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Datenblatt-Ausschnitt IRF830 MOSFET
IRF830 V_DSS = 500V R_DS(on) = 1.5Ω I_D = 4.5A G D S
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Unterschied IRF 830 Y98K ML und IRF 830 Y95T HL
Hallo, Ich habe mein kaputten Deckenfluter geöffnet und dabei festgestellt, dass die beiden Mosfets: IRF 830 Y95T HL IRF 830 Y98K ML beide zwischen alle Pins keinen Widerstand besitzen, also ein Durchgang haben. Nun wollte ich diese beiden ersetzen, in der Hoffnung, dass lediglich die Leistungselektronik
Hallo, Julian schrieb im Beitrag #3260009: > IRF 830 Y95T HL > IRF 830 Y98K ML und > ich nicht weiß, worin genau der Unterschied zwischen diesen Mosfets > besteht? Ich vermute ja, dass der eine ein p- und der andere ein n-kanal > Mosfet ist
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Röhren verstärker
2 Frage wo ist der Unterschied Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! Sorry bin mit dem Handy im forum für die Recht schreibung
Marc-Mike schrieb im Beitrag #5823494: > Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! das vis steht für Vishay (Siliconix), den Hersteller?
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Spannunngsübertragung mit Luftspulen
Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) gleich bleibt, sehr heiß. Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der Transistor wird noch heißer. Laut
. Das ist keine Kunst ;-) >Sobald ich die Spule >einsetzte (1950 Wdg ~ 110 Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) >gleich bleibt, sehr heiß. ;-) >Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum >IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der >Transistor
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.model IRF630 für LTSpice standard mos lib
Hallo, damit kann ich nichts anfangen. Eigentlich habe ich so Etwas erwartet: .model IRFHM830 VDMOS(Rg=2.5 Vto=2.4 Rd=1.5m Rs=0.0m Rb=1.75m Kp=86 Cgdmax=1n Cgdmin=200p Cgs=1.5n Cjo=0.82n Is=100p mfg=International_Rectifier Vds=30 Ron=3.0m Qg=31n) Nur halt für den IRF630 statt IRFHM830.
Dann fummel ich mir das Model halt selbst zurecht. Momentan habe ich vor den IRFHM830 eine 1,5V Spannungsquelle gesetzt um einen IRF630 passend zu simulieren. LG old. Edit: .model IRF630 VDMOS(Rg=2.5 Vto=4.0 Rd=1.5m Rs=0.0m Rb=1.75m Kp=86 Cgdmax=1n Cgdmin=200p Cgs=0.7n
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N-Channel Power Mosfet
dann gesehen das ich mich vertan habe. Asche auf mein Haupt ! Es ist ein P-Channel... Würde ein IRF830STM reichen ? (jetzt ein P-Mos =) ) Hm, Id müsste 10A sein, ich finde jetzt kein Datasheet zu dem IRF830STM!? Aber ein IRF830S hat nur 4,5A =*( ich bin jetzt nicht so erfahren und finde irgendwie
also wenn der IRF830S nur 4,5A abkann, dann ist dies natürlich kein Ersatz (es sei denn, Du weißt genau, daß der ursprüngliche T in der Schaltung bereits reichlich überdimensioniert war). Beim großen C sind die Dinger
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Richtiger Transistor für 24V schalten per TTL?
Anforderung: 24V schalten, 4-5A liefern, und per TTL schaltbar sein. ich bin bei Farnell jetzt auf den IRF830PBF http://ch.farnell.com/vishay-formerly-international-rectifier/irf830pbf/mosfet-n-to-220-500v-4-5a/dp/8648549 Das das Ding hoffnungslos überdimensioniert ist(glaub ich) sei erstmal dahingestellt
>24V schalten, 4-5A liefern, und per TTL schaltbar sein. >ich bin bei Farnell jetzt auf den IRF830PBF >http://ch.farnell.com/vishay-formerly-internationa... >Das das Ding hoffnungslos überdimensioniert ist(glaub ich) sei erstmal >dahingestellt, dafür ist er relativ günstig: >Uds 500v
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Probleme bei StepUp Wandler Dimensionierung
95,25 % Spannungsteiler: R1 = 6,8 kOhm R2 = 1,088 MOhm Als Schalttransistor habe ich einen IRF 830 gewählt. Die Spule ist eine dicke Ringkerndrossel. Soweit so gut. Spannung passt auch. Jedoch habe ich bei einem Versuchsaufbau die 25 mA Last mit einem 8,2 kOhm Widerstand simulieren wollen.
