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IRF830.pdf
∪ IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35 - 4.5A - TO-220 PowerMESH∧ MOSFET TYPE V DSS RDS(on) ID IRF830 500 V < 1.5 4.5 A TYPICAL R DS(on)= 1.35 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERYLOW INTRINSIC
in „Spannunngsübertragung mit Luftspulen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Tabelle der thermischen Widerstandswerte
THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER SYMBOL TYP. MAX. UNIT Maximum Junction-to-Ambient RthJA - 62 °C/W Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RthCS 0.50 - °C/W Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC - 1.7 °C/W SPECIFICATIONS TJ = 25 °C, unless otherwise noted
in „Lineares Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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Datenblatt-Ausschnitt IRF830 MOSFET
IRF830 V_DSS = 500V R_DS(on) = 1.5Ω I_D = 4.5A G D S
in „Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit elektronischen Bauteilen
IRF830 H1 05 4720 EMAG 05/00 16V 47 IR21535 0019 IOR 1095 8201 1AJ100 1003 2003 201 ESI ESI 2200 J630
in „Ultraschall-Gerät reparieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Platinenfotos
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Schaltplan einer Nixie-Uhr ohne Mikrocontroller
1W R14 10sec R15 1sec R12 R13 470 1W T1 T2 T3 IO2 74HC390 IO3 74HC390 IO4 74HC390 K15SID1 K15SID1 IRF830 IRF420
in „Suche IC SN74141 in Dil 10 Stk.“ · Markt · · Schaltpläne
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Bauteile.pdf
EW20400GLY 20x4 LCD Backlit Display 20-20072-2 Rev. F. BD139‐16 10 TO‐126 0,15 € IRFP450 6 TO‐247 2,50 € IRF830 24 TO‐220 0,80 € IRF640 4 TO‐220 0,70 € IRF620 4 TO‐220 0,35 € IRF450 2 TO‐204AA 10,00 € LT1086‐5 28 TO‐220 2,50 € IRF730 5 TO‐220 0,70 € BUZ90 3 TO‐220 1,00 € IRFBG30 10 TO‐220 2,50 €
in „[V] diverse ICs“ · Markt ·
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an-978.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG= 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „Treiber-IC Peripherie berechnen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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an-978.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „Isolierter High-Side Mosfet Treiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ir2110-app-note.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „[Transistor Ansteuerung] Ausgang kein Rechteck?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-978.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „high-side gate driver mit LT-Spice simulieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-978.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „Halbbrücke Gate-Treiber Erklärung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-978.pdf
resistance from die to ambient. The following example shows a typical breakdown of losses for two IRF830s in a half-bridge, from a 400 V rail, 100 kHz, no load, and no gate resistors. PD,q(LV) 0.004 W PD,SW(LV) P CMOS= (15 V)(16 nC)(100 kHz) = 0.024 W PG = 2(15 V)(28 nC)(100 kHz) = 0.084 W PD,q(HV) 0.002
in „H-Brücke mit 100% Duty-Cycle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-978_Bootstrap.pdf
die to ambient. th j-a 6 www.irf.com AN978a ThefollowingexampleshowsatypicalbreakdownoflossesfortwoIRF830sinahalf-bridge,froma400Vrail,100kHz,noload,no gate resistors. PD(lv)q 0.004W -9 3 PD(lv)SWPCMOS=15•16•10 •100•10 =0.024 P =2•15•28•10 •100•10 =0.0843 G PD(hv)q 0.002 -9 3 PD(hv)sw400+200)•7•10 •100
in „IR2184 half bridgde driver / Ist PWM-Signal begrenzt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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d041048.pdf
C3 C L2 1n Q1 (optimal) HOLD/DELAY 14 100n V * RU SPD04N50, 2 A CX1 CX2 odeSPD07N60, 4 13 5 2 GL1 IRF830A GT FB 1 b 100n 100n ( CY2 C1 C1* 5 CS VCC 12 2x 1mH 265V f R1.1 R1.2 1n 0,5A 33n s m 7 7 6 11 N 275V e 3 4 4 COM ENI D HV9901P S10K275 sCDV-1.0-A / 42V15 10 01l 7 SYNC ENO 10 S07K275 R1: 2%-WiderständeR2
in „Cree LED an 230V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Peavey_Semiconductors_Cross_Ref_2009.pdf
70420015 IRFP-350NM USE 70900497 INSULATOR ONLY 70400350 HIGH POWER FET IRF-634 70400634 N-CHANNEL IRF-830 70400830 N-CHANNEL BF-966S DUAL GATE 70400966 N-CHANNEL VN-2222LL TO-92 ENHANCEMENT 70402222 IRF-230 70420230 IRF-240 7040240 Page 6 ORIGINAL ALTERNATE FIELD IN-HOUSE IN-HOUSE REPLACEMENT ORDER NUMBER
