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Profet für 5V Bastelschaltungen gesucht
dem Fall mußt du nochmal invertieren. Also ein weiterer kleiner n-Kanal MOSFET a'la 2N7002 oder BSS138. Dessen Gate kommt an den Empfänger-Ausgang, Source auf GND, Drain an Gate des p-MOSFET. Pullup-Widerstand zwischen Gate und Drain des p-MOSFET (darf auch hochohmig sein, wenn
man ja öfter. https://www.google.de/search?q=mosfet+N%2BP+pair Such dir was aus.
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Mosfetliste im Wiki
Hallo zusammen, oft wird hier gefragt, welchen Mosfet man für ein Projekt verwenden kann und wo man den herbekommt. Ich hab deshalb mal einen Anfang gemacht und einen Artikel im Wiki eröffnet: [[MOSFET-Übersicht]] Wer Lust hat, kann ja seine Lieblings-Mosfets
Kennt jemand noch interessante Mosfet Treiber IC's? Einige von irf, die auch gut bei Reichelt zu bekommen sind, hab ich schon ins Wiki eingetragen. http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet_Uebersicht#Mosfet-Treiber
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Motor PWM Steuerung, Mosfet Problem
Beim Einschalten (Reset des uP) hängt der Eingang des MOSFETs in der Luft. Was macht er dann ?
Datenblatt des Treibers hatte ich Dir mit verlinkt. Der kommt NATÜRLICH zwischen PWM- Quelle und MOSFET. Dem MOSFET musst Du noch gegen Überspannung schützen, sonst geht der immer wieder kaputt.
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Mehrere MOSFETs parallel mit SPS betreiben
, musst du keine LogicLevel MOSFETs mit Kompromissen verwenden, sondern kannst normale MOSFETs benutzen. Da man mehrere MOSFETs wohl nur wegen hoher Last gleichzeitig schaltet, könnte man durch bessere MOSFETs auch mit weniger auskommen
Was hast du für besondere Anforderungen? Wozu 40 weitere Mosfets?
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3.3 V Lineare Spannungsregler und Referenz GND mit Potenzial
Tiefenentladungsschutz für einen Li-Ion Akku. Für den Tiefenentladungsschutz sorgt ein AP9101, der zwei MOSFET ansteuert. Die MOSFET verbinden -oder unterbrechen- die Verbindung von GND zu dem negativ Pol des Akkus. Über den MOSFET fallen, sobald der Stromkreis geschlossen ist, 0.45V ab. Somit besitzt GND
Jörg R. schrieb im Beitrag #5546033: > Threshold Voltage ist die Spannung abwann der Mosfet zu leiten beginnt. Oder besser andersrum: die Thresholdspannung ist die, bei der der Mosfet noch /sperrt/. Wenn man sich das so merkt, kommt man nicht so leicht auf die Idee, mit dieser Spannung
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LED dimmen mit PWM welcher Transistor
Spannungsteiler herabsetzen. Dahinter kommen dann CMOS Treiber (CD4010) und die steuern dann deine MOSFET's an.
Beitrag #4281947: > Oder gibt es so einen Gate Treiber https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber
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230N55 gesucht
Rob R. schrieb im Beitrag #8054612: > Bert 0. schrieb: >> [X] Du hast die Gate Ansteuerung der MOSFETs nicht vorher geprüft. > > Wie würde man die Gate Ansteuerung denn vorab prüfen können (ohne den > neuen MOSFET vorab einzubauen) ? Warum sollte man dazu den Mosfet einbauen? Solange der Leistungsteil
wenn ihr wie oben mehrfach erwähnt die Funktionstüchtigkeit des Treibers vorab prüft? Baut man die MOSFETS ein und der Treiber ist kaputt, geht die Leistungsstufe mit den MOSFETs oft wieder kaputt, baut man die MOSFETs nicht ein, ist die Frage, wie prüft man die Treiberstufe?
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Snupper oder Freilaufdiode nötig?
