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IRF5210S noch verwenden?
nur temporäre Lieferschwierigkeiten? https://www.reichelt.de/index.html?ACTION=446&LA=0&nbc=1&q=irf5210 rhf
die > (temporäre" Nicht-Lieferbarkeit bei den Brokern ein Zeichen für eine > Abkündigung? Der IRF5210 scheint mir problemlos lieferbar. Nur manche Verpackungsarten haben lange Vorlaufzeiten. Z.B. bei Digikey: https://www.digikey.de/product-detail/de/infineon-technologies/AUIRF5210STRL/AUIRF5210STRLTR-ND
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Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das?
optimierten N-FET und einem integrierten Charg-Pump-Treiber zu sehr gestört hat. Ich habe dafür den IRF5210PbF (TO220), von Infineon ins Auge gefasst. Es werden 3-4 hiervon parallel vorgesehen. Er ist nach meiner Recherche im Vergleich der SOA-Diagramme der robustetste P-FET den ich finden konnte. @1ms
steuert oben einen PNP an, der die Gate-Spannung begrenzt. Ich würde mir gut überlegen, so viele IRF5210 hintereinander zu schalten. Die haben zwar ein Rdson von 60mΩ, das sind bei 10A aber auch schon 6W. Das wird eine Materialschlacht: entweder viele parallel oder viel Kühlung.
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ULN2803 -> IRF5210, Widerstandswerte ?
Hallo, ich möchte über einen µC und PCF8574 einen IRF5210 ansteuern (PWM). Um die Ausgänge des PCF8574 zu schützen soll als Treiber ein ULN2803A eingesetzt werden. Mir wurde von verschiedenen Seiten gesagt, das man bei der Ansteuerung des MOSFET einen
Durchschalten fällt an RL fast Ub ab, dh du brauchst am Gate Ub + >4V (zumindest beim Buz10, vielleicht beim IRF weniger, ausprobieren...), auf jeden Fall mehr als Ub, und dann klappt das so nicht. Sinnvoller wäre es die Last an Drain zu klemmen. Die R´s ( wie in der Skizze): Einer von Gate an Masse - ca.
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IRF5210 + BC546 einfache Regelschaltung 0...20V
Hallo eine kleine Schaltung für eine Stromversorgung, 1x IRF5210 und 1x BC546, stellt eine hinreichend stabilisierte Spannung im Bereich von 0V bis 20V und mehrere Ampere zur Verfügung. Die Ausgangsspannung schwankt nur um wenige 10mV bei einem Lastwechsel
...ich hab noch ein paaar Kleinigkeiten geändert... Gewundert hat mich, dass der IRF5210 (Strombegrenzung) sehr temperaturabhängig arbeitet, ein kleiner Kühlkörper bewirkte aber Wunder. Leider bekommt man bei hoherer Ausgangsspannung ein Fehlerstrom (Gegenkopplungswiderstände)
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PWM-Schaltung verbessern?
danke für den Schaltplan Falk, als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Das ganze ist nach T9 4 mal aufgebaut jede Platine muss nur 65A schalten, das könnte mit der Verstärkung
#7215315: > danke für den Schaltplan Falk, > > als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden > IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Kann man was mit anfangen. Viel parallel können 65A schalten, macht ~15W Verlustleistung/MOSFET
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Super-Zener-Diode: Differenzieller Widerstand
Z-Dioden und zwei unterschiedlichen MOSFETs aufgebaut. Einmal N-Kanal IRFB 4110 und einmal P-Kanal IRF 5210. Der Grund für die Auswahl war einfach, was da ist. Die Zener-Diode wurde natürlich immer zwischen Drain und Gate geschaltet. Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit
V), allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der differentielle Widerstand dieses Gebildes ab?
