PD-96058 IRLR7843CPbF IRLU7843CPbF ® Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck V DSS R DS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power 30V 3.3m : 34nC l High Frequency Isolated DC-DC
N-Kanal-MOSFETs haben jedoch normalerweise einen niedrigeren Widerstand (RDS (ON)), im Fall des IRLR7843 nur 3 Milliohm. Ein niedriger Widerstand bedeutet einen höheren Wirkungsgrad und eine geringere Erwärmung des MOSFET. Damit ein N-Kanal- MOSFET als High-Side-Schalter funktioniert, ist eine zusätzliche
