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RF AMP 100W 1-30MHZ
Kapazitäten, besonders das Gate-C. Schau dir Datenblätter von IRF510/530 an, nimm dann nur mal einen IRF630/640 und vergleiche die Daten. Aller Strom und Spannung kann bei HF nichts gegen die Kapazitäten ausrichten. Schau dagegen die Kapazitäten des MRF101. Es gibt natürlich Experten, die das besser
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VAG 1552 K Leitung Defekt
Fehlermeldung. Ich habe das auf der Platine schon etwas verfolgt. Die K-Leitung geht an zwei Mosfet IRF630 und BS170. Hat jemand irgendeinen Schaltplan der Eingangsstufe. Dies würde es sehr erleichtern. Man braucht ja nicht alles doppelt zu machen.
Fehlermeldung. Ich habe das auf der > Platine schon etwas verfolgt. Die K-Leitung geht an zwei Mosfet IRF630 > und BS170. > > Hat jemand irgendeinen Schaltplan der Eingangsstufe. Dies würde es sehr > erleichtern. Man braucht ja nicht alles doppelt zu machen. Gabs eine Lösung?
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Sperrwandler - mehrere Ausgangsspannungen
auf mindestens 100V, besser vielleicht sogar noch einen 200V-Transistor auslegen, vlt. sowas wie IRF630N. Das macht weniger Probleme mit Abschaltspitzen. Ein Gatewiderstand von 10 Ohm könnte auch Schaltverluste verringern.
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Suche N-FET um einen Motor mit 2.5A Dauerstrom (12V) per PWM zu drosseln
kleineren Frequenzen deutlich hörbare Geräusche von sich geben. Ich habe leider nur noch nen IRF630 und nen IRF9510 hier, die beide ähnlich zum BUZ11 sind. Da ich sowieso jetzt bestellen muss, was wäre eurer Meinung nach besser bzw. was würde reichen? Ein IRLML2502 o.ä. alleine wie von @MaWin (
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Büttner Votronic modified sine wave inverter
ein 115V Modell mit 60Hz, was aber fürs Prinzip völlig egal ist. Wir Europäer verbauen statt der IRF630/640 dann den IRF840. Noch ein Beschaffungstip: Die MPSA (oder andere HV Transistoren) sind paarweise in jeder Energiesparlampe zu finden und bestens als Ersatz geeignet.
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Mosfet am Arduino mit PWM
Hallo. Ich möchte einen IRF 630A mit einem Arduino ansteuern. Wenn ich es richtig verstanden habe, macht es Sinn das Gate nicht mit 5V sondern mit 12V zu betreiben. Ich habe die Schaltung im Moment so ähnlich wie in dem Schaltbild
Hallo, > Mario G. schrieb im Beitrag #5346511: > Ich möchte einen IRF 630A mit einem Arduino ansteuern. > Wenn ich es richtig verstanden habe, macht es Sinn das Gate nicht mit 5V > sondern mit 12V zu betreiben. Zumindest dieser FET benötigt etwas höhere Gatespannung
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PWM Signal mit hoher Frequenzauflösung
steuere damit meine Mosfets in der Vollbrücke an. Bei den Mosfets habe ich mehrere zur Auswahl (z.B. IRF630N) und die schalten schon ziemlich gut durch. Das alles ist im Rahmen meiner Bachelorarbeit und deshalb kann ich leider nichts zu der Last und dem Zweck sagen. Boris O. schrieb im Beitrag #5334439
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Oszilloskop Beratung
"schnellste", was ich nach etwas Recherche gerne messen würde wären Schaltkurven von Bauteilen (IRF630 - RiseTime 50ns, 2N2222 25ns) was ich mit einem 100MHz/1GSa Gerät noch ausreichend genau einfangen könnte, richtig? Folgende Geräte sind aufgrund meines Budgets (~500€) in der näheren Auswahl:
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Kurschluss H-Brücke?
k150/pics1/mosfet_hb2.png ist besser, verhindert aber keinen Überstrom und Fehlansteuerung. Durch IRF630 braucht sie 10V Ansteuerspannung. Die von mir gepostete Schaltung ist betriebssicher und kommt mit TTL-Signalen aus. Der Aufwand ist also was wert.
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Mosfet - Masse schaltet
V, oder "+"12 V ??? Wer schaltet? Der Taster? Das könnte gerade funktionieren, obwohl der IRF630 lieber deutlich mehr, als 4 V zum durchschalten mag. - Für 5 V und weniger bieten sich "Logic-Level-MOSFETs an! Doof, wenn man sein Problem nicht beschreiben kann...
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.model IRF630 für LTSpice standard mos lib
Hallo Forum, hat bitte Jemand eine Model-Zeile vom IRF630 für mich, die ich in die Standard MOS lib kopieren kann? LG old.
