Suchergebnisse für ""IRF830""

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75 Treffer für "IRF830" Suchergebnisse für ""IRF830""

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    Schaltplan einer Nixie-Uhr ohne Mikrocontroller

    1W R14 10sec R15 1sec R12 R13 470 1W T1 T2 T3 IO2 74HC390 IO3 74HC390 IO4 74HC390 K15SID1 K15SID1 IRF830 IRF420

    in „Suche IC SN74141 in Dil 10 Stk.“ · Markt · · Schaltpläne

    Schaltplan einer Nixie-Uhr ohne Mikrocontroller
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    Nahaufnahme einer Leiterplatte mit elektronischen Bauteilen

    IRF830 H1 05 4720 EMAG 05/00 16V 47 IR21535 0019 IOR 1095 8201 1AJ100 1003 2003 201 ESI ESI 2200 J630

    in „Ultraschall-Gerät reparieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Platinenfotos

    Nahaufnahme einer Leiterplatte mit elektronischen Bauteilen
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    Ultraschall-Gerät reparieren

    Schrauben waren locker und keine Wärmeleitpaste o.ä. dazwischen. Glaube ich hab dann auch IRF840 statt IRF830 verwendet, ist schon ne Weile her. Auf jeden Fall läuft das Gerät seitdem. Gruß Peter

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Matthias D. · ·13 Antworten

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    MOSFET-Übersicht

    IRL1004 TO-220 irf 2,7 40 130 200 6,5 - Rei 1,25 IRL530 TO220, D2Pack irf 2 100 15,0 88 160 Rei 0,57 IRF830 TO220AB irf 2,0-4,5 500 5,0 74 1400 LIN Rei,Kes 0,57 IRF840 TO220AB irf 2,0-4,0 500 8,0 125 850 Rei 0,57 FDC645N SuperSOT-6 Fairchild 1,5 30 5,5 0,8/1,6 30 - csd (a.A.), Far 0,7 BSP297 SOT-223 Siemens

    Artikel ·

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    an-978.pdf

    resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002

    in „H-Brücke mit 100% Duty-Cycle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    PCN_DN43A_20000630.pdf

    Mkg. IRF730 IRF730 MV MOS 933732460127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation IRF830 IRF830 MV MOS 934055535127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation IRF840 IRF840 MV MOS 934055536127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation JA101P JA101P AMO

    in „Mosfet Identifikation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Datenblatt-Ausschnitt IRF830 MOSFET

    IRF830 V_DSS = 500V R_DS(on) = 1.5Ω I_D = 4.5A G D S

    in „Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots

    Datenblatt-Ausschnitt IRF830 MOSFET
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    Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten

    durchschalten will, dann braucht man eine Gatespannung ÜBER der Versorgungsspannung. Bei deinem IRF830 muss Vgs 10V sein damit Rds 1.5Ohm wird. Wenn dann 1A fließt wird Vds 1.5V und Vgd also 8.5V. LG, Sebastian

    dass die Zehnerdiode eine Durchbruchsspannung zulässt, wo der Fet eigentlich sperren würde. Bei dem irf 830 allerdings erst bei 600 Volt. Habe ich etwas vergessen?

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Bada B. · ·86 Antworten

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    PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf

    PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF822 IRF822 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF823 IRF823 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF830 IRF830 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF831 IRF831 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF832 IRF832 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF833 IRF833 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF840 IRF840 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF841 IRF841

    in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Tabelle der thermischen Widerstandswerte

    THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER SYMBOL TYP. MAX. UNIT Maximum Junction-to-Ambient RthJA - 62 °C/W Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RthCS 0.50 - °C/W Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC - 1.7 °C/W SPECIFICATIONS TJ = 25 °C, unless otherwise noted

    in „Lineares Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots

    Tabelle der thermischen Widerstandswerte
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    an-978.pdf

    resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002

    in „high-side gate driver mit LT-Spice simulieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Platine Heizungsgebläse

    dann die Widerstände oder Durchlasspannungen zwischen den > einzelnen Pins messen. Kann da ein IRF830 drauf erkennen. Der könnte tatsächlich defekt sein, zumal es da auch sehr braun rumrum aussieht. Muss den nochmal auslöten und durchmessen. Eingebaut ist das nicht so das gelbe vom Ei. > Was ist

