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DS10-g0134-PID.c
// 1---Vss Masse 5---R/W // 2---VDD +5V 6---E // 3---Vo Kontrast 7---DB0 // 4---RS 14---DB7 // // DS10_0101 190210; if (ADC12MEM3>50) ab ca 60E am Anschlag // DS10_0102 190210 D-Anteil einfügen, if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; // DS10_0102 190211 if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; entfernt // DS10_0103
in „while-Schleife wird "unerlaubt verlassen"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS10-g0133-PID.c
// 1---Vss Masse 5---R/W // 2---VDD +5V 6---E // 3---Vo Kontrast 7---DB0 // 4---RS 14---DB7 // // DS10_0101 190210; if (ADC12MEM3>50) ab ca 60E am Anschlag // DS10_0102 190210 D-Anteil einfügen, if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; // DS10_0102 190211 if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; entfernt // DS10_0103
in „while-Schleife wird "unerlaubt verlassen"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS10-g0120-PID.c
// 1---Vss Masse 5---R/W // 2---VDD +5V 6---E // 3---Vo Kontrast 7---DB0 // 4---RS 14---DB7 // // DS10_0101 190210; if (ADC12MEM3>50) ab ca 60E am Anschlag // DS10_0102 190210 D-Anteil einfügen, if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; // DS10_0102 190211 if (ADC12MEM3>50)reglerstart=1; entfernt // DS10_0103
in „while-Schleife vorzeitig verlassen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS10-g0074-PID.c
include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include <signal.h> //wird für interrupt gebraucht #include "DS10-gP12-SD_MAINTI.c" #include "DS10-g0073-LMK62-SD.h" #include "DS10-gP11-DS32C35.h" #include "DS10-g0073-DS18B20-NR1bis18-LP63-11.h" #include "DS10-g0068-SD_Karte.h" //für Karte Nr19 PLATINUM: = 528 unsigned
in „Wie 2x interrupt verschachteln, MSP430“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS10-g0075-PID.c
include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include <signal.h> //wird für interrupt gebraucht #include "DS10-gP12-SD_MAINTI.c" #include "DS10-g0073-LMK62-SD.h" #include "DS10-gP11-DS32C35.h" #include "DS10-g0073-DS18B20-NR1bis18-LP63-11.h" #include "DS10-g0068-SD_Karte.h" //für Karte Nr19 PLATINUM: = 528 unsigned
in „Wie 2x interrupt verschachteln, MSP430“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DW01-P_DataSheet_V10.pdf
circuits. No external capacitors required. Fortune Semiconductor Corp.TEL: +886-2-2809-4742 1/11 DW01-P-DS-10_EN Rev. 1.0 http://www.fsc.com.tw FAX: +886-2-2809-4874 Sep, 2006 DW01-P Product Name List Package Overcharge Overcharge Overdischarge Overdischarge Overcurrent detection release detection release
in „TP4056 Parallel?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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circuits. No external capacitors required. Fortune Semiconductor Corp.TEL: +886-2-2809-4742 1/11 DW01-P-DS-10_EN Rev. 1.0 http://www.fsc.com.tw FAX: +886-2-2809-4874 Sep, 2006 DW01-P Product Name List Package Overcharge Overcharge Overdischarge Overdischarge Overcurrent detection release detection release
in „Solarlampe (China) Spannungsbegrenzung hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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in „Frage zu 5V-Mini-USB-1A-Lithium-Li-ion-Akku-Lademodul“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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in „batteriebetriebener ESP32 --- Batterieschutzschaltung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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in „Frage zu Li-Ion Akku mit TP4056 laden“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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in „Erstes Board - Feedback willkommen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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circuits. No external capacitors required. Fortune Semiconductor Corp.TEL: +886-2-2809-4742 1/11 DW01-P-DS-10_EN Rev. 1.0 http://www.fsc.com.tw FAX: +886-2-2809-4874 Sep, 2006 DW01-P Product Name List Package Overcharge Overcharge Overdischarge Overdischarge Overcurrent detection release detection release
