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Produktseite eines IRF5210 MOSFETs
1,35€ Price includes VAT 1,05€ each, ≥ 10 pieces Extra 2% off with coins Color: 1PCS LF33CV 20PCS IRF5210 20PCS BTB12-600B 20PCS BT151-800R 20PCS BT139-600E 20PCS V3040P 1PCS LF33CV 1PCS IRF5210 Choice Free shipping over 10,00€
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Schaltplan mit Transistoren und ULN2803
7 12 8 11 9 GND 10 ULN2803 2 T8 1 3 IRF1405/D14N05 VCC_2 R71 1 2 3,9K 1 2 ZD4 2,2K 1 2 T9 IRF5210/D8P05 1 3 R53 10V R52 2 1 47K VCC_2 K1 1 2
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Artikel
MOSFET-Übersicht
IRF4905S D2Pack IRF 4,0 55 64 3,8 20 - Rei, Con 1,10 IRF4905 TO-220AB IRF 4,0 55 74 200 20 - Rei 0,93 IRF5210 TO-220AB IRF 10,0 100 40 200 60 - Rei 1,15 IRF5210S D2Pack IRF 10,0 100 40 ? 60 - Rei 1,25 IRF7205 SO-8 IRF 3,0 30 4,6 2,5 70 ? Rei 0,34 FDC604P SuperSOT-6 Fairchild 1,5 20 5,5 0,8-1,6 33 - csd (a.A
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Transistoren Austausch
kurze Frage. An einer Plantinie sind zwei Transistoren defekt. 1. Transistor auf der Plantine IRF5210 - P108D GS66. Bestellt habe ich einen IRF5210 - P2230 EU21 2.Transistor auf der Plantine IRF3710 - P107D G018. Bestellt habe ich einen IRF3710 - P144D TE89. Kann ich die Defekte Transistoren
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Schaltplan eines LED-Stromtreibers
Aus Forumbeitrag VCC R2 100 PWM R5 100k GND Q1 IRF5210 IN VCC R4 1k C2 10u C1 10u R6 0.1R R1 0.1R U19 PAM2863ECR VIN ISE AGND VSET LX GND IN C3 1n L5 33uH D1 SS34-C U8 2080-452/998-404 LED 1 GND GND GND
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Öffnerkontakt der für x (Milli)sekunden öffnet
https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Mir stechen der IRF4905 oder der IRF5210 ins Auge ... Die sind bei U_GS von 2V noch komplett aus und mit 10V am Gate können sie noch sehr viel Strom (kurzzeitig und mit guter Kühlung)! Falls solche Ströme angedacht sind, hier nochmals
MOSFET P-Ch 100V 76A 298W 0,025R TO220AB 6,50€ IRF 9540N MOSFET, P-CH, 100V, 23A, 140W, TO-220AB 1€ IRF5210SPBF MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D²Pak 5€ [/pre] 60Volt -Typen wären mir da schon zu knapp 55Volt sieht man ja auch oft. von Gate nach Drain zur Sicherheit noch ne 48Volt-Zener-Diode
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TL494 Step Up Wandler Regelkreis schwingt
auch meine Vermutung. Deswegen werde ich es mal mit einem IR2113 probieren. Als FET's habe ich btw. IRF5210 und IRF540 verwendet. Gruß Transformator1
Transformator1 schrieb: > Als FET's habe ich btw. IRF5210 und IRF540 verwendet. Beim IR2113 wären es dann 2x IRF540 oder 2x IRFB3207. Gruß Transformator1
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PWM-Schaltung verbessern?
danke für den Schaltplan Falk, als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Das ganze ist nach T9 4 mal aufgebaut jede Platine muss nur 65A schalten, das könnte mit der Verstärkung
#7215315: > danke für den Schaltplan Falk, > > als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden > IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Kann man was mit anfangen. Viel parallel können 65A schalten, macht ~15W Verlustleistung/MOSFET
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Bauteilsuche TV-Netzteil Samsung
60 13.09.2021 11:11 Strom-Limitierung DC 12-15V 11 13.09.2021 11:06 Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das? 20 13.09.2021 08:59 Spulensättigung 36 13.09.2021 04:21 Transistor hFE 78 12.09.2021 22:53 Spannung umpolen 26 12.09.2021 20:56 Spannungswandler Leistung 8 12.09.2021
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Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das?
optimierten N-FET und einem integrierten Charg-Pump-Treiber zu sehr gestört hat. Ich habe dafür den IRF5210PbF (TO220), von Infineon ins Auge gefasst. Es werden 3-4 hiervon parallel vorgesehen. Er ist nach meiner Recherche im Vergleich der SOA-Diagramme der robustetste P-FET den ich finden konnte. @1ms
steuert oben einen PNP an, der die Gate-Spannung begrenzt. Ich würde mir gut überlegen, so viele IRF5210 hintereinander zu schalten. Die haben zwar ein Rdson von 60mΩ, das sind bei 10A aber auch schon 6W. Das wird eine Materialschlacht: entweder viele parallel oder viel Kühlung.
