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Infineon_20176A.pdf
IRF1010ZPBF PG-TO220-3 IRF1018EPBF SP001574502 IRF1018EPBF PG-TO220-3 IRF1104PBF SP001570050 IRF1104PBF PG-TO220-3 IRF1310NPBF SP001553864 IRF1310NPBF PG-TO220-3 IRF1324PBF SP001561460 IRF1324PBF PG-TO220
in „Unstimmigkeit bei IRLB4030 Bestellung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3205Z.pdf
millimeters (inches) 2 D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER LOGO F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" DATE CODE ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L For GB Production THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO LOT CODE DATE CODE 10 www.irf.com IRF3205ZS/L TO-262 Package Outline Dimensions
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRL3713.pdf
in millimeters (inches) 2 D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 02 LINE L For GB Production THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE LOT CODE www.irf.com 9 IRL3713/S/L TO-262 Package Outline Dimensions
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3708PBF.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „Transistor zum Schalten von 24V/12V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3708_IR__1_.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „Mosfet Treiberschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3708_IR__1_.pdf
PD - 95363 IRF3708PbF SMPS MOSFET IRF3708SPbF IRF3708LPbF Applications ® l High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial
in „24V-Ausgang potentialgetrennt aus einem STM32 3,3V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Tabelle der thermischen Widerstände aus einem Datenblatt
Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case 2.15 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 — °C/W RθJA Junction-to-Ambient 62 www.irf.com 1 01/30/04
in „Lineares Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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Schaltplan eines HF-Verstärkers
C15 103 R1 103 C13 103 VCC_TX_Base R8 00R C19 103 T2 2N5109 VCC_TX_Base C5 103 R9 00R L3 220uH Q1 IRF530 Idq=30mA VCC_IN C1 104 1000U 16V R3 220R L1 10T Output C4 100p 1206 C29 10p Q2 IRF530 Idq=30mA R7 220R L6 220uH R2 10R T3 2N5109 C33 103 R4 10R R6 00R C32 103 R19 220R Q4 IRF530 R14 00R VCC_IN C2
in „MiniPA100 Schema“ · HF, Funk und Felder · · Schaltpläne
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Schaltplan eines H-Brücken-Motortreibers
Motor VCC, M2, IRF9530, S, G, D, R1, 1 kΩ, M4, IRF9530, S, G, D, R4, 1 kΩ, M, M1, IRF530, M3, IRF530, M5, 2N7000, M6, 2N7000, D, G, S
in „Beurteilung H-Brücke Schaltung für Stepper“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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IRF3205S.pdf
PD - 94149A IRF3205S IRF3205L HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 8.0mΩ DS(on) l Fully
in „Mosfet Treiber TC4426 + IRF IRF3205S (Ersatz gesucht)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3708.pdf
PD - 93938B IRF3708 SMPS MOSFET IRF3708S IRF3708L Applications ® Q High Frequency DC-DC Isolated Converters HEXFET Power MOSFET with Synchronous Rectification for Telecom V DSS R DS(on) max ID and Industrial Use 30V
in „IRF3708 als Schalter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistoren_cht.pdf
IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530 100 0.16 16 TO-220AB 2SK2314 A ST IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 A IR IRF5305S -55 0.06 -31 110
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Power_MOSET_Cross_reference.pdf
IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530 100 0.16 16 TO-220AB 2SK2314 A ST IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 A IR IRF5305S -55 0.06 -31 110
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRG4BC20U_INR.pdf
Surface 0.50 °C/W RθJA Junction-to-Ambient, typical socket mount 80 Wt Weight 2.0 (0.07) g (oz) www.irf.com 1 6/22/04 IRG4BC20UPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)CES Collector-to-Emitter Breakdown Voltag600 V VGE = 0V
in „LED Stripe über IGBT schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203ns.pdf
***V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET power MOSFETs www.irf.com 7 IRL2203NS/L 2 D Pak Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY WEEK 02 LOT CODE LINE L 8 www.irf.com IRL2203NS/L TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) IGBT 1- GATE TORCOLLEC
in „FETs - 5V steuerspannung - selbstleitend selbstsperrend“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-948.pdf
the two HEXFET Power MOSFETs and the ambient will have to be less than 2°C/W. Considering that the IRF530 and IRF9530 have a thermal resistance between junction and case of 1.7°C/W each, the maximum case temperature will have to be less than 110°C and the thermal resistance of the heatsink will have
in „Mehrere IRF520 Parallel für 12-24V LEDs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF9540N.pdf
PD - 94790A IRF9540NPbF Lead-Free www.irf.com 1 01/23/04 IRF9540NPbF 2 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 3 IRF9540NPbF 4 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 5 IRF9540NPbF 6 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 7 IRF9540NPbF