Hi, ich nutze einen Power Mosfet IRL3803 als Lowside-Switch an einer Relaisespule (KFZ Relais, 12V). I.d.r. wird die Spule über D+ der Lima geschaltet und der Mosfet ist durchgeschaltet. Der Mosfet sperrt das Relais nur sehr selten
KFZ-Spule hat knapp 100mH, also bei 150mA gut 1mJ. Das ist weniger als das Avalnche-Razing deines MOSFETs, aber die KFZ Testimpulse haben mehr als dein MOSFET aushält.
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Experiment mit ener Spule
Das Ding gibt es in mehreren Varianten. Teils mit CMOS Logik Ausgang, und teils mit einem starken MOSFET. Der Link führt zur MOSFET Variante, nicht zu übersehen links neben der Schraubklemme.
Matthias P. schrieb im Beitrag #6944582: > OK. Könnte ich dann einen MOSFET wie IRLZ44N als elektrischen Schalter > verwenden? Auf dem Modul das ich dir empfohlen habe, befindet sich ein MOSFET. Der IRLZ44N ist ein N-Kanal MOSFET, der schaltet nur den Minus Pol. Du
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EZ10N16 Mos.
electronic component distributor. I apologize, but I couldn't find a specific datasheet for the EZ10N16 MOSFET in the provided search results. The search results don't contain direct information about this particular MOSFET model. However, I can provide some general guidance on how to find MOSFET datasheets
guide on how to read and interpret MOSFET datasheets, which could be helpful in understanding the structure and content of typical MOSFET datasheets. https://www.perplexity.ai/search/mosfet-ez10n16-datasheet-ZCTaqtwsS..5tWqoqWq_0Q
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Artikel: Brushless-Controller für Modellbaumotoren
A (auf dem Board) herausfliessen. Von VCC kann der Strom aber nicht geholt werden, da der obere Mosfet sperrt. Der untere Mosfet hat jedoch eine Freilaufdiode, die nun in Flussrichtung geschaltet ist. Der Strom kann nun von GND über diesen Mosfet fliessen. Über dem Mosfet fällt dabei aber eine Spannung
seine Richtung nur wegen des PWMs. Übrigens sieht es auch ohne das aktive Einschalten des unteren Mosfets genau gleich aus, nur dass dann halt zwischen den beiden gezeichneten GNDs noch eine Spannungsdifferenz wegen der Diode im Mosfet gibt, und damit der Mosfet mehr Verlustwärme "produziert". Ich
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MOSFET Gate-Kapazität und PWM-Frequenz Frage
Maximum Ratings: DC Current per I/O Pin bzw. DC Current VCC and GND Pins z.B. vom ATmega328). MOSFETsSammler schrieb im Beitrag #5877308: > Hängt es auch von Rise & Fall Time ab, mit welcher PWM-Frequenz ein > MOSFET arbeiten kann? Davon hängt es ab, wie lange der MOSFET im linearen Betrieb arbeitet
MOSFETsSammler schrieb im Beitrag #5877308: > Hängt es auch von Rise & Fall Time ab, mit welcher PWM-Frequenz ein > MOSFET arbeiten kann? Bis 20kHz hat der direkt getriebene LL MOSFET kein Problem,
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74HCT04 als Treiber für MOSFET mit geringer Gate-Kapazität
und dann MOSFETs wie den IRLB8721 direkt (ohne Widerstände) anschließen kann. Frequenz ist max. 1kHz, Strom 500mA je Kanal. Hat jemand Erfahrung damit? Oder gehen die 74HCT04 zu schnell kaputt? Echte MOSFET
Das geht. Ich würde eher MOSFETs suchen, die schon bei 2.5-2.8V sicher durchschalten.
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handwärme-peltier-energie in stromnetz einspeisen
4 MOSFETs als H-Brücke, die vom Netz irgendwie passend geschaltet werden? Aber dann ist es auch nur Marketing-Augenwischerei, weil es mit 4 MOSFETs alleine nicht getan wäre.
Als Konstantstromquelle zur Formung des Sinus, trotz "rechteckig" schaltender Mosfets.
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Stromrichtung FET
Wieso sollte man denn die schlechte Substratdiode nutzen wenn man doch parallel einen richtig fetten Mosfet hat. Ein Mosfet kann auch in Gegenrichtung Strom führen. Fließt ein Strom über die Bodydiode den der Mosfet nicht abstellen kann und möglicherweise wegen den höheren Verlusten den Mosfet killen
auch die selben thermischen Eigenschaften, wie der MOSFET an sich. Daher wird auch nie diese "Diode" optimiert, sondern Eigenschaften des MOSFETs.