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[V] SMD-Bauteile
stmicroelectronics_cd00044334-1205474.pdf 12 Stück im Stangenabschnitt EUR 5,- . * Infineon BTS5210G Zweikanal Highside-Schalter 140 mOhm mit digitalem Status-Ausgang https://www.mouser.de/ProductDetail/Infineon-Technologies/BTS5210G?qs=MGskQgfwDztzGsI1dk1HWw%3D%3D https://www.mouser.de/datasheet
/www.ti.com/lit/gpn/drv8714-q1 ca 70 Stück im Gurtabschnitt EUR 5,- . * Infineon BTS5210G Zweikanal Highside-Schalter 140 mOhm mit digitalem Status-Ausgang https://www.mouser.de/ProductDetail/Infineon-Technologies/BTS5210G?qs=MGskQgfwDztzGsI1dk1HWw%3D%3D https://www.mouser.de/datasheet
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N-Kanal MOSFET - Last zieht immer Strom
>Wozu ? >Technisch ist das nicht nötig. Bei den P-Kanal FETs hatte ich den IRF5210 und eben den IRF4905 ausprobiert. Dabei habe ich bemerkt, dass der Servo mit dem IRF4905 viel kraftvoller steuert. Liegt das nicht an dem RDS,on Value? >Weil das Diagramm Fig1 und Fig2 schon
> IRF5210 Nun, die 4.5V Kurve liegt viel niedriger als beim IRF4905, und zudem sind die 'typisch' (Abweichung bis 1:2 möglich). > Würde ein IRF7401 mein Problem lösen, dass der Servo auch > im
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Frage zu Angabe im Datenblatt; Mosfet
Uds hast, waren meine Vorschläge falsch. Da ist der kleinste Rdson auf jeden Fall zweistellig. Z.B. IRF5210 mit 60mOhm. Kühlen musst du trotzdem, aber nur 3W statt 10W oder mehr.
Hallo, vielen Dank. Ich habe mir einmal ein paar Mosfets rausgesucht; den IRF5210, IRF4905 dann noch welche von Siliconix. Der IRF4905 ist von den Daten her der Beste. Dabei hätte ich dann aber noch eine Frage. Sie wurde hier im Forum schon mehrfach getellt, aber so ganz glücklich
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Spannung von 90V reduzieren Gesperrt
brauchst Du dann aber einen bipolaren Transistor niedrigster VCEsat ohne Basisstrom ;-) Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > Dann hast Du noch das Problem, daß die meisten heute > erhältliche Leistungs-MosFets für Schaltanwendungen gedacht sind. Aha, linearer
MaWin schrieb im Beitrag #5496826: > m.n. schrieb: >> Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > > Wenn man ihn in der positiven Leitung mit einer negativen Gate-Spannung > voll durchschaltet. Einen mutmaßlichen Schalttransistor
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Leistungstransistor 5V 10A gesucht
Ok, danke! Ich werde dann den IRF1404 nehmen.
Last (ca. 80mA) -+ Ich müßte hierzu dann doch mit einem P-Kanal FET schalten. Kann ich dann den IRF 5210 benutzen: 5V -----+-----------------+ | | |/ | +--| BC 337 |
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Transistoren Austausch
eine kurze Frage. An einer Plantinie sind zwei Transistoren defekt. 1. Transistor auf der Plantine IRF5210 - P108D GS66. Bestellt habe ich einen IRF5210 - P2230 EU21 2.Transistor auf der Plantine IRF3710 - P107D G018. Bestellt habe ich einen IRF3710 - P144D TE89. Kann ich die Defekte Transistoren
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[V] MOS-FET´s, Dioden, OP´s, DAC´s, Sensoren
Stk. IR2127S SO8 MOSFET Driver 130 Stk. IR2136SPBF SO28W28 40 Stk. T IRF3710 N-Kanal 100V 57A 60 Stk. T IRF5210S P-Kanal 100V 40A 50 Stk. T IRF7103 N-Kanal 50V 3A 20 Stk. T IRF7210 N-Kanal 12V 2,5A 1 Stk. T IRF7303 N-Kanal 30V 3,9A
SO8 MOSFET Driver 130 Stk. 0,70 IR2136SPBF SO28W28 40 Stk. 2,30 T IRF3710 N-Kanal 100V 57A 60 Stk. 0,50 T IRF5210S P-Kanal 100V 40A 50 Stk. 0,50 T IRF7103 N-Kanal 50V 3A 20 Stk. 0,20 T IRF7210 N-Kanal 12V 2,5A 1 Stk.
