-
PDF
IR21844.pdf
), Figure 31.IR2181s vs.Frequency (IRFBC40), Rgate22Ω,V CC=15V Rgate15Ω,V CC=15V www.irf.com 19 IR2184 4 ( )(S)&(PbF) 140V 70V 0V 140 140 120 120 ) ) ( 100 o(100 r r t t r 80 e 80 p p e 60 e 60 140v T T 70v 40 40 0v 20 20 1 10 100 1000 1 10 100 1000 Frequency (KHz) Frequency (KHz) Figure
in „Simulation IR2183 Halbbrückentreiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
CONTROL_IC_IR2109PBF_DIP_8__IR.pdf
) Figure 33. IR2109 vs Frequency (IRFPE50) R gate= 15W, CC = 15V Rgate= 10W, VCC = 15V www.irf.com 19 IR2109 4 ( ) ( S ) & (PbF) 140 140 120 120 ) ) o(100 o100 r r t t r 80 r80 e p 140V m 60 140V m60 e e 70V T 40 70V T40 0V 0V 20 20 1 10 100 1000 1 10 100 1000 Frequency (KHz) Frequency (KHz)
in „1. Schaltung Mosfet Treiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
ir2183.pdf
vs. Frequency (IRFBC20), vs. SupplyVoltage R gate3 Ω V CC5V www.irf.com 15 IR2183 4 ( )( )S & PbF ) 140 140 120 120 C C ( 100 (100 u 140v u 140v a 80 a 80 70v e 70v e p 0v p 60 0v e 60 e T T 40 40 20 20 1 10 100 1000 1 10 100 1000 Frequency (KHz) Frequency (KHz) Figure
in „Simulation IR2183 Halbbrückentreiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
ir2110.pdf
Figure 28. IR2110/IR2113 T vs. Frequency J (IRFBC20) R GATE = 33 Ω , V CC = 15V www.irf.com 13 IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF 150 320V 320V 140V 150 125 125 140V C ) (100 (100 t r r r 10V p 75 p e e 75 n 10V T c t u 50 n 50 J J 25 25 0 0 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6 1E+2 1E+3 1E+4 1E
in „IR2110 Probleme“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
ir2110.pdf
Figure 28. IR2110/IR2113 T vs. Frequency J (IRFBC20) R GATE = 33 Ω , V CC = 15V www.irf.com 13 IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF 150 320V 320V 140V 150 125 125 140V C ) (100 (100 t r r r 10V p 75 p e e 75 n 10V T c t u 50 n 50 J J 25 25 0 0 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6 1E+2 1E+3 1E+4 1E
in „Wechselrichter mit MOSFET Endstufe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
ir2110.pdf
Figure 28. IR2110/IR2113 T vs. Frequency J (IRFBC20) R GATE = 33 Ω , V CC = 15V www.irf.com 13 IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF 150 320V 320V 140V 150 125 125 140V C ) (100 (100 t r r r 10V p 75 p e e 75 n 10V T c t u 50 n 50 J J 25 25 0 0 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6 1E+2 1E+3 1E+4 1E
in „HIGH AND LOW SIDE DRIVER Io+ Ausgangsstrom“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irl7486mpbf-936689.pdf
V c e 8 n u i C oss o a C - 6 a rss - C t C 1000 G 4 , G V 2 0 100 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) Fig 7. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage 4 www.irf.com ©
in „Reparatur Makita XWT08Z (DTW1002Z)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
auirs2123.pdf
170 300 www.irf.com © 2008 International Rectifier 6 AUIRS2123S, AUIRS2124S Functional Block Diagram (AUIRS2123) Functional Block Diagram (AUIRS2124) www.irf.com © 2008 International Rectifier 7 AUIRS2123S, AUIRS2124S
in „High-Side Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
infineon-irf1010e-mosfet.pdf
DS = 25V D V =10V 20µs PULSE WIDTH R 0.0 GS 10 4 5 6 7 8 9 10 11 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 ° VGS , Gate-to-Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature ( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF1010E 6000 20 VGS =
in „DC Wandler wiederbeleben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irs2453d.pdf
appropriate external circuitry. 50% 50% HO1 td_LO1 td_HO1 LO1 50% 50% ton_LO 50% Deadtime Waveform www.irf.com © 2007 International Rectifier 13 IRS2453(1)D(S) tr tf 90% HO LO 10% Rise and Fall Time Waveform www.irf.com © 2007 International Rectifier 14 IRS2453(1)D(S) Package Details www.irf.com © 2007 International
in „oscillator, 555, gate driver“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRFP2907.pdf
V =10V 1 20µs PULSE WIDTH R 0.0 GS 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T , Junction Temperature( C) V GS , Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRFP2907 20000 20 D = 125A
in „Auto-Kühler-Lüfter per PWM manuell steuern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRG4BC30U_IR.pdf