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Peavey_Semiconductors_CrossRef_2010.pdf
70420015 IRFP-350NM USE 70900497 INSULATOR ONLY 70400350 HIGH POWER FET IRF-634 70400634 N-CHANNEL IRF-830 70400830 N-CHANNEL BF-966S DUAL GATE 70400966 N-CHANNEL VN-2222LL TO-92 ENHANCEMENT 70402222 IRF-230 70420230 IRF-240 7040240 Page 6 ORIGINAL ALTERNATE FIELD IN-HOUSE IN-HOUSE REPLACEMENT ORDER NUMBER
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IR2130.pdf
Frequency (Hz) Figure 50. IR2130 T J vs. Frequency (IRF820) Figure 51. IR2130 T J vs. Frequency (IRF830) R GATE = 33 ,V CC = 15V R GATE = 20 ,V CC = 15V 100 140 480V 120 320V ) 80 ) ( ( r r100 a a e e m 60 m 80 160V T 480V T i 320V i n n 60 J J 0V 40 160V 0V 40 20 20 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+2 1E+3 1E+
in „Wie gross muss C für Ladungspumpe IR2130 sein?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schaltplan.pdf
4BC560C 2 TO92 5 W 0P R145B R1C Q2C 5 0 B I 8 / 0F TO92 TO126 1/4W R39C R8C D9C 1/4W C22C N B E IRF830 4 WR M 8 / KI R 1 1 V FLMP 1/4W 1/4W Q4C 100K 220N 63V 5106 1 BOTTOM 7 1R0F R 1 8M 3 R144B D34B 15K 10K 5102 . T F VIEW MTP12P10 1 BW RI I8 W B 6 1/4W . . 4148 V TO92 2 1 C B E E B C I UE 9/ 5M MK
in „Funktion Protectschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IR2130.pdf
Hz) Figure 51. IR2130/IR2132 T vs. Frequency JIRF820) Figure 52. IR2130/IR2132 T J vs. Frequency (IRF830) R = 33 ,ΩV = 15V R = 20 ,ΩV = 15V GATE CC GATE CC 100 140 480V 120 320V ) 80 ) ( ° 100 r r a a p p m 60 480V m 80 160V T T t 320V t n n 60 J J 0V 40 160V 40 0V 20 20 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+2 1E+3
in „Shunt Messung mit IR2130 (BLDC Steuerung)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistoren_cht.pdf
Harris IRF822FI 500 4 1.9 35 TO-220IS 2SK2862 A ST IRF823(R) 450 4 2.2 TO-220AB 2SK2862 B Harris IRF830 500 1.5 4.5 74 TO-220AB 2SK2661 A IR IRF830A 500 1.5 4.5 73 TO-220AB 2SK2661 A Samsung IRF830S 500 1.5 4.5 74 D2PAK 2SK2991 A IR IRF831 450 1.5 4.5 100 TO-220AB 2SK2661 A ST IRF831(R) 450 1.5 4.5 TO
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Power_MOSET_Cross_reference.pdf
Harris IRF822FI 500 4 1.9 35 TO-220IS 2SK2862 A ST IRF823(R) 450 4 2.2 TO-220AB 2SK2862 B Harris IRF830 500 1.5 4.5 74 TO-220AB 2SK2661 A IR IRF830A 500 1.5 4.5 73 TO-220AB 2SK2661 A Samsung IRF830S 500 1.5 4.5 74 D2PAK 2SK2991 A IR IRF831 450 1.5 4.5 100 TO-220AB 2SK2661 A ST IRF831(R) 450 1.5 4.5 TO
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistor_Database.pdf
IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0R IRF830 N-FET 500V 4.5A 100W 1.5R IRF830F N-FET 500V 3A 35W 1.5R IRF840 N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF840F N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF9140 P-FET 100V 19A 125W IRF9240 P-FET 200V 11A 125W <E5 IRF9530 P-FET
in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistor_Database.pdf
IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0R IRF830 N-FET 500V 4.5A 100W 1.5R IRF830F N-FET 500V 3A 35W 1.5R IRF840 N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF840F N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF9140 P-FET 100V 19A 125W IRF9240 P-FET 200V 11A 125W <E5 IRF9530 P-FET
in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PCN_DN43A_20000630.pdf
Mkg. IRF730 IRF730 MV MOS 933732460127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation IRF830 IRF830 MV MOS 934055535127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation IRF840 IRF840 MV MOS 934055536127 T M 3 31-12-00 30-6-01 None-noted Standard Discontinuation JA101P JA101P AMO
in „Mosfet Identifikation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF822 IRF822 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF823 IRF823 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF830 IRF830 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF831 IRF831 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF832 IRF832 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF833 IRF833 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF840 IRF840 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF841 IRF841
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
