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Nixie-Röhren
die Anodenspannung ist. Im hier gezeigten Beispiel wurden ein SMBTA42 als NPN Transistor und ein BSS131 als N-Kanal MOSFET gewählt: Als Basisvorwiderstand für Mikrocontroller mit 3,3V oder 5V I/O-Spannung gleichermaßen reichen 10kΩ. Damit fließt bei 3,3V (abzgl. 0,9V U BE ) ein Basisstrom von 240µA.
einen minimalen Stromverstärkungsfaktor von h FE = 25. Das reicht für 6mA Kollektorstrom. Für den BSS131 reicht ein Gate-Vorwiderstand von 100Ω, um den Ladestrom zu begrenzen. Das nächste Bild zeigt die Ansteuerung der Transistoren über Schieberegister. Man könnte annehmen, dass das in eine riesige Materialschlacht
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MOSFET-Übersicht
LL, Qg=39nC Rei Con 1,15 AOC2414 MCSP Alpha&Omega 0,52 8 4,5 0,55 19 1,2V LL, Qg=21,5nC Digikey BSS131 SOT-23 Infineon 0,8-1,8 240 0,4 0,36 14000 (Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. Auf Anfrage, LL Logic Level, LIN Linearbetrieb möglich) N-Kanal J-FET. Name Gehäuse Her steller /V /V /