vorerst mal alles klar. Bleibt nur noch die Frage offen mit welcher Sättigungsspannung Usat von IRF 830 ich rechnen soll, das leuchtet mir nicht so ganz ein.
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Stepup 180V - sackt völlig zusammen
> Gibt es keine Möglichkeit, die Ausgangsleistung noch zu erhöhen? Der IRF830 ist denkbar ungeeignet. Nimm einen IRF620 o.ä., der hat nur 1/2 On-Widerstand und vor allem Kapazität und schaltet entsprechend schneller aus. Und darauf kommts an. Mit dem IRF830 wird die ganze
vorhandene Teile aus der Kramkiste zu nehmen, für eine Schaltungsempfehlung im Wiki aber nicht. Z.B. IRF830->IRF620, MUR8100, 1N4007->UF4004, 56µ->100µ
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Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten
und das P und das N stehen für die jeweilige dotierung der Mosfet. Hallsensor:A3144 Mosfets: IRF9540N (P) IRF830 Also ziemliche Standard Dinger und sollten nicht wegen des Typs, sondern der Bauweise eines Mosfets das Problem sein, sofern sie das Problem sind. Dioden: SY360/8
dass die Zehnerdiode eine Durchbruchsspannung zulässt, wo der Fet eigentlich sperren würde. Bei dem irf 830 allerdings erst bei 600 Volt. Habe ich etwas vergessen?
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Platine Heizungsgebläse
dann die Widerstände oder Durchlasspannungen zwischen den > einzelnen Pins messen. Kann da ein IRF830 drauf erkennen. Der könnte tatsächlich defekt sein, zumal es da auch sehr braun rumrum aussieht. Muss den nochmal auslöten und durchmessen. Eingebaut ist das nicht so das gelbe vom Ei. > Was ist
Christian O. schrieb im Beitrag #7018995: > Kann da ein IRF830 drauf erkennen. Der könnte tatsächlich defekt sein, > zumal es da auch sehr braun rumrum aussieht. Muss den nochmal auslöten > und durchmessen. Eingebaut ist das nicht so das gelbe vom Ei IRF830
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180V Step-Up funktioniert nicht richtig
Also habe ich wieder den R10 durch einen 6,8k Widersand ersetzt, nützt auch nichts. Nachdem ich den IRF830, den BC327 und die Widerstände sowie Kondensatorwerte gecheckt habe, habe ich mir mit dem Oszilloskop mal den Spannungsteiler angesehen, nämlich genau den Punkt zwischen R10 und R11. Wie im alten
6,8k Widersand ersetzt, nützt auch nichts. Dann ist wohl was kaputt gegangen. > Nachdem ich den IRF830, >den BC327 und die Widerstände sowie Kondensatorwerte gecheckt habe, habe >ich mir mit dem Oszilloskop mal den Spannungsteiler angesehen, nämlich >genau den Punkt zwischen R10 und R11.
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High/Low-Side Treiber IR2101s steuert Halbbrück (n-Kanal Mosfet) falsch an
mach an die jeweiligen Treiber direkt eine Spannungsquelle dran. Bei mir haben die Modelle von IRF immer sehr gut funktioniert. Bist du dir sicher, dass die Pinzuordnung (Zwischen .sub und dem Symbol) auch stimmt?
Das IR2101-Modell von IRF für PSpice scheint in Ordnung zu sein. Ich habe es gerade mal in LTSpice laufen lassen.