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Auto Relais einfach mit Arduino ansteuern
Machs so wie die ECUs in Autos und benutze MOSFets. Die o.a. IRLZ44 schalten mit 5V am Gate ohne Probleme viele Ampere und können jedes KFZ Relais. Wie immer parallel zur Relaisspule eine Freilaufdiode (1N4007 o.ä.) MOSFets mit dem Gate an den Arduino
von MOSFET acuh schon drin bin werde ich mich auch mal die Optomoppler MOSFETS wo Peter D. mich empfiehlt angeschaut haben. Hört sich auf jede Fall interessant an. Und wenn ich meine Schaltung fertig gezeichnet
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PI Stromregler
ausgeschalteten Zustand schicken? Das andere Ende des Spannungsteilersn lege ich über einen weiteren Mosfet auf Gnd. Wenn am Gate des Mosfets eine Spannung anliegt, dann ist Vref_OPA = Ausgeschalteter Zustand, ansonsten ist Vref_OPA= Vref_ON. Vref_ON---- R1 ---- R2 ---- Mosfet ----Gnd
ich habe mich heute näher mit der Triggerung beschäftigt. Dazu habe ich einen BSS123 N-Kanal Mosfet verwendet. 1. "-" Eingang mit Ausgang verbunden: Verzögerung 12us 2. Ausgang über Mosfet gegen GND gezogen: 7,5us 3. Referenzspannung per Hand angelegt: 5us Ich vermute der Mosfet ist etwas
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Akku Spannung glätten
, aber keine 20A für einen Motor? Du brauchst einen Treiber für den Mosfet. Hast du denn mal gemessen? Ist Spannung da wo Spannung sein soll? Also am Gate des Mosfets, hinter dem Spanungswandler, Am Drain des Mosfets wenn er gesperrt bzw. durchgeschaltet ist, ...
ich habe die Mosfet Schaltung nun abgeändert. Sollte nun so passen, oder?
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Verstärkung einer sehr kleinen diff. Spannung (1-100mV)
und nach R_Mess (Knoten 4 und 5) keinen Zugriff habe, sondern nur auf die Knoten vor und nach den MOSFETs M3 und M4 (Knoten 3 und 6), möchte ich nun den Spannungsabfall über den MOSFETs M3 und M4 dadurch von meiner Spannung die "gemessen" wird subtrahieren, indem ich zwei MOSFETs selben Typs davor schalte
gleich Mensch ;-) So was macht man mit Vierleitertechnik: den Strom schaltest du meinetwegen mit MOSFETs auf die Ader (Force-Leitungspaar). Und _parallel_ zu den MOSFETs betreibst du einen anderen Schalter (z.B. integrierter Analog-MUX), mit dem du die Spannung hinter den MOSFETs abholst und zu deinem
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Wie lese ich die Daten von einem Transistor ab?
MOSFET's sind auch Transistoren! Collector und Emitter gibt's nicht bei MOSFET Transistoren, die haben statt dessen Source und Drain. Basis gibts nicht bei MOSFET, die haben stattdessen einen Gate Anschluss
ist ist dann ein IGBT besser als ein transistor oder mosfet in meiner anwendung?
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defekte Sonos Playbar
auszulöten durchzumessen. > > Miss zwischen dem mittleren und dem rechten Pin auf Durchgang. Der > MOSFET sollte sich wie eine Diode verhalten. Gib der Messung etwas Zeit, > da ist noch ein Elko mit im Spiel. Besten Dank für den Hinweis, Drain & Source des MOSFET sind nicht kurzgeschlossen. Vielleicht
Sicherung ausgelöst hat und der Gleichrichter Durchgang hat würde ich diesen erstmal austauschen. Der MOSFET scheint I.O., also könnte man nach dem Austausch wieder einen Anschluss wagen.