in „RDSon zur Strombegrenzung nutzen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DW01A-DS-10_EN.pdf
DW01Aheetn OneSCrieOLithium-ion/Polymer Battery Protection IC Foeec Pefr oR F RDW01A-DJUN 2009 DW01A Fax：886-2-280948742i County 251, Taiwan www.ic-fortune.com ’ s nl SC re eO F pe n Pr fee Re product.ion as a result of the use of this product. No rights under any patent accompany the sale of ther Rev. 1.0 2/14 DW01A 1. General Description 3. Ordering Information degradingitheumlifetimeydue btoterovercharge,ge PACKAGE TYPE The ultra-small package and less required extern-40°C~+85°C RANGE for Green-Package) ±50mV overcharging detection voltage ensures saf4.3V± 50mV PROTECTION storage.drains little
in „LiFePo Balancer: CF-4S30A-A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DW01-G-DS-10_EN.pdf
RDW01-G-JUN 2009 DW01-Geetn OneSCrie Lithium-ion/Polymer Battery Protection IC Foeec Pefr oR F DW01-G Fax：886-2-280948742i County 251, Taiwan www.ic-fortune.com ’ s nl SC re eO F pe n Pr fee Re product.ion as a result of the use of this product. No rights under any patent accompany the sale of ther Rev. 1.0 2/14 DW01-G 1. General Description 3. Ordering Information degradingtheiulifetimedueertoaovercharge,daPACKAGE TYPE The ultra-small package and less required e-40°C~+85°C RANGE for Green-Package) ±50mV overcharging detection voltage ensure4.25V± 50mVPROTECTION storage.drains little current from
in „Hackbarer(?) 21 EUR Quadcopter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DW01A-DS-10_EN.pdf
DW01Aheetn OneSCrieOLithium-ion/Polymer Battery Protection IC Foeec Pefr oR F RDW01A-DJUN 2009 DW01A Fax：886-2-280948742i County 251, Taiwan www.ic-fortune.com ’ s nl SC re eO F pe n Pr fee Re product.ion as a result of the use of this product. No rights under any patent accompany the sale of ther Rev. 1.0 2/14 DW01A 1. General Description 3. Ordering Information degradingitheumlifetimeydue btoterovercharge,ge PACKAGE TYPE The ultra-small package and less required extern-40°C~+85°C RANGE for Green-Package) ±50mV overcharging detection voltage ensures saf4.3V± 50mV PROTECTION storage.drains little
in „Laderegler Li-Ion 3s“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS10-g0066b-4xDS18B20_PID.c
******************************************** #include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include "DS10-gP12-SD_MAINTI.c" #include "DS10-g0066a-LMK62-SD.h" #include "DS10-gP11-DS32C35.h" #include "DS10-g0066a-DS18B20-NR1bis18-LP63-11.h" #include "DS10-g0066a-SD_Karte.h" #include <signal.h> unsigned char
in „Digitaler PID-Regler für elektromotorisches Heizkörperventil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0217b-DS10-SD-sektor_auslesen-als_antwort_senden.c
******************************************** #include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include "DS10-iar-0206-SD_MAINTI.c" #include "DS10-iar-LMK62-SD.h" #include "DS10-iar-DS32C35.h" //#include "DS10-iar_DS18B20_Nr29_30_31_32_33_34.h" #include "DS10-iar-0206-SD_karte.h" #include <signal.h> #include
in „512 Byte-Sektor einer SD-Karte mit E32-868T drahtlos übertragen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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A--0191c-i-DS10_be-kon_Ka09_b.c
******************************************** #include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include "DS10-gP16-LMK62-SD.h" //#include "DS10-gP11-DS32C35.h" //#include "DS10-gP16-DS18B20-NR1bis18-LP63-11.h" //#include "DS10-gP16-SD_Karte.h" #include <signal.h> unsigned char txbuffer_daten[8],txbuffer[6];
in „Sende/Empfangsvorgang mittels nur 1St. µC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0189c-ko-DS10_sender_konfigurieren___bearbeitet.c