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Ladegerät CTEK Multi XS 3600 defekt, Ersatzbauteile gesucht Gesperrt
für das Sterben der CTEK XS3600 ist völlig klar. Das Snubber-Netzwerk und der gewählte Transistor IRF830 (Udsmax=500V) sind dermaßen knapp kalkuliert, dass das Ladegerät durch kontinuierliche degradation der Drain-Source-Strecke kaputtgehen muß: 1. FET legiert durch und bringt 300V Gleichspannung
gebildet aus dem Schwingkreis der Primär-Streuinduktivität Lps und der Drain-Source-Kapazität Cds des IRF830. Die errechnete Streuinduktivität (Thomsonsche-Schwingungsformel) liegt bei ungefähr 17.6uH.
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230V LED Ansteuerung
müsste ich die PWM ja nach oben begrenzen, oder eben mit dem Serienwiderstand. Die Schaltung mit dem IRF830 gefällt mir ja im Prinzip, nur muss ich wie gesagt High-Side schalten, da für alle Farben nur ein Rückleiter vorgesehen ist.
Würde dann eher diese Schaltung nehmen. Transistoren hab ich in dem Spannungsbereich keine... Einige IRF830 schon.
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Suche Beispiel eines DC-DC reglers mit AVR
>ich denke als n-fet an den irf3000, der hat einen besonders kleinen >Rds(on) und ist im SO-8 gehäuse. Der IRF7401 genau so... >Ich frage mich schon die ganze zeit wie bei dieser Uhr der >aufwärtsregler realisiert wurde, schließlich
ich hatte 50kHz, einfach mal auf dem steckbrett experimentieren und an den Parametern drehen. IRF 830 gibts, oder auch z.B. MPSA42 BJT
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Ansteuerung 80V DC Motor / Hilfsspannung für Treiberbaustein
Mhhh, meinst du nicht, dass IRF830 vom Uds her ein bischen übertrieben ist? Oder hast du ein Fable für große Kühlkörper;)? Thor
Uds? In deiner Anwendung hast du maximal 80V Sperrspannung, ein 100V MOSFET würde reichen. Dein IRF830 hat 500V Sperrspannung und 1,5 Ohm R_DS_ON. Allgemein gilt, dass MOSFETs mit hoher Sperrspannung auch hohen R_DS_ON haben, ist technologisch bedingt. Ein passender MOSFET mit 100V Sperrspannung
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> 220 V DC mit Optokoppler
=> Gatetreiber => MOSFET. Ich habe eine Schaltung mit Multisim 10.2 simuliert in der ich einen IRF830( MOSFET) mit einem TLC274(OPV) betreibe. Wenn ich ich am positiven Eingang des OPV 0 Volt anlege fließt Strom. Der OPV hat 3,9 V am Ausgang ( siehe Anhang ) Sollt der Ausgang nicht negativ sein
Gute Frage muss ich passen und mich mal schlau machen... Aber wäre es nicht so wenn ich dem FET (IRF830) am gate 0V gebe ( z.B. über nen Switch/Schlater ) das er dann Sperren sollte. In der Sim. fließt immer noch ein Strom von ein paar µV!
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Frage zu Nixie-Stromversorgung aus Artikel
Schaltung habe ich statt der MUR8100 eine MUR240 bzw, eine BA159 probiert, außerdem habe ich statt dem IRF830 einen IRF740 verwendet. Außerdem ist die Diode am Transistor keine 1N4007 sondern eine 1N5819 (ich bin der Meinung eine 1N4007 ist da zu langsam?!). Hat jemand einen Tip, was das Problem sein
MUR8100 eine >MUR240 bzw, eine BA159 probiert, Sind beide OK. > außerdem habe ich statt dem IRF830 >einen IRF740 verwendet. Ist OK. > Außerdem ist die Diode am Transistor keine >1N4007 sondern eine 1N5819 (ich bin der Meinung eine 1N4007 ist da zu >langsam?!). Richtig! >Hat
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Tabelle der thermischen Widerstandswerte
THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER SYMBOL TYP. MAX. UNIT Maximum Junction-to-Ambient RthJA - 62 °C/W Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RthCS 0.50 - °C/W Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC - 1.7 °C/W SPECIFICATIONS TJ = 25 °C, unless otherwise noted
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Transistor Array für 250V
der hat nen IRF830 anstatt des internen FETs genommen. das geht aber der ist mir leider viel zu groß :(
dem Bereich arbeitet der Schaltregler selbst. Erzeugen kann er aber natürlich schon mehr. Und der IRF830 hat einen einfachen Grund: Das Ding soll ja dann 200 V erzeugen. Und das hält der interne NPN-Transistor natürlich nicht aus! Deshalb ein High-Voltage FET (400V Durchbruch) extern.