w S 0.3 S l a IC = 6.0A t t o T T A 0.1 A 0.2 0 10 20 30 40 50 60 -60 -40-20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 R , Gate Resistance ( ) Ω TJ, Junction Temperature (°C) G Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Fig. 10 - Typical Switching Losses vs. Resistance Junction Temperature www.irf.com 5 IRG4BC30UPbF
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRF1404.pdf
25V S 20µs PULSE WIDTH D VGS =10V 10 R 0.0 4 5 6 7 8 9 10 11 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V GS , Gate-to-Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature ( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF1404 10000 20 VGS = 0V
in „MOSFET wird sehr heiß“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irfp2907.pdf
V =10V 1 20µs PULSE WIDTH R 0.0 GS 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T , Junction Temperature( C) V GS , Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRFP2907 20000 20 D = 125A
in „Sinusendstufe für 300A“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
A200_IR2117_IR2117S.pdf
18 20 V BSFloting Supply Voltage (V) Figure 23B. Maximum VS Negative Offset vs. Supply Voltage www.irf.com 15 IR2117(S)/IR2118(S)&(PbF) 150 320V 150 320V 140V 140V 125 125 C C (100 ( 100 u u 10V r r p 75 p 75 e e n 10V n t t u 50 u 50 J J 25 25 0 0 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6 Frequency
in „Mosfet treiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irf_1404.pdf
D D , , 0.5 ID n ( V DS = 25V D 20µs PULSE WIDTH R VGS =10V 10 0.-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 VGS , Gate-to-Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature ( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF1404
in „Pulsschweisgerät mit Auto Batt Schaltungs Verbesserung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irg4bc30w.pdf
= 6A h h i0.2 i w w 0.1 l l t t T0.1 T 0.0 0.01 0 10 20 30 40 50 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 R GRG, Gate Resistance (Ω)) TJ, Junction Temperature ( C ) Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Fig. 10 - Typical Switching Losses vs. Resistance Junction Temperature www.irf.com 5 14/"*+!
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irf7389.pdf
FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE.. 1.27 ( .050 ) 3X Part Marking Information SO8 EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101 DATE CODE (YWW) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR WW = WEEK 312 XXXX INTERNATIONAL F7101 WAFER 100 RECTIFIER LOGO LOT CODE PART NUMBER TOP (LAST 4 DIGITS) BOTTOM www.irf.com 9 IRF7389 Tape & Reel Information
in „Treiber für Push-Pull 12V?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf7389.pdf
FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE.. 1.27 ( .050 ) 3X Part Marking Information SO8 EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101 DATE CODE (YWW) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR WW = WEEK 312 XXXX INTERNATIONAL F7101 WAFER 100 RECTIFIER LOGO LOT CODE PART NUMBER TOP (LAST 4 DIGITS) BOTTOM www.irf.com 9 IRF7389 Tape & Reel Information
in „Brushless DC Motorsteureung Dysfunktion AVR444“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irf9z34n.pdf
VDS = -25V R 1 20µs PULSE WIDTH VGS = -10V A 0.0 A 4 5 6 7 8 9 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T , Junction Temperature (°C) -VGS , Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature IRF9Z34N 1200 20 V GS = 0V, f = 1MHz
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
VDS = -25V R 1 20µs PULSE WIDTH VGS = -10V A 0.0 A 4 5 6 7 8 9 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T , Junction Temperature (°C) -VGS , Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature IRF9Z34N 1200 20 V GS = 0V, f = 1MHz
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRL3713.pdf
GS rr Reverse Recovery Time ––– 75 110 ns TJ= 25°C, F = 30A, R = 0V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 140 210 nC di/dt = 100A/µs t Reverse Recovery Time ––– 78 120 ns T = 125°C, I = 30A, V = 20V rr J F R Qrr Reverse Recovery Charge ––– 160 240 nC di/dt = 100A/µs 2 www.irf.com IRL3713/S/L 1000 VGS 1000 VGS
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
st110s.pdf
90° u 90° u i 120° 120° x 180° x DC a 80 a 180° M M 80 0 20 40 60 80 100 120 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Average On-state Current (A) Average On-state Current (A) Fig. 1 - Current Ratings Characteristics Fig. 2 - Current Ratings Characteristics ) 160 W R ( 180° 0 . t s 120° . 3 2K hS L 140 4K /