; // sichert die Parameter nach Stromausfall txbuffer[1] = 0x44; // Adresse oberes Byte (Gerät 3, DS10) txbuffer[2] = 0x44; // Adresse unteres Byte (Gerät 3, DS10) txbuffer[3] = 0x1A; // 8N1, UART baut rate:9600 (bps), Übertragungsrate:2,4k (bps) txbuffer[4] = 0x07; // Kanal 7 txbuffer[5] = 0xC7; //
in „Probleme mit den Sende- und Empfangsteilen E32-868T“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N4416.pdf
i 12 fs n n c r c O gos n D n r u i d o 40 t r 8 4 c - 200 n t n i e a c r µ − ( D S S 4 DSS@ V DS= 10 V, GS = 0 V 2 m −)100 20 ) D gfs V DS= 10 V, GS= 0 V ) ( I f = 1 kHz S rD 0 0 0 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 0 −2 −4 −6 −8 −10 VGS(off)Gate-Source Cutoff Voltage (V) VGS(off)Gate-Source Cutoff Voltage (V) Output
in „OP-Amp schützen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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baerp_17.pdf
DS19 7 8 7 8 DS23 7 8 DS28DS34 7 8 3 DS39 7 8 15 DS4 DS9 DS13 DS15DS18 DS24 DS29DS33 D DS38 14 DS5 DS10 DS20 DS25 DS30 DS40 13 12 11 10 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 8 9 0 1 2 3 4 9 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
in „Welcher Transistor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SST5912_Datasheet_Rev_A.pdf
Breakdown Voltage -35 -25 IG= -1mA, VDS = 0V V VGS(OFF) Gate-Source Cut off Voltage -3.5 -1 -5 V DS= 10V, D = 1nA 2 IDSS Saturation Drain Current 15 7 40 mA V DS= 10V, GS = 0V -1 -100 pA V GS= -15V, DS = 0V IGSS Gate Reverse Current -0.2 nA TA = 125 C -1 -100 pA V DG= 10V, D = 5mA IG Gate Operating Current
in „Was ist das für ein Bauteil? Bzw welcher Hersteller?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TPCA8048-H_Toshiba.pdf
Drain-source breakdown voltage V V (BR) DSX ID= 10 mA, GS = −20 V 45 ⎯ ⎯ Gate threshold voltage V th V DS= 10 V,DI = 1.0 mA 1.3 ⎯ 2.3 V V GS= 4.5 VD I = 18 A ⎯ 4.8 7.1 Drain-source ON-resistance RDS (ON) mΩ V GS= 10 V,DI = 18 A ⎯ 4.3 6.6 Forward transfer admittance |Yfs V DS= 10 V,DI = 18 A 59 118 ⎯ S Input capacitance Ciss ⎯ 5800 7540 Reverse transfer capacitance Crss V DS= 10 V, GS= 0 V, f = 1 MHz ⎯ 210 315 pF Output capacitance Coss ⎯ 650 ⎯ Gate resistance rg V DS= 10 V, GS= 0 V, f = 1 MHz ⎯ 1.0 1.5 Ω Rise time tr ⎯ 3.6 ⎯ V 10 V ID= 18 A GS 0 V VOUT Turn-on time ton Ω
in „WER KENNT DIESES 10S BMS von 36V Lion Akku vom Hersteller GW.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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564932.pdf
100 A V = –25 V, V = 0 DSS DS GS Gate to source cutoff voltage VGS(off) –1.0 — –2.5 V ID= –1 mA, V DS–10 V 1 Static drain to source on stateRDS(on) — 0.1 0.14 ½ ID= –4 A, VGS = –10 V* 1 resistance — 0.15 0.22 ½ ID= –4 A, VGS = –4 V* 1 Forward transfer admittance |yfs 4 6 — S ID= –4 A, VDS –10 V* Input capacitance Ciss — 755 — pF V DS–10 V, V GS= 0, Output capacitance Coss — 495 — pF f = 1 MHz Reverse transfer capacitance Crss — 210 — pF Turn-on delay time t — 12 — ns = –4IA, V = –10 V, d(on) D GS Rise time t — 50 — ns = 7.5 ½ r L
in „Suche Mosfet oder Vergleichstyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PMBFJ620_1.pdf
I y DSS fs (mA) (mS) 16 40 30 12 20 8 10 4 0 0 0 −1 −2 −3 −4 0 −2 −4 −6 −8 VGSoff(V) VGSoff(V) V DS= 10 V; Tj= 25 °C. VDS = 10 V; D = 10 mA; Tj= 25 °C. Fig 2. Drain current as a function of gate-source Fig 3. Common source forward transfer admittance as cut-off voltage; typical values. a function of
in „Doppelfet für Vorstufe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A--DS10-gP16-LMK62-SD_b.h
// MSP430F1611 // ----------------- // | XIN|- 32,768kHz // | | | // Taster rot--|RST (58) XOUT|- 32,768kHz //8 MHz X2OUT- | P1.0..P1.7|Daten FKA LMK62 // 8 Mhz X2IN- | | // | P3.0|frei // UTXD0 |P3.4 P3.1|-> Daten Ausgang (29) // URXD0 |P3.5 P3.2|<- Data In (SOMI0) (30) // UTXD1 |P3.6 P3.3|-> Serial Clock Out (UCLK) (31) // URXD1 |P3.7 // //(35) | P4.0-P4.7| frei (36)..(43) //(44) SD CS |P5.0 P2.7| SD Karte Einsteckkontrolle // SD DI |P5.1 P2.6| Temp 2 EIN/AUS TSiC506 // SD DO |P5.2 P2.5| frei // SD CLK |P5.3 P2.4| Dateneingang 2 TSiC506 //(48) frei |P5.4 P2.3|LED rot // | P2.2|LED gelb (z.Zt.
