-
Artikel
MOSFET-Übersicht
2,0 60 70 300 9 Qg=190 nC Rei 1,65 IRF3205 TO-220AB irf 2,0 55 110 200 8 Rei 0,69 IRL3803 TO-220AB irf 1,0 30 140 200 6 4,5V LL, Qg=140nC Rei 0,96 IRF540 TO-220AB irf 3 100 28 150 77 LIN Rei,Kes 0,52 IRF7401 SO-8 irf 2,7 20 8,7 2,0 22 2,7V
ausgestattet ist, so beträgt die Sperrschichttemperatur bis zu 150°C, folglich gilt z. B. für den IRF540 nicht mehr 28A, sondern nur noch ca. 12-15A. Restströme sind auch stark temperaturabhängig. Bei höherer Temperatur nehmen die Restströme exponentiell zu. So können bei 100°C durchaus 100 µA zwischen
-
Artikel
Treiber
eine 24V Transil-Diode, bei 150V FET z. B. eine 130V Transil-Diode und bei einem 600V IGBT z. B. eine 540V Transil-Diode. Die antiserielle Diode, die verhindert, dass die Gatespannung bei fehlender Leistungsversorgung über die Transildiode abfließt, muss die gleiche Spannungsfestigkeit wie der Schalter
Gate Drive Transformer Design (Fotos) Gate Drive Transformer Waveforms & Troubleshooting AN978 von IRF: HV Floating MOS-Gate Driver ICs , engl. Deep dive into the discrete design of a static charge-pump high-side gate-driver, Youtube-Video (englisch)
-
Artikel
Reichelt-Wishlist
IGBT-Driver) | IR3313 o.ä. Intelligenter Leistungsschalter 32V/90A, einstellbare Strombegrenzung | IRF7503/IRF7506 Dual MOSFET SMD | | IRFI4212H-117P Doppel-MOSFET (f. Klasse D-Verstärker) | Leistungs-OP LM675 von National * MAX4420 MOSFET Driver * MAX4429 MOSFET Driver * MC 34152 D-SMD SO8 Dual MOSFET
Artikelbild ist irreführend!) | (zu haben unter CUL 100 und CUL 500 von 0,1 bis 2mm Durchmesser) IRC540 (HEXFET) | (kann ggf. durch bereits vorhandenen IRCZ 44 ersetzt werden) Niederohm-FETs in SO8, N und P | | * generell Spannungsregler, LOW-DROP, SMD (DPAK, D2PAK) Spannungsregler SMD in DPAK | | | |