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Ladeausgleichsschaltung
...und noch eine Frage: Ich habe noch einen IRF5210 gefunden. Könnte ich diesen anstatt des gegrillten IRF4905 verwenden? Das Datenblatt sieht gut aus, soweit ich es überblicke.
davon, der Kondensator an Vbat' schadet auf keinen Fall. Für deine weiteren Tests kannst du den IRF5210 nehmen. Er ist schon etwas schlechter, aber wenn du dann mal eine funktionierende Lösung hast würde ich für die entgültige Version den IRF4905 nehmen.
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BUZ11 stirbt in dieser einfachen Regelschaltung von 30V auf 6V, warum?
Variante mit einem 200W 29A P-Channel IRF5210. Vorteile: - Ausgangsspannung ist nahe an der Ladeelkospannung, kein Spannungsabfall an UBE Strecke wie bei einem Transistor - Kühlkörper mit Drain verbunden, bei ev. Kurzschluss gegen
Bernhard S. schrieb im Beitrag #6464992: > Variante mit einem 200W 29A P-Channel IRF5210. Übrigens noch ein Detail zur Spannungseinstellung wäre zu erwähnen: Bei einem Poti-Fehler, der Schleifkontakt habe Aussetzer, springt die Spannung nicht hoch am Ausgang.
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IRF5210S noch verwenden?
IRF5210S (D2PAK) kaum noch lieferbar zu sein scheint. Bei Digikey mit Lagerbestand 0, bei Mouser auf 0, bei RS Components auf 0... Laut Infineon steht er noch auf active. Nur bestimmte Verpackungsarten
nur temporäre Lieferschwierigkeiten? https://www.reichelt.de/index.html?ACTION=446&LA=0&nbc=1&q=irf5210 rhf
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P-Mosfet/Transistor Schaltung - verstehe die Werte nicht.
einer kleinen I/O Karte und möchte damit 55V / 10A max. schalten. Dazu verwende ich einen P-Mosfet (IRF5210). Unter anderem habe ich dafür hier im Forum eine Schaltung gefunden (Siehe Anhang). Angetrieben wird der Transistor von einem Pin eines ATmega328P. Nun verstehe ich die Auswahl der beiden
kleinen I/O Karte und möchte damit 55V / 10A > max. schalten. Dazu verwende ich einen P-Mosfet (IRF5210). Ich nehme an, das sind jeweils die Maximalwerte? Gibt es denn auch einen Nominal- und Minimalwert für die Spannung? Die 10A gehen nicht ohne Kühlung. Der MOSFET hat auch voll durchgeschaltet
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Super-Zener-Diode: Differenzieller Widerstand
Z-Dioden und zwei unterschiedlichen MOSFETs aufgebaut. Einmal N-Kanal IRFB 4110 und einmal P-Kanal IRF 5210. Der Grund für die Auswahl war einfach, was da ist. Die Zener-Diode wurde natürlich immer zwischen Drain und Gate geschaltet. Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit
allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der differentielle Widerstand dieses Gebildes ab?
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5V-Ausgang: Schutzbeschaltung
auch nur als Anstoß einer Teillösung gedacht. Dann muss halt ein anderer MOS-FET her: zum Beispiel IRF5210SPbF. Vielleicht geht es so.
Jetzt bin ich endlich mal dazu gekommen, die Lösung von BlaBla (Gast) auszuprobieren. Einen IRF 5210 habe ich nicht da, also muß ein IRF 9540N herhalten. Ergebnis: Eine Fehleinspeisung von -10V aus dem Ausgang wird wirklich sehr zuverlässig zurückgehalten. Allerdings wird auch die Vorwärts-Spannung
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Frage bzgl. ESD Protection bei mosfets
Hallo Forum, ich hätte mal eine Frage zum ESD Schutz bei mosfets. Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer ein oder ausschalten sollen. Die Schweinwerfer werden über 3 polige Steckverbinder mit dem Steuergerät verbunden. Auch wenn elektrische Kontakte eigentlich
Marvin schrieb im Beitrag #5974211: > Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer > ein oder ausschalten sollen. Wenn da nur alle paar Sekunden mal geschaltet werden soll, dann kannst du zusätzlich zur TVS-Diode ja noch einen recht "hochohmigen
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Transistor C=>E Restrom vernachlässigbar Wirklich?