in „Sende/Empfangsvorgang mittels nur 1St. µC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml6401.pdf
––– RG= 89Ω Ciss Input Capacitance ––– 830 ––– V GS= 0V Coss Output Capacitance ––– 180 ––– pF V DS= -10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 125 ––– ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions S Continuous Source Current MOSFET symbol D (Body Diode
in „CMOS Transistoren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
––– RG= 89Ω Ciss Input Capacitance ––– 830 ––– V GS= 0V Coss Output Capacitance ––– 180 ––– pF V DS= -10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 125 ––– ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions S Continuous Source Current MOSFET symbol D (Body Diode
in „parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
––– RG= 89Ω Ciss Input Capacitance ––– 830 ––– V GS= 0V Coss Output Capacitance ––– 180 ––– pF V DS= -10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 125 ––– ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions S Continuous Source Current MOSFET symbol D (Body Diode
in „LED Multiplexer glimmt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLR6225PBF_NMOS.pdf
Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 nA V GS= -12V gfs Forward Transconductance 205 ––– ––– S V DS= 10V, D = 21A Qg Total Gate Charge ––– 48 72 Q gs1 Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 2.6 ––– V DS= 10V Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 3.6 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q gd Gate-to-Drain Charge ––– 19 –
in „FET abgeraucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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0189c-be_DS10_sendebetrieb_an_adr_0x5555___bearbeitet.c
#include <MSP430x16x.h> // für MSP430F1611 #include <signal.h> unsigned char txbuffer_daten[8];; unsigned int k,f,l; void pause400(void); void UART1_empfangen_senden_einstellen(void); void Timer_einstellen(void); void daten_tx_festlegen(void); void warten100ms(void); void Blitz_gelb(void); int main(void) { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer P4DIR |= BIT0 + BIT1; // für LED P4.0 + P4.1 P4OUT |= BIT0 + BIT1; //LED AUS UART1_empfangen_senden_einstellen(); P2DIR |= BIT4 + BIT5; // M0 = 2.4, M1=2.5 P2OUT &= ~BIT4; // M0=T P2OUT &= ~BIT5; // M1=T Timer_einstellen(); _EINT(); // allg. Interrupt-Freigabe
in „Probleme mit den Sende- und Empfangsteilen E32-868T“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MIC94030BM4.PDF
DS= 12V, VGS= 0V 25 A V DS= 12V, VGS= 0V, J = 125°C 0.010 250 A ID(ON) On-State Drain Current V DS= 10V, VGS= 10V, Note 5 6.3 A RDS(ON) Drain-Source On-State Resist. V GS= 10V, D = 100mA 0.45 V GS= 4.5V,DI = 100mA 0.75 1.00 V GS= 2.7V,DI = 100mA 1.20 gFS Forward Transconductance V DS= 10V, D = 200mA
in „MOSFET ohne Body-Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlr3717.pdf
sw gs2 gd Q oss Output Charge ––– 13 ––– nC V DS= 10V, VGS= 0V td(on) Turn-On Delay Time ––– 14 ––– V DD= 10V, VGS= 4.5V e t r Rise Time ––– 14 ––– ns ID= 12A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 5.8 ––– Clamped Inductive Load tf Fall Time ––– 16 ––– C iss Input Capacitance ––– 2830 ––– V GS= 0V C oss Output Capacitance ––– 920 ––– pF V DS= 10V C rss Reverse Transfer Capacitance ––– 420 ––– ƒ = 1.0MHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy AS ––– 460 mJ IAR Avalanche Curren c ––– 12 A E AR Repetitive
