base (d)— Tr2 collector(2V/cm) 2.9 shows slightlymodified version of the Smith astable (ref. 2). With ZTX300 Figure a seriestransistorsthe circuitwill oscillateup to 100kHz, and to over 1MHz with ZTX310 series devices. The transitiontimes are approximately 50nS on both edges. Output voltage swing with a
1.9 to 2.2 mV/°C PNP tend to be higher than NPN VCE(sat) +0.23 to 0.4%/°C Small signal devices (eg ZTX300) 0.12 to 0.15%/°C Medium power devices (eg ZTX650) VCBO(VCES +0.07 to 0.09%/°C VCEO + or - about zero (Eg. can be small, but very device dependent) VEBO +0.04%/°C ICBO x2 per 11°C ICEO Approx x4
1.9 to 2.2 mV/°C PNP tend to be higher than NPN VCE(sat) +0.23 to 0.4%/°C Small signal devices (eg ZTX300) 0.12 to 0.15%/°C Medium power devices (eg ZTX650) VCBO(VCES +0.07 to 0.09%/°C VCEO + or - about zero (Eg. can be small, but very device dependent) VEBO +0.04%/°C ICBO x2 per 11°C ICEO Approx x4
weit von der Realität entfernt, wie ich durch Messungen sehen konnte (BC550 ca. 150V, BC338 250V, ZTX450 450V), auch sind die Werte stark vom Hersteller abhängig. Kennt jemand Transistoren (NPN und PNP) mit extra hohem VAF?
mehr aufgebaut. Ich nehme nur noch OPV-Schaltungen oder Leistungs-ICs. Selbst Spezialschaltungen (+/-650V) haben zwar MOSFETs im Leistungszweig, aber nem OPV im Eingang und Gegenkopplung über alles.
2.5V, braucht also keinen Pegelwandeler. Wenn der uC-Ausgang 5mA liefern kann, reicht auch ein ZTX1047A oder ähnlicher low sat high beta Transistor mit Vorwiderstand.
6. von unten: https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1hAqspH9YBuNjy0Fgq6AxcXXaD/10-st-cke-Laserdioden-5-mW-650-nm-Diodo-RED-Dot-Laser-Diod-Schaltung-5-V.jpg
Betriebsspannung bleiben also gerade mal 1V für die LED. Zu wenig. Verwende für Q2 einen low-sat Typ. Z.B. ZTX650. 2.4V für 3 Zellen (also 0.8V pro Zelle) erscheint mir auch zu niedrig. Bei 0.9V ist eine Alkali-Zelle praktisch schon leer. Und der Innenwiderstand schon so weit angestiegen, daß du keine 200mA
Step-Down Mode VOUT, = 5V, IN= 12V 3.3 5 7.8 s V SWSaturation Voltage, Step-Up Mode V = 3.0V, I = 650mA 0.5 0.65 V SAT V = 5.0V, ISW = 1A 0.8 1.0 V IN SW SWSaturation Voltage, Step-Down Mode VIN 12V, ISW = 650mA 1.1 1.5 V I Feedback Pin Bias Current LT1111, V = 0V 70 120 nA FB FB ISET Set Pin Bias Current
Für den Anfang tuts ein BC327 oder 337 aus der Bastelkiste. Besser wäre ein low-sat Typ wie z.B. ZTX650. Alternativ ein kleiner MOSFET wie IRLML2402. > Wegen dem Sleep-Modus muss ich nochmals im Datenblatt nachlesen. Der > Prototyp wurde ja mit einem Atmega328 betrieben. Diesen konnte man mit
welche Unterschiede sich da ergeben. Ein anderer Anreiz, hast du mal Transistoren von Zetex(z.b. ztx618 in e-line oder fcx617 in sog) getestet? Die haben sehr gute Schalt-Eigenschaften. Nur mal ein paar Anregungen von mir. Gruß
Wirkungsgrad -------------------------- -------------------------- 1V Boost an 1W Led 90 2,77 650 1,176 0,33 33% neuer akku: 1,24 2,84 755 1,24 38% -------------------------- -------------------------- Hier sticht besonder heraus dass die Thorfire die wohl für Lithium optimiert
+ 5V VIN – 1 F 0V TO 2.5V C1 0.0047 F LTC1440 + : 1N5712 1.2V 12pF LTC1440CE : 1N4148 7.2M TYP Q1: ZTX-849 SELECT FOR 100Hz * 1% METAL FILM 160k AT V = 0.025V ** IRC MAR-7 (USE BEST TC GRADE IN AVAILABLE FOR VALUE) † 22k 10M POLYSTYRENE D1 33pF† OUTPUT 0.05 F 15k 0kHz TO 10kHz – Q1 A2 D2 20M 1/2 LT1495
BC557A 3Et BC857A Phi N SOT323 BC557A 3E- BC857A Phi N SOT323 BC557A 3E MMBTH10 Mot N SOT23 MPSH10 fT 650MHz 3E FMMT-A42 Zet N SOT23 MPSA42 3EM MMBTH10L Mot N SOT23 VHF amp 650MHz fT 3ER BC857AR Phi R SOT23R BC557A 3EZ FMMTH10 Zet N SOT23 npn fT 650MHz 3F BC857B Phi N SOT23 BC557B 3F BC857BT Phi N SOT416