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H-Brücke: Gate des MOSFET schwingt
2-3 Vias, die dein Treiber IC an die GND Fläche in Layer 2 anbinden. Szenario MOSFET turn on: Der Gate Strom fließt von Kondensator niederinduktiv in das Treiber IC, durch das Treiber IC, niederinduktiv in den MOSFET Gate Pin, durch den MOSFET, von Source Pin des MOSFETs niederinduktiv direkt zum GND Pin des Kondensators. Szenario MOSFET turn off: Der Gate Strom fließt von MOSFET Gate niederinduktiv ins Treiber IC, und vom Treiber IC direkt in die GND Fläche.
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Schaltungsentwurf: 500V / 10A elektronische Last
5 Mosfets einen Hochleistungsdrahtwiderstand vom Typ HS300. Deswegen mein gewählter Ansatz: o Verbratung der gesamten Leistung in Mosfets. o Messung des Stromes an einem Shunt -> OP -> analoge Regelung
etwas Reserve nicht viel mehr als 150W weg, eher etwas weniger. Und für 500V Umax reicht ein 600V MOSFET. RDSON ist vollkommen schnuppe, denn der wird sowieso linear betrieben. Da ist eher das Problem, obe der MOSFET dafür geeignet ist. Hatten wir auch schon ausführlich diskutiert. Viele MOSFETs sind
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Geringe Spannung mit P-Channel Mosfet schalten
danke an alle! Eure Antworten haben mir schon sehr viel geholfen! Also da ich Rds(on) * Ilast am Mosfet verliere muss meine Spannung um diesen Wert höher als die 1,4V die ich an der Last brauche sein. Deswegen suche ich mir einen Mosfet mit geringerem Rds(on) Außerdem werde ich wohl einen N-Ch Mosfet
nimmst einfach einen fertigen MOSFET-Treiber, ICL7667 & Co. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber > Woraus setzt sich der Delay > denn zusammen? Der Verzögerung der beiden Schaltstufen
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Frequenzumrichter für einen 12Volt Asynchronmotor
casting?) Evtl bringt ein Casting auf long die Lösung, damit es keinen Überlauf gibt? Zu den Mosfets/ IGBTs Du brauchst bei einem Lenkservomotor RICHTIG Fette Mosfets. Etweder Semikron Einzelmosfets http://www.semikron.com/products/data/cur/assets/SKM_111_AR_21911400.pdf Ich hatte letztens MOSFET
;) http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s?infineon.Products.Discretes___Standard_Products.MOSFETs.Automotive_MOSFETs.Single__N-Channel_40V_MOSFETs.DATASHEET.IPB180N04S3-02_DS_1_0.pdf&ns_type=pdf&ns_url=http://www.infineon.com/dgdl/IPB180N04S3-02_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&
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MOSFET als Lastschalter
gezogen wird, kann hier bis zu -29V gezogen werden. Da ist genug Spielraum für jeden üblichen P-Kanal-MOSFET am Markt. Es muss also kein Logic-Level-P-Kanal-MOSFET sein. Runterziehen bietet sich entweder ein NPN oder N-Kanal-MOSFET an. Wird es der N-Kanal-MOSFET muss sich dieser natürlich bei 3,3V entweder
im MOSFET. PS: Habe schon Hotswapcontroller für 10000µF und 48V gebaut (Industrie) und habe keinen Sack mit toten MOSFET's.
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LED mit MOSFET schalten - Abweichungen bei Schaltplänen?
Hallo, bei der Suche nach Schaltplänen, um eine LED mit einem MOSFET zu schalten, sind mir zwischen GPIO und MOSFET-Gate Verbindung einige Unterschiede aufgefallen. z.B.: - Manche verwenden einen 100k Widerstand, der GPIO mit Masse verbindet. - Andere nutzen auch
Strom und natürlich auch gegen eine > höhere Spannung. Da werden die momentan erhältlichen Logic MosFets die Grenze setzen. Bei mehr Spannung wäre das wiederum kein Problem, wenn man der Mosfet mit einen zusätzlichen Transistor ansteuert. So aber würde ich das absolute Maximum bei 5-10A sehen.
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Suche Schaltplan für KSQ 2600mA 48V mit PWM
switching). Bei 1M beträgt die Off Time 40us, bei 226K wären es 10us. Hat das was mit td (off) vom MOSFET zu tun? Muss ich mir ein MOSFET suchen mit max. td(off) = 50us?