in „Frage zu Push Pull Abwärtswandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl540npbf.pdf
PD - 94997 IRL540NPbF HEXFET Power MOSFET Lead-Free www.irf.com 1 2/10/04 IRL540NPbF 2 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 3 IRL540NPbF 4 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 5 IRL540NPbF 6 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 7 IRL540NPbF TO-220AB Package Outline
in „N-Channel Mosfet max. Spannung Gate zu Drain“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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1916251.pdf
PD - 94998 IRLZ24NPbF Lead-Free www.irf.com 1 2/11/04 IRLZ24NPbF 2 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 3 IRLZ24NPbF 4 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 5 IRLZ24NPbF 6 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 7 IRLZ24NPbF TO-220AB Package Outline
in „Arduino + IRLZ24NPbF + 12V/2W DC Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Oszilloskop-Messkurven und Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us 500us mosdrive.asc R5 10k D3 1N4148 L1 1m Q3 2N2222 M2 IRF530 R1 1k Q2 2N2222 D1 1N4148 D2 1N4148 R4 10k L2 1m M1 IRF530 R2 1k Q1 2N2222 V1 PULSE(0 3 10u 1u 49u 100u) 24 V2 .tran 0.0005
in „Widerstände berechnen und Schaltung verstehen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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Infineon-IRLZ24N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
PD - 94998 IRLZ24NPbF Lead-Free www.irf.com 1 2/11/04 IRLZ24NPbF 2 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 3 IRLZ24NPbF 4 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 5 IRLZ24NPbF 6 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 7 IRLZ24NPbF TO-220AB Package Outline
in „AQV252GA steuert nicht voll durch“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL540N.pdf
PD - 94997 IRL540NPbF HEXFET Power MOSFET Lead-Free www.irf.com 1 2/10/04 IRL540NPbF 2 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 3 IRL540NPbF 4 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 5 IRL540NPbF 6 www.irf.com IRL540NPbF www.irf.com 7 IRL540NPbF TO-220AB Package Outline
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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INFINEON_IRL520NPBF_DB-EN.pdf
PD-95668 IRL520NPbF Lead-Free www.irf.com 1 8/2/04 IRL520NPbF 2 www.irf.com IRL520NPbF www.irf.com 3 IRL520NPbF 4 www.irf.com IRL520NPbF www.irf.com 5 IRL520NPbF 6 www.irf.com IRL520NPbF www.irf.com 7 IRL520NPbF TO-220AB Package Outline
in „Schaltung mit Arduino Nano RP2040 Connect funktioniert auf Steckbrett, aber nicht gelötet“ · Platinen ·
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Class_D_Amplifier_Circuit.pdf
+12V +40V +20V D4 1N4148 +5V D2 C14 1N4148 D5 1N4148 100nF D8 C9 GND B0540WS7 Q1 GND GND 100nF R13 IRF530S D7 U2 OUT1 X3-2 B0540WS7 22R R2 1 8 GND VDD LO OUT2 100k R9 2 HB VSS 7 X3-1 OVP... Over Voltage Protection 3 6 HS Opt. R11 C12 OUT1 4 HO IN 5 LM5104_IN OVP 5 6 HS RT D9 L1 C17 OUT C1 V+ OUT LM5104_IN 22µH 680nF X1-1 R7 4.7k 10nF LM5104 B0540WS7 1 MOD Q2 4 U1 f = 95kHz to 550kHz IRF530S 10k DIV R14 10uF 3 SET R12 OUT2 R5 S AUX IN R1 1 1 2 H 56k 22R R3 2 2 GND 1k 10k 3 31M R10 R8 C4 X1-2 LTC6992 100pF Opt. R4 R6 1M GND GND GND 7.5k 100k GND GND GND GND GND GND GND 10/07/2019 11:
in „Class D Amp. mit LTC6992“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3205.pdf
–– 0.75 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 01/25/01 IRF3205 Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF_1404_S.pdf
PD-93853C IRF1404S IRF1404L HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = 40V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.004 G l Fully
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf540n.pdf
–– 1.15 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 03/13/01 IRF540N Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V
in „Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3205.pdf
–– 0.75 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 01/25/01 IRF3205 Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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infineon-irf1010e-mosfet.pdf
–– 0.75 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 3/16/01 IRF1010E Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 60 ––– ––– V VGS = 0V,DI
in „DC Wandler wiederbeleben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf_1404.pdf
0.75 θJC RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 10/20/00 IRF1404 Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V GS= 0V
in „Pulsschweisgerät mit Auto Batt Schaltungs Verbesserung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF1404.pdf
–– 0.45 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 10/10/03 IRF1404 Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V GS= 0V
in „MOSFET wird sehr heiß“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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162399-da-01-en-IRF_4905.pdf
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID
in „High Side Switch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF4905_TO220.pdf
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID