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Ladeausgleichsschaltung
...und noch eine Frage: Ich habe noch einen IRF5210 gefunden. Könnte ich diesen anstatt des gegrillten IRF4905 verwenden? Das Datenblatt sieht gut aus, soweit ich es überblicke.
davon, der Kondensator an Vbat' schadet auf keinen Fall. Für deine weiteren Tests kannst du den IRF5210 nehmen. Er ist schon etwas schlechter, aber wenn du dann mal eine funktionierende Lösung hast würde ich für die entgültige Version den IRF4905 nehmen.
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FET-Schalter
Hi P-Kanal-MOSFET wie etwa IRF5210 von Reichelt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210.pdf Source an Batterie Drain an die Last Mit der Gatespannung steuerst du dann genau wie beim N-Kanal-FET den Strom durch
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Frage bzgl. ESD Protection bei mosfets
Hallo Forum, ich hätte mal eine Frage zum ESD Schutz bei mosfets. Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer ein oder ausschalten sollen. Die Schweinwerfer werden über 3 polige Steckverbinder mit dem Steuergerät verbunden. Auch wenn elektrische Kontakte eigentlich
Marvin schrieb im Beitrag #5974211: > Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer > ein oder ausschalten sollen. Wenn da nur alle paar Sekunden mal geschaltet werden soll, dann kannst du zusätzlich zur TVS-Diode ja noch einen recht "hochohmigen
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Schaltregler-Konstantstromquelle für 50W LED (33V, 1,6A)
angegeben ist hab ich alles bestellen können. Kann ichda einen Beliebigen p-FET dranklatschen z.B. den IRF5210s? Da hab ich noch welche da. Spannungsfestigkeit passt soweit nur hat der natürlich ne recht anständige Gateladung...
Ich habe die LM3409HV heute von Farnell bekommen. Jetzt stellt sich immer noch die Frage ob ich den IRF5210s da dran betreiben kann oder ob ich damit den Chip zerstöre. Was sind die Auswahlkriterien in diesem Falle? Gateladung? Mit hoffnung auf Infos... Rolle
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Faktoren zur Berechnung eines Spannungsteilers für P-Mosfet
Liebes Forum, ich möchte ein P-Mosfet (IRF5210) verwenden um ein Heizbett zu schalten. Da ich das ganze an eine bestehende Schaltung "andocken" muss, habe ich keinen Pin am Controller, sondern nur ein Gate eines 74HC08, über das ich den
[R1] | | | +----------[IRF5210] | | [R2] | | | 74HC08--------------[BCX41] | |
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Brauche Hilfe bei der Schaltung
Eine Frage habe ich noch zum FET. Wenn ich mir die UGs(th) im Datenblatt vom z.B. IRF5210 anschaue, ist -2V bis -4V angegeben. Bedeutet es, dass ich das Gate des P-Kanal FETs minimum 2V bis maximum 4V geringer als das Potential an der Source des FETs haben muss, damit der FET sicher
#4189681: > Eine Frage habe ich noch zum FET. Wenn ich mir die UGs(th) im Datenblatt > vom z.B. IRF5210 anschaue, ist -2V bis -4V angegeben. Bedeutet es, dass > ich das Gate des P-Kanal FETs minimum 2V bis maximum 4V geringer als das > Potential an der Source des FETs haben muss, damit der FET
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Verständnisfrage zu P-Channel Mosfet Beschaltung - wozu die Diode?
72V / (6k8+15k) * 6k8 = 22.45. UGSmax des IRF5210 ist 20V. Die P6KE100 ist kein Schutz, der MOSFET wird sowieso gegrillt. Auch bei Kurzschluss am Ausgang hilft niemand dem MOSFET. Die Erklärung für die Schaltung: Der Entwickler war dumm
Stromanstieg auf diese Weise zu verlangsamen. MaWin schrieb im Beitrag #5448090: > UGSmax des IRF5210 ist 20V. Und auch wenn der dann auf dem Labortisch nicht gleich kaputtgeht, muss von aussen nicht viel mehr dazukommen, um das Gateoxid zu durchschlagen. > 72V / (6k8+15k) * 6k8 = 22.45. Und
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5A 12V Schaltregler, so wenig Dropout wie möglich
Der IRF9530 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9530n.pdf hat tatsächlich 0.2 OHM R_ds_on. Das macht bei 5A dann eben schonmal EIN VOLT Spannungsabfall. Müssen es denn 100Volt U_ds sein? Sicher geht hier auch ein MOSFET mit besseren Daten. 100V: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210.pdf 55V: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf4905.pdf 30V(Logik SO8): http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7424.pdf Beid
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Transistor C=>E Restrom vernachlässigbar Wirklich?
