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Nixie-Röhren
als die Anodenspannung ist. Im hier gezeigten Beispiel wurden ein SMBTA42 als NPN Transistor und ein BSS131 als N-Kanal MOSFET gewählt: Als Basisvorwiderstand für Mikrocontroller mit 3,3V oder 5V I/O-Spannung gleichermaßen reichen 10kΩ. Damit fließt bei 3,3V (abzgl. 0,9V U BE ) ein Basisstrom von 240µA
einen minimalen Stromverstärkungsfaktor von h FE = 25. Das reicht für 6mA Kollektorstrom. Für den BSS131 reicht ein Gate-Vorwiderstand von 100Ω, um den Ladestrom zu begrenzen. Das nächste Bild zeigt die Ansteuerung der Transistoren über Schieberegister. Man könnte annehmen, dass das in eine riesige
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MOSFET-Übersicht
20 3,7 1,3 65 2,5V LL Rei,csd,Bü 0,15 IRLML6302PBF SOT-23 IRF 1,5 20 0,75 0,54 600 Rei,csd,Bü 0,18 BSS83P SOT-23 Inf 2,0 60 0,33 0,36 2000 nicht mit BSS83 (ohne P) verwechseln Rei 0,11 BSS84 SOT-23 Fairchild,NXP 2,0 50 0,13 0,35 10000 - Fa 0,28 BSS110 TO-97, SOT-23 Phi 3,0 50 0,17 0,35 10000 - - - PMV65XP
4,5V LL, Qg=39nC Rei Con 1,15 AOC2414 MCSP Alpha&Omega 0,52 8 4,5 0,55 19 1,2V LL, Qg=21,5nC Digikey BSS131 SOT-23 Infineon 0,8-1,8 240 0,4 0,36 14000 (Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. Auf Anfrage, LL Logic Level, LIN Linearbetrieb möglich) N-Kanal J-FET. Name Gehäuse Her steller /V /V