in „FET Frage (n oder p)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf9z34n.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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162537-da-01-en-IRF_9540_N.pdf
PD - 91437B IRF9540N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V = -100V DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.117 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID
in „iMax B6 defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203n.pdf
HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. Part Marking Information TO-220AB EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010 WITH ASSEMBLY A INTERNATIONAL PART NUMBER LOT CODE 9B1M RECTIFIER IRF1010 LOGO 9246 9B 1M DATE CODE ASSEMBLY (YYWW) LOT CODE YY = YEAR WW = WEEK Data and specifications subject to change without
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon-IRFZ44N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
***V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET power MOSFETs www.irf.com 7 IRFZ44NPbF TO-220AB Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)) TO-220AB Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED
in „Mosfet IRFZ44N 12V schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3205.pdf
PD - 9.1279D IRF3205 HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.008 G l Fully Avalanche
in „Schaltung zu Kondensatorentladungsschweißen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL1004_IR.pdf
–– 0.75 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RqJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 6/17/04 IRL1004PbF Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V GS= 0V
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL1004_IR.pdf
–– 0.75 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RqJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 6/17/04 IRL1004PbF Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V GS= 0V
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203npbf.pdf
Junction-to-Case 0.85 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 °C/W RθJA Junction-to-Ambient 62 www.irf.com 1 01/29/04 IRL2203NPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 V V = 0V, I = 250µA (BR
in „IRL2203N defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL1004.pdf
HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. TO-220AB Part Marking Information EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010 A WITH ASSEMBLY LOT CODE 9B1M INTERNATIONAL PART NUMBER RECTIFIER IRF1010 LOGO 9246 9B 1M DATE CODE ASSEMBLY (YYWW) LOT CODE YY = YEAR WW = WEEK WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California
in „Mosfet als Schalter 100W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET-irfiz34v.pdf
duty cycle ≤ 2%. R = 25 , I = 30A. (See Figure 12) Uses IRFZ34V data and test conditions G AS 2 www.irf.com IRFIZ34V 1000 1000 TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 6.0V ( 6.0V n 5.5V t 5.5V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u100 u100 C C e e u r o o - - - - i i 4.5V r 10 r 10 D D , 4.5V , ID ID 20µs PULSE
in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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A100_IRF3415_IF.pdf
PD - 94963 IRF3415PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature V (kk = 150V l Fast Switching l FullyAvalancheRated R = 0402IΩ (k)on0 l Lead-Free G Description
in „Suche IR 513H“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRG4BC30U_IR.pdf
0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient, typical socket mount ––– 80 Wt Weight 2 (0.07) ––– g (oz) www.irf.com 1 04/22/04 IRG4BC30UPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Collector-to-Emitter Breakdown Volta600 — — V V = 0V, I = 250µA
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan einer Batteriewächter-Schaltung mit MOSFET und TL431
+24V STPS30M60SG-TR D6 UBAT_24V IRF530PBF0220 IRF STPS30M60SG-TR D7 Q7 R1 10k 8R05 UBAT_RAW Batterieanschluss Q7 R2 22R IRK UBATT_SW J8-1 ON_Switch TL431ACDBZR U4 REF J8-3 OFF_Switch Mit diesem Poti muss die Minimalspannung UBAT eingestellt
in „Bosch ProCore 18V Adapter mit BMS für Geräte anderer Hersteller“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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irl1404.pdf
RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W R Junction-to-Ambi(PCB Mounted) ––– 62 θJA www.irf.com 1 06/14/04 IRL1404 Electrical Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V VGS = 0V,DI
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF4905.pdf
PD - 94816 IRF4905PbF ● Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET ● Ultra Low On-Resistance D ● Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V ● 175°C Operating Temperature ● Fast Switching R DS(on) = 0.02Ω ● P-Channel G
in „Frage zu Push Pull Abwärtswandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irg4bc30w.pdf
Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient, typical socket mount ––– 80 Wt Weight 1.44 ––– g www.irf.com 1 4/24/2000 14/"*+! 9 Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)CES Collector-to-Emitter Breakdown Voltag600 — — V VGE =
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
