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MOSFET-Übersicht
2,0 60 70 300 9 Qg=190 nC Rei 1,65 IRF3205 TO-220AB irf 2,0 55 110 200 8 Rei 0,69 IRL3803 TO-220AB irf 1,0 30 140 200 6 4,5V LL, Qg=140nC Rei 0,96 IRF540 TO-220AB irf 3 100 28 150 77 LIN Rei,Kes 0,52 IRF7401 SO-8 irf 2,7 20
GS 2*N Rei 0,43 € IRF7301 SO-8 IRF 2 20 5,2 2,0 50 @4,5V GS 70 @2,7V GS 2*N Rei 0,46 € IRF7341 SO-8 IRF 3 55 4,7 2,0 43 @10V GS 56 @4,5V GS 2*N Rei 0,46 € IRF7311 SO-8 IRF 2 20 6,6 2,0 23 @4,5V GS 30 @2,7V
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Treiber
Näherung dar. Daher ergibt sich die Treiberleistung wie folgt: Zum Beispiel bei U g =18V, C ies =4nF und ƒ schalt =5kHz beträgt P treiber =32mW. Bei größeren Strömen mit einer höheren Frequenz – z. B. Induktionsheizung – wird die Ansteuerleistung schon sehr interessant, z. B. Ug = 18V, C ies =20nF
Energieentnahme wird hier 0,5V festgelegt. Die gesamte Gateladung Q gate (Total gate charge) ist hier z. B. 58nC bei U g =10V. Daraus errechnet sich eine Minimalkapazität von 58nC / 0,5V = 116nF. Die Erfahrung zeigt, dass ein großzügiges erhöhen um den Faktor 3..8 sinnvoll ist, da in der Rechnung weder Leckströme
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Reichelt-Wishlist
nicht nur IRF, sehr gut IXYS <- und sauteuer!) | | wesentlich mehr MOSFETs von IXYS, 100V/200V-Typen, auch P-Kanal-Typen (z.B. IXFH74N20, IXTH48P20, ...) | Kleinsignal-MOSFETs von Zetex (ZVN...A / ZVP...A) im E-Line-Gehäuse
Artikelbild ist irreführend!) | (zu haben unter CUL 100 und CUL 500 von 0,1 bis 2mm Durchmesser) IRC540 (HEXFET) | (kann ggf. durch bereits vorhandenen IRCZ 44 ersetzt werden) Niederohm-FETs in SO8, N und P | | * generell Spannungsregler, LOW-DROP, SMD (DPAK, D2PAK) Spannungsregler SMD in DPAK | | | |