Ich habe die Schaltung mal mit Eagle gezeichnet und hier angehängt. Als Mosfet habe ich einen IRF5210 gewählt. U_GS (max) = +/-20V U_GS (th) = -2V (-4V) Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b > Am Gate liegen ca. 47 Volt an wenn
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Welchen MOSFET verwendet ihr?
BUZ11 BUZ60 IRF1310 IRF5210 BS170
Ich bin auf der Suche nach einem 0815 Mosfet: Es gibt einen 0815-Mosfet-Treiber: http://www.irf.com/part/_/A~AUIR0815S?q=AUIR0815S
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MOFET will nicht
D-FF ein und ausgeschaltet wird, 15V Z-diode zwischen G und D b) einen P-Kanal MOSFET einsetzen zb. IRF5305 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5305.pdf Reichelt 0.58Euro Der Eingang vom Komparator muss getauscht werden (invertierend<->nichtinvertierend) RC Glied am Eingang nicht
Ladungspumpe) und innerhalb weniger ns abschalten. Aber es geht auch mit einem P-Kanal-Fet, z.B. IRF5210. +Vcc +Vcc E S PNP B C +-------- G P-Fet | PullDown Gnd D zur Last Wenn die Basis des PNP nach
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5V 500 mA - 2A mit STM32 schalten (Mosfet mit ?)
| | | '---------------------------------' GND NPN 2N5210 PMOS IRF7210 oder IRF7410 NMOS o---------o | | .-. | |
dann könnte ich doch diese Schaltung nutzen? Da IR auch Dual-MOSFETs herstellt wäre vielleicht der IRF7317 ganz interessant, dann könnte ich auch etwas Platz auf der Platine einsparen. Oder spricht was gegen diese Beschaltung? :) DUAL FET IRF7317 nmos pmos VGS(th) 0.7 -0.7V RDS(on) 46
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P-Kanal FET für -100V Uds und 200mA
Konstantstromregelungist bereits an anderer Stelle in der Schaltung). Zum experimentieren hab ich derzeit den IRF5210, der ist aber endlos überdimensioniert. MfG Andreas
irf9610 200v, irf9520 100v
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5V-Ausgang: Schutzbeschaltung
auch nur als Anstoß einer Teillösung gedacht. Dann muss halt ein anderer MOS-FET her: zum Beispiel IRF5210SPbF. Vielleicht geht es so.
Jetzt bin ich endlich mal dazu gekommen, die Lösung von BlaBla (Gast) auszuprobieren. Einen IRF 5210 habe ich nicht da, also muß ein IRF 9540N herhalten. Ergebnis: Eine Fehleinspeisung von -10V aus dem Ausgang wird wirklich sehr zuverlässig zurückgehalten. Allerdings wird auch die Vorwärts-Spannung
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P-Mosfet/Transistor Schaltung - verstehe die Werte nicht.
einer kleinen I/O Karte und möchte damit 55V / 10A max. schalten. Dazu verwende ich einen P-Mosfet (IRF5210). Unter anderem habe ich dafür hier im Forum eine Schaltung gefunden (Siehe Anhang). Angetrieben wird der Transistor von einem Pin eines ATmega328P. Nun verstehe ich die Auswahl der beiden
kleinen I/O Karte und möchte damit 55V / 10A > max. schalten. Dazu verwende ich einen P-Mosfet (IRF5210). Ich nehme an, das sind jeweils die Maximalwerte? Gibt es denn auch einen Nominal- und Minimalwert für die Spannung? Die 10A gehen nicht ohne Kühlung. Der MOSFET hat auch voll durchgeschaltet
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MOSFET high side driver - boot strap - charge pumpe
einem gate driver brauche. microcontroller -> levelshifter -> IRS2117 in komb. mit chargepump (laut irf deign tip) - N-CHANNEL MOSFET Damit ich die gesamte Last schalten kann, benötige ich natürlich mehrere MOSFETS - ich will aber nicht für jeden MOSFET alles extra aufbaun! In allen Datenblättern
diese: http://de.rs-online.com/web/search/searchBrowseAction.html?method=searchProducts&searchTerm=irf521&x=0&y=0 Also den IRF5210 in verschiedenen Gehäuseausführungen. Und eine Ansteuerung per Levelshifter ist hier zu sehen: http://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png Muss halt ggf
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Wie überwacht man die Einzelzellenspannungen aus in Serie geschalteten Akkus ?