    Christian O. schrieb im Beitrag #7018995: > Kann da ein IRF830 drauf erkennen. Der könnte tatsächlich defekt sein, > zumal es da auch sehr braun rumrum aussieht. Muss den nochmal auslöten > und durchmessen. Eingebaut ist das nicht so das gelbe vom Ei IRF830

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Christian O. · ·39 Antworten

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    Peavey_Semiconductors_CrossRef_2010.pdf

    70420015 IRFP-350NM USE 70900497 INSULATOR ONLY 70400350 HIGH POWER FET IRF-634 70400634 N-CHANNEL IRF-830 70400830 N-CHANNEL BF-966S DUAL GATE 70400966 N-CHANNEL VN-2222LL TO-92 ENHANCEMENT 70402222 IRF-230 70420230 IRF-240 7040240 Page 6 ORIGINAL ALTERNATE FIELD IN-HOUSE IN-HOUSE REPLACEMENT ORDER NUMBER

    in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Peavey_Semiconductors_Cross_Ref_2009.pdf

    70420015 IRFP-350NM USE 70900497 INSULATOR ONLY 70400350 HIGH POWER FET IRF-634 70400634 N-CHANNEL IRF-830 70400830 N-CHANNEL BF-966S DUAL GATE 70400966 N-CHANNEL VN-2222LL TO-92 ENHANCEMENT 70402222 IRF-230 70420230 IRF-240 7040240 Page 6 ORIGINAL ALTERNATE FIELD IN-HOUSE IN-HOUSE REPLACEMENT ORDER NUMBER

    in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Artikel: Stepup für Nixieröhren, Induktivität wird heiß, welche wäre die richtige?

    Reichelt nicht finden, habe stattdessen eine BYV 26 verwendet. Jetzt steht im Artikel das der IRF830 MOSFET und die MUR8100E Diode heiß werden. Bei mir wird allerdings die BYV 26 nicht sonderlich heiß, dafür aber die 56µH Induktivität. Betreibt jemand auch diese Schaltung und kann konkrete

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Jörg · ·14 Antworten

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    an-978.pdf

    resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002

    in „Halbbrücke Gate-Treiber Erklärung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Nixie Uhr: Läuft zu schnell, zählt nicht richtig

    manchmal (eher selten) einfach stehen 4. Die Neon-Lampe blinkt nicht - für Dauer-an (umgehen des IRF830, direkt an GND) funktioniert diese auch Bei Bedarf kann ich noch ein Video machen und hochladen.... Alle verbauten Teile (abgesehen von den Nixies) habe ich neu gekauft. Ich konnte zudem keine

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Conan1412 · ·53 Antworten

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    Röhren verstärker

    2 Frage wo ist der Unterschied Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! Sorry bin mit dem Handy im forum für die Recht schreibung

    Marc-Mike schrieb im Beitrag #5823494: > Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! das vis steht für Vishay (Siliconix), den Hersteller?

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Marc-Mike · ·12 Antworten

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    180V Step-Up funktioniert nicht richtig

    Also habe ich wieder den R10 durch einen 6,8k Widersand ersetzt, nützt auch nichts. Nachdem ich den IRF830, den BC327 und die Widerstände sowie Kondensatorwerte gecheckt habe, habe ich mir mit dem Oszilloskop mal den Spannungsteiler angesehen, nämlich genau den Punkt zwischen R10 und R11. Wie im alten

    Widersand ersetzt, nützt auch nichts. Dann ist wohl was kaputt gegangen. > Nachdem ich den IRF830, >den BC327 und die Widerstände sowie Kondensatorwerte gecheckt habe, habe >ich mir mit dem Oszilloskop mal den Spannungsteiler angesehen, nämlich >genau den Punkt zwischen R10 und R11.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·elko739 · ·8 Antworten

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    Obduktion Ultraschallreiniger - Todesursache + Piezotest