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Frage zu Mosfets
erheblich niedrigere RDSon als die höheren Spannungstypen!!! 2. Hast Du Dir mal die DirectFETs von IRF angesehen? Das Gehäuse hat keine Pins, aber in der Leistungsdichte kenn ich nichts besseres. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6716mpbf.pdf Hat 39A bei 25°C Umgebungstemp. und 180A
Michael schrieb: > 2. Hast Du Dir mal die DirectFETs von IRF angesehen? Das Gehäuse hat > keine Pins, aber in der Leistungsdichte kenn ich nichts besseres. > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6716mpbf.pdf > Hat 39A bei 25°C Umgebungstemp.
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Welcher Transistor ist der richtige
Draht heizen. @klauspi Vielen Dank für die Tabelle. Demnach würde ich jetzt den hier nehmen: IRF830 Hat im Datenblatt 2 - 4.5 V_GS auf der zweiten Seite. Heißt das, wenn ich zwischen 2 und 4.5 Volt am Gate anlege, dann schaltet der Transistor durch. In meinem Fall die 5V für die Heizung?
Ich hab jetzt 50 von den Si2302 bestellt (echt geil, mit Versand nur 3,50 €) und dazu noch 5 von den IRF3708. Wenn die Teile da sind werde ich es umsetzen und nochmals schreiben ob es wie gewünscht klappt. Danke nochmal
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Linearbetrieb MOSFET gesucht
MaWin: meinst du die hier??? http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1155.pdf
#3834497: > Kennt hier wirklich niemand andere " Echte " Linear-Betrieb taugliche > N-MOSFETs als den IRF 3305 ? Das kann man eigentlich mit jedem Mosfet machen, IRF hat hier mal bei etlichen die DC-Kurven nachgetragen: http://www.irf.com/product-info/hi-rel/alerts/fv5-p-09-01-a.pdf
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Wenn Funkenstrecke zu groß geht der FET kaputt !?
unternommen und inzw. 2 Transistoren über den Jordan geschickt(Sperren nicht mehr). Das war einmal ein IRF 740 und ein IRF 830 diese sind ja für 400 bzw. 500V ausgelegt. Ich kann nicht genau ausmachen ob ich sie einfach überlastet habe oder obs passiert ist weil die Funkenstrecke zu groß gewählt wurde und
Hallo, werde statt den IRF lieber ein paar IGBT bestellen. Was sagt ihr zu diesem Teil IRG4BC40U http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4bc40u.pdf denke der kann einiges mehr ab als so ein IRF730. Das mit dem
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Schaltnetzteil FET wird warm!
nixiebauanleitung.html Ich habe das Netzteil zur Probe auf einem Steckbrett aufgebaut. Funktionieren tut es aber der IRF 830 wird mehr als nur warm. Gemessen habe ich 120 C und das OHNE Belastung. Hat jemand schon mal das Netzteil nachgebaut und das gleiche Problem gehabt? Achso! Der Hinweis das wenn der FET warm
= GND Pinbelegung des FETs aus Datasheet: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/IRF830.pdf Der Aufbau ist ja nur zu Testzwecken so aufgebaut. Ich Teste gerne ne Schaltung bevor ich mir die Arbeit mache ein Layout zu entwickel und eine Platine herzustellen:-) Schö mit Ö....
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RIchtigen Transistor bestimmen
lassen Möglich, hier aber nicht sinnvoll. MFG Falk P S Nimm einen N-Kanal MOSFET, z.B. den IRF830. Der ist für dich als Anfänger gut nutzbar. Denn kann man direkt mit 4V ansteuern. Siehe [[MOSFET]].