Ich habe die Schaltung mal mit Eagle gezeichnet und hier angehängt. Als Mosfet habe ich einen IRF5210 gewählt. U_GS (max) = +/-20V U_GS (th) = -2V (-4V) Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b > Am Gate liegen ca. 47 Volt an wenn
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Faktoren zur Berechnung eines Spannungsteilers für P-Mosfet
Liebes Forum, ich möchte ein P-Mosfet (IRF5210) verwenden um ein Heizbett zu schalten. Da ich das ganze an eine bestehende Schaltung "andocken" muss, habe ich keinen Pin am Controller, sondern nur ein Gate eines 74HC08, über das ich den FET
[R1] | | | +----------[IRF5210] | | [R2] | | | 74HC08--------------[BCX41] | |
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Spannung von 90V reduzieren Gesperrt
Du dann aber einen bipolaren Transistor niedrigster VCEsat > ohne Basisstrom ;-) > Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > im Vollastbetrieb bei o.g. Anwendung hast Du Recht. Aber genau in dieser Betriebsart ist ja der Shuntregler sinnvoller. Wie schon erwähnt
MaWin schrieb im Beitrag #5496826: > m.n. schrieb: >> Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > > Wenn man ihn in der positiven Leitung mit einer negativen Gate-Spannung > voll durchschaltet. Einen mutmaßlichen Schalttransistor voll
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Verständnisfrage zu P-Channel Mosfet Beschaltung - wozu die Diode?
72V / (6k8+15k) * 6k8 = 22.45. UGSmax des IRF5210 ist 20V. Die P6KE100 ist kein Schutz, der MOSFET wird sowieso gegrillt. Auch bei Kurzschluss am Ausgang hilft niemand dem MOSFET. Die Erklärung für die Schaltung: Der Entwickler war dumm.
Stromanstieg auf diese Weise zu verlangsamen. MaWin schrieb im Beitrag #5448090: > UGSmax des IRF5210 ist 20V. Und auch wenn der dann auf dem Labortisch nicht gleich kaputtgeht, muss von aussen nicht viel mehr dazukommen, um das Gateoxid zu durchschlagen. > 72V / (6k8+15k) * 6k8 = 22.45. Und
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Wie schnellen High Side PFET Treiber am besten realisiseren?
das Gate "jagen" bzw. entladen können? PS NFETs scheiden aus, da ich noch gut 5 Stangen voll IRF5210 habe ;-)
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Brauche Hilfe bei der Schaltung
Eine Frage habe ich noch zum FET. Wenn ich mir die UGs(th) im Datenblatt vom z.B. IRF5210 anschaue, ist -2V bis -4V angegeben. Bedeutet es, dass ich das Gate des P-Kanal FETs minimum 2V bis maximum 4V geringer als das Potential an der Source des FETs haben muss, damit der FET sicher durchschaltet
#4189681: > Eine Frage habe ich noch zum FET. Wenn ich mir die UGs(th) im Datenblatt > vom z.B. IRF5210 anschaue, ist -2V bis -4V angegeben. Bedeutet es, dass > ich das Gate des P-Kanal FETs minimum 2V bis maximum 4V geringer als das > Potential an der Source des FETs haben muss, damit der FET sicher
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Welches Bauteil für 12V DC Impulsgeberschaltung?
Poti220k--+ | |S Verriegelungssignal --4u7--+-----------|I IRF5210 | Masse --|>|--+-- Hupe -- Masse MBR3060 [pre[ aber
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Welchen MOSFET verwendet ihr?
BUZ11 BUZ60 IRF1310 IRF5210 BS170
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Kühlkörper gesucht
IRF5210 (P-Kanal, 0.060 Ohm, 30A, 100V) kostet 1,15 Euro bei Reichelt
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Suche Schaltregler
www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQA36P15.pdf oder http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210pbf.pdf anbieten.
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Wie überwacht man die Einzelzellenspannungen aus in Serie geschalteten Akkus ?