    Eckdaten: 50Watt 46kHz max.10min Modell GT7910A Platine CD7910S 7920S gefundene Defekte: 2x IRF830B 100nF 1Ω Vor Reparatur will ich sicher sein, daß der Wandler OK ist - am Anschluß ist der Kleber etwas brauner + darunter könnte ein Wackler sein. Ich will aber die Versiegelung nicht unnötig

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Zo Zok · ·6 Antworten

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    Fragen zu Nixie-Röhren

    ist nicht besonders gut. Durch den Transistor fliessen in der Spitze 0.1V / 0.25Ohm = 0.4A. Der IRF830 hat einen RDSon von 1.5Ohm macht 0.6V Spannungsabfall am Transistor. Da fehlen dir schon 0.7V von den 5V. Sowas macht man mittels Sperrwandler. Dann kann man vernueftige FETs mit kleinen RDSOn

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·DavidG98 · ·22 Antworten

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    Probleme bei StepUp Wandler Dimensionierung

    95,25 % Spannungsteiler: R1 = 6,8 kOhm R2 = 1,088 MOhm Als Schalttransistor habe ich einen IRF 830 gewählt. Die Spule ist eine dicke Ringkerndrossel. Soweit so gut. Spannung passt auch. Jedoch habe ich bei einem Versuchsaufbau die 25 mA Last mit einem 8,2 kOhm Widerstand simulieren wollen. Dabei

    vorerst mal alles klar. Bleibt nur noch die Frage offen mit welcher Sättigungsspannung Usat von IRF 830 ich rechnen soll, das leuchtet mir nicht so ganz ein.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Walter · ·13 Antworten

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    Welcher Transistor ist der richtige

    Draht heizen. @klauspi Vielen Dank für die Tabelle. Demnach würde ich jetzt den hier nehmen: IRF830 Hat im Datenblatt 2 - 4.5 V_GS auf der zweiten Seite. Heißt das, wenn ich zwischen 2 und 4.5 Volt am Gate anlege, dann schaltet der Transistor durch. In meinem Fall die 5V für die Heizung?

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Michael · ·29 Antworten

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    Spannunngsübertragung mit Luftspulen

    Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) gleich bleibt, sehr heiß. Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der Transistor wird noch heißer. Laut

    Das ist keine Kunst ;-) >Sobald ich die Spule >einsetzte (1950 Wdg ~ 110 Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) >gleich bleibt, sehr heiß. ;-) >Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum >IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der >Transistor wird

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Hans-Joachim M. · ·11 Antworten

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    IRF830.pdf

    ∪ IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35 - 4.5A - TO-220 PowerMESH∧ MOSFET TYPE V DSS RDS(on) ID IRF830 500 V < 1.5 4.5 A TYPICAL R DS(on)= 1.35 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERYLOW INTRINSIC

    in „Spannunngsübertragung mit Luftspulen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    [V] Diverses (Displays, Debugadapter, Bauteile, PC-Teile)

    Bauteile neu Bedrahtet: 30 Stück BYV29F500 Schnelle Dioden 9A 500V 60ns (NXP) 0,30€ 40 Stück IRF830 Power Mosfet 4,5A 500V 0,15€ 20 Stück MJE 13005 NPN 400V 4A 75W 0,10€ 30 Stück BUL49D NPN 5A 450V (ST) 0,20€ 40 Stück CNY75C

    Bauteile neu Bedrahtet: 30 Stück BYV29F500 Schnelle Dioden 9A 500V 60ns (NXP) 0,30€ 40 Stück IRF830 Power Mosfet 4,5A 500V 0,15€ 10 Stück MJE 13005 NPN 400V 4A 75W 0,10€ 30 Stück BUL49D NPN 5A 450V (ST) 0,20€ 40 Stück CNY75C

