Beim TL07x hat es sich jetzt z.B. um 6 dB verschlechtert! Hmmm, das war mir neu und ich habe deshalb gerade auf der TI Seite nachgesehen und folgendes
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Step up 1.5 V
Jo du hast ihn gefunden. Nur der Jfet is schlecht zu kriegen Und ob sich das lohnt... Kommt halt auf den anwendungsfall an
Jörg Esser schrieb im Beitrag #3286507: > Jo du hast ihn gefunden. Nur der Jfet is schlecht zu kriegen Der 2SK170 kostet ca. 80 ct bei Reichelt
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TTL negative Spannung schalten
gerne einen Rampengenerator mit Rücksetzfunktion realisieren. Den Schalter möchte ich mit einem Jfet realisieren. Die Rücksetzfuntion soll über einen Avr erfolgen. Jedoch stehe ich auf dem Schlauch. Vielleicht kann sich ja jemand mal meine Schaltung anschauen. Gruß Micha
Vielen Dank, genau danach habe ich gesucht. Bin gerade dabei mir den Jfet beizubringen, deshalb ist er vielleicht nicht so gut geeignet aber so funktioniert es. Merci
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DRAM und SRAM ltSpice-Beispiele
#5196550: > https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_cell_(computing)#Implementation ist zwar ein jFET als Schalter gezeichnet. Aber in allen DRAM, die ich gesehen habe, sitzen an der Stelle MOSFETs. Der jFET in deiner Simu - sperrt nicht bei 0V - lässt bei angesteuerter WL einen Strom durchs Gate auf die BL fließen Zwei Gründe, warum die Simu nicht funktionieren kann. Also: ersetze den jFET durch einen passenden n-Kanal MOSFET. Als ich zum letzten Mal was mit dem Thema zu tun hatte waren typische Werte - für die Zellkapazität: ~25fF - für die BL-Kapazität: ~ das 10-fache davon (250fF
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Kaskode bei normally-off Bauelementen sinnvoll?
verschiedene Bauelemente zum Schalten von weniger als 1 kV. Bei normally-on Bauelementen (z.B. JFET, BJT), ist es ja gebräuchlich das ganze mit einer Kaskodenschaltung zu schalten. Also mit einem niedervolt MOSFET o.ä. Bringt eine Kaskodenschaltung nun auch Vorteile bei normally-off Bauelementen
Stefan M. schrieb im Beitrag #2525283: > Bei normally-on Bauelementen (z.B. JFET, BJT), ist es ja gebräuchlich > das ganze mit einer Kaskodenschaltung zu schalten. Definiere "gebräuchlich". > Bringt eine Kaskodenschaltung nun auch Vorteile bei normally-off > Bauelementen?
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317/337 (HV) Kapazitive Last
es ist eine Kaskodenschaltung wobei das obere Bauelement ein Transistor und unten (am Eingang) ein JFet ist. ganz grob in etwa so: http://www.synaesthesia.ca/HPS20-SCH.html >Ja und? Da gibt es immer noch keinen Kurzschluss am Eingang. Es könnte ja passieren das sich durch die zusätzliche Schaltung
>eine Kaskodenschaltung wobei das obere Bauelement ein Transistor und >unten (am Eingang) ein JFet ist. ganz grob in etwa so: Der JFet ist auch ein Transistor ...
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LTSpice - Abhängigkeiten von Spannungen?
Hast du auch einen Opamp mit JFet- oder CMOS-Eingangsstufe genommen? Opmaps mit bipolarer Eingangsstufe haben zuviel Biasstrom. Bei kleinen Spannungen ist der Strom im Sub-Mirkoampere-Bereich. Damit funktioniert das auch nur
Der LM833 hat zu viel Eingangsstrom. Nimm einen mit JFet-Eingang und nimm Dioden mit kleinem Leckstrom. Allerdings wird selbst mit R1=10kOhm die Bandbreite bei ganz kleinen Signalpegeln im unteren Kilohertzbereich sein.
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welchen buck-Regler für geringe Ströme nehmen
Habe mit LTspice mal einen LT1934 mit vorgeschaltetem JFET als Strombegrenzer simuliert. Vin=28V, Vout=3V1. Die Initialisierungsphase zum Aufladen der Cs dauert natürlich länger, weshalb ich den Verbraucher (I1) erst nach 30ms von 1 auf 30mA anschalten lasse
Vorname Nachname schrieb im Beitrag #2101086: > Habe mit LTspice mal einen LT1934 mit vorgeschaltetem JFET als > Strombegrenzer simuliert. Aber Achtung: die langsame Anstiegszeit kann für manchen uC (und evtl. auch für andere Schaltungen) ein Problem darstellen...
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VCR2N JFET VoltageControlledResistors vs. JFET
nem blick ins datenblatt frage ich mich nun, ob das einfach ein anderer name für ein stinknormalen JFET ist oder ob da intern mehr drinne ist als im datasheet ersichtlich. weiss jemand mehr ? gruss klaus
nix damit anfangen. hatte nur gedacht sie wären was tolles. im ende scheint es aber ja nur ein jfet zu sein. gruss klaus
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A/D D/A Problem
ein Prozessor und / oder Software verlassen. @stephan Henning (Stephan) Wenn man ein Amp mit JFET Eingang nimmt, der hat ein Rin von 10E12Ohm, sollte man sich Gedanken über die Selbstentladung des C machen. Wenn man eine menge solcher 8Bit D/A Wandler benötigt ist das sicher eine Plazt- und Kosten
der nach gewünschter Adresse einen C mit der gewünschten Spannung auf- end- läd. Ein OPA mit JFET Eingang würde die Ladung lange halten. Noch ein FET parallel zum C wird benötigt, damit beim einschalten oder Unterspannung ALLE Wandler, durch ein Resetbaustein, auf `0` gesetzt werden. Mit dieser