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Infineon-IRLML2502-DataSheet-v01_01-EN.pdf
GS= -12V Q Total Gate Charge ––– 8.0 12 I = 4.0A g D Q gs Gate-to-Source Charge ––– 1.8 2.7 nC V DS= 10V Q gd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.7 2.6 V GS= 5.0V d td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.5 ––– V DD= 10V t Rise Time ––– 10 ––– I = 1.0A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– R G 6Ω tf
in „Hilfe bei Bauteilidentifizierung erbeten (MOSFET, SOT23)“ · Offtopic ·
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IRLML2502.pdf
GS= -12V Q Total Gate Charge ––– 8.0 12 I = 4.0A g D Q gs Gate-to-Source Charge ––– 1.8 2.7 nC V DS= 10V Q gd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.7 2.6 V GS= 5.0V d td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.5 ––– V DD= 10V t Rise Time ––– 10 ––– I = 1.0A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– R G 6Ω tf
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bios6V127.asm
0h indad2: dw 0h ; begdat equ dirbuf ; dirbuf: ds 80h ; Directory Access Buffer alv0: ds 12h csv0: ds 10h alv1: ds 12h csv1: ds 10h alv2: ds 12h csv2: ds 10h alv3: ds 12h csv3: ds 10h enddat: ds 0h ; datsiz equ 0108h ; = ENDDAT - BEGDAT ; uc1out: ds 3h ; User-Consol-Output uc1in: ds 3h ; User-Consol-Input
in „Suche MOPPEL Projekt in Heft oder .PDF“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0221-TS-_antwort_empfangen_512-Test.c
tx_daten[] = { 0x44, // Adresse 0x44, // Adresse 0x09, // kanal 0x56, // Marke 0x56 löst antwort bei DS10 aus 0x56 }; int main(void) { WDTCTL = WDTPW | WDTHOLD; // Stop watchdog timer P5DIR |= BIT0 + BIT6 + BIT7; // für LED P5.6 + P5.7, 5.0 =ST1-SD LED_GRUEN_AUS; LED_ROT_AUS; P4DIR |= BIT0 | BIT1; // M0
in „512 Byte-Sektor einer SD-Karte mit E32-868T drahtlos übertragen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FDN335N.pdf
Forward Transconductance V DS= 5 V, D = 1.5 A 7 S Dynamic Characteristics Ciss Input Capacitance V DS= 10 V, VGS = 0 V, 310 pF f = 1.0 MHz Coss Output Capacitance 80 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 40 pF Switching Characteristics (Note 2) d(on) Turn-On Delay Time V DD= 10 V, ID= 1 A, 5 15 ns t Turn-On
in „FDN335N Hilfe mit dem Datenblatt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FDN335N.pdf
Forward Transconductance V DS= 5 V, D = 1.5 A 7 S Dynamic Characteristics Ciss Input Capacitance V DS= 10 V, VGS = 0 V, 310 pF f = 1.0 MHz Coss Output Capacitance 80 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 40 pF Switching Characteristics (Note 2) d(on) Turn-On Delay Time V DD= 10 V, ID= 1 A, 5 15 ns t Turn-On
in „Batt. Ladung per MOSFET Ein/Aus schalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N3819.pdf
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency Output Conductance vs. Drain Current 20 20 VGS(off)–3 V V DS= 10 V VGS(off)–3 V V DS= 10 V f = 1 kHz ) z 16 S 16 H ( / c TA= –55_C V a n c g 12 d 12 l o o C 25_C e u i 8 t 8 N u – – 125_C n D = 5 mA o e 4 g 4 D = DSS 0 0 10 100 1 k 10 k 100 k 0.1 1 10 f – Frequency
in „2N3819 Rdson Frage DB“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ZXMN2B01F.pdf
0.150 ⍀ V GS= 2.5V,DI = 2.0A 0.200 ⍀ V GS= 1.8V,DI = 1.7A Forward transconductance (*)(‡gfs 6.1 S V DS= 10V,DI = 2.4A (‡) Dynamic Input capacitance C 370 pF V = 10V, V =0V iss DS GS Output capacitance C 81 pF f=1MHz oss Reverse transfer capacitance C 46 pF rss Switching (†) (‡) Turn-on-delay time td(on)