Andreas J. schrieb im Beitrag #5521908: > Hat das was mit td (off) vom MOSFET zu tun? Nein > Muss ich mir ein MOSFET suchen mit max. td(off) = 50us? Auch nein. So langsame MOSFets gibt es m.W. gar nicht. noreply@noreply.com schrieb im Beitrag #5521894: > Was mich etwas
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Transistor/Fet/Keine Ahnung was gesucht
Lötstation mit ESD-Anschluß und ein ESD-Armband für Deine Hand. Jörg R.: https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-30a-68w-to-220ab-irlz-34n-p41777.html?r=1 Stefanus F.: https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-17a-45w-to-251aa-irlu-024n-p90365.html? Diese MOSFET sind alle richtige Powertypen, TO
Klaus R. schrieb im Beitrag #5732428: > Jörg R.: > https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-30a-68w-to-220ab-irlz-34n-p41777.html?r=1 > > Stefanus F.: > https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-17a-45w-to-251aa-irlu-024n-p90365.html? > > Diese MOSFET sind alle richtige Powertypen
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Mostet als inrush limiter schalter
daher mein Gedanken diesen zu überbrücken wenn der Kondensator > geladen ist. Ja sicher. > Mosfets sind etwas neu für mich, Sieht man. >habe ich hier richtig gedacht? Nö. Du hast einen N-Kanal MOSFET eingezeichnet. Der funktioniert hier so nicht. Außerdem passt die Ansteuerung nicht.
schaltet der Operationsverstärker noch etwas abrupter, als ein Komparator. Das tut dem P-Channel MOSFET gut.
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Gatetreiber LM5104 Halbbrücke MOSFET
, dass es was mit der Threshold Spannung des MOSFETS zu tun hat, aber ich liege da glaube ich nicht ganz richtig. Ich habe auch mal versucht einen P-Kanal MOSFET zu verwenden, hat mich aber auch noch nicht weitergebracht. Grüße Julius
vermutet, dass es was mit der Threshold Spannung des > MOSFETS zu tun hat, aber ich liege da glaube ich nicht ganz richtig. > Ich habe auch mal versucht einen P-Kanal MOSFET zu verwenden, hat mich > aber auch noch nicht weitergebracht. > > Grüße > >
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[Tutorial] 2 Spannungsquellen versorgen einen Rasperry PI oder ä. USB Geräte
die Ausgangsspannung) ist der der MOSFET ausgeschaltet (-Uce = -Ugs ≤ 0,6V). Der MOSFET hat eine Gate-Source-Schwellenspannung von -Ugsth von etwa 4V. Damit -Uce bei 4V liegt, muss der Strom Iout auf etwa 0,2 Iin gesunken sein. Dass heißt, ab -Um = -Uds = 40mV wird der MOSFET leitend. Ist die Eingangsspannung größer als die Ausgangsspannung, ist der MOSFET ist zwar eingeschaltet, es ist aber ein geringer Spannungsabfall in der Größenordnung von 50mV nötig. Fazit
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Mini Whip Antenne FA, warum MOSFET statt jFET?
warum wird bei der Mini Whip Antenne von Fumkamateur für 10 kHz - 30 MHz in der Eingangsstufe ein MOSFET BF998 statt einem jFET verwendet (wobei beim MOSFET G1 und G2 zusammengeschaltet sind)? Und bringt die 10uH-Spule L2 wirklich etwas bei der Unterdrückung höherer Frequenzen? Hier der Link zum
Daniel schrieb im Beitrag #7947937: > Lach, die Frage war genau umgekehrt, "Warum MOSFET statt jFET?" > Dann war im Umkehrschluss anscheinend die Frage falsch rum gestellt. Es handelt sich ja nicht um einen schnöden MOSFET sondern um einen Dual-Gate MOSFET dessen Eingangskapazität
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MOSFET wird heiss, Single Stage Flyback, Sperrwandler
am Mosfet. Habe auch bereits den Mosfet durch einen Typen mit niedrigerem Rdson ersetzt. Um die Spannungsspitzen im Ausschaltmoment abzufangen habe ich ein Snubber-Netzwerk bestehend aus 2 Dioden verwendet.