Vishay hat für seinen IRF630 eins: http://www.vishay.com/docs/90199/sihf630.lib
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Wie einen Klasse A Amp auf eine bestimmte Impedanz auslegen? Gesperrt
Habe mal Equilibrium-Split-Load provisorisch aufgebaut. Mit IRF630. Musste ein paar Widerstandswerte ändern. LTSpice ist wirklich toll!!! Habe einfach eine 1V5 Spannungsquelle vor das Gate vom IRFHM830 gehangen. Man kann wirklich im Betrieb (über einen Kondensator
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Metalldetektor IRF630 wird heiß
hallo ich hab ein problem mit der angehängten schaltung der irf630 bzw der kompatible mje13007 werden nach dem anschalten umgehend heiß versorgungsspannung sind 12v bei der schaltung handelt es sich um einen kleinen metalldetektor der mit einer 400µH spule
bernd m. schrieb im Beitrag #3501710: > ich hab ein problem mit der angehängten schaltung der irf630 bzw der > kompatible mje13007 werden nach dem anschalten umgehend heiß Komisch, ich finde weder den Einen noch den Anderen in deinem Schaltplan...
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Servomotor aus KFZ ansteuern 100 MHz PWM
Antworten. Ich habe folgenden Transistor zu Hause: http://www.reichelt.de/IRC-IRF-Transistoren/IRF-630/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=8796&GROUPID=2891&artnr=IRF+630 Leistungs-MOSFET Gehäuse TO-220AB Ausführung N-Ch Elektrische Werte UDS 200 V UGS(th)2 V Ic25 9 A RDS(on) 0,4 Ohm
Rds_on ran, aber in dem Fall hier ist das ganz sicher kein Problem :-) In diesem speziellen Fall IRF630: Gatespannung 5V -> Drainstrom 5A
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Lüftersteuerung mit Mikrocontroller
...welchen Mosfet nimmst du nun? Der IRF630 ist ein n-Kanal, jedoch ist ein P-Kanal gezeichnet.
oder mit der anderen Einstellung über das Poti. Den MOSFET muss ich noch umzeichnen aber der IRF630 ist selbstsperrend oder?
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Anfängerfrage(n) zu MosFET
Ich habe folgendes Problem und ein paar Verständnisfragen: Ich habe einen N-Kanal MosFET ( IRF630 ) und habe ihn wie im Anhang an einen alten PC-Lüfter angeschlossen. Das Problem bei dem Experiment: der FET wurde sehr heiss. Woran liegt das? Oder ist das normal? In manchen Anleitungen (habe
sehr klein, man kann es auch mit der Sparsamkeit übertreiben. >Ich habe einen N-Kanal MosFET ( IRF630 ) 200V, 9A, 0,4 Ohm >Das Problem bei dem Experiment: der FET wurde sehr heiss. Woran liegt >das? Zu wenig Gatespannung. >Oder ist das normal? Meist nicht. >In manchen Anleitungen
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LED Leiste mit Arduino dimmen, welchen Transistor ?
Optokoppler ist die maximale Gate-Source Spannung von 20V. Insofern käme der IRF630 hier nicht in Frage, da die 24 Volt zu viel wären. Oder man ersetzt den Optokoppler durch eine Diode (was ich vermutlich sowieso hätte machen sollen) Viel Erfolg Oliver
Den IRF630 halte ich für suboptimal, bei 4V ist IDrain 250µA. Ein LogikLevel Fet wie der IRLZ34 wäre da schon empfehlenswerter.
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Transitor mit RC PWM schalten
friedrich schrieb im Beitrag #2741515: > die Lösung von g____ ist doch nicht so schlecht Der IRF630 ist die falsche Wahl, der IRLU024N ist besser geeignet. Der Pulldown am Gate wäre mir zu klein, dafür der Gate-Vorwiderstand zu groß bis unnötig.
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Irf630 fängt bei 12v an zu spinnen!?
http://www.arduino-tutorial.de/2010/06/motorsteuerung-mit-einer-mos-fet-brucke/ Ich verwende irf630 und irf9630 sowie die 5v vom board zum schalten und 12v für die Vds bzw "motor spannung" Das ganze benutze ich als signal-generator bei ca. 8khz die schaltung funktioniert auch soweit völlig ok
(auch ohne last) bei 3,4,5 und 9v klappt alles .. Uhmpf bin ratlos Laut datenblatt müsste der irf630 eine vgs von biszu 20v vertragen und eine vds von 200v .. Mhm hat da jemand eine idee .. ? Gruss Andy
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Dimmen von (Schalt)netzteilen
Aber ich hätte noch ein altes PC-Netzteil zu Hause. Das kann 8A bei 12V, das würde reichen. Einen IRF630 hätte ich auch noch rumliegen. aber der hat leider einen hohen Innenwiderstand(0,4). Das wird dann zum Problem, da muss ich mich um etwas Besseres umsehen. Aber daran sollte es nicht scheitern. Ich
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Zeilentrafo - welche ansteuerung nehmen?
