Hallo *, ich komm bei dem ganzen Lowside und P-Channel/N-Channel furchtbar durcheinander. Ich hab +12v, LED, IRF7341 und dann GND. Am Gate liegen wahlweise +5V oder GND an. Kann mir jemand sagen, ob der in dieser Konfiguration überhaupt vollständig durchschaltet und komplett sperrt und wo genau (Drain/Source) ich die LED und Masse anklemmen muss? +12V --- +LED- --- IRF7341 --- GND | Gate | +------- +5V / GND (Steuerspannung) Danke, Christoph
Ja, der FET ist geeignet - der ist viel besser als nötig. "VGS(th)" liegt bei 1 Volt, also leitet der gut bei 5V (siehe Punkt 4.5 in [1], siehe auch Fig. 3, 6 und 7 im Datenblatt). Drain kommt an die LED, Source an GND. Vorwiderstand vor/nach die LED, fertig ist die Laube. [1] http://www.powerdesigners.com/InfoWeb/design_center/articles/MOSFETs/mosfets.shtm
Hi, kewl Danke Dir. Wegen eines Design-Mißverständnisses (dachte, die LEDs müssen in der High-Side geschaltet werden) hab ich auch IRF 7314er P-Channel da liegen und dachte in meiner Blauäugigkeit, dass ich den auch in der Lowside betreiben kann und hab jetzt: +12V --- +LED(inkl.R)- --- (S)IRF714(D) --- GND (G) +--------- +5V/GND Bei Gate=GND ist die LED voll an, aber es wird im Transistor ca. 150 mA verbraten, (0.68A direkt an Masse, 0.54A wenn über IRF geschaltet). Bei Gate=+5V ist die LED halb an, obwohl der doch sperren müßte? Die VGSth liegt bei 0,7V, das sollte soch lockerst ausreichen? Oder steh ich da am Schlauch? Erst bei +12V am Gate ist die LED ganz aus...
Ja, das macht Sinn was du da beschreibst. Der P-Kanal FET braucht -0.7V VGS (negative Spannung von Gate nach Source). Kann dein ansteuernder Treiber +12V?
Nein, "Treiber" ist nur ein Prozessorpin mit 0V/+5V, Aber irgendwie versteh ich das immer noch nicht. Wieso macht der bei GND Potential nicht ganz auf und weswegen brauche +12V um ihn ganz zuzumachen?
Weil bei +12V am Gate die Gate-Source-Spannung 0V ist. Der FET sperrt also. Fährt man die Spannung am Gate von +12V auf 0V so fällt VGS (wird betragsmäßig größer) in den negativen Bereich. Der FET steuert also durch. Maximal wenn das Gate GND ist.
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