andere Verluste aufweist hast Du einen Anhaltspunkt. Bezgl. MOSFET: Beachte, dass der MOSFET minimal die reflektierte Zwischenkreisspannung am Trafo sieht. Bei 230Vac Eingang hast Du bis 350Vdc peak, der MOSFET sieht dann mindestens 700V. Welchen MOSFET verwendet
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Probeschaltung mit Funktionsgenerator und (Labor)Netzteil testen Gesperrt
Möglicherweise seit den 70er-Jahren des vorigen Jahrhunderts. Heutzutage > würde man dafür wohl einen MOSFET verwenden. Viele LED-Dimmer machen das > genau so. Ja so in etwa. Vorteil: Der kommt genau /ohne/ PWM aus. Mitunter, eher recht oft, mag man keine PWM an der Stelle. Kann man dann nur MOSFET
Modulationseingang. Genau deswegen steht der bei mir im Regal. Aber du kannst dein Glück ja auch bei MOSFET & PWM finden...
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Open-collector Ausgang sperrt nicht richtig
Miro S. schrieb: >> Was ist mit dieser Variante? > Immer aus Nö, ist ja sogar ein Logikpegel-MOSFET. Aber wenns so eng hergeht, weshalb dann MOSFETs im riesigen SO-8 Gehäuse?
schrieb: >>> Was ist mit dieser Variante? >> Immer aus > > Nö, ist ja sogar ein Logikpegel-MOSFET. Stimmt, war Quark.
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Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker
Schaltung jetzt einmal überarbeitet und einige Ratschläge eingebaut. Zunächst einmal für die VAS Mosfets andere Typen genommen mit deutlich kleinerer Gatekapazität und nur zwei davon gestapelt. Man sieht eine deutliche Verbesserung für die negative Halbwelle (Siehe Transienanalyse). Die Mosfets der oberen
kann. Das müsste dann ja am Source des VAS Mosfet passieren. Habe ich so noch nie gesehen und kommt mir komisch vor.
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Ganz seltsames Problem mit einem Mosfet direkt an einem PIC 18f14k50
hin oder her - Mosfet bleibt Mosfet und sollte hochohmig sein. Vermutlich irgendein EMV-Effekt..... Munter bleiben Wicki
, andere Mosfets getestet und ploetzlich war nicht nur ein Fehler wieder da (der PIC resettete allerdings nicht)- der Ausgangspin der PIC war aber offenbar gehimmelt. Der Mosfet (egal welcher) wurde durchgeschaltet
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Warum ist der GATe-Treiber langsam?
hässlicher drahtaufbau, jedoch wurde darauf geachtet, dass die verbindungen opamp-treiber-mosfet direkt und so kurz wie möglich sind
Komperators. 2. Mir kommt die Komplimentärendstufe vom Aufbau komisch vor. versuch doch mal direkt die Mosfet zu treiben, nur zu sehen ob sich was ändert. Ich geh davon du hast keinen Mosfet Treiber Baustein übrig? zB. MIC4427
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Welches Bauteil könnte hier kaputt sein?
#6947915: > Ich sehe jetzt nicht, welches Bauteil defekt sein könnte Das Teil im DPAK Gehäuse, ein MOSFET.
einer niedrigen Spannung (z.B. 12V) getestet? Sag mal was du gemacht hast oder ob du einen anderen MosFET probiert hast.
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Selbsthalung mit MOSFET
Nein, das geht so nicht. Damit der Mosfet durchgeschaltet wird, müsste der Mikrocontroller an PB5 deutlich mehr als 12V (die zu schaltende Spannung) liefern. Und nein, mit einem P-Mosfet geht deine Schaltung ebensowenig. Grund dafür
Ich würde es jetzt einfach so machen dann brauch ich gar keinen MOSFET :) irgend welche Einwände ???
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Mosfet Treiber
Dob S. schrieb im Beitrag #7949035: > ich versuche gerade einen rudimentären Mosfet Treiber aufzubauen. Im Forum "Mikrocontroller und Digitale Elektronik"?