in „Defektes Schweissgerät“ · Platinen ·
-
PDF
162537-da-01-en-IRF_9540_N.pdf
25V D DS R 0.1 20µs PULSE WIDTH 0.0 VGS = -10V 4 5 6 7 8 9 10A A -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 -V , Gate-to-Source Voltage (V) T , Junction Temperature (°C) GS J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature IRF9540N 3000 V = 0V, f = 1MHz 20 I
in „iMax B6 defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irf7389.pdf
FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE.. 1.27 ( .050 ) 3X Part Marking Information SO8 EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101 DATE CODE (YWW) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR 312 WW = WEEK INTERNATIONAL XXXX F7101 RECTIFIER WAFER 100 LOGO LOT CODE TOP PART NUMBER (LAST 4 DIGITS) BOTTOM www.irf.com 9 IRF7389 Tape & Reel Information
in „Mini-FET's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRF7389_N-P-Channel_30V_5.3A_0.058Ohm.pdf
FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE.. 1.27 ( .050 ) 3X Part Marking Information SO8 EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101 DATE CODE (YWW) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR 312 WW = WEEK INTERNATIONAL XXXX F7101 RECTIFIER WAFER 100 LOGO LOT CODE TOP PART NUMBER (LAST 4 DIGITS) BOTTOM www.irf.com 9 IRF7389 Tape & Reel Information
in „DC-Motor mit HIP2101“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf7389.pdf
FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE.. 1.27 ( .050 ) 3X Part Marking Information SO8 EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101 DATE CODE (YWW) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR 312 WW = WEEK INTERNATIONAL XXXX F7101 RECTIFIER WAFER 100 LOGO LOT CODE TOP PART NUMBER (LAST 4 DIGITS) BOTTOM www.irf.com 9 IRF7389 Tape & Reel Information
in „H-Brücke am µC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRL1004_IR.pdf
20µs PULSE WIDTH R VGS =10V 0.1 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T J Junction Temperature ( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs.Temperature www.irf.com 3 IRL1004PbF 10000 12 VGS =
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRL1004_IR.pdf
20µs PULSE WIDTH R VGS =10V 0.1 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T J Junction Temperature ( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs.Temperature www.irf.com 3 IRL1004PbF 10000 12 VGS =
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRG4BC20U_INR.pdf
1.0 A 25 50 75 100 125 150 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 T C Case Temperature (°C) T J Junction Temperature (°C) Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case Fig. 5 - Collector-to-Emitter Voltage vs. Temperature JunctionTemperature 10 )C J t 1 D = 0.50
in „LED Stripe über IGBT schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRL1004.pdf
D , , 0.5 I n ( VDS =250V D 20µs PULSE WIDTH R V GS =10V 0.1 0.0-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 VGS , Gate-to-Source Voltage (V) T J Junction Temperature ( C)° Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs.Temperature www.irf.com
in „Mosfet als Schalter 100W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irl1404.pdf
DS= 15V D 100 20µs PULSE WIDTH R V GS =10V 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 0.-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) ° GS TJ, Junction Temperature( C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRL1404 20 10000 VGS =
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Reference_Design_Dimming_Ballast_Control.pdf
3 6 C L 7 2 M R 1 1 D C 7 4 S M L H S S D C 5 2 C R D D C C C R L S E S X X X X D 2 2 2 C B A www.irf.com 3 IRPLDIM1U Bill Of Materials Lamp Type: T8/32W Line Input Voltage: 90 to 140 VAC/50/60Hz Item Qty Reference Description Manufacturer Part Number 1 1 BR1 Bridge Rectifier, 1A, 1000V International
in „Leuchstoff Röhre Dimmer Neon“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irl7833.pdf
DS = 15V D 20µs PULSE WIDTH R 10 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T , Junction Temperature (°C) VGS , Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRL7833/S/L 100000 12.0
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRF_1404_S.pdf
PD-93853C IRF1404S IRF1404L HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = 40V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.004 G l Fully