#4576835 Als Sinnvolle PMOS-Transen bei *4* NiMh-Akkus in Reihe halte ich : IRF 4905 IRF 5305 IRF 5210 IRF 9310 IRF 9321 AO 4447A Suche Allerdings nach einer Auto-Power-OFF-Schaltung, die sich durch einen Tastendruck einschalten läßt und nach ca. 10 Minuten wieder ausschaltet. Bernd_Stein
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[V] MOS-FET´s, Dioden, OP´s, DAC´s, Sensoren
Stk. IR2136SPBF SO28W28 40 Stk. T IRF3710 N-Kanal 100V 57A 60 Stk. T IRF5210S P-Kanal 100V 40A 50 Stk. T IRF7103 N-Kanal 50V 3A 20 Stk. T IRF7210 N-Kanal 12V 2,5A 1 Stk. T IRF7303 N-Kanal 30V 3,9A 6 Stk. T IRF7306PBF P-Kanal 30V 3,6A
SO28W28 40 Stk. 2,30 T IRF3710 N-Kanal 100V 57A 60 Stk. 0,50 T IRF5210S P-Kanal 100V 40A 50 Stk. 0,50 T IRF7103 N-Kanal 50V 3A 20 Stk. 0,20 T IRF7210 N-Kanal 12V 2,5A 1 Stk. 0,20 T IRF7303 N-Kanal 30V 3,9A 6 Stk.
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Schaltregler-Konstantstromquelle für 50W LED (33V, 1,6A)
angegeben ist hab ich alles bestellen können. Kann ichda einen Beliebigen p-FET dranklatschen z.B. den IRF5210s? Da hab ich noch welche da. Spannungsfestigkeit passt soweit nur hat der natürlich ne recht anständige Gateladung...
habe die LM3409HV heute von Farnell bekommen. Jetzt stellt sich immer noch die Frage ob ich den IRF5210s da dran betreiben kann oder ob ich damit den Chip zerstöre. Was sind die Auswahlkriterien in diesem Falle? Gateladung? Mit hoffnung auf Infos... Rolle
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H Brücke mit P FET oder besser N?
verlustarm statisch schalten. Also mehrere FETs parallel ist klar, aber was ist das bessere ? Mehrere IRF 5210 (P-FET) Spannungsfestigkeit sollte für 70V Dimensioniert sein, oder eher nen schönen N-Fet bis 100V und 120A oder mehr und dann Ladungspumpe? Die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit ist wichtig, die
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P-Channel MOSFET mit 30V Gate-Source Spannung?
Gate-Source Spannung?" und wenn da auf eine Liste referenziert wird, in der der P-Channel -MOSFET "IRF5210S" bei 10V endet, ist der Hinweis "Wohl kaum." gerechtfertigt. Sicher kann man irgendwo einen finden ("FQPF12P10"), der scheint aber nebenbei auch nicht so gängig zu sein. Selbst bei Digikey muss
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Schaltnetzteil 0-60V 0-30A?
Allerdings erscheinen mir 30A Dauerstrom eher unrealistisch > mit den TO220-Halbleitern. Ein IRF5210 und MBR60H100 schaffen das durchaus.
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N-Kanal MOSFET - Last zieht immer Strom
>Wozu ? >Technisch ist das nicht nötig. Bei den P-Kanal FETs hatte ich den IRF5210 und eben den IRF4905 ausprobiert. Dabei habe ich bemerkt, dass der Servo mit dem IRF4905 viel kraftvoller steuert. Liegt das nicht an dem RDS,on Value? >Weil das Diagramm Fig1 und Fig2 schon bei
> IRF5210 Nun, die 4.5V Kurve liegt viel niedriger als beim IRF4905, und zudem sind die 'typisch' (Abweichung bis 1:2 möglich). > Würde ein IRF7401 mein Problem lösen, dass der Servo auch > im ausgeschalteten
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Abwaertswandler mit P-Kanal MOSFET
Erster Versuch mit einem N-Kanal Mosfet schlug (natuerlich) fehl. Heute also bei Segor einen P-Kanal IRF 5210 geholt und per PWM (per Software negiert) ueber eine Komplemntaertransistorstufe angesteuert. Bei 7 V am Eingang geht es super, auch bei 9 V. Leider geht bei 12 V schon nix mehr - es liegen immer
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MOSFET high side driver - boot strap - charge pumpe
de.rs-online.com/web/search/searchBrowseAction.html?method=searchProducts&searchTerm=irf521&x=0&y=0 Also den IRF5210 in verschiedenen Gehäuseausführungen. Und eine Ansteuerung per Levelshifter ist hier zu sehen: http://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png Muss halt ggf. an eine höhere Spannung
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5A 12V Schaltregler, so wenig Dropout wie möglich
hier auch ein MOSFET mit besseren Daten. 100V: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210.pdf 55V: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf4905.pdf 30V(Logik SO8): http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7424.pdf Beid er Akkuschutzschaltung sind idR. zwei