    Markt ·Sly G. · ·9 Antworten

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    Schaltplan.pdf

    4BC560C 2 TO92 5 W 0P R145B R1C Q2C 5 0 B I 8 / 0F TO92 TO126 1/4W R39C R8C D9C 1/4W C22C N B E IRF830 4 WR M 8 / KI R 1 1 V FLMP 1/4W 1/4W Q4C 100K 220N 63V 5106 1 BOTTOM 7 1R0F R 1 8M 3 R144B D34B 15K 10K 5102 . T F VIEW MTP12P10 1 BW RI I8 W B 6 1/4W . . 4148 V TO92 2 1 C B E E B C I UE 9/ 5M MK

    in „Funktion Protectschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Schaltung mit MC 34063A

    im MC34063 frisst ca. 1V, bleiben magere 5V für den MOSFET. Das ist keine sichere Sache für einen IRF830, der hätte gern 10V am Gate, um SICHER und SCHNELL zu schalten. Mit dem Treiber aus meinen Link gehen zusätzlich 0,7V flöten, das macht die Sache nicht besser. Hmmmm. Vielleicht sollte man doch bei

    hin zu kommen. Reichelt, Pollin Conrad kann ich vergessen war früher besser... Ich habe den IRF 830 Belassen BY233 geändert auf : BYV 08/400

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Hans Werner A. · ·16 Antworten

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    Suche Bauteil

    glücklicherweise gibt es kaum Nummernüberschneidungen. Die obigen Typen sind also 2SA1015, BC557, IRF830 und 2SK1117. Leider funktioniert das manchmal doch nicht: KSD/KTD998 und 2SD998 oder KSC/KTC778 und 2SC778 sind nicht dasselbe. Ersatztyp für KTD998/KTC778 ist 2SC4387/2SA1672 oder mit Isolierscheiben

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Moppel · ·15 Antworten

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    230V LED Ansteuerung

    ich die PWM ja nach oben begrenzen, oder eben mit dem Serienwiderstand. Die Schaltung mit dem IRF830 gefällt mir ja im Prinzip, nur muss ich wie gesagt High-Side schalten, da für alle Farben nur ein Rückleiter vorgesehen ist.

    Würde dann eher diese Schaltung nehmen. Transistoren hab ich in dem Spannungsbereich keine... Einige IRF830 schon.

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Dennis K. · ·42 Antworten

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    Frage zu Nixie-Stromversorgung aus Artikel

    Schaltung habe ich statt der MUR8100 eine MUR240 bzw, eine BA159 probiert, außerdem habe ich statt dem IRF830 einen IRF740 verwendet. Außerdem ist die Diode am Transistor keine 1N4007 sondern eine 1N5819 (ich bin der Meinung eine 1N4007 ist da zu langsam?!). Hat jemand einen Tip, was das Problem sein könnte

    MUR8100 eine >MUR240 bzw, eine BA159 probiert, Sind beide OK. > außerdem habe ich statt dem IRF830 >einen IRF740 verwendet. Ist OK. > Außerdem ist die Diode am Transistor keine >1N4007 sondern eine 1N5819 (ich bin der Meinung eine 1N4007 ist da zu >langsam?!). Richtig! >Hat jemand

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Hannes H. · ·24 Antworten

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    Unterschied IRF 830 Y98K ML und IRF 830 Y95T HL

    Ich habe mein kaputten Deckenfluter geöffnet und dabei festgestellt, dass die beiden Mosfets: IRF 830 Y95T HL IRF 830 Y98K ML beide zwischen alle Pins keinen Widerstand besitzen, also ein Durchgang haben. Nun wollte ich diese beiden ersetzen, in der Hoffnung, dass lediglich die Leistungselektronik

    Hallo, Julian schrieb im Beitrag #3260009: > IRF 830 Y95T HL > IRF 830 Y98K ML und > ich nicht weiß, worin genau der Unterschied zwischen diesen Mosfets > besteht? Ich vermute ja, dass der eine ein p- und der andere ein n-kanal > Mosfet ist

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Julian · ·2 Antworten

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    Stepup für Nixieröhren

    ist eine Speicherdrossel allerdigns besser geeignet. Kühlkörper: Vorsicht: Die MUR8100E und der IRF830 entwickeln eine gewisse Wärme, ein Kühlkörper ist daher vonnöten. Genaue Berechnungen habe ich nicht durchgeführt, ein solcher Kühlkörper (jeweils einen für die MUR8100E und einen für den IRF830) wird

