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PD-97594 IRLR6225PbF ® HEXFET Power MOSFET V 20 V DS R D D DS(on) max 4.0 mΩ (@V GS= 4.5V) R DS(on) max 5.2 S (@V GS= 2.5V) mΩ G G Q g (typical) 48 nC D-Pak S IRLR6225PbF RG (typical) 2.2 Ω D 42 h A G D S Gate Drain
in „FET abgeraucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · 01.02.2024 21:53