www.mikrocontroller.net/topic/368767#4576835 Als Sinnvolle PMOS-Transen bei *4* NiMh-Akkus in Reihe halte ich : IRF 4905 IRF 5305 IRF 5210 IRF 9310 IRF 9321 AO 4447A Suche Allerdings nach einer Auto-Power-OFF-Schaltung, die sich durch einen Tastendruck einschalten läßt und nach ca. 10 Minuten wieder ausschaltet
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MOSFET zu langsam?
Hallo! Ich habe eine Schaltung, bei der ich einen P-MOSFET vom Typ IRF9620 als Schalter benutze. An dem liegt eine Spannung von 24V an. Ich beaufschlage das Gate mit 6V und der MOSFET schaltet die 24V durch, an einen Gleichstrommotor, der dann hochfährt. Den Strom durch
Spannungsabfall am MOSFET 2,8 A * 1,5 Ohm = 4,2 V beträgt. Da hilft ein niederohmiger Typ, z.B. IRF5210, wobei 100V Spannungsfestigkeit sollten hier ausreichen. 2,8 A * 0,06 Ohm = 0,168 V sieht schon besser aus.
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Suche Schaltregler
da würden sich dann https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQA36P15.pdf oder http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210pbf.pdf anbieten.
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Ist der L293D der richtiege für meine Konsturktion?
paar Mosfets (je 10-80A) parallel schalten kann um die Leistung zu erhöhen. z.B. bei Reichelt: - IRF 5210 = P-Kanal 40A/100V 1.15eur - IRF 3710 = N-Kanal 57A/100V 0.89eur Es gibt da natürlich noch Mosfets die 1/3 davon kosten und nicht so viel Power haben, aber die großen halten länger und du kannst
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Öffnerkontakt der für x (Milli)sekunden öffnet
Schau mal hier https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Mir stechen der IRF4905 oder der IRF5210 ins Auge ... Die sind bei U_GS von 2V noch komplett aus und mit 10V am Gate können sie noch sehr viel Strom (kurzzeitig und mit guter Kühlung)! Falls solche Ströme angedacht
hinwegavalanciert". (Reichelt hat die zB) [pre] IXTP76P10T MOSFET P-Ch 100V 76A 298W 0,025R TO220AB 6,50€ IRF 9540N MOSFET, P-CH, 100V, 23A, 140W, TO-220AB 1€ IRF5210SPBF MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D²Pak 5€ [/pre] 60Volt -Typen wären mir da schon zu knapp 55Volt sieht man ja auch oft.
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Unterspannung erkennen mit diskreten Bauteilen
Hä? Der IRF5210 ist ein Stino Enhanced P-MOSFET (erkennbar an der unterbrochenen Linie), d.h. bei Ugs=0V sperrt der. Bei Ugs=4V fängt der an zu leiten, d.h. diese Schaltung funktioniert NICHT! Komparator über
schaue nochmal nach, welchen Fet ich in der Simu hatte, es funktionierte definitiv. Edith: War ein IRF9510
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Kühlkörper gesucht
IRF5210 (P-Kanal, 0.060 Ohm, 30A, 100V) kostet 1,15 Euro bei Reichelt
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P-Channel MOSFET mit 30V Gate-Source Spannung?