@Mel Falk Brunner schrieb: > Nimm einen N-Kanal MOSFET, z.B. den IRF830. Der ist für dich als > Anfänger gut nutzbar. Denn kann man direkt mit 4V ansteuern. Siehe > MOSFET. Natürlich hat Falk recht. Das einfachste ist ein MOSFET. Jedoch ist es auch möglich einen
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Alternative zum IRF3708
Luftpolsterumschlag an. Ich habe das Tütchen noch nicht geöffnet aber dem Anschein nach ist der IRF3708PbF echt.
hat mal mehrere aufgesägt, 4 Originale, 3 Fälschungen: https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_IRF3708.htm
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[Projekt] MEGA Lamp
@Jan-h. B. (docean) >Was spricht für/gegen den IRF5305? Dass es ein P-Kanal MOSFET ist. Für deine 12V LED-Leisten brauchst du sinnvollerweise einen N-Kanal MOSFET. Z.B. IRF840 MFG Falk
upps in der Tabelle vertan... hast recht IRF830 ist besser :D
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Totzeit einstellen
Spannungen (Clamp-Diode !!!) - nur für n-channel MOSFETs (Steuerspannung wird erzeugt !!! (z.B. IRF830, IRF840) - auch die Totzeit ist fest, gerade mal so lang dass nicht beide Fets gleichzeitig schalten und, und ... Aber das musst Du jetzt selber machen, das Ganze war nur ein Hinweis
schalten, welche sehr hohe Ströme zulässt, nämlich 50 A http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irfp260n.pdf Damit müsste das gehen oder? lg, Bettina :)
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Schaltung mit MC 34063A
im MC34063 frisst ca. 1V, bleiben magere 5V für den MOSFET. Das ist keine sichere Sache für einen IRF830, der hätte gern 10V am Gate, um SICHER und SCHNELL zu schalten. Mit dem Treiber aus meinen Link gehen zusätzlich 0,7V flöten, das macht die Sache nicht besser. Hmmmm. Vielleicht sollte man doch bei
sauber hin zu kommen. Reichelt, Pollin Conrad kann ich vergessen war früher besser... Ich habe den IRF 830 Belassen BY233 geändert auf : BYV 08/400
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Logic Level FET für 3.3V
durchschaltet: DMN3404L (SOT23 30V 5.8A bei 10V UGS) P-MOSFET der bei 2.7V immerhin 2.7A durchschaltet: IRF7404 (SO8 20V 3.2A bei 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 2.8V immerhin 7.5A durchschaltet: IRF3708 (TO220 30V 30A bei 10V) N-MOSFET der bei 2.7V immerhin 3.5A durchschaltet: IRF7401 (SO8 20V 4.1A bei 4.5V
IRLML2502 (SMD) IRF3708 (TO220)
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LED Lampe - im Wiki gepostet
www.mikrocontroller.net/topic/108324 (Auf deinen Artikel hin) Ich werde wohl (irgendwann in 10 Jahren) den IRF830 verwenden...
hat gerade mal 50mOhm und schafft 30A. Allerdings erst bei 10V UGS >Der hier im Thread genannte IRF7104 hat ein viel höheren Rdson (0,25Ohm) >und ist daher doch noch weniger geeignet, oder? Du brauchst einen IRF7103, das ist ein N-Kanal. Der passt. Das mit IRF7104 war ein kleiner Fehler von mir
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Suche Bauteil
siehe dse-FAQ: "Oft findet man in Geräten Transistoren mit der Bezeichnung A1015, C557, D998, F830, H945 oder K1117 die in keinem Katalog zu finden sind. Fügt dann ein 2S, IR, KT oder B vor die Typennummer und sucht im Katalog erneut, denn asiatische Hersteller lassen gerne das 2S weg, Koreaner das
glücklicherweise gibt es kaum Nummernüberschneidungen. Die obigen Typen sind also 2SA1015, BC557, IRF830 und 2SK1117. Leider funktioniert das manchmal doch nicht: KSD/KTD998 und 2SD998 oder KSC/KTC778 und 2SC778 sind nicht dasselbe. Ersatztyp für KTD998/KTC778 ist 2SC4387/2SA1672 oder mit Isolierscheiben
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Artikel
Stepup für Nixieröhren
Aufbau ist eine Speicherdrossel allerdigns besser geeignet. Kühlkörper: Vorsicht: Die MUR8100E und der IRF830 entwickeln eine gewisse Wärme, ein Kühlkörper ist daher vonnöten. Genaue Berechnungen habe ich nicht durchgeführt, ein solcher Kühlkörper (jeweils einen für die MUR8100E und einen für den IRF830)
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[V] Viele Bauteile 3. OPs,T,....