    Artikel ·

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    Problem mit MOC3020 und altes Blitzgerät

    ist gekürzt auf ca.5cm. Was ich noch nicht versucht habe ist mit einem Mosfet habe aber nur den IRF830 zur Hand. Den Auslöseimpuls nicht nur einmal zu geben. Mit dem NE555 ein Rechtecksignal generieren und permanent auslösen. Mit einem Relais den Kontakt anzusteuern und schauen ab es überhaupt mit

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Thomas G. · ·42 Antworten

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    Ansteuerung 80V DC Motor / Hilfsspannung für Treiberbaustein

    Mhhh, meinst du nicht, dass IRF830 vom Uds her ein bischen übertrieben ist? Oder hast du ein Fable für große Kühlkörper;)? Thor

    Uds? In deiner Anwendung hast du maximal 80V Sperrspannung, ein 100V MOSFET würde reichen. Dein IRF830 hat 500V Sperrspannung und 1,5 Ohm R_DS_ON. Allgemein gilt, dass MOSFETs mit hoher Sperrspannung auch hohen R_DS_ON haben, ist technologisch bedingt. Ein passender MOSFET mit 100V Sperrspannung hat

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Nils · ·19 Antworten

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    Konzept 600V-HV-Netzteil

    hast du die Schaltung ausgelegt? Ausgelegt habe ich es für 300 Volt und der Mosfet ist hier ein IRF830. MfG Paul

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Bastler · ·70 Antworten

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    Transistorenkennzeichnung

    Transistoren rumliegen. Meine Frage: Beschreibt einzig und allein die Hauptnummer (z. B. IRFZ48N, IRF830, IRF3205) das korrekte Bauteil, oder müssen andere Parameter (z. B. P026D, R4H8, Y01K LB, 527P, EB, C3) auch dazu passen, oder sind das teilweise Artikelnummern der Hersteller bzw. nochmal irgendwelche

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Bodo S. · ·3 Antworten

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    Stepup 180V - sackt völlig zusammen

    > Gibt es keine Möglichkeit, die Ausgangsleistung noch zu erhöhen? Der IRF830 ist denkbar ungeeignet. Nimm einen IRF620 o.ä., der hat nur 1/2 On-Widerstand und vor allem Kapazität und schaltet entsprechend schneller aus. Und darauf kommts an. Mit dem IRF830 wird die ganze Energie

    vorhandene Teile aus der Kramkiste zu nehmen, für eine Schaltungsempfehlung im Wiki aber nicht. Z.B. IRF830->IRF620, MUR8100, 1N4007->UF4004, 56µ->100µ

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Dave Chappelle · ·179 Antworten

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    Suche kleines Halbleiterschaltelement für kleine Ströme bei 230V~

    Poti: Phasenanschnitt (mit wenig EMV), R3 als Optokoppler: deine Lösung, mit Strombegrenzung. T1 IRF830 o. ä., T2 BC550C, D1..4 1N4007, D5 Transzorb...

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Third Eye · ·11 Antworten

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    Bauteile.pdf

    EW20400GLY 20x4 LCD Backlit Display 20-20072-2 Rev. F. BD139‐16 10 TO‐126 0,15 € IRFP450 6 TO‐247 2,50 € IRF830 24 TO‐220 0,80 € IRF640 4 TO‐220 0,70 € IRF620 4 TO‐220 0,35 € IRF450 2 TO‐204AA 10,00 € LT1086‐5 28 TO‐220 2,50 € IRF730 5 TO‐220 0,70 € BUZ90 3 TO‐220 1,00 € IRFBG30 10 TO‐220 2,50 €

    in „[V] diverse ICs“ · Markt ·

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    Ladegerät CTEK Multi XS 3600 defekt, Ersatzbauteile gesucht Gesperrt

    für das Sterben der CTEK XS3600 ist völlig klar. Das Snubber-Netzwerk und der gewählte Transistor IRF830 (Udsmax=500V) sind dermaßen knapp kalkuliert, dass das Ladegerät durch kontinuierliche degradation der Drain-Source-Strecke kaputtgehen muß: 1. FET legiert durch und bringt 300V Gleichspannung auf

    gebildet aus dem Schwingkreis der Primär-Streuinduktivität Lps und der Drain-Source-Kapazität Cds des IRF830. Die errechnete Streuinduktivität (Thomsonsche-Schwingungsformel) liegt bei ungefähr 17.6uH.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Peter · ·70 Antworten