Gate-Source Spannung?" und wenn da auf eine Liste referenziert wird, in der der P-Channel -MOSFET "IRF5210S" bei 10V endet, ist der Hinweis "Wohl kaum." gerechtfertigt. Sicher kann man irgendwo einen finden ("FQPF12P10"), der scheint aber nebenbei auch nicht so gängig zu sein. Selbst bei Digikey
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H Brücke mit P FET oder besser N?
verlustarm statisch schalten. Also mehrere FETs parallel ist klar, aber was ist das bessere ? Mehrere IRF 5210 (P-FET) Spannungsfestigkeit sollte für 70V Dimensioniert sein, oder eher nen schönen N-Fet bis 100V und 120A oder mehr und dann Ladungspumpe? Die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit ist wichtig,
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BUZ11 stirbt in dieser einfachen Regelschaltung von 30V auf 6V, warum?
Variante mit einem 200W 29A P-Channel IRF5210. Vorteile: - Ausgangsspannung ist nahe an der Ladeelkospannung, kein Spannungsabfall an UBE Strecke wie bei einem Transistor - Kühlkörper mit Drain verbunden, bei ev. Kurzschluss gegen
Bernhard S. schrieb im Beitrag #6464992: > Variante mit einem 200W 29A P-Channel IRF5210. Übrigens noch ein Detail zur Spannungseinstellung wäre zu erwähnen: Bei einem Poti-Fehler, der Schleifkontakt habe Aussetzer, springt die Spannung nicht hoch am Ausgang.
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TL494 Step Up Wandler Regelkreis schwingt
auch meine Vermutung. Deswegen werde ich es mal mit einem IR2113 probieren. Als FET's habe ich btw. IRF5210 und IRF540 verwendet. Gruß Transformator1
Transformator1 schrieb: > Als FET's habe ich btw. IRF5210 und IRF540 verwendet. Beim IR2113 wären es dann 2x IRF540 oder 2x IRFB3207. Gruß Transformator1
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ULN mit Fets als schalter
selten?!? Harald 6 13.03.2006 20:37 Probleme mit ULN2803 Sven 10 21.02.2006 08:28 ULN2803 -> IRF5210, Widerstandswerte ? someone 12 10.02.2006 14:08 ULN2803 o.ä. mit Latch gesucht Kai Markus Tegtmeier 24 25.01.2006 15:25 PNP-Version vom ULN2803? Der Wahre 4 12.01.2006 21:50 Mega8 und
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Schaltnetzteil 0-60V 0-30A?
Allerdings erscheinen mir 30A Dauerstrom eher unrealistisch > mit den TO220-Halbleitern. Ein IRF5210 und MBR60H100 schaffen das durchaus.
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Welches Bauteil für 12V DC Impulsgeberschaltung?
Poti220k--+ | |S Verriegelungssignal --4u7--+-----------|I IRF5210 | Masse --|>|--+-- Hupe -- Masse MBR3060 [pre[ aber
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FET SST113 Vergleichstyp ?
handelt sich also um einen "N-Kanal JFET". Ich habe bisher immer nur mit MOSFETs gearbeitet (BSS138, IRF5210...). Nun stellt sich die Frage welchen Typ ich als Vergleichstyp dieses Exoten hernehmen kann, am besten einen den es bei Reichelt gibt. Das wäre auch die Gelegenheit sich erklären zu lassen was
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Bauteilsuche TV-Netzteil Samsung
60 13.09.2021 11:11 Strom-Limitierung DC 12-15V 11 13.09.2021 11:06 Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das? 20 13.09.2021 08:59 Spulensättigung 36 13.09.2021 04:21 Transistor hFE 78 12.09.2021 22:53 Spannung umpolen 26 12.09.2021 20:56 Spannungswandler Leistung 8 12.09.2021
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Wie schnellen High Side PFET Treiber am besten realisiseren?
in das Gate "jagen" bzw. entladen können? PS NFETs scheiden aus, da ich noch gut 5 Stangen voll IRF5210 habe ;-)
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Abwaertswandler mit P-Kanal MOSFET
Erster Versuch mit einem N-Kanal Mosfet schlug (natuerlich) fehl. Heute also bei Segor einen P-Kanal IRF 5210 geholt und per PWM (per Software negiert) ueber eine Komplemntaertransistorstufe angesteuert. Bei 7 V am Eingang geht es super, auch bei 9 V. Leider geht bei 12 V schon nix mehr - es liegen immer