8x TIP29 25x TIP122 19x TIP121 4x TIP126 29x TIP127 8x MTP2955 9x TIP30C 6x IRF730 6x IRF740 4x IRF640 4x IRF530 6x IRF830 6x BUX85 8x MPSA63 8x ZTX792A 9x ZTX712 53x BD237 3x SMW14N50F 12x 2N3440 15x 2N2905A 8x 2N2907A Wenn möglich alle Transistoren
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[V] Diverses (Displays, Debugadapter, Bauteile, PC-Teile)
Bauteile neu Bedrahtet: 30 Stück BYV29F500 Schnelle Dioden 9A 500V 60ns (NXP) 0,30€ 40 Stück IRF830 Power Mosfet 4,5A 500V 0,15€ 20 Stück MJE 13005 NPN 400V 4A 75W 0,10€ 30 Stück BUL49D NPN 5A 450V (ST) 0,20€ 40 Stück CNY75C
Bauteile neu Bedrahtet: 30 Stück BYV29F500 Schnelle Dioden 9A 500V 60ns (NXP) 0,30€ 40 Stück IRF830 Power Mosfet 4,5A 500V 0,15€ 10 Stück MJE 13005 NPN 400V 4A 75W 0,10€ 30 Stück BUL49D NPN 5A 450V (ST) 0,20€ 40 Stück CNY75C
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Transistorenkennzeichnung
Transistoren rumliegen. Meine Frage: Beschreibt einzig und allein die Hauptnummer (z. B. IRFZ48N, IRF830, IRF3205) das korrekte Bauteil, oder müssen andere Parameter (z. B. P026D, R4H8, Y01K LB, 527P, EB, C3) auch dazu passen, oder sind das teilweise Artikelnummern der Hersteller bzw. nochmal irgendwelche
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Schaltnetzteil 200V @ ca. 20mA
bei mir bei mehreren Uhren ohne Probleme. Für meine Uhr mit Z560M habe ich aber den dort angebenen IRF830 durch einen IRF 740 und C7 durch 1,2n ersetzt. 205V immer ohne Probleme, maximal erreichte Spannung bei 13V Input waren glaube ich 225V bei mir. Gruß Dirk
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Obduktion Ultraschallreiniger - Todesursache + Piezotest
Eckdaten: 50Watt 46kHz max.10min Modell GT7910A Platine CD7910S 7920S gefundene Defekte: 2x IRF830B 100nF 1Ω Vor Reparatur will ich sicher sein, daß der Wandler OK ist - am Anschluß ist der Kleber etwas brauner + darunter könnte ein Wackler sein. Ich will aber die Versiegelung nicht unnötig
vermutlich wars das Pock-Geräusch > und auch Ursache für den ganzen Mist: Eher das die Mosfet IRF sind macht so ein Geräauch am Wandler. Der C isst eher Folgeschaden. > > #3 Kann die Platine unterm Schallbad Schaden durch US nehmen? Da mir das bei ca. hundert reparierten Ultraschallreinigungsgeräten
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Ultraschall-Gerät reparieren
Montage. Die Schrauben waren locker und keine Wärmeleitpaste o.ä. dazwischen. Glaube ich hab dann auch IRF840 statt IRF830 verwendet, ist schon ne Weile her. Auf jeden Fall läuft das Gerät seitdem. Gruß Peter