in „LED-Spannungswandler mit MOSFET ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FDW2501NZ.pdf
Transconductance V DS= 5 V, ID= 5.5 A 30 S Dynamic Characteristics C Input Capacitance 1286 pF iss V DS= 10 V, VGS = 0 V, Coss Output Capacitance f = 1.0 MHz 305 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 161 pF Switching Characteristics (Note 2) d(on) Turn–On Delay Time V DD= 10 V, ID= 1 A, 10 20 ns t Turn–On
in „N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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K4097.pdf
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V IT12374 Case Temperature, Tc -- °C IT12375 y fs -- I D S -- V SD 2 5 S V DS =10V 3 V GS =0V - 2 10 5°C f 2 17 7 C A 5 e 5 -25 ° - 3 n Tc= S 2 t °C t m 3 7 5 e 1.0 d r 7 r 2 C 5 f e 3 a u 2 T 1.0 S 0.1 d 7 C C ° a 7 5 5° 5 2 r 5 3 = 2 - F 2 T 3 0.01 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7
in „MOSFET (K4097) Ersatztyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2sk1402.pdf
GS on state resistance K1402A — 2.0 2.6 Forward transfer admittance |yfs| 2.2 3.5 — S ID= 2 A, V DS= 10 V *1 Input capacitance Ciss — 600 — pF V DS= 10 V, V GS= 0, Output capacitance Coss — 140 — pF f = 1 MHz Reverse transfer capacitance Crss — 25 — pF Turn-on delay time td(on) — 8 — ns ID= 2 A, V GS
in „Reparatur Schaltnetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MTE011N10RFP-CystechElectonics.pdf
- mV/C Reference to 25C, ID=250μA V GS(th) 2.0 - 4.0 V V DS = V GSI D250μA *G FS - 14.5 - S V DS =10V, ID=10A IGSS - - ±100 nA V GS20V IDSS - - 1 μA V DS =80V, V GS =0V - - 5 V DS =80V, V GS =0V, Tj=55C *R DS(ON) - 11 13.8 m Ω V GS =10V, ID=11A Dynamic *Qg - 42 - *Qgs - 13 - nC V DD0V, I =2DA,V =
in „IC identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Testboard von Micro Crystal Switzerland
9873 CC4V(A) CM4V(A) CC5V(A) MS2V-TS MX1V-TK DS 15 CC1V(A) CCAT(A) CC1F(A) CC4V(C) CM4V(C) CC5V(C) DS 10
in „Zeigt her Eure interessanten historischen Bauelemente“ · Offtopic · · Fotos
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Ausschaltverhalten_0_47Ohm.pdf
D (10A) D (12,5A) A 300 / D (15A) 1 D (17,5A) · 200 i (20A) i D V 100 uDS(5A) / uDS(7,5A) S D 0 uDS(10A) u uDS(12,5A) u (15A) −100 DS uDS(17,5A) −200 uDS(20A) −20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Einschaltverhalten_0Ohm.pdf
D (10A) 300 D (12,5A) A / D (15A) 1 200 D (17,5A) · i (20A) i 100 D V uDS(5A) / 0 uDS(7,5A) S D uDS(10A) u−100 uDS(12,5A) u (15A) −200 DS uDS(17,5A) −300 uDS(20A) −20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Oszilloskop-Messung von ADC-Erfassung und FET-Schaltung
Settling Artifact? FET turned off Yellow: ADC aquistion Turkis: Current ADC Input * .png File Name RigolDS10 Invert OFF Color NewFolder Window Hide Save +Width1 870.50ns Freq2 155.20kHz Freq1 25.056kHz 1 1.00V 0.00V 2 2.00V -1.33V 3 3.00V +4.16V 4 4.00V -3.44V L 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16:56
in „Strommessung bei High-Speed Motor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Oszi-Bilder
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Einschaltverhalten_0Ohm_Mit_Ohne_Shunt_Vergleich.pdf
keinShunt)(15A) S u (keinShunt)(5A) u GS uDS(keinShunt)(10A) 0 uDS(keinShunt)(12,5A) u (keinShunt)(15A) DS −10−20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