Nur um die ganze Schaltung zu verstehen. Wie hoch ist der Strom die der MOSFET schalten soll? mfg KLaus
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Überschwingen MOSFET
mögliche Alternativen am > besten? Dieser Überschwinger kommt mit Sicherheit über die Cdg des Mosfet. Also Mosfet mit möglichst kleiner Cdg suchen, oder noch besser gleich einen "normalen" npn-Transistor mit niedriger Uce_sat nehmen.
besser gleich einen > "normalen" npn-Transistor mit niedriger Uce_sat nehmen Die MOSFETs ergeben im ausgeschaltenen Zustand eine Spannung von rund 4mV über R5. Mir ist kein NPN mit nur ansatzweise so niedriger Sättigungsspannung bekannt.
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Verständnisfrage zum Mosfet
dass ich das verstanden habe. Ich habe mich etwas eingelesen und das sollte mit dem oben genannten Mosfet funktionieren. Auf Seite 4 steht, dass der Mosfet ab 2V am Gate leitend wird(wenn ich es richtig verstanden habe). MfG
99% der Fälle ungewünscht ist. Du brauchst allerdings in jedem Fall ein neues Bauteil, denn der MOSFet ist ja nicht geeignet, um mit 3,3V voll durchzuschalten. Nötig ist ein LowLogicLevel MOSFet.
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Falsche Schaltung: Motor parallel Kondensator Lowsideschalter
1000A sein. Klar ist dann dein MOSFET kaputt.
/images/uploads/library/mosfet.gif Gruss Chregu
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Vollbrücken-Gegentaktwandler
ich in englisch nicht so gut bin und "kein" ic bzw einen steuerungsplan finde, mit dem ich die Mosfets ansteuern kann... nun zu meiner frage: Könnte mir bitte jemand weiter helfen, dass ich eine schaltung der mosfets so hinkriege dass sie so ca 50 bis 100khz schalten ( noch dazu im gegentakt
das Komplizierteste am ganzen Netzteil. Mal abgesehen von Faktoren wie : Schaltverhalten der Mosfets, Todzeit (bei Gegentakt), Schwingneigung der Regler, Schwingen der Gatespannung beim Abschalten (bei 100kHz wird aus nem Draht eine Induktivität), spontanes Öffnen der Mosfets aufgrund von Potentialverschiebungen
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Hochstrom PWM mit MOSFET
! Ein 4,5mR/75V-Mosfet ist für 12V und 80A inzwischen unsportlich. Da gibt es heute locker 1mR und weniger.
Ein sehr oft vernachlässigter Punkt bei MosFet PWM ist die fehlende Unterspannungserkennung der Gateansteuerung - Gatespannung zu klein, MosFet erledigt - MosFet tot, Treiber tot...
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Bewegungsmelder PIR Ausgang
mit dem typischen Wert rechnen, der dann 13mA wäre. Warum überhaupt wehrst du dich gegen einen MOSFET?
Sei halt mal ein wenig kreativ -> siehe Anlage ... > Warum überhaupt wehrst du dich gegen einen MOSFET? Hatte ich Dir schon erklärt: Ein 0815-Mosfet tut's hier nicht. Und Mosfets sind auch keine Wunderwaffen. Dazu lässt sich imho die Funktion von BJTs einfacher erfassen, macht diese eher Anfänger-geeignet
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Büttner Votronic modified sine wave inverter
www.eleccircuit.com/30w-simple-inverter-using-6-transistors/ Und dann das Schaltungsprinzip mit MOSFETs suchen.
MOSFet nicht schützen. Jede Sicherung ist dutzende Male langsamer, als die Zerstörung des MOSFet dauert.
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Welcher N mosfet schaltet zu 100% durch ?
Mach mal folgendes: - Begründe hier mal warum du einen N-Kanal Mosfet verwendest. - Erkläre uns mal was für dich der Unterschied zwischen einem Bipolartransistor und einem Mosfet ist, bzw. was muss gelten damit ein N-Kanal Mosfet, NPN-Transistor, P-Kanal Mosfet, PNP-Transistor
und einem Mosfet ist, bzw. was muss gelten damit ein > N-Kanal Mosfet, NPN-Transistor, P-Kanal Mosfet, PNP-Transistor > durchschaltet, Naja bei N kanal mosfets muss an gate eine positive spannung anliegen.