Angegebenen Werte nur bei richtiger ansteuerung über die unteren 12 Pins erreicht ( mit 3 IC's, einem IRF630A, einem KSC5802D und Tonnen von Dioden, Kondensatoren und Widerständen )
Werte nur bei richtiger > ansteuerung über die unteren 12 Pins erreicht ( mit 3 IC's, einem > IRF630A, einem KSC5802D und Tonnen von Dioden, Kondensatoren und > Widerständen ) Die Funktion des DST in einem Monitor bzw. FS-Gerät ist sehr kompliziert.Ein DST soll da nicht nur Hochspannung erzeugen
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Highside Treiber
ich ins Auge gefasst habe kann laut Datenblatt (GATE Drive Output Current) 15...60uA. Der MOSFET (IRF630) hat ein Igss (Gate to Source Leakage Current) von 100nA. Sollte doch also möglich sein, oder hab ich etwas nicht bedacht? Hohe Frequenzen muss ich nicht schalten also sollten die Gatekapazitäten
welcher ist dann der entscheidende Parameter im Datenblatt? http://www.sullivan-county.com/ele/pdf/irf630.pdf Oder geht man beim MOSFET tatsächlich von einem unendlich hohen Gate Widerstand aus und betrachtet im Grunde nur die Gate-Kapazität?
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MOSFET Grundschaltung Problem
Hallo, ich habe hier mit einem IRF630 (N-Kanal Selbstsperrend) eine einfache Schaltung aufgebaut: Eine 3V Lampe hängt am Drain, Versorgungsspannung beträgt ebenfalls 3V. Source liegt an Masse. Wenn ich nun das Gate mit dem Pluspol der
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Fragen zu Schaltungen mittels MOSFET
Danke für deine Antwort. MaWin schrieb im Beitrag #1836216: > Nein. > Ein IRF630 schaltet erst bei 10V zuverlässig durch, er ist kein > LogicLevel MOSFET. Nimm IRF7301 und 15V Z-Dioden die die Anschlüsse > schützen Laut Datenblatt ist der IRF630 doch Logic Level MOSFET (Ugs
> Laut Datenblatt ist der IRF630 doch Logic Level MOSFET Das steht im Datenblatt wo ? Bzw. in welchem Daetnblatt ? Link angeben. > (Ugs = 2..4V)? Ugsth ? Ja, irgendwann zwischen 2 und 4 V fängt der MOSFET an gerade eben
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Kontrolle der Kühlkörperberechnung
voll durchgeschaltet, beträgt die max. Leistung am > MOSFET 66W. Ein voll durchgeschalteter IRF630 mit 0.4 Ohm bräuchte 13A um 66W Verlust zu erzeugen, er hält aber laut Datenblatt nur 9A aus. Deine Vorstellung kann also nicht stimmen.
durchgeschaltet, beträgt die max. Leistung am > >> MOSFET 66W. > > Ein voll durchgeschalteter IRF630 mit 0.4 Ohm bräuchte 13A um 66W > > Verlust zu erzeugen, er hält aber laut Datenblatt nur 9A aus. > > > > Deine Vorstellung kann also nicht stimmen. du hast recht, ich wollte damit sagen
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Welchen mosfet für Berührungstaster?
Spannungsabfall bei 1A. Nehm' einen Mosfet, der schon langssam Richtung/über 10A geht. Also eher IRF630/640. Allerdings gibt's noch ein anderes Problem: wenn Du wirklich nur mit 3,7V arbeitest, kann es sein,d aß mit dieser geringen Gatespannung (wird ja über Körperwiderstand sicherlich von den 3,7V
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Endstufe mit IRF630
Hallo, ich möchte eine Endstufe mit einem IRF630 zu Versuchszwecken bauen, dabei sollten möglichst wenig Bauteile verwendet werden, Klangqualität ist egal und ausser einem Lautstärkeregler (Poti am Eingang) sollten eig. keine weiteren Features dabei
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Wie rechnet man aus,welchen Widerstand man zwischen gate und source bei einem fet braucht
z.b.fur ne zeilentrafoansteuerung die mit 12v betriben wird der fet ist der IRF630
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MosFET - Gate auf Masse
Hi, ich möchte mit einem Mosfet IRLZ24N (IRF630 hab ich auch da) 12V/3A schalten. Eine ganz primitive Ein-/Ausschaltung mit 10-12V am Gate (die kommen über einen Optokoppler dorthin). Als Gatewiderstand nehme ich 47 Ohm. Die Sache soll gegen
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Kapazitätsdioden für AM
eignen... andere idee : nimm nen mosfet ! g-s verbinden, nur die interne diode wird benutzt --> ein irf630 (reichelt 40ct) macht so ca. 30pf...400pf ! sperrstrom < 1 uA . das sieht doch gut aus :-)
uA Wie kommst du darauf? Vielen Dank! Jupp *) http://www.nxp.com/acrobat/datasheets/IRF630_S_1.pdf
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Gatekapazität (FET)
Hallo, Im Datenblatt zum IRF 630 gibt es drei Kapazitätswerte: Ciss Coss und Crss. Ich möchter gerne mal wissen, wo diese Kapazitäten auftreten. Und was viel wichtiger ist: Welche Kapazität muss am Gate (mit Ugs) geladen