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf3205.pdf
I o VDS = 25V S 20µs PULSE WIDTH D VGS =10V 1 R 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 VGS , Gate-to-Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature( C)° Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF3205 6000 16 VGS = 0V,
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irf540n.pdf
50V S 20µs PULSE WIDTH D VGS =10V 10 R 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) T J Junction Temperature ( C) GS Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF540N 3000 20 C GS= CV
in „Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRF3205.pdf
I o VDS = 25V S 20µs PULSE WIDTH D VGS =10V 1 R 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 VGS , Gate-to-Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature( C)° Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRF3205 6000 16 VGS = 0V,
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf3708.pdf
PD - 93938B IRF3708 SMPS MOSFET IRF3708S IRF3708L Applications ® Q High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial Use 30V
in „IRF3708 als Schalter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRF3708PBF.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „Transistor zum Schalten von 24V/12V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRF3205Z.pdf
PD - 94653B IRF3205Z AUTOMOTIVE MOSFET IRF3205ZS IRF3205ZL Features ® HEXFET Power MOSFET ● Advanced Process Technology ● Ultra Low On-Resistance D V = 55V ● 175°C Operating Temperature DSS ● Fast Switching ● Repetitive
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRF3708_IR__1_.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „Mosfet Treiberschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
IRF3708_IR__1_.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „24V-Ausgang potentialgetrennt aus einem STM32 3,3V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Transistor_Database.pdf
0.2 HPA150R SI-N+D 1500V 15A 180W 0.2 IR2403 DARL.ARRAY 7x45V 0.4A IR2422 7XDARLINGTON TRAN. ARRAY IRF120 N-FET 100V 9.2A 60W <58/5 IRF140 N-FET 100V 28A 150W 0,00E+00 IRF230 N-FET 200V 9A 75W <0E4 IRF240 N-FET 200V 18A 125W IRF250 N-FET 200V 30A 150W IRF330 N-FET 400V 5.5A 75W <1E IRF340 N-FET 400V
in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Transistor_Database.pdf
0.2 HPA150R SI-N+D 1500V 15A 180W 0.2 IR2403 DARL.ARRAY 7x45V 0.4A IR2422 7XDARLINGTON TRAN. ARRAY IRF120 N-FET 100V 9.2A 60W <58/5 IRF140 N-FET 100V 28A 150W 0,00E+00 IRF230 N-FET 200V 9A 75W <0E4 IRF240 N-FET 200V 18A 125W IRF250 N-FET 200V 30A 150W IRF330 N-FET 400V 5.5A 75W <1E IRF340 N-FET 400V
in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRFB3006_IR.pdf
Qgodr Current Sampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7 IRFB3006PbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-220AB Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED
in „Motor PWM Steuerung, Mosfet Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Transistoren_cht.pdf
IR IRF3315S 150 0.082 21 94 D2PAK IR IRF3415 150 0.042 37 150 TO-220AB IR IRF3415S 150 0.042 37 150 D2PAK IR IRF3710 100 0.028 46 150 TO-220AB IR IRF3710S 100 0.028 46 150 D2PAK IR IRF4905 -55 0.02 64 150
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
Power_MOSET_Cross_reference.pdf
IR IRF3315S 150 0.082 21 94 D2PAK IR IRF3415 150 0.042 37 150 TO-220AB IR IRF3415S 150 0.042 37 150 D2PAK IR IRF3710 100 0.028 46 150 TO-220AB IR IRF3710S 100 0.028 46 150 D2PAK IR IRF4905 -55 0.02 64 150
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
25RIA-IR.pdf
TJ - 65 to 125 °C TO-208AA (TO-48) www.irf.com 1 25RIA Series Bulletin I2402 rev. C 05/06 ELECTRICAL SPECIFICATIONS Voltage Ratings Voltage VDRM /V RRM , max. repetitive VRSM , maximum non- IDRM RRM max. Type number Code peak and off-state voltage
in „Unbekannter Thyristor dringend gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Bild
Tabelle mit elektronischen Bauteilen und Spezifikationen
Wert Ausform Beschreibung Anzahl Mos-Fet P12MN50 500V 12A 0,0 $\Omega$ TPO 220 PE 10 St. 40 Mos-Fet IRF140P 550V 25,0A 0,140 $\Omega$ TPO 220 PE 10 St. 20 Feinspeicher 250V 4,0A Fink PE 10 St. Widerstand 22k 250V 0,315A Radial 1000 Widerstand IRF 3315 150V 27 $\Omega$ 0,07 $\Omega$ TO-223 30 Widerstand
in „Elektronik Bauteile Neuwertig , meist Leistungselektronik“ · Markt · · Screenshots