  • Thread

    Totzeit einstellen

    Spannungen (Clamp-Diode !!!) - nur für n-channel MOSFETs (Steuerspannung wird erzeugt !!! (z.B. IRF830, IRF840) - auch die Totzeit ist fest, gerade mal so lang dass nicht beide Fets gleichzeitig schalten und, und ... Aber das musst Du jetzt selber machen, das Ganze war nur ein Hinweis von

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Bettina · ·26 Antworten

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    an-978.pdf

    resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002

    in „Isolierter High-Side Mosfet Treiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Differenzverstärker explodiert

    plötzlichen Tod und fliegt in die Luft... Die NPNs sind MPSA42 und die PNPs MPSA92 der N-FET IRF830. Kann das an den wegoptimierten Dioden liegen? In der Simulation funktioniert ja alles einwandfrei.. Sicherlich gibt es schlauere Lösungen für dieses Problem mit fertigen ICs oder OPs. Aber mich

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·moep · ·14 Antworten

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    IR2130.pdf

    Hz) Figure 51. IR2130/IR2132 T vs. Frequency JIRF820) Figure 52. IR2130/IR2132 T J vs. Frequency (IRF830) R = 33 ,ΩV = 15V R = 20 ,ΩV = 15V GATE CC GATE CC 100 140 480V 120 320V ) 80 ) ( ° 100 r r a a p p m 60 480V m 80 160V T T t 320V t n n 60 J J 0V 40 160V 40 0V 20 20 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+2 1E+3

    in „Shunt Messung mit IR2130 (BLDC Steuerung)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Gesteuerte Stromquelle Teile

    ist und die 500mA gut >erträgt. Welche andere MOSFET (Referenzen)würdet ihr empfehlen? Z.B. IRF830, siehe [[MOSFET-Übersicht]]. MFG Falk

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Jona · ·5 Antworten

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    ir2110-app-note.pdf

    resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002

    in „[Transistor Ansteuerung] Ausgang kein Rechteck?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Layout in Ordnung

    (durch 180 Grad Drehung der Elkos) deutlich verbessert. Ich hab eher 2 andere Fragen: Der IRF830 wird nicht gekühlt ? Zumindest sitzt er so gedreht, daß man niemals was kühlendes an ihn dranschrauben könnte. Dann täte es vielleicht ein kleinerer MOSFET. Die Spule ist nicht wirklich eine Stabspule

    Platinen ·Michael S. · ·31 Antworten

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    Schaltnetzteil FET wird warm!

    Ich habe das Netzteil zur Probe auf einem Steckbrett aufgebaut. Funktionieren tut es aber der IRF 830 wird mehr als nur warm. Gemessen habe ich 120 C und das OHNE Belastung. Hat jemand schon mal das Netzteil nachgebaut und das gleiche Problem gehabt? Achso! Der Hinweis das wenn der FET warm

    GND Pinbelegung des FETs aus Datasheet: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/IRF830.pdf Der Aufbau ist ja nur zu Testzwecken so aufgebaut. Ich Teste gerne ne Schaltung bevor ich mir die Arbeit mache ein Layout zu entwickel und eine Platine herzustellen:-) Schö mit Ö....

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Christian Betzen · ·25 Antworten

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    RIchtigen Transistor bestimmen

    lassen Möglich, hier aber nicht sinnvoll. MFG Falk P S Nimm einen N-Kanal MOSFET, z.B. den IRF830. Der ist für dich als Anfänger gut nutzbar. Denn kann man direkt mit 4V ansteuern. Siehe [[MOSFET]].

    @Mel Falk Brunner schrieb: > Nimm einen N-Kanal MOSFET, z.B. den IRF830. Der ist für dich als > Anfänger gut nutzbar. Denn kann man direkt mit 4V ansteuern. Siehe > MOSFET. Natürlich hat Falk recht. Das einfachste ist ein MOSFET. Jedoch ist es auch möglich einen

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Mel